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NMを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 14282



例文

Such shift is performed up to |Np-Nm|≤Nth.例文帳に追加

かかるシフトを、|Np−Nm|≦Nthまで行う。 - 特許庁

By this, EUV light of 13.5 nm is obtained.例文帳に追加

これにより、13.5nmのEUV光が得られる。 - 特許庁

White part chromaticity of an image non-printing portion of the card base material satisfies the following condition A: a reflection density A (λ) at a wavelength λ nm is ≤0.08 at 450 nm, is ≤0.10 at 550 nm, and is ≤0.10 at 650 nm.例文帳に追加

条件A:波長λnmでの反射濃度A(λ)が、450nmで0.08以下、550nmで0.10以下、及び650nmで0.10以下である。 - 特許庁

The thickness of the carbon film may be smaller than 300 nm.例文帳に追加

炭素膜は、300ナノメートルより薄くてもよい。 - 特許庁

例文

The recording surface has an average roughness of less than about 2.5 nm.例文帳に追加

記録表面の平均粗さは約2.5nm未満である。 - 特許庁


例文

1-50 nm is desirable for film thickness of the non-magnetic layer 5.例文帳に追加

非磁性層5の膜厚は1〜50nmが好ましい。 - 特許庁

If the number m of the continuously extracted candidate segments n1 to nm is not less than a certain value, the plurality of candidate segments n1 to nm are determined as being wavy defects.例文帳に追加

連続して抽出された候補線分n1〜nmまでの候補線分数mが一定数以上であれば、その複数本の候補線分n1〜nmを筋状の欠陥と判定する。 - 特許庁

The thickness of the magnetic layer is 40 nm or below.例文帳に追加

磁性層12の厚みδは40nm以下である。 - 特許庁

The average particle diameter of the first conductive powder 42 is 50 nm or larger to 300 nm or smaller, and the same of the second conductive powder 44 is 10 nm or larger and smaller than 50 nm.例文帳に追加

第1導電性粉末42の平均粒子径が、50nm以上で、300nm以下であり、第2導電性粉末44の平均粒子径が、10nm以上で、50nm未満である。 - 特許庁

例文

To provide a fine wire that is finer than 1 nm.例文帳に追加

1ナノメートルよりも細い微細ワイヤを提供する。 - 特許庁

例文

By incorporating nano-diamond into a photosensitive resin composition, high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and improved plasma resistance are provided to the composition.例文帳に追加

感光性樹脂組成物にナノダイアモンドを含有させることにより、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)やArFエキシマレーザー(193nm)などの短波長の光源に対しても高感度でプラズマ耐性を高める。 - 特許庁

A tunnel insulating film 104 is made ≤3 nm.例文帳に追加

トンネル絶縁膜104を3nm以下とする。 - 特許庁

The light reflection film-cum-membrane side electrode is composed of two- layer metal film of a TiN film 36 provided as a lower layer and having a film thickness of 10 nm to 70 nm and an Al film 38 provided thereon and having a film thickness of 50 nm to 150 nm.例文帳に追加

光反射膜兼メンブレン側電極は、下層に膜厚が10nmから70nmのTiN膜36と、その上に設けられた膜厚が50nmから150nmのAl膜38との2層金属膜で構成されている。 - 特許庁

In a preferable manner, the photo-reactive chiral compound has the isomerizing absorption band in 490-570 nm or 630-690 nm and further the wavelength of the circularly or elliptically polarized light is 490-570 nm or 630-690 nm.例文帳に追加

光反応型キラル化合物が490〜570nm若しくは630〜690nmに異性化可能な吸収を有し、かつ円偏光若しくは楕円偏光の波長が490〜570nm若しくは630〜690nmである態様が好ましい。 - 特許庁

In the expressions, D_365, D_500, D_550 and D_600 represent optical densities of a coating film containing the organic pigment (e) for shielding measured under given conditions at wavelengths of 365 nm, 500 nm, 550 nm and 600 nm, respectively.例文帳に追加

(D_365、D_500、D_550、及びD_600は、それぞれ、ある条件で測定した遮蔽有機顔料(e)を含む塗膜の、365nm、500nm、550nm、及び600nmにおける光学濃度である。) - 特許庁

The diameter 2r of the regions 11 forming the columnar structures is 50 nm or shorter, preferably 10 nm or shorter, and the interval 2R between them is 30 nm or shorter, preferably 15 nm or shorter.例文帳に追加

柱状構造体を成す領域11の径2rは50nm以下、好ましくは10nm以下であり、その間隔2Rは30nm以下、好ましくは15nm以下である。 - 特許庁

(g) The thickness (d) of a barrier layer is in the range of 1≤d≤5 nm.例文帳に追加

(g)障壁層の厚さdは、1≦d≦5nmの範囲。 - 特許庁

To support a NO_x-occlusion material as fine particles having diameters of10 nm.例文帳に追加

