「MEMORY OF」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory cell block has plural memory cell strings in which memory cells are arranged in the one direction and a redundant memory cell string for relieving defects of these memory cell strings.例文帳に追加

メモリセルブロックは、メモリセルが一方向に配置された複数のメモリセル列およびこれ等メモリセル列の不良を救済するための冗長メモリセル列を有している。 - 特許庁

In a semiconductor memory device having plural memory cell blocks (BLK0-BLK3), each of the memory cell blocks is provided with a regular memory cell array 1, a redundant memory cell array 2 and a column decoder 8.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック（ＢＬＫ０〜ＢＬＫ３）を有する半導体メモリ装置であって、各メモリセルブロックはレギュラーメモリセルアレイ１と、冗長メモリセルアレイ２と、カラムデコーダ８とを有する。 - 特許庁

A non-volatile memory 2 and a memory 3 for download are treated on the same memory map, and data read from the prescribed address of the memory 3 for download are written in the corresponding address on the non-volatile memory 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ２とダウンロード用メモリ３を同一のメモリマップで扱い、ダウンロード用メモリ３の所定のアドレスから読み込んだデータを不揮発性メモリ２上の対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁

The memory system is provided with a plurality of memory modules and a memory controller and these memory modules are connected to the memory controller by a duplicated serial interface.例文帳に追加

メモリシステムは複数のメモリモジュールと、メモリコントローラとを備えており、メモリモジュールとメモリコントローラとは二重化されたシリアルインターフェースで接続されている。 - 特許庁

The memory mapping system can compactly map contents from one or more first memory systems into a second memory system without a loss of memory space in the second memory system.例文帳に追加

メモリマッピングシステムは、コンテンツを、一つあるいは複数の第１のメモリシステムから第２のメモリシステムに、第２のメモリシステム内でのメモリ空間の損失無しに、簡潔にマップすることができる。 - 特許庁

The dummy memory cell DMC has a dummy memory cell column arranged so as to share a normal memory cell MC and a memory cell column with respect to a plurality of normal memory cells MC arranged in a matrix.例文帳に追加

行列状に配置された複数の正規メモリセルＭＣに対して、ダミーメモリセルＤＭＣは、正規メモリセルＭＣとメモリセル列を共有するように、ダミーメモリセル行を形成するように配置される。 - 特許庁

A memory securing means 42 retrieves the memory use information storage part 51 by using the program ID of the program file corresponding to the memory securing request, a request origin memory address and a request memory size as a retrieval key.例文帳に追加

メモリ確保手段４２は、メモリ確保要求に対応するプログラムファイルのプログラムＩＤ、要求元メモリアドレス、要求メモリサイズを検索キーとして、メモリ利用情報記憶部５１を検索する。 - 特許庁

A memory hub receives downstream memory commands and processes each of the received downstream memory commands to determine whether or not the memory command includes a write command directed to the memory hub.例文帳に追加

メモリハブはダウンストリームメモリコマンドを受け取り、受け取った各ダウンストリームメモリコマンドを処理して、そのメモリコマンドがメモリハブに向けられた書込みコマンドを含んでいるかどうかを決定する。 - 特許庁

Thereby, memory contents of the DRAM memory 9 can be held without performing processing such that memory contents held in the DRAM memory 9 is evacuated temporarily to another memory.例文帳に追加

これにより、ＤＲＡＭメモリ９に保持されているメモリ内容を一時的に別のメモリに退避するなどの処理を実施することなく、ＤＲＡＭメモリ９のメモリ内容を保持することができるようになる。 - 特許庁

A memory cell array 1 comprises a plurality of memory cells arranged in a matrix and having first memory cells for storing writing data and second memory cells for storing error correction check bits for the data stored in the first memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列され、書き込みデータを記憶する第１のメモリセルと第メモリセルのデータに対して誤り訂正用の検査ビットを記憶する第２のメモリセルを有する。 - 特許庁

On this occasion, by executing memory-to-memory data transfer using a free transmission band of the memory bus 26, external data transfer and the memory-to-memory data transfer are executed in parallel to reduce backup processing time.例文帳に追加

その際に、メモリバス２６の空き伝送帯域を用いてメモリ間データ転送を実行することにより、外部データ転送とメモリ間データ転送とを並列に実行し、バックアップ処理時間を短縮する。 - 特許庁

To provide an operation method of a data storage device including a nonvolatile memory device having a memory cell array and a memory controller having a buffer memory and controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加

メモリセルアレイを有する不揮発性メモリ装置と、バッファメモリを有し、前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリ制御器とを含むデータ格納装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus.例文帳に追加

制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。 - 特許庁

This memory control circuit is used for an apparatus developing data stored in the nonvolatile memory to the high-speed memory and operating according to the developed data, and controls the development of the data to the high-speed memory from the nonvolatile memory.例文帳に追加

