「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A first bit line is connected to a first input/output terminal of a memory cell and a second bit line to a second input/output terminal of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの第１入出力端子に第１ビット線を接続すると共に、メモリセルの第２入出力端子に第２ビット線を接続する。 - 特許庁

The memory cell MT is mapped to any column and can hold data.例文帳に追加

メモリセルＭＴは、いずれかのカラムに関連付けられ、データ保持可能である。 - 特許庁

MEMORY CELL EQUIPPED WITH DUAL GATE TRANSISTOR WITH INDEPENDENT AND ASYMMETRICAL GATE例文帳に追加

独立の非対称ゲートを有するデュアル・ゲート・トランジスタが設けられたメモリ・セル - 特許庁

Thus, when there is no change, since the write operation to a memory cell or the shift operation is not performed, the power consumption by the memory cell is reduced.例文帳に追加

したがって、データの変化が無い場合は、メモリセルへの書込み動作やシフト動作が行われないので、メモリセルによる消費電力を削減することができる。 - 特許庁

The steps are each repeatedly executed to fabricate N levels of memory cell array.例文帳に追加

各工程はＮ段のメモリセルアレイを製造するために繰り返し行われる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加

分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁

To improve data holding characteristic of a non-volatile memory cell including an ONO film.例文帳に追加

ＯＮＯ膜を有する不揮発性メモリセルのデータ保持特性を向上させる。 - 特許庁

ANTI-FUSE, ANTI-FUSE FORMING METHOD, AND UNIT CELL OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH THE SAME例文帳に追加

アンチヒューズ、アンチヒューズ形成方法、および、不揮発性メモリ素子の単位セル - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加

磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子 - 特許庁

To provide a nonvolatile programmable memory cell adopting CMOS logic processes.例文帳に追加

ＣＭＯＳロジックプロセスを用いる不揮発性プログラム可能メモリセルを提供する。 - 特許庁

RESISTANCE MEMORY CELL, METHOD FOR FORMING SAME AND ARRANGEMENT THEREOF USING SAME METHOD例文帳に追加

抵抗メモリセル、その形成方法及びこれを利用した抵抗メモリ配列 - 特許庁

After data has been written in a memory cell array according to an internal address signal, in read-out operation, read-out data from each memory cell is compared with expected value data.例文帳に追加

内部アドレス信号に応じて、メモリセルアレイにデータの書込みを行なった後、読出動作において、各メモリセルからの読出データと期待値データの比較を行なう。 - 特許庁

Before next data is stored to a memory cell 1 where data of i-bit are stored, data of i-bits or less are written in a neighboring memory cell 2 in advance.例文帳に追加

ｉビットのデータが記憶されているメモリセル１に対して、次のデータを記憶する前に、隣接するメモリセル２にｉビット以下のデータを事前に書き込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a memory cell capable of holding data correctly even when the data held in the memory cell is multi-valued.例文帳に追加

メモリセルの保持データが多値化された場合であっても正確なデータを保持することが可能なメモリセルを有する半導体装置を供給すること。 - 特許庁

The write circuit 102 supplies a signal to the target memory cell to crystalize a part of the phase change materials, thereby a resistance value of the target memory cell is lowered.例文帳に追加

書き込み回路１０２は、ターゲットメモリセルへ信号を供給して相変化材料の一部を結晶化し、これによってターゲットメモリセルの抵抗値を下げる。 - 特許庁

A word line LWL (RWL) is connected to each memory cell (/C).例文帳に追加

各メモリセルＣ（／Ｃ）には、ワード線ＬＷＬ（ＲＷＬ）が接続されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 12 and the multiple control gates CG11-CG17 constitute a memory cell array.例文帳に追加

半導体層12及び複数のコントロールゲートCG11〜CG17は、メモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

The write digit line WDL, corresponding to the memory cell row including the memory cell targeted for writing data, is selectively activated, when writing the data.例文帳に追加

データ書込時には、データ書込対象のメモリせルが含まれるメモリセル行に対応するライトディジット線ＷＤＬが選択的に活性化される。 - 特許庁

At least one end of the first write line passes through the upper end or the lower end of the memory cell array, while the other end passes through the left or right end of the memory cell array.例文帳に追加

少なくとも１つの第１書き込み線の一端はメモリセルアレイの上端または下端を通り、他端はメモリセルアレイの左端または右端を通る。 - 特許庁

Moreover, the memory cell array has a double bit line and a double word line structure, and the redundant memory cell array has a single bit line and a single word line structure.例文帳に追加

又、メモリセルアレイは２重ビット線及び２重ワード線構造を有し、冗長メモリセルアレイは１重ビット線及び１重ワード線構造を有する。 - 特許庁

To reduce a cell area in a flash memory device of a single gate structure.例文帳に追加

単層ゲート構造のフラッシュメモリ装置において、セル面積を縮小する。 - 特許庁

At the time of write-in process for the prescribed memory cell, voltage drop (V1-V2) is caused in the selected word line(WL) connected to this memory cell.例文帳に追加

所定のメモリセルへの書き込み過程の際に、このメモリセルに接続された選ばれたワードライン（ＷＬ）において電圧降下（Ｖ１−Ｖ２）が生じる。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND PROGRAM METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR REFERENCE CELL THEREFOR例文帳に追加

