| 意味 | 例文 |
Memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14054件
A nonvolatile memory element is provided with a first memory section provided with a first storage node capable of storing data by a first method, and a second memory section provided with a second storage node capable of storing data by a second method different from that of the first memory section.例文帳に追加
第1方式でデータを保存できる第1ストレージノードを備えている第1メモリ部と、第1メモリ部とは異なる第2方式でデータを保存できる第2ストレージノードを備えている第2メモリ部とを備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁
To provide a memory element of a variable-resistance nonvolatile memory device using a variable-resistance material varying in electric resistance value when applied with a voltage, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加
電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for accessing memory which does not need memory cell separately to record a use state of a memory block, in order to solve various problems caused by prior art.例文帳に追加
従来の技術による諸問題を解決するため、メモリーブロックの使用状態を記録するために別途にメモリーセルを必要としないメモリーのアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To provide a resistance memory element having a multiple-resistive state, a resistance memory cell and method of operating thereof, and a data processing system which applies the resistance memory element.例文帳に追加
多数抵抗状態を有する抵抗メモリ要素、抵抗メモリセル及びその動作方法、そして前記抵抗メモリ要素を適用したデータ処理システムを提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which memory cells have high reliability of electric charge holding even when made fine and also have excellent characteristics, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加
メモリセルを微細化しても電荷保持の信頼性が高く、メモリセルの特性が良好な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The on-demand method replicates (memory synchronization) a changed part from a service shared memory to a standby shared memory every time data is changed in a normal operation.例文帳に追加
オンデマンド方式とは、正常運転時、データの変更があるたびに、変更部分を運用系の共有メモリから待機系の共有メモリにレプリケーション(メモリ同期化)する方式である。 - 特許庁
MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加
磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁
To start a firm program by inserting an option memory into a memory slot other than by a method of downloading the updated firm program to a first memory and starting the firm program.例文帳に追加
バージョンアップしたファームプログラムを第1のメモリにダウンロードして起動する方法以外に、メモリスロットにオプションメモリを挿入してファームプログラムを起動することなどを可能とする。 - 特許庁
To provide a memory controlling method and device capable of arbitrating various memory access requests by simple circuit constitution and reducing the deterioration of memory access performance.例文帳に追加
この発明は、容易な回路構成により各種メモリアクセス要求を調停し、メモリアクセス性能の低下を低減することのできるメモリ制御方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which performs normal read-out even if an excess-written memory cell exists in a NAND type MONOS memory, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
NAND型MNOSメモリにおいて、過書き込みされたメモリセルがあっても、正常な読み出しを可能とする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
INFORMATION STORAGE MEDIUM, IC CHIP EQUIPPED WITH MEMORY AREA, INFORMATION PROCESSOR HAVING IC CHIP EQUIPPED WITH MEMORY AREA, AND MEMORY MANAGING METHOD FOR INFORMATION STORAGE MEDIUM例文帳に追加
情報記憶媒体、メモリ領域を備えたICチップ、メモリ領域を備えたICチップを有する情報処理装置、並びに、情報記憶媒体のメモリ管理方法 - 特許庁
To provide a memory device and a method of programming the memory device that supply or maintain a sufficient and/or stable amount of electrical current during programming the memory device.例文帳に追加
十分な及び/または安定な量の電流を、メモリデバイスのプログラミング中に供給または保持するメモリデバイス及びメモリデバイスのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory system and method of detecting distribution of unstable memory cells, which detects a page including many memory cells having unstable threshold voltages.例文帳に追加
不安定なスレショルド電圧を有したメモリセルが多く存在するページを検出する不安定メモリセル散布を検出するメモリ・システム及びその検出方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for dealing with a shortage of memory for expanding compressed data in which the state of memory over is appropriately avoided even when memory packaged in an image processor is small.例文帳に追加
本発明は、画像処理装置の搭載するメモリが少ない場合でもメモリオーバーの状態を適切に回避する圧縮データ展開メモリ不足対処方法を提供する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE, CIRCUIT BOARD, LIQUID RECEPTACLE, METHOD OF ACCEPTING FROM HOST CIRCUIT DATA FOR WRITING TO DATA MEMORY SECTION, AND SYSTEM INCLUDING MEMORY DEVICE ELECTRICALLY CONNECTABLE TO HOST CIRCUIT例文帳に追加
記憶装置、基板、液体容器、データ記憶部に書き込むべきデータをホスト回路から受け付ける方法、ホスト回路に対し電気的に接続可能な記憶装置を含むシステム - 特許庁
To provide a memory control unit and its control method which guarantee an access sequence to a memory in a memory control unit, on which a plurality of ports with buffers are mounted.例文帳に追加
複数のバッファ付きポートを実装したメモリ制御装置において、メモリへのアクセス順序を保証するメモリ制御装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide the method of manufacturing a semiconductor memory device in which there are less deterioration and variation in the property of a Vpp transistor, and which provides the stable memory cell property of a flash memory.例文帳に追加
