「PLASMAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

It lowers the developmental state of the plasma at the upstream side of a space 10 and suppresses moisture lost by the plasma generated at the upstream side, and thereby the developmental state of the downstream plasma is strengthened and the upstream and downstream plasmas are balanced.例文帳に追加

これにより、空間１０の上流側部分でのプラズマの発生状態が緩和（低下）され、上流側で発生するプラズマにより失われる水分が抑えられ、その分、下流側でのプラズマの発生状態が強くなり、上流側と下流側のプラズマの発生状態がバランスする。 - 特許庁

To provide a plasma generator capable of generating lengthy line plasmas with uniformity and a high density; and to provide a film forming device capable of forming film on a large area substrate, an etching device, a surface treatment device, and an ion implantation device, by utilizing the above plasma generator.例文帳に追加

均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

A plurality of source modules 1 of the same structure are disposed in a uniform distribution around the optical axis 4 of a source within a vacuum chamber 5 so as to provide consecutive radiation pulses at one point on the optical axis 4, each of which generating radiation-emitting plasmas and having a convergent EUV radiation.例文帳に追加

同一構造の複数のソースモジュール１が、光軸４上の一点で連続的な放射線パルスを提供するためにソースの光軸４の周りに均一に分布して真空室５内に配されており、それぞれが放射線放出プラズマを発生させ、収束ＥＵＶ放射線を有する。 - 特許庁

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material.例文帳に追加

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 - 特許庁

A plurality of the jet nozzles 50, 51 are disposed opposite to each other, on both sides of an airtight vessel 20, and a medium gas each jetted from these jet nozzles 50, 51 is allowed to flow toward the central section of the vessel 20, to uniformly distribute the densities of the activated species in the vessel 20 generated by plasmas 53, 54.例文帳に追加

気密容器２０の両サイドに複数の噴出ノズル５０、５１を対向配置し、これら噴出ノズル５０、５１からそれぞれ噴出された媒質ガスを気密容器２０内の中央部に向けて流し、プラズマ５３、５４によって生成される気密容器２０内の活性種密度を均一に分布させる。 - 特許庁

An electrode pair is constituted by arranging a rear face side electrode 5 on the rear side of the front surface side electrode 4 while pinching an insulator 2, the surface plasma is generated from the end edge of the surface electrode by applying an alternate current voltage to both electrodes, and the plasma erected from the surface is sprayed by making opposing surface plasmas collided.例文帳に追加

絶縁体２を挟んで表面側電極４の裏側に裏面側電極５を配置して電極対を構成し、両電極に交流電圧を印可することにより表面電極の端縁から表面プラズマを発生させ、対向する表面プラズマを衝突させて表面から立ち上がるプラズマを噴出する。 - 特許庁

In the case that the ground electrode 30 has a part (a projecting 35) projecting toward the inside rather than the second imaginary conic surface, if the part has the volume of less than 1.5mm^3, it has a small volume contacting with the ground electrode 30 in the growth process of plasmas discharged from the cavity 30, so that quenching action is suppressed and deterioration of ignitability is prevented.例文帳に追加

接地電極３０がこの第２仮想円錐面よりも内側へ張り出す部位（張出部３５）を有する場合、その体積を１．５ｍｍ^３未満とすれば、キャビティ６０から噴出されるプラズマの成長過程において接地電極３０と接触する体積が少なく、消炎作用を抑制し、着火性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

The analogs contain an amino acid substituted at the 7-10 positions and the cleaved C-terminal and/or various other amino acid substitutions in the basic peptide and is improved in ability to stimulate the insulin production as compared with glucagon and capable of improving the stability in plasmas as compared with the GLP-1 (7-37) or both.例文帳に追加

これらのアナログは、７−１０位でアミノ酸が置換され、Ｃ末端が切断され、および／または基本のペプチド中に様々な他のアミノ酸置換を含み、そしてグルカゴンと比較してインシュリン生産を刺激する能力が向上し、ＧＬＰ−１（７−３７）と比較してプラズマ中での安定性が向上され得るか、あるいはその両方である。 - 特許庁

To provide a sintered compact having excellent resistance to corrosion by corrosive halogen gases and by the plasmas thereof and excellent thermal conductivity and having excellent electrical conductivity, little in limitation in design even when applied to members for use in various vacuum process devices, usable in a wide range of applications, and high in versatility.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマに対する耐食性及び熱伝導性に優れ、かつ導電性にも優れ、さらには、様々な真空プロセス装置に用いられる部材に適用した場合においても、設計上の制約が少なく、適用範囲も広く、汎用性に優れた焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated.例文帳に追加

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises the steps of forming a first porous insulation film 38 on a semiconductor substrate; forming a second insulation film 40 having higher density than that of the first insulation film; and irradiating the first insulation film with electron beams, ultraviolet rays, or plasmas to cure the first insulation film while the second insulation film exists on the first insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より密度の高い第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜が存在している状態で、電子線、紫外線又はプラズマを照射し、第１の絶縁膜を硬化させる工程とを有している。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

In an ashing processing in the semiconductor manufacturing process by the plasma processing, a solid dielectric is installed on the opposing surface of at least one of a pair of electrodes opposing each other in the atmosphere under a pressure near the atmospheric pressure, and discharge plasmas obtained by introducing the processing gas between the pair of the electrodes and applying a pulse-like electric field are brought into contact with a base material to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。 - 特許庁