「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

When a tip end of the paper sheet P is detected by a paper sheet detection means 121, a type of the paper sheet is detected.例文帳に追加

用紙Ｐの先端が用紙検知手段１２１で検知されると紙の種類が検知される。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

Moreover, the second P-well area 55b is connected to GND, and the N-type diffusion areas 53 are connected to the connection node 90.例文帳に追加

第2Pウェル領域55bがGNDに接続され、N型拡散領域53が接続ノード90に接続されている。 - 特許庁

Further, the p-type active regions 4 are arranged to be a regular hexagon or a square.例文帳に追加

また、Ｐ型活性領域４の配置は、正六角形状の配置又は正方形状の配置とした。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

A thin plate type washer 5 forming a hole 6 to insert the insertion pieces 2, 3 is combined on the pin P.例文帳に追加

ピンＰに、差込片２，３を挿通させる孔６を形成した薄板状の座金５を組み合わせる。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

Then, as shown in figure (G), a part 7 near a base formation region is oxidized by annealing to form a p-type base 9.例文帳に追加

そして、図２（Ｇ）に示すように、ベース形成付近７をアニール酸化してｐ型ベース９を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.例文帳に追加

この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁

A P^+-type surface shield region 21a is selectively epitaxial-grown and is formed on the signal storage region 15.例文帳に追加

また、読み出しゲート電極１３ａの他端にＮ型信号蓄積領域１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of diffusing antimony, with which generation of p-type inversion due to mixing of boron is reduced.例文帳に追加

ボロンの混入によるｐ型反転の発生を低減できるアンチモン拡散方法を提供する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer forming composition, a p-type diffusion layer manufacturing method and a solar battery cell manufacturing method to form the p-type diffusion layer in a short time while reducing internal stress in a silicon substrate and the development of warpage of the substrate in manufacturing steps of a solar battery cell using a crystal silicon substrate.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつ、短時間でｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multi-bridge-channel type MOS transistor that facilitates the formation of a P-channel.例文帳に追加

Ｐ−チャンネルの形成が容易なマルチ−ブリッジチャンネル型ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed.例文帳に追加

振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。 - 特許庁

The first guide layer 17 and the second guide layer 19 are each non-doped layer or a p-type layer.例文帳に追加

第１のガイド層１７および第２のガイド層１９の各々はノンドープ層またはｐ型層である。 - 特許庁

The impurity density of the p-type body regions 14 is 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４における不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

The active region R1' is surrounded by a separation region formed on the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’は、Ｐ型の半導体５２に形成された分離領域によって囲まれたものである。 - 特許庁

A contact metal layer is formed between the reflective layer and a p-type semiconductor layer 5 to obtain low-contact resistance.例文帳に追加

反射層とｐ型半導体層５の間にコンタクトメタル層を形成し低接触抵抗を実現する。 - 特許庁

In some embodiments, both of the quantum well layer and the barrier layer in the active region are p type.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともｐ型である。 - 特許庁

The P-type MOS transistor 12 has a second gate insulating film 41 and a second gate electrode 42.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２は、第２のゲート絶縁膜４１と第２のゲート電極４２とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate for MOSFET comprises: a substrate preparation process for preparing substrates; and a p-type well formation process for forming a p-type well made of a semiconductor containing Mg, namely a p-type-conductivity impurity, and a transition metal Ti on the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ用基板の製造方法は、基板が準備される基板準備工程と、当該基板上に、導電型がｐ型である不純物としてのＭｇを含むとともに、遷移金属としてのＴｉを含有する半導体からなるｐ型ウェルが形成されるｐ型ウェル形成工程とを備えている。 - 特許庁

The p-type InP embedded layer 10 and the diffraction lattices 8a, 8b are etched to form a ridge 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ埋め込み層１０と回折格子８ａ，８ｂをエッチングしてリッジ１１を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE p-TYPE SEMICONDUCTOR AND LUMINOUS ELEMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体領域を形成する方法、およびＩＩＩ族窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, ZENER DIODE, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード - 特許庁