Vppトランジスタの特性の劣化やばらつきが少なく、安定したフラッシュメモリのメモリセル特性を得ることができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁
To provide a method of detecting easily a memory error occurred when accessing a memory or when releasing an allocated memory, in a development stage of software.例文帳に追加
ソフトウェアの開発段階において、メモリにアクセスする際に、または、割り当てたメモリを解放する際に発生し得るメモリエラーを容易に検出する方法を提供する。 - 特許庁
To provide the rewriting control method of a flash memory for preventing the deterioration of a processing speed due to the data erasing time of a flash memory, and for efficiently using the flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリのデータ消去時間による処理速度低下を防止し、さらにフラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッシュメモリの書換制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory control method of an IC card, capable of further reducing information to be controlled and effectively using the memory, when conrolling a memory area of the IC card.例文帳に追加
ICカードのメモリ領域を管理するに際し、管理すべき情報が一層低減され、メモリの有効利用を図ることができるICカードのメモリ管理方法を実現する。 - 特許庁
To provide a DRAM which selectively operates in response to auto-refreshing instruction, a memory to control this auto-refreshing, a memory system including a DRAM and a memory, and their operating method.例文帳に追加
オートリフレッシュ命令に選別的に動作するDRAM、それのオートリフレッシュ動作を制御するメモリ、DRAM及びメモリを含んだメモリシステム、そしてそれの動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data loss prevention device for a flash memory and a data loss prevention method for the flash memory, preventing the occurrence of data loss in the flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリにおいてデータ消失を発生し難くすることができるフラッシュメモリのデータ消失防止装置及びフラッシュメモリのデータ消失防止方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory device capable of generating uniform voltage drop by a source line regardless of the number of memory cells to be programmed and a method of programming the flash memory device.例文帳に追加
プログラムされるメモリーセルの個数に関係なくソースラインで均一な電圧降下を発生することができるフラッシュメモリー装置及びこの装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory, and its manufacturing method, in which stability and reliability of the memory are enhanced by shielding plasma charges and preventing them from being trapped by a memory cell.例文帳に追加
プラズマ電荷を遮蔽することによりメモリセルにトラップされるのを避け、メモリ装置の安定性や信頼性を向上するメモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR REDUCING NUMBER OF PINS USED FOR SLOT DISCRIMINATING SIGNAL INPUT IN MEMORY MODULE, AND MEMORY MODULE PROVIDED WITH CHIP WITH INFORMATION RELATED TO MEMORY MODULE RECORDED THEREIN例文帳に追加
メモリモジュールにおいて、スロット判別用の信号入力に用いるピンの本数を削減する方法、および、メモリモジュールに関する情報を記録したチップを備えるメモリモジュール - 特許庁
To provide a method for formatting a memory medium of a medium exchange type memory device capable of reducing the labor for the physical format processing of the memory medium.例文帳に追加
記憶媒体の物理フォーマット処理の手間を軽減することのできる媒体交換型記憶装置の記憶媒体フォーマット方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To a nonvolatile semiconductor memory device which reduces the gate length of a memory cell employing a channel hot electron write system, and also a method of controlling the semiconductor memory device.例文帳に追加
チャネルホットエレクトロン書き込み方式が適用されるメモリセルのゲート長を縮小することが可能な不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory card, a data management method for a semiconductor memory card, and a database engine that enable efficient control of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリの効率の良い制御を行うことが可能な半導体メモリカード、半導体メモリカードのデータ管理方法、及びデータベースエンジンを提供する。 - 特許庁
To provide a method of restricting the writing to a particular memory cell without cutting a wire of a memory cell array, or without bringing a prober in contact with the individual memory cell or row or column.例文帳に追加
メモリセルアレイの配線を切断したり、個々のメモリセルあるいは行や列にプローバーを当てたりせずに、特定のメモリセルへの書き込みを制限する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory device and a memory accessing method for being applied to a Reed-Solomon decoder of a fast block pipeline structure, and the Reed-Solomon decoder provided with the memory device.例文帳に追加
高速のブロックパイプライン構造のリード-ソロモンデコーダに適用するためのメモリ装置及びメモリアクセス方法並びにそのメモリ装置を備えたリード-ソロモンデコーダを提供すること。 - 特許庁
To provide a memory defect treatment device and its method detecting a defect position with respect to a card type memory, and capable of using the memory card irrespective of a defect.例文帳に追加
本発明は、カード型メモリーに対する欠陥位置を検出し、欠陥にかかわらずメモリーカードが使用できるメモリー欠陥処理装置及びその方法に関する。 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory having sufficient memory characteristics by protecting a ferroelectric capacitor against moisture generated during a manufacturing process, and to provide a ferroelectric memory which reduces effects of hydrogen generated in the case of forming a passivation film and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
製造工程中に発生する水分から強誘電体キャパシタを保護し、十分なメモリ特性を有する強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
To provide a memory controller, a memory module and a memory control method, allowing continuous use even when a defective area occurs in a storage device after shipping.例文帳に追加
