「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The same data as data held by the nonvolatile memory cell 103 are written to the volatile memory cells 104, 105.例文帳に追加

揮発性メモリセル１０４、１０５には、不揮発性メモリセル１０３が保持するデータと同じデータが書き込まれる。 - 特許庁

To write or read a plurality of memory transistors continuing to a word line in parallel in a VG memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイにおいて、ワード線に連なる複数のメモリトランジスタを並列に書き込みまたは読み出す。 - 特許庁

To detect a defective memory cell having deteriorated memory performance quickly and accurately.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置において、記憶性能の低下した不良メモリセルをより迅速かつより精度良く検出する。 - 特許庁

Each chip includes a memory cell array, the chip address memory, the determination part, the control signal setting part, and the chip address setting part.例文帳に追加

各チップは、メモリセルアレイ、チップアドレスメモリ、判定部、制御信号設定部およびチップアドレス設定部を備える。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes a plurality of memory cells connected to a word line and a bit line and arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which is long in refreshing cycle and can exactly amplify the read-out data from a memory cell.例文帳に追加

リフレッシュサイクルが長く、かつ、メモリセルからの読出データを正確に増幅可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a memory cell 2, a write-back determination part 7, and a readout control part 8.例文帳に追加

半導体記憶装置には、メモリセル２と、ライトバック判定部７と、読み出し制御部８とが設けられている。 - 特許庁

To provide a technique for stabilizing operation velocity of a memory cell of a semiconductor device having a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを有する半導体装置のメモリセルの動作速度を安定させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY AND CONTROL METHOD FOR ITS OPERATION, STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリ及びその動作制御方法並びに強誘電体メモリセル構造及びその製造方法 - 特許庁

A semiconductor memory is provided with pads 41, 42, a power source voltage supply circuit 70, and a memory cell array 110.例文帳に追加

半導体記憶装置は、パッド４１，４２、電源電圧供給回路７０、およびメモリセルアレイ１１０を備える。 - 特許庁

To provide a memory device having a memory cell including a constitution of a high data storage density and a relatively low cost.例文帳に追加

高いデータ記憶密度の構成と比較的低コストとを可能にするメモリセルを有するメモリデバイスの提供。 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMORY CELL ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC CAPACITOR, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置 - 特許庁

Data are transferred between registers and between memory cells of the register memory cell array through the internal data bus line.例文帳に追加

内部データバス線を介してレジスタ間データ転送およびレジスターメモリセルアレイのメモリセル間のデータ転送を行う。 - 特許庁

A second data memory circuit stores the data of the first or second logical level read from the memory cell.例文帳に追加

第２のデータ記憶回路は、メモリセルから読み出された第１論理レベル又は第２論理レベルのデータを記憶する。 - 特許庁

To detect accurately a memory cell having defect in a test stage in a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、不具合を有するメモリセルをテスト段階で精度良く検出すること。 - 特許庁

DIFFERENTIAL CURRENT EVALUATION CIRCUIT FOR EVALUATING MEMORY STATE OF SRAM SEMICONDUCTOR MEMORY CELL, AND SENSE AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加

ＳＲＡＭ半導体メモリーセルのメモリー状態を評価するための差動電流評価回路およびセンスアンプ回路 - 特許庁

A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address.例文帳に追加

ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。 - 特許庁

METHOD FOR OPERATION OF ELECTRICALLY WRITABLE AND ERASABLE MEMORY CELL AND STORAGE DEVICE FOR ELECTRICAL MEMORY例文帳に追加

電気的に書き込みおよび消去が可能なメモリセルの動作方法および電気的なメモリのための記憶装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a memory cell can be initialized at high speed without increasing chip area.例文帳に追加

チップ面積を増大することなく高速にメモりセルを初期化できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device provided with a floating body transistor capacitor-less memory cell and its operating method.例文帳に追加

フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリ装置及びその装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which restrains the area increase rate of a memory cell array and on which an ECC circuit is mounted.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積増加率を抑えてＥＣＣ回路を搭載した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell 20 comprises a conductor 22, in which a writing current flows to the hollow part 19 of the cell 10.例文帳に追加

また、メモリセル２０は、記憶素子１０の中空部１９に書き込み電流を流す導体２２が通過している。 - 特許庁

To reduce an initial defect of a cell assembly memory when a cell assembler sets a new destination.例文帳に追加

セル組立装置において、新たな送信先を設定するときの、セル組立メモリの初期不良を低減させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can suppress variation in the threshold level of an already-written cell by writing data to the adjacent cell.例文帳に追加

隣接セルの書き込みにより、既に書き込まれたセルの閾値レベルの変動を抑制することを可能とする。 - 特許庁

In data rewriting processing, write-in operation and erasure operation are performed even to a dummy cell 16 similarly to a memory cell.例文帳に追加

データ書き換え処理において、ダミーセル１６に対してもメモリセルと同様に書き込みと消去が実行される。 - 特許庁

The gate polysilicon layer G11 is shared by a second memory cell, which is adjacent to the cell along its length.例文帳に追加

