「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a memory capable of improving the intensity of signals that are read from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルから読み出される信号の強度を向上させることが可能なメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory formed using a self-aligned process and capable of scaling down the memory size cell.例文帳に追加

自己整合プロセスを用いて形成され、メモリセルサイズを微細化することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁

A memory cell array 11 includes a bit line BL (BLT or BLN) to which a plurality of memory cells 21 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１は、複数のメモリセル２１が接続されたビット線ＢＬ（ＢＬＴ又はＢＬＮ）を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in a cell constitution for preventing the slow operating speed of each kind of semiconductor memory.例文帳に追加

各種半導体メモリ装置の欠点を解消した新規なセル構成の半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of memory strings connecting the memory cell MTr in series are arranged in the longitudinal direction being a column direction.例文帳に追加

メモリセルＭＴｒを直列接続してなるメモリストリングが、カラム方向を長手方向として複数配列される。 - 特許庁

In a memory cell array 1, a plurality of memory cells connected to word lines and bit lines are disposed in a matrix form.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には、ワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

To solve the problem of an AND memory cell array such that variations in the source resistance fluctuates reading current, to make memory transistors liable to malfunction.例文帳に追加

ＡＮＤ型メモリセルアレイにおいて、ソース抵抗のバラツキが読み出し電流を変化させ、誤動作しやすくなる。 - 特許庁

In a memory cell array 1, a plurality of memory cells connected to word lines and bit lines are arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には、ワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

In a memory cell array 2, a plurality of memory cells connected to word lines and bit lines are arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ２には、ワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device with uniform characteristics of memory cell transistors, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの特性が均一な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory capable of suppressing the expansion of a distribution width of a threshold voltage of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの閾値電圧の分布幅の拡大を抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a NAND type multi-state memory cell capable of achieving high memory density, low power consumption, and high reliability.例文帳に追加

高メモリ密度、低電力消費、及び高信頼性を達成可能なＮＡＮＤ型多値メモリセルを提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device, a wordline 36 is shared by two memory cell blocks 34 which adjoin mutually.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置では、ワード線３６が互いに隣り合う２個のメモリセルブロック３４に共有される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having enhanced reliability during a setting/resetting operation of a memory cell.例文帳に追加

実施形態は、メモリセルのセット動作／リセット動作時の信頼性を向上させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory comprises an array 100, constituted of memory cells and a reference cell array 200 constituted of reference cells of plural units.例文帳に追加

メモリは、メモリセルで構成されたアレイと、複数のユニットの基準セルで構成された基準セルアレイとを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which detects an abnormal state change of a memory cell during data writing/erasing.例文帳に追加

データ書き込み／消去時のメモリセルの異常な状態変化を検知する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the initialization of a memory cell can be performed by keeping the circuit scale to be suppressed as it is.例文帳に追加

回路規模を抑えたまま、メモリセルの初期化を行なうことができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Each port outputs an address signal selecting and indicating arbitrary memory cell of a memory array 1 with its timing.例文帳に追加

各ポートは、それぞれのタイミングでメモリアレイ１の任意のメモリセルを選択指示するアドレス信号を出力する。 - 特許庁

Each function section receiving an input cell starts processing at the same time and makes a pipeline memory access to a memory 24.例文帳に追加

入力セルが入ると各機能部は、同時に処理を始めてメモリ２４に対してパイプライン処理アクセスを行う。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory capable of more suppressing a memory cell transistor from being erroneously written in.例文帳に追加

メモリセルトランジスタへの誤書き込みをより抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory includes word lines extending in a first direction, bit lines extending in a second direction and a memory cell array.例文帳に追加

メモリは、第１の方向に延伸するワード線と、第２の方向に延伸するビット線と、メモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

A plurality of memory cells connected to word lines and to bit lines are arranged in a memory cell array 1 like a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１にはワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

To detect a memory cell small in margin by being read out with less area penalty in a ferroelectric memory device.例文帳に追加

強誘電体型記憶装置において、少ないエリアペナルティで読み出しマージンの少ないメモリーセルを検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which delay in access time and/or area of memory cell array can be reduced.例文帳に追加