メモリ制御回路は、不揮発性メモリに記憶されたデータを、高速メモリに展開して、展開されたデータに応じて動作する機器に用いられ、不揮発性メモリから前記高速メモリへの前記データの展開を制御する。 - 特許庁

The memory card with a memory module having a NAND flash ROM 18 and a FeRAM 20 uses the NAND flash ROM 18 as its main memory and the FeRAM 20 as the cache memory of the main memory.例文帳に追加

NAND flash ROM１８とＦｅＲＡＭ２０とを備えるメモリモジュ−ルを具備するメモリカ−ドであって、NAND flash ROM１８をメインメモリとして用い、当該メインメモリのキャッシュメモリとしてＦｅＲＡＭ２０を用いる。 - 特許庁

Preferably, the semiconductor device further includes a volatile memory, transfers data on the nonvolatile memory to the volatile memory by system reset, and accesses the volatile memory instead of read access to the nonvolatile memory.例文帳に追加

好ましくはさらに揮発性メモリを備え、システムリセットにより、不揮発性メモリのデータを揮発性メモリへ転送し、不揮発性メモリへのリードアクセスに代えて、揮発性メモリへアクセスする。 - 特許庁

Each memory unit has a plurality of memory locations for data stores, and each memory controller accesses a memory location in its own memory unit.例文帳に追加

各メモリ・ユニットはデータ格納用の複数の記憶位置を持ち、各メモリ・コントローラはそれぞれのメモリ・ユニット内の記憶位置にアクセスするよう構成される。 - 特許庁

A memory card includes: a nonvolatile memory 22 having card identification information offered to each memory card; and a memory controller 21 for controlling the writing, reading and erasure of data with respect to a nonvolatile memory 22.例文帳に追加

メモリカード個々に付与されたカード識別情報を有する不揮発性メモリ２２と、不揮発性メモリ２２へのデータの書き込み、読み出し、及び消去を制御するメモリコントローラ２１とを備える。 - 特許庁

To provide a technology which can obtain a large-capacity nonvolatile semiconductor memory without enlarging a power circuit which is a peripheral circuit to a nonvolatile semiconductor memory in a nonvolatile semiconductor memory device from a viewpoint that the large capacity of a nonvolatile semiconductor memory requires a large-capacity memory to consequently enlarge a power circuit including a peripheral charge pump circuit.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置において、不揮発性半導体メモリの大容量化は、メモリの大容量化に伴い周辺であるチャージポンプ回路を含む電源回路も増大してしまう。 - 特許庁

To provide a host apparatus, a memory card, a memory capacity change method, a memory capacity change program and a memory capacity charge transfer method that can change the capacity of memory space in dependence on charge.例文帳に追加

料金に応じてメモリ領域の容量を変更することができるホスト機器、メモリカード、メモリ容量変更方法、メモリ容量変更プログラム及びメモリ容量料金授受方法を提供する。 - 特許庁

A memory C is a memory corresponding to a column 902 in which 1 exists at random in code parts, and a memory D is a memory corresponding to a parity part 1003 in which 1 exists step-wise, each of them being configured by a normal memory.例文帳に追加

メモリCは符号部分の内のランダムに１が存在している列902に対応したメモリ、メモリDは階段状に１が存在しているパリティ部分1003に対応したメモリであり、いずれも通常なメモリで構成する。 - 特許庁

The resistive random access memory device has: a memory chip using a resistive random access memory cell; and a heater which imparts a temperature bias for accelerating state change of the memory cell to the memory chip.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。 - 特許庁

The memory controller 25 is of a specification that allows the memory controller 25 to access-control up to one memory slot to which the memory module is attached in addition to an onboard memory which is to be directly mounted on the main circuit board 5 for operation.例文帳に追加

メモリコントローラ２５は、メイン回路基板５に直接実装されて動作するオンボードメモリに加えて、メモリモジュールが装着される１つのメモリスロットまでをアクセス制御可能な仕様である。 - 特許庁

To provide a memory control system, a memory controller, and a memory control method, having improved reliability by continuing mirroring operation when failure has occurred in a memory module of mirroring configuration without installing a preliminary memory module.例文帳に追加

予備のメモリモジュールを設けず、ミラーリング構成のメモリモジュールに障害が発生したとき、ミラーリング動作を継続させ、信頼性を向上したメモリ制御システム、メモリ制御装置、メモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To improve the controllability of a memory device which is equipped with a volatile memory (for example, SDRAM) and a non-volatile memory (for example, flash memory) from a host by allowing the host to control data transfer between the SDRAM and the flash memory.例文帳に追加

本発明は、揮発性メモリ（例えば、SDRAM）と不揮発性メモリ（例えば、フラッシュメモリ）間のデータ転送をホストから制御可能とし、揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたメモリ装置のホストからの制御性を向上する。 - 特許庁

In the illustrative array of the thermally supported magnetic memory structure, each magnetic memory structure is provided with memory cells (350), writing conductors (310) which are in contact with the memory cells (350), and heating systems (360) which are in contact with the memory cells (350).例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。 - 特許庁