このゲートポリシリコン層Ｇ１１は、セルの長手方向で隣接する第２のメモリセルとの間で共有されている。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell which can be reduced in cell area while keeping sufficient magnetic anisotropy.例文帳に追加

充分な磁気異方性を保ったまま、セル面積を縮小することができる磁気メモリセルを提供すること。 - 特許庁

A MTJ-MRAM cell consisting of MTJ and a selection switch transistor QS is used for a memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣには、ＭＴＪと選択スイッチトランジスタＱＳからなるＭＴＪ−ＭＲＡＭセルが用いられる。 - 特許庁

To provide a memory cell structure for enabling selective access to a core cell without needing access transistors.例文帳に追加

アクセストランジスタを必要とせずにコアセルに対する選択的なアクセスを可能にするメモリセル構造体の提供。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell is provided with a U-shaped structure for raising the cell density in the side direction of a substrate 20.例文帳に追加

不揮発性メモリ・セルは、基板２０の側方向におけるセル密度を高めるＵ字形構造を備えている。 - 特許庁

A memory cell 1 is a DRAM type storage cell comprising two NMOS transistors 10 and 11 and one capacitor element 12.例文帳に追加

メモリセル１は、２つのＮＭＯＳトランジスタ１０，１１と１つのキャパシタ素子１２によるＤＲＡＭ型記憶セルである。 - 特許庁

A main body cell MC of a memory cell array 1 is connected to the sense node SN of a comparator 31 through a bit line BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の本体セルＭＣは、ビット線ＢＬを介して比較器３１のセンスノードＳＮに接続される。 - 特許庁

To provide a gain cell structure which can reduce the size of a memory cell and to provide a method by which the structure can be manufactured inexpensively.例文帳に追加

メモリセルサイズを小さくできるゲインセル構造およびそれを安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A DRAM cell is composed of a memory cell transistor in a FD-SOI MOST structure and a planer capacitor.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルをＦＤ−ＳＯＩのＭＯＳＴ構造を利用したメモリセルトランジスタと、平面キャパシタで構成する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a cell array, a redundancy cell array, a parity generator, and a comparator.例文帳に追加

本発明に従う半導体メモリ装置は、セルアレイと、リダンダンシーセルアレイと、パリティー発生器と、そして比較器と、を含む。 - 特許庁

The bit line BL is connected to the drain region of a memory cell which constitutes an NOR cell array (not shown).例文帳に追加

ビット線ＢＬは図示しないＮＯＲ型セルアレイを構成するメモリセルのドレイン領域に接続されている。 - 特許庁

A positive voltage is applied to the gate of a selected cell and the gates of memory cells that share a word line with the selected cell.例文帳に追加

選択セルのゲート及び前記選択セルとワードラインを共有するメモリセルのゲートに陽の電圧を印加する。 - 特許庁

Rows including a defective memory cell are replaced by redundancy memory cells independently in each of a pair of memory block interposing a pair of row decoder 11.例文帳に追加

１対のロウデコーダ１１を挟む１対のメモリブロックの各々で独立に、欠陥メモリセルを含む行が冗長メモリセルの行に置換される。 - 特許庁

The memory device for storing one or a plurality of addresses includes a coincidence line and first and second memory cells forming a two-bit memory cell.例文帳に追加

１つ又は複数のアドレスを格納するためのメモリ・デバイスは、一致ラインと、２ビット・メモリ・セルを形成する第１及び第２のメモリ・セルを含む。 - 特許庁

For example, an ECC code storage area 11b is divided into memory regions 11b-1, 11b-3 and a memory region 11b-2 in a memory cell array 11.例文帳に追加

たとえば、メモリセルアレイ１１において、ＥＣＣコード格納エリア１１ｂを、メモリ領域１１ｂ-1，１１ｂ-3とメモリ領域１１ｂ-2とに分ける。 - 特許庁

To provide a stacked semiconductor memory apparatus having uniform characteristics of writing, erasing, and reading data to/from each memory layer or memory cell.例文帳に追加

各メモリ層あるいは各メモリセルのデータ書き込み、消去、読み出し特性が均一な積層構造を持つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

SELF-ALINE TYPE METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING EDGE DIRECTED IN HORIZONTAL DIRECTION, AND MEMORY ARRAY FORMED BY IT例文帳に追加

水平に向けたエッジをもつフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成するセルフ・アライン型方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁

To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁

An external memory cell mounted with a flash memory is connected to a receiver 3 via an external memory interface 45 comprising a connector and an interface circuit.例文帳に追加

フラッシュメモリが搭載された外部メモリ素子１００がコネクタとインターフェース回路とからなる外部メモリインターフェース４５を通じて接続される。 - 特許庁

To form on a single substrate a memory region including a MONOS memory cell and a logic-circuit region including the peripheral circuits of the memory, etc.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリセルを含むメモリ領域と、メモリの周辺回路などを含むロジック回路領域とを同一基板上に形成する。 - 特許庁