「P-N junctions」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed.例文帳に追加

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。 - 特許庁

A semiconductor element consisting of a light-emitting diode 1 has semiconductor crystal layers 2 to 7 laminated so as to form more than one P-N junctions.例文帳に追加

発光ダイオード１からなる半導体素子は、１以上のＰＮ接合を形成するように積層された半導体結晶層２〜７を有する。 - 特許庁

A plurality of pn junctions between the p^--region 5 and the n^+-region 7 are formed in one active region.例文帳に追加

Ｐ^-領域５とＮ^+領域７との間のＰＮ接合が、１つの活性領域内に複数形成される。 - 特許庁

Consequently, the charges generated by the light made incident to the scribe will not reach the P-N junctions which constitute the pixels of the sensor.例文帳に追加

このため、スクライブに入射した光により発生する電荷が光センサの画素を構成するPN接合に至ることはない。 - 特許庁

To solve the problem of inability to detect the potential difference among P-N junctions due to the charging of an interface level in a conventional Auger electron spectroscope.例文帳に追加

従来のオージェ電子分光装置では界面準位の帯電により、ＰＮ接合間の電位差を検出できない。 - 特許庁

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

Ends, on one side, of the n-type and p-type poly-Si resistor 7, 8 are connected to each other in the infrared absorption film 5 by hot junctions, and their ends on the other side are connected respectively to cold junctions 14.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８の一端は赤外線吸収膜５で温接点１３により互いに接続されるとともに、他端は基板１上で冷接点１４にそれぞれ接続される。 - 特許庁

Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided.例文帳に追加

それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎ接合と、第一接合のｐまたはｎドープされた領域または第二接合のｎまたはｐドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。 - 特許庁

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P.例文帳に追加

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。 - 特許庁

In an MOSFET protective device, a depletion layer is spread and the formation of tunneled electron levels is prevented by providing an N- type area 22 between the P-N junctions of the Zener diodes.例文帳に追加

本発明はツェナーダイオードのＰＮ接合の間にＮ^-型領域２２を設けることにより、空乏層を広げ、さらに電子のトンネル先の準位を作らないようにするものである。 - 特許庁

The pn-junctions of the n-regions 3 and the p-well region 2 function as optical sensors, and an effective light receiving region 14 is moved by combining the n-regions 3a-3e by an electric signal, so that the aligning displacement can be corrected.例文帳に追加

ｎ領域３とｐウエル領域２のｐｎ接合が光センサの働きし、ｎ領域３ａ〜３ｅを電気信号で組み合わせることで、受光有効領域１４を移動させ、合わせ位置ずれを補正する。 - 特許庁

When a voltage is applied between the P-type impurity regions 15b and 15b via metal wiring 9 and 9, two P-N junctions formed on the junction surface between the N-type impurity region 15a and the P-type impurity regions 15b and 15b are formed opposed in the backward and forward directions, and a resistor is composed by either P-N junction.例文帳に追加

メタル配線９，９を介してＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂ間に電圧を印加すると、Ｎ型不純物領域１５ａとＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂの接合面に形成される２つのＰＮ接合が逆方向と順方向で対向して形成され、いずれかのＰＮ接合によって抵抗が構成される。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

To surely provide withstand voltage to a MOSFET by allowing a plurality of P-N junctions constituting a super-junction to be provided to an element part with sure.例文帳に追加

スーパージャンクションを構成する複数のＰＮ接合が素子部に確実に配置されるようにし、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧が得られるようにする。 - 特許庁

A backside of a P type silicon substrate 1 is used as a common anode, and a plurality of N+ type zones 2 for formation of PN junctions 4 are formed in parallel in the vicinity of a main surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板の裏面を共通のアノードとして、シリコン基板の主面付近にＰＮ接合を形成するＮ^+ 型領域を複数並列して設けた。 - 特許庁

The photoelectric transducer has two or more PIN (p-intrinsic-n) junctions with different band gap energies (Eg1, Eg2, ..., Egn) of optical absorption layers (202, 205, 207).例文帳に追加

本発明にかかる光電変換素子は、光吸収層（２０２、２０５、２０７）のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１、Ｅｇ２、・・・、Ｅｇｎ）が異なる２つ以上のＰＩＮ接合を有する。 - 特許庁

The two regions form two P-N junctions at different depths that improves the efficiency of charge carrier collection at different frequencies of light.例文帳に追加