NO_x 吸蔵材を数10nm以下の微細な粒子として担持する。 - 特許庁

The metal cluster 2 has ≥1 nm average particle size.例文帳に追加

金属クラスター2の平均粒径は1nm以上である。 - 特許庁

When the film thickness of the light-transmissive material layer is T (nm), the wavelength of incident light is λ (nm) and the refractive index of the light-transmissive material layer is (n), the film thickness T satisfies the relation T<λ/(2n).例文帳に追加

前記透光材料層の膜厚をT(nm)、入射する光の波長をλ(nm)、前記透光材料層の屈折率をnとするとき、前記膜厚(T)が、T<λ/(2n)の関係式を満足する偏光子を提供する。 - 特許庁

The value (A) defined by A=Re(442)-Re(780), wherein Re(442) is the phase difference for the light at 442 nm wavelength and Re(780) is the phase difference for the light at 780 nm wavelength, ranges from -3 nm to 3 nm.例文帳に追加

A=Re(442)−Re(780) 式 Re(442) : 波長442nmの光に対する位相差値 Re(780) : 波長780nmの光に対する位相差値 - 特許庁

The thickness of the flattening film 3 is 550 nm.例文帳に追加

この平坦化膜3の厚さは550nmとする。 - 特許庁

The thickness of the zinc oxide film is 10-500 nm and, preferably, is 80-200 nm, the average thickness of the resin film is 1-1000 nm and, preferably, is 2-50 nm and the thickness of the sol-gel film is 0.3-4 μm and, preferably, 1-3 μm.例文帳に追加

酸化亜鉛膜の厚みは10〜500nm、好ましくは80〜200nmであり、樹脂膜の平均厚みは1〜1000nm、好ましくは2〜50nmであり、ゾル・ゲル膜の厚みは、0.3〜4μm、好ましくは1〜3μmである。 - 特許庁

The particle sizes can be made smaller than 50 nm.例文帳に追加

粒径を50nmよりも小さくすることも可能である。 - 特許庁

The floating quantity of a head from the medium is15 nm.例文帳に追加

ヘッドの媒体からの浮上量を15nm以下とする。 - 特許庁

An in-plane phase difference Re_1 of each of the protective films 6b, 7b satisfies 0 nm≤Re_1≤5 nm, and a thickness-directional phase difference Rth of each of the protective films 6b, 7b satisfies 0 nm≤Rth≤20 nm.例文帳に追加

保護フィルム6b,7bの面内位相差Re_1は、0nm≦Re_1≦5nmを満たし、保護フィルム6b,7bの厚み方向位相差Rthは、0nm≦Rth≦20nmを満たす。 - 特許庁

The functional particles have a particle diameter of from 1 to 500 nm.例文帳に追加

機能性粒子の粒径は1〜500nmである。 - 特許庁

For example, the thickness is set to 1,000 to 1,200 nm.例文帳に追加

例えば1000〜1200nmの厚さとする。 - 特許庁

The resin has following reflectivities in the wavelength ranges: (1) 5-20% in the wavelength range of 600-640 nm; (2) 10-35% in the wavelength range of 641-720 nm; (3) 20-65% in the wavelength range of 721-760 nm; and (4) 54-66% in the wavelength range of 1000-1200 nm.例文帳に追加

▲1▼波長域600 〜640 nm 5〜20%▲2▼波長域641 〜720 nm 10〜35%▲3▼波長域721 〜760 nm 20〜65%▲4▼波長域1000〜1200nm 54〜66% - 特許庁

Diameters of the nanoparticles are within a range of 0.5-900 nm.例文帳に追加

(D)ナノ粒子の径が、0.5nm〜900nmの範囲である。 - 特許庁

The thickness of the lower electrode 61 is set to 150 nm or smaller.例文帳に追加

下方電極61の厚さは150nm以下である。 - 特許庁

A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加

微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、TiSiシード層(25nm)、CrMo下地層(25nm)、CoNiCrTa磁性層(20nm)、C保護層(10nm)を形成した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a highly accurate wafer by which a high flatness can be obtained by removing minute waving about several nm to several hundred nm in amplitude produced by etching, when manufacturing a wafer.例文帳に追加

ウェーハの製造に際し、エッチングにより形成される振幅が数nmから数百nm程度の微小なうねりを除去して高平坦度が得られる高精度ウェーハの製造方法。 - 特許庁

The relationship between a phase difference value Ra of the first phase difference layer and a phase difference value Rc of the second phase difference layer satisfies 105 nmRa165 nm, and 55 nmRc115 nm.例文帳に追加