磁気メモリ装置、このためのリファレンスセルのプログラム方法及び検証方法 - 特許庁

The non-volatile register 300 includes at least one twin memory cell 312.例文帳に追加

不揮発性レジスタ３００は、少なくとも一つのツインメモリセル３１２を含む。 - 特許庁

A data input and output circuit inputs data to memory cell array or outputs the data from the memory cell array continuously, in synchronization with the strobe signal.例文帳に追加

データ入出力回路は、ストローブ信号に同期して、メモリセルアレイへのデータを連続して入力またはメモリセルアレイからのデータを連続して出力する。 - 特許庁

SILICON THIN FILM, SILICON MONOCRYSTAL PARTICLE ASSEMBLAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

シリコン薄膜、シリコン単結晶粒子群、半導体装置、及び、フラッシュメモリセル - 特許庁

To reduce the current penetrating a selector in a memory cell when rewriting data.例文帳に追加

データ書き換え時にメモリセル内のセレクタを貫通する電流を低減する。 - 特許庁

Meanwhile, when the program verification is not required for the data programmed in the memory cell, the supply of current to the memory cell is cut off from the sense amplifier.例文帳に追加

一方、前記メモリセルにプログラムされたデータがプログラム検証を要しない場合には、前記感知増幅器から前記メモリセルへの電流供給が遮断される。 - 特許庁

A memory cell 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a first wiring layer 14 is formed on the memory cell 12 via a first interlayer insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１１にメモリセル１２が形成され、メモリセル１２上に第１層間絶縁膜１３を介して第１配線層１４が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell array, and a sense amplifier zone.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、メモリセルアレイと、センスアンプ帯とを備える。 - 特許庁

A conductive line (3) forming a word line (WL) of a memory cell (MC) and a conductive line (5) forming a memory cell plate electrode (CP) are formed in different wiring layers.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ）のワード線（ＷＬ）を形成する導電線（３）とメモリセルセルプレート電極（ＣＰ）を形成する導電線（５）とを、異なる配線層に形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SIGNAL LINE ARRANGED TO RUN ACROSS CELL ARRAY例文帳に追加

セルアレイを横切って配線された信号ラインを有する半導体メモリ装置 - 特許庁

Thereby, a characteristic of a nonvolatile memory cell can be expressed in a pseudo state, measuring read speed can be performed by an arbitrary memory cell on-state.例文帳に追加

これにより、不揮発性メモリセル特性を擬似的に表現することができ、任意のメモリセル・オン電流によるリードスピードの測定を行うことが可能になる。 - 特許庁

The memory cell includes a magnetoresistive sensor that comprises layers that include a free layer.例文帳に追加

メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。 - 特許庁

To provide a pillar phase change memory cell that allows conditions, in which the pillar cell of a phase change memory becomes structurally unstable due to uneven etching, to be controlled.例文帳に追加

エッチング処理の不均一により、層変化メモリのピラーセルが構造的に不安定となる状況を制御可能にするピラー相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

This circuit is provided with a memory cell block, a first decoder 16, and a second decoder 18.例文帳に追加

メモリセルブロックと、第１デコーダ１６と、第２デコーダ１８とを備えている。 - 特許庁

Therefore, the arrangement efficiency of the transistor in the memory cell MC can be improved.例文帳に追加

したがって、メモリセルＭＣのトランジスタの配置効率を高めることができる。 - 特許庁

When a memory cell is abnormal as a result of discrimination, an internal address of a memory cell is outputted from a signal line L3 through a fail address extracting means 25.例文帳に追加

判定の結果、メモリセルが異常の場合には、該メモリセルの内部アドレスが、フェイルアドレス抽出手段２５を介して信号線Ｌ３から出力される。 - 特許庁

A capacitive element C of the memory cell MC1 is installed in the active region L1, and a capacitive element C of the memory cell MC2 in the active region L4.例文帳に追加

活性領域Ｌ１にはメモリセルＭＣ１の容量素子Ｃを配置し、活性領域Ｌ４にはメモリセルＭＣ２の容量素子Ｃを配置する。 - 特許庁

A magnetic random access memory 10 comprises a memory cell MC, and a reference cell RC which is referred to at the time of reading out data in order to generate a reference level.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。 - 特許庁

To improve characteristics and reliability of a memory cell by stabilizing operation quality in data writing in the split gate type EEPROM memory cell.例文帳に追加

スプリットゲート型のＥＥＰＲＯＭ型メモリセルにおいて、データ書き込みの際の動作品質を安定させ、メモリセルの特性及び信頼性を向上させる。 - 特許庁

To simply and securely replace a defective memory cell by a redundant memory cell by improving a program process for a fuse element at the time of using a redundant circuit of a SRAM.例文帳に追加

SRAMの冗長回路の使用時におけるフューズ素子に対するプログラム工程を改善し、不良メモリセルを冗長メモリセルに簡単、確実に置換する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING ERROR OF BINARY WORD STORED IN MULTI-LEVEL MEMORY CELL例文帳に追加

多重レベルメモリセル内に記憶される２進ワードの誤りを訂正する方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING WRITE CURRENT FOR MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加

磁気メモリセルのための書込み電流を生成するための装置および方法 - 特許庁