出荷後において記憶装置に不良領域が生じた場合でも継続して使用することができるメモリ制御装置、メモリモジュール及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁
METHOD FOR DETECTING DAMAGE POSITION OF SHAPE MEMORY ALLOY, SELF-SENSING TYPE HEATING CONTROL METHOD, SELF-REPAIRING METHOD, PANEL MADE OF COMPOSITE MATERIAL AND SHAPE MEMORY ALLOY COVERED WITH INSULATING FILM例文帳に追加
形状記憶合金の損傷位置検出方法、自己感知型加熱制御法及び自己修復方法並びに複合材料製パネル及び絶縁皮膜で覆った形状記憶合金 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING MEMORY ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC ELEMENT AND OXIDE THIN FILM, MEMORY ELEMENT AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PRODUCED BY THESE PRODUCTION METHODS例文帳に追加
酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子 - 特許庁
To provide a memory controlling method for an option device using an inexpensive memory such as a flash ROM as a memory means for storing data such as printing information without the need of using an expensive memory such as an EEPROM.例文帳に追加
プリント情報等のデータを記憶する記憶手段として、高価なEEPROM等のメモリを使用せずに、安価なフラッシュROM等のメモリで代用することができるオプション装置のメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁
According to the method, the memory access of the processor 120 to the memory 140 of the processor 110 is limited to one cycle, and memory sharing is realized in a fixed waiting time regardless of the difference of memory access speed.例文帳に追加
この方法によれば、第1プロセッサ110のメモリ140に対する、第2プロセッサ120のメモリアクセスは1サイクルに限定され、メモリアクセス速度の差に無関係に一定の待ち時間でメモリ共有が実現される。 - 特許庁
To provide a magnetic memory in which a magnetization state recorded in a memory layer exists stably even when its density is increased and which is composed of a plurality of magnetic memory elements of a small power consumption, and to provide a method for manufacturing the magnetic memory.例文帳に追加
高密度化しても、メモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリおよび磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory in which memories can be reconfigured in manufacturing or afterward responding to a measured characteristic of memory cells and a method of reconfiguring a memory mode in the memory.例文帳に追加
本発明は、製造時、あるいは、記憶セルの測定された特性に応答して、後の時点において、メモリを再構成することが可能になるメモリ装置およびメモリ装置における記憶モードの再構成をする方法を提供する。 - 特許庁
To provide a phase change type nonvolatile memory cell capable of recording/erasing at a high speed, and to provide a memory array using the phase change type nonvolatile memory cell and a method for recording information in the phase change type nonvolatile memory cell.例文帳に追加
高速記録・消去が可能な相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory management server and method, and a program, allowing high-speed retrieval by constructing, in a storage device of an application server, a shared memory area (a memory image file) holding a memory structure used by an application program.例文帳に追加
アプリケーションサーバの記憶装置にアプリケーションプログラムが利用するメモリ構造を保持した共有メモリ領域(メモリイメージファイル)を構築し、高速検索を可能とするメモリ管理サーバ、方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁
To provide a memory interface control method of an integrated circuit such as an LSI or an FPGA(Field Programmable Gate Array) which can access a memory at an optimum timing by recognizing an access timing suitable for a memory property even if the memory is replaced.例文帳に追加
本発明はLSIやFPGA等の集積回路のメモリ・インタフェース制御方式に関し,メモリを置き換えてもメモリの特性に適したアクセス・タイミングを認識して,最適なタイミングでアクセスすることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for learning a foreign language based on stimulation of long-term memory, which allows a foreign language to be learned in a manner of learning a native language by stimulating learners' long-term memory such as episodic memory and procedural memory.例文帳に追加
学習者の長期記憶であるエピソード記憶及び手続記憶を刺激し、母国語を習う方式で外国語学習を行うことができる、長期記憶刺激による外国語学習方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory made of memory cells accessible in units of a byte and permitting ECC processing in units of an optimal data size for required access, a memory controller, a nonvolatile memory accessing method, and a program.例文帳に追加
メモリセルとしてバイト単位のアクセスが可能であり、求められるアクセスに対して最適な単位でECC処理を行うことが可能な不揮発性メモリ、メモリコントローラ、不揮発性メモリのアクセス方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁
A data processing method is a method for writing book data outputted by a reproducing device on a memory card.例文帳に追加
データ処理方法は、再生装置により出力される書籍データを、メモリカードに書込む方法である。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING AND PROCESSING IMAGE, OSD FORMING METHOD, IMAGE FORMING SYSTEM AND OSD MEMORY例文帳に追加
画像を生成し、処理する方法およびOSD生成方法および画像生成システムおよびOSDメモリ - 特許庁
INFORMATION MANAGEMENT METHOD, INFORMATION MEMORY MEDIUM, INFORMATION REPRODUCING DEVICE AND CHARGE METHOD FOR UTILIZED INFORMATION例文帳に追加
情報管理方法、情報記憶媒体、情報再生装置および利用情報に対する課金方法 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH TWO-BIT OPERATED TWO TRANSISTORS AND ITS DRIVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
2ビット作動の2トランジスタを備えた不揮発性メモリ素子並びにその駆動方法及び製造方法 - 特許庁
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