第1の位相差層の位相差値Raと、第2の位相差層の位相差値Rcの関係は、105nm≦Ra≦165nm、55nm≦Rc≦115nmを満たしている。 - 特許庁

To provide a micro wire having a diameter smaller than 1 nm.例文帳に追加

1ナノメートルよりも細い微細ワイヤを提供する。 - 特許庁

Therein, heat decomposition temperature Td of the plasticizer satisfies the relation, Td(1.0)>Tm, and a retardation value Ro in the film plane and a retardation value Rth in the film thickness direction satisfy following relations: 30 nm<Ro95 nm; and 70 nm<Rth≤400 nm.例文帳に追加

a.可塑剤の熱分解温度 Td(1.0)>Tm、b.フィルム面内リターデーション値Ro、フィルム厚み方向リターデーション値Rthが次の範囲:30(nm)<Ro≦95(nm)、70(nm)<Rth≦400(nm - 特許庁

(d): The diameter of the island component is 10-5,000 nm.例文帳に追加

d)島成分径が10〜5000nmであること。 - 特許庁

The nano fine particles are ≤100 nm fine particles.例文帳に追加

ナノ微粒子が100nm以下の微粒子である。 - 特許庁

The nitride film (208) is formed not more than 5 thick nm.例文帳に追加

この窒化膜は、厚さが5nm以下に形成される。 - 特許庁

A colored composition has at least two sorts of absorption maximums in a visible region and the absorption maximums are contained either in a 450 to 470 nm region and a 540 to 580 nm region or in a 460 to 525 nm region and a 600 to 620 nm region.例文帳に追加

可視域に少なくとも2種の吸収極大を有し、450〜470nmと540〜580nmの領域または、460〜525nmと600〜620nmの領域、のいずれか一方に前記吸収極大を含んでいる。 - 特許庁

The average thickness of the mask is 5-500 nm.例文帳に追加

マスクの平均厚さは、5〜500nmである。 - 特許庁

Rod-shaped colloidal silica with a major axis of 5 nm or more and 100 nm or less, spherical colloidal silica with a particle size of 5 nm or more and 50 nm or less and a tantalum compound are used.例文帳に追加

長径5nm以上、100nm以下の棒状コロイダルシリカ、粒径5nm以上、50nm以下の球状コロイダルシリカ、およびタンタル化合物を用いる。 - 特許庁

Since the blooming variation is ±10 nm, the ratio of this line-width variation to the blooming variation is about 1/5.例文帳に追加

ボケの変動が±10nmなのでその比率は約1/5である。 - 特許庁

The nano-capsule has a size of 100-1,000 nm.例文帳に追加

ナノカプセルは100〜1000nmの寸法を持つ。 - 特許庁

The line-width variation corresponding to the intersection A is 2.1 nm.例文帳に追加

このときの、線幅変動は2.1nmである。 - 特許庁

In this case, light emission having a wavelength of 600 nm can be confirmed.例文帳に追加

波長600nm以上の発光を確認できた。 - 特許庁

The thermoelectric substances 47 as the nanowires have an average diameter not smaller than 0.5 nm and smaller than 15 nm, and are spaced from each other by an interval not smaller than 5 nm and smaller than 20 nm.例文帳に追加

ナノワイヤとしての熱電物質47の平均直径は、0.5nm以上15nm未満であり、ナノワイヤの間隔は、5nm以上20nm未満である。 - 特許庁

(2) the film thickness of the lower protective layer is 50-100 nm, the film thickness of the recording layer is 10-20 nm, the film thickness of the upper protective layer is 3-15 nm and the film thickness of the reflecting layer is 100-300 nm in the optical recording medium dealt in (1).例文帳に追加

(2)下部保護層の膜厚が50〜100nm、記録層の膜厚が10〜20nm、上部保護層の膜厚が3〜15nm、反射層の膜厚が100〜300nmである(1)記載の光記録媒体。 - 特許庁

The ultrafine compound preferably has a grain size of 0.5 to 50 nm.例文帳に追加

この超微粒化合物の粒径は0.5〜50nmが好ましい。 - 特許庁

例文

An R/B calculation part 128 calculates an R/B as, the ratio of the light intensity R in the 630 nm±70 nm wavelength band to the light intensity B in the 480 nm±70 nm wavelength band by each picture element of the CCD imaging element 125.例文帳に追加

R/B算出部128 では、CCD撮像素子125 の画素毎に、480nm±70nm帯域の光強度Bと630nm±70nm帯域の光強度Rの比であるR/Bを算出する。 - 特許庁

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