これら２つの領域は、異なる深さで２つのＰＮ接合部を形成し、これが異なる光の周波数における電荷キャリア捕集の効率を向上させる。 - 特許庁

'Charging' and 'discharging' of ferroelectric capacitors 2, 3 and 4 are used in relation to a p-n junctions of two transistors 6, 7, 8 and 8, 12, 10.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ２、３、４の「充電」と「放電」現象が、二つのトランジスタ６、７、８及び８、１２、１０のｐ−ｎ接合と連関して用いられるように構成する。 - 特許庁

The fluctuation between the photoelectric conversion (light receiving) elements is reduced by providing a guard ring structure having two kinds of P-N junctions in a scribed area so as to absorb and recombine the generated small number of carriers.例文帳に追加

２種類のＰＮ接合をもつガードリング構造をスクライブ領域に設けることで発生した少数キャリアを吸収・再結合させることにより光電変換（受光）素子間のばらつきを低減した。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.例文帳に追加

共通の基板３１に、しきい値電圧を異にする少なくとも第１および第２の２つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第１および第２の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域２６１および２６２による深さを異にするそれぞれｐ−ｎ接合Ｊ_1 およびＪ_2 による第１および第２のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another.例文帳に追加

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。 - 特許庁

There are provided compositions, articles, and methods of manufacturing the same including a bicontinuous, interpenetrating composite of a semiconducting organic phase, a semiconducting particulate phase; and a plurality of p-n junctions at interfaces between the semiconducting organic phase and the semiconducting particulate phase.例文帳に追加

半導体有機相と、半導体微粒子相と、半導体有機相と半導体微粒子相との間の界面における複数のｐ−ｎ接合との共連続相互貫入複合体を含む組成物および物品、ならびに共連続相互貫入複合体の製造方法。 - 特許庁

In a photoelectric conversion element which has PN junctions in a semiconductor substrate 1 and a P side current collecting electrode 9 and an N side current collecting electrode 10 on the rear of the substrate 1, the peripheral part of the substrate 1 has the PN junction deeper than that in the center part of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にＰＮ接合が形成され、基板１の裏面にＰ側電流収集電極９およびＮ側電流収集電極１０が形成された光電変換素子において、半導体基板１の中心部より周囲部の方が深いＰＮ接合を有することを特徴とする。 - 特許庁

A power component formed in an N-type silicon substrate, the lower and upper surfaces of which respectively include a first and a second P-type region, that does not extend to the component periphery, the high voltage being capable of existing between the first and second regions and having to withstand the junctions between the first and second regions and the substrate.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板に形成されるパワー素子であって、その下及び上の表面には素子の境界にまでは達しない第１及び第２のＰ型領域が形成され、第１及び第２領域の間に高電圧が存在可能で第１及び第２領域と基板の間の接合が耐電圧を与える。 - 特許庁

In an LED array for LED printing head, Zn diffusing areas 12 are arranged on the surface of a GaAsP substrate 10 in an array form and LEDs which use the p-n junctions between the substrate 10 and areas 12 as light emitting sections are formed.例文帳に追加

ＬＥＤプリントヘッド用のＬＥＤアレイにおいては、ＧａＡｓＰ基板１０表面にＺｎ拡散領域１２がアレイ状に配置され、ＧａＡｓＰ基板１０とＺｎ拡散領域１２とのｐｎ接合部を発光部とするＬＥＤが形成されている。 - 特許庁

A current proportional to the intensity of incident X-rays flows across the P-N junctions of a detection element 18 to be detected by the current detection part 22 connected to a current input terminal 21 and the signal I showing this current is sent to a control device 23.例文帳に追加

入射Ｘ線の強度に比例した電流が検出素子１８のＰ−Ｎ接合間に流れ、その電流は、電流導入端子２１に接続された電流検出部２２で検出され、その電流を表す信号Ｉは制御装置２３に送られる。 - 特許庁

The nanowire solar cell 1 includes: a semiconductor substrate 2; a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming p-n junctions; a transparent insulating material 6 with which the gap between the semiconductors 4 and 5 is filled; an electrode 7 covering the end of the semiconductors 4 and 5; and a passivation layer 10 provided between the semiconductor 5 and the transparent insulating material 6, and between the semiconductor 5 and the electrode 7.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

The light rays emitted from the p-n junctions between the substrate 10 and areas 12 are condensed upon a photosensitive drum and form very small dot images on the photosensitive surface of the drum through an unmagnified image forming optical system after the uneven light quantity of a nonuniform luminous pattern is corrected to a uniform light quantity by means of the scattering bodies 14.例文帳に追加

そして、ＧａＡｓＰ基板１０とＺｎ拡散領域１２とのｐｎ接合部から放射された光は、散乱体１４により不均一な発光パターンの光量むらを均一され、更に等倍結像光学系を経由して感光ドラムに集光され、その感光面に微小な点像を形成するようになっている。 - 特許庁