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed.例文帳に追加

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。 - 特許庁

A plurality of divided connections 18a of an anode electrode are connected to the p^+ type semiconductor region 23.例文帳に追加

Ｐ^＋型半導体領域２３にアノード電極の複数の分割接続部分１８ａを接続する。 - 特許庁

The absorption layer 150 is preferably an absorption barrier layer having p-type doped amorphous silicon.例文帳に追加

吸光層１５０は、ｐ型不純物添加アモルファスシリコンを有する吸光バリア層であることが望ましい。 - 特許庁

As a result, C mixes into the GaAS grown crystal as a carrier, thereby subjecting a GaAs crystal layer to p-type doping.例文帳に追加

その結果、CがキャリアとしてGaAs成長結晶中に混入し、GaAs結晶層がｐ型ドーピングされる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 10 is electrically connected to the electrode pad 1 through a via 11.例文帳に追加

そして、ｐ型半導体層１０は、ビア１１を介して電極パッド部１と電気的に接続されている。 - 特許庁

A P-type first well region 6A is formed in the epitaxial layer 2 located in an element part R_A.例文帳に追加

素子部Ｒ_A に位置するエピタキシャル層２にはＰ型の第１ウェル領域６Ａが形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ZINC OXIDE FILM, AND PULSED LASER DEPOSITION METHOD USING TRANSPARENT SUBSTRATE例文帳に追加

ｐ型半導体酸化亜鉛膜の製造方法、及び透明基板を使用したパルスレーザ堆積方法 - 特許庁

A P^--type silicon monocrystal layer 14 is formed on the surface of an insulating layer 13 to form a device.例文帳に追加

絶縁層１３上にデバイス形成用としてＰ^−型のシリコン単結晶層１４が設けられる。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 5 is formed to have such a depth as to reach the p-type epitaxial growth layer 3.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散層５は、Ｐ型エピタキシャル成長層３にまで到達する深さで形成されている。 - 特許庁

To obtain a highly fluorinated reagent for introducing a highly fluorinated p-alkoxyphenyl type protective group useful for fluorous synthesis.例文帳に追加

フルオラス合成で有用な高度にフッ素化されたパラアルコキシフェニル型保護基の導入試剤の提供。 - 特許庁

An upper gate layer 19 made of a p-type group III nitride semiconductor is provided on the channel layer 17.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体からなる上部ゲート層１９はチャネル層１７上に設けられる。 - 特許庁

Only first thickness of the upper portion of the polysilicon film, on which the P-type impurity is doped, is eliminated.例文帳に追加

そして、前記Ｐ型不純物がドーピングされたポリシリコン膜の上部を第１厚さだけ除去する。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

In the front surface of a p-type semiconductor substrate 1, first n-wells 3A and 3B are formed deep.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面には第１のＮウエル３Ａ，３Ｂが深く形成されている。 - 特許庁

In the MIS transistor, using the P-type silicon carbide semiconductor substrate, an embedded channel area is formed.例文帳に追加

Ｐ型の炭化珪素の半導体基板を用いたＭＩＳトランジスタで、埋め込みチャネル領域を形成する。 - 特許庁

A p-type sense amplifier SAP is located at the position between this decoupling circuit Td and a memory array 1.例文帳に追加

このデカップリング回路Ｔｄとメモリセルアレイ１との間の位置に、ｐ型センスアンプＳＡＰが位置する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which uses a barium nitride semiconductor and has a p-type guard ring.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体を用いると共にｐ型ガードリングを有するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A second semiconductor region 11 of a p-type epitaxial growth layer is embedded to each trench 13.例文帳に追加

各トレンチ１３には、ｐ型のエピタキシャル成長層である第２半導体領域１１が埋め込まれている。 - 特許庁

The insulating film (oxide film 8) is formed to contact the surface of the semiconductor layer (p-type layer 4).例文帳に追加

絶縁膜（酸化膜８）は、半導体層（ｐ型層４）の表面に接触するように形成されている。 - 特許庁