To provide a relieving method for a memory module in which a defective memory cell can be relieved without replacing a volatile memory decided as defective in an electrical test of a memory module and a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールの電気的試験で不良と判定された揮発性メモリを交換することなく、不良メモリセルの救済が可能なメモリモジュールの救済方法及びメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

The memory test system is equipped with a memory testing device 10 having the fail memory 15 for storing a test result of the memory to be tested and a controller 1 for controlling the memory testing device 10.例文帳に追加

メモリ試験システムは、被試験メモリの試験結果を格納するフェイルメモリ１５を有するメモリ試験装置１０と、メモリ試験装置１０を制御する制御装置１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a memory cell region consisting of blocks BLK0-BLK7, and a memory cell region consisting of blocks BLK8-BLK15.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ブロックＢＬＫ０〜ＢＬＫ７から成るメモリセル領域と、ブロックＢＬＫ８〜ＢＬＫ１５から成るメモリセル領域とを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has a plurality of memory strings each having a plurality of electrically rewritable memory transistors connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能な複数のメモリトランジスタが直列に接続された複数のメモリストリングスを有する。 - 特許庁

The control unit 4 can replace the normal memory cell array by a portion of a plurality of redundancy memory cells constituting the redundancy memory cell array.例文帳に追加

制御部４は、冗長メモリセルアレイを構成する複数の冗長メモリセルの一部で、正規メモリセルアレイを置換することが可能である。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and the manufacturing method thereof whereby the variation of the threshold voltage of its memory cell is suppressed while microminiaturizing its memory cell.例文帳に追加

微細化をはかりつつ、メモリセルのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Memory states of a multi-bit memory cell are demarcated, by generating read-out reference signals having levels that constitute boundaries of the memory state.例文帳に追加

記憶状態の境界を構成するレベルの読出し基準信号を発生することにより、複数ビットメモリセルの記憶状態を分界する。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a plurality of slots for storing the large number of memory modules and the respective memory modules have semiconductor memories.例文帳に追加

多数のメモリモジュールを収容するための複数個のスロットを有しており、メモリモジュールの各々は半導体メモリを有している。 - 特許庁

To provide a memory card protective device which protects a memory card from damage and the breakage of recorded data and facilitates the attachment/detachment of the memory card.例文帳に追加

破損や記録データの破壊からメモリカードを保護するとともに、メモリカードの挿脱が簡便に行えるメモリカードの保護装置を提供する。 - 特許庁

An embodiment of the memory system includes a semiconductor memory constituted to include a multiplicity of memory segments.例文帳に追加

メモリシステムの一実施形態は、複数のメモリセグメントを含むべく構成された半導体メモリを含む。 - 特許庁

In the memory stack, a memory space which can be arbitrarily processed can be optimally utilized without the occurrence of gaps of the memory area.例文帳に追加

この記憶スタックでは、任意に処理可能な記憶空間が、記憶領域の空きの発生なしに最適に利用され得る。 - 特許庁

To provide a stack memory in which a memory space which can be optimally processed is optimally utilized to the utmost without the occurrence of a free area of the memory.例文帳に追加

任意に処理可能な記憶空間が可能な限り記憶装置の空き領域の発生なしに最適に利用され得るスタック記憶器を提供する。 - 特許庁

To always perform memory access with optimum timing by matching an operation state of a semiconductor memory with an operation state of a memory controller.例文帳に追加

半導体メモリの動作状態およびメモリコントローラの動作状態に合わせて、常に最適なタイミングでメモリアクセスを実行する。 - 特許庁

A plurality of memory cell groups (G0 to G11) include a plurality of reading object groups (memory cell groups G0 to G6 or memory cell groups G7 to G11).例文帳に追加

複数のメモリセル群（Ｇ０〜Ｇ１１）は複数の読出対象群（メモリセル群Ｇ０〜Ｇ６またはメモリセル群Ｇ７〜Ｇ１１）を含む。 - 特許庁

The memory architecture incorporates multiple banks of memory devices organized into independent channels where in each bank of memory devices contains duplicate data.例文帳に追加

独立なチャネルに編成されるメモリ装置の複数のバンクを組み込み、メモリ装置の各バンクは複写データを含む。 - 特許庁

To provide a memory controller emulator capable of performing the text of a memory system before the actual memory system is completely constituted.例文帳に追加

実際のメモリシステムが完全に構成される前に、メモリシステムのテストを実行することができるメモリコントローラエミュレータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the influence of source resistance to a selected memory cell by an adjacent memory cell.例文帳に追加

隣接メモリセルによる選択メモリセルに対するソース抵抗の影響を低減することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.例文帳に追加

キャパシタレスメモリの１つであるＴＴＲＡＭ（Twin-Transistor Random Access Memory）のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリのメモリセル（ＭＣ_1）は、コントロールトランジスタ（Ｃ_1）とメモリトランジスタ（Ｍ_1）とで構成されている。 - 特許庁