アクセス時間の遅延及び／或いはメモリセルアレイ面積を減少させうる半導体メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To determine a corrected rewrite condition to an excessively written memory cell in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体装置で過書き込みされたメモリセルに対し修正された再書き込み条件を決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reliably detecting a change in the resistance state of a selection memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルの抵抗状態の変化を確実に検知することのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell matrix 11 of a SRAM 10 includes memory cells C0a, C0b connected to the same pair of bit lines BL0z, BL0x.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１０のメモリセルマトリックス１１は、同じビット線対ＢＬ０ｚ，ＢＬ０ｘに接続されたメモリセルＣ０ａ，Ｃ０ｂを含む。 - 特許庁

To prevent concentration of current to a source line driver in a semiconductor memory provided with a non-volatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを備えた半導体記憶装置においてソース線ドライバへの電流集中を防止する。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 holds n bit data corresponding to 2^n threshold levels.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

To improve reliability of a memory cell and to surely read out stored data in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセル信頼性を高くするとともに、記憶データの読み出しを確実にすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of satisfactorily refreshing a memory cell while having a small refresh busy rate.例文帳に追加

リフレッシュビジーレイトが小さく、メモリセルを充分にリフレッシュすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce dependency of threshold voltage of a memory cell of an AG_AND type flash memory for a place in an array.例文帳に追加

ＡＧ＿ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルのしきい値電圧のアレイ内場所に対する依存性を低減する。 - 特許庁

A phase change cell memory device includes two or more phase change memory cells, an address circuit, a write driver, and a write driver control circuit.例文帳に追加

相変化セルメモリ装置は、複数の相変化メモリセル、アドレス回路、ライトドライバ、及びライトドライバ制御回路を含む。 - 特許庁

To control a source voltage level of a driver transistor for the unit of a memory cell column in a static semiconductor memory device.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセル列単位で、ドライバトランジスタのソース電圧レベルを制御する。 - 特許庁

To provide a phase change memory cell which can store a plurality of data bits in order to obtain a high density phase change memory.例文帳に追加

高密度の相変化メモリを得るために、複数のデータビットを記憶できる相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

To shorten the time of access without increasing power consumption in a semiconductor memory which has a dynamic memory cell.例文帳に追加

ダイナミックメモリセルを有する半導体メモリにおいて、消費電力を増加させることなくアクセス時間を短縮する。 - 特許庁

Each memory cell includes a flip-flop FF and a non-volatile memory Mnv that stores the state of corresponding flip-flop.例文帳に追加

各メモリセルは、フリップフロップＦＦと、対応するフリップフロップの状態を保持する不揮発性メモリＭｎｖを含む。 - 特許庁

To provide a memory device for orthogonal transformation in which scalability of a memory cell can follow miniaturization of a processor.例文帳に追加

プロセッサの微細化にメモリセルのスケーラビリティが追随することのできる直交変換用メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A memory material layer of a position of the prescribed memory cell is selectively irradiated with energy conforming to information to be recorded.例文帳に追加

記録すべき情報に従って、所定のメモリセル位置のメモリ材料層に選択的にエネルギーを照射する。 - 特許庁

In the memory array 54, channels of each memory cell are formed in the vertical direction and capacity increase by the small area is attained.例文帳に追加

メモリアレイ５４は、各メモリセルのチャネルが縦方向に形成され、小面積での大容量化が図られている。 - 特許庁

The memory cell is used in a NAND array where the memory operations are controlled by voltages on the word lines and column selectors.例文帳に追加

メモリ・セルは、メモリ操作がワード線及び列セレクタの電圧によって制御されるＮＡＮＤアレーで使用される。 - 特許庁

The built-in memory can be initialized in a short time by specifying simultaneously plural words for a memory cell array 5.例文帳に追加

メモリセルにアレイ５に対して、複数ワードを同時に指定することにより、内蔵メモリを短時間で初期化できる。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 in which a plurality of twin memory cells 100 are arranged.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ツインメモリセル１００を複数配列したレギュラーセルアレイ２００を有する。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory cell transistor layer 30 and a dummy layer 70 for a second CMP.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリセルトランジスタ層３０、第２ＣＭＰ用ダミー層７０を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory reliably preventing a read error of data held in a normal memory cell.例文帳に追加

通常メモリセルの保持データの誤読み出しを確実に防止することが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