「PLASMAS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For example, when the liquid contains dioxins, the said dioxins are decomposed by an action of plasmas.例文帳に追加

例えば、液体がダイオキシン類を含む場合、当該ダイオキシン類はプラズマの作用により分解する。 - 特許庁

To provide a plasmas processing device capable of making a density distribution of plasma uniform in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming an electromagnetic wave shield film capable of obtaining strong adhesion force on a resin whose surface is not to be reformed just by simply being exposed to high frequency plasmas or DC plasmas.例文帳に追加

単に高周波プラズマや直流プラズマに曝した程度では表面改質がされない樹脂に、強い密着力が得られる電磁波シールド膜を成膜する製造方法を提供する。 - 特許庁

This absorbent article 1 includes a blood separator 4 which can separate blood into hemocytes and plasmas.例文帳に追加

本発明の吸収性物品１は、血液を血球と血漿とに分離可能な血液分離体４を含む。 - 特許庁

The SWP processing apparatus 100 is equipped with a processing chamber which generates surface wave excitation plasmas in an airtight space by the microwaves introduced from the microwave introduction section 10, and processes a workpiece with the surface wave excitation plasmas.例文帳に追加

ＳＷＰ処理装置１００は、マイクロ波導入部１０により導入されたマイクロ波により気密空間に表面波励起プラズマを生成し、該表面波励起プラズマにより被処理物を処理する処理室とを備える。 - 特許庁

To provide a sintered body having excellent corrosion resistance to halogenic corrosive gases and plasmas thereof, having no dependency on the frequency in the application of high frequency, and capable of developing the stability of plasmas; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマに対する優れた耐食性を有し、高周波印加時に周波数依存性がなく、プラズマの安定性を発現することが可能な焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

And when the liquid is irradiated with an electromagnetic wave by an electromagnetic-wave generating apparatus 4, plasmas generate in the bubbles.例文帳に追加

そして、電磁波発生装置４により液体に対して電磁波を照射すると、気泡中にプラズマが発生する。 - 特許庁

To provide a shower plate which has excellent resistance to attack by corrosive gases and their plasmas, high strength, and high workability.例文帳に追加

腐食性ガス及びそれらのプラズマに対する耐食性が優れ、高強度で、且つ加工性の高いシャワープレートを提供する。 - 特許庁

The probabile cycrotron ion filter for separating ions in many kinds of plasmas uses an electric field (E) crossing a magnetic field (B) according to mass.例文帳に追加

多種のプラズマ中のイオンを分離する確率的イオンフィルタは、質量に応じ、磁界（Ｂ）と交差した電界（Ｅ）を用いる。 - 特許庁

Then, nitrogen is introduced in the form of nitrogen radicals or nitrogen ions generated by plasmas into the silicon oxide film to form the silicon oxynitride film.例文帳に追加

次いで、プラズマにより発生させた窒素ラジカルまたは窒素イオンでシリコン酸化膜に窒素を導入しシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

A plasma generating target 12 generating plasmas by irradiating a laser L for plasma generation, a vacuum container 16 pulling out ions from the plasmas generated from the plasma generating target 12, directly attached to an ton entrance 38 of an ion linear accelerator 30 and the ion linear accelerator 30 are connected in series, ions are made to come directly into the ion linear accelerator 30 using a dispersion speed of the plasmas.例文帳に追加

プラズマ発生用レーザーＬを照射してプラズマを発生させるプラズマ発生ターゲット１２と、プラズマ発生ターゲット１２から発生したプラズマよりイオンを引き出すとともに、イオン線形加速器３０のイオン入射口３８に、直接、取り付けられる真空容器１６と、イオン線形加速器３０とが直列に接続され、プラズマの拡散速度を利用して、イオン線形加速器３０に、直接、イオンを入射するように構成した。 - 特許庁

This causes ablation, resulting in emission of plume plasmas PP1 and PP2 from the curved surfaces 51a and 52a, respectively, of the solid targets 51 and 52, respectively.例文帳に追加

これにより、アブレーションが発生し、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａからプルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２が放出される。 - 特許庁

The application of the laser beams LL1 and LL2 results in production of the plume plasmas having density and temperature such that the collision mean free paths of ions in the plume plasmas PP1 and PP2 become no larger than a fraction of the distance traveled by the ions through a cross-colliding space.例文帳に追加

なお、レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２の照射により、プルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２内のイオンがプルームプラズマの交差衝突部空間を通過する距離に対して、上記イオンの衝突平均自由工程が数分の１以下となるような密度と温度を持つプルームプラズマが生成される。 - 特許庁

To provide a plasma generating apparatus capable of obtaining plasmas of high density in the atmospheric pressure and making a plasma treatment process be in-line.例文帳に追加

大気圧下で高密度のプラズマを得ることができて、プラズマ処理工程をインライン化することができるプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁

A damage layer having a hydrophobic property formed on the surface of an SiOC film 8 is changed to a modified layer 15 having a hydrophilic property by means of ammonia plasmas 14.例文帳に追加

アンモニアプラズマ１４によって、ＳｉＯＣ膜８の表面に形成された疎水性のダメージ層を親水性の改質層１５に変える。 - 特許庁

An undesired plasma will not be generated in a gap between a dielectric plate and a neighboring part and stable plasmas can be generated efficiently.例文帳に追加

また、誘電体板と隣接する部材との隙間で意図しないプラズマが発生することがなく、安定したプラズマを効率よく発生させることができる。 - 特許庁

In response to these strong field regions, plasmas are generated in a processing chamber 2 of a reaction vessel 1, and dispersed to provided a uniform plasma.例文帳に追加

これらの強電界領域に対応して反応容器１の処理室２内にてプラズマが生成され、それらが拡散して均一なプラズマが得られる。 - 特許庁

HIGH-FREQUENCY PLASMA TREATMENT METHOD WHEREIN PLASMA IS EXCITED BY INDUCTIVE STRUCTURE IN WHICH PHASE AND ANTI-PHASE PORTIONS OF CAPACITIVE CURRENTS BETWEEN GENERATED PLASMAS ARE BALANCED例文帳に追加

発生させたプラズマ間の容量電流における位相部と逆位相部が平衡する誘導構造によって励起される高周波プラズマ処理方法 - 特許庁

A plurality of plasmas can surely be formed even if voltage impressed between electrodes is kept low, so that, each plasma can be formed efficiently.例文帳に追加

電極間に加える電圧を低くおさえても、複数のプラズマを確実に形成させることができ、各プラズマを効率よく形成することができる。 - 特許庁

The plasmas act on a gaseous material, contained in the bubbles, originated from the liquid to promote a chemical reaction such as a synthesis reaction and a decomposition reaction.例文帳に追加

このプラズマは、気泡中に含まれる、液体に由来の気相状態の物質に作用し、合成反応や分解反応等の化学反応を進行させる。 - 特許庁

The high-frequency plasma source is formed by arranging a plurality of vessels for discharge within one high-frequency plasma coil and is constituted in such a manner that plasmas of reactive gases are formed within the respective vessels of a plurality of the vessels for discharge and that substrates are irradiated with the plasmas from plasma spouts disposed at the respective vessels for discharge.例文帳に追加

一つの高周波コイル内に複数個の放電用容器を配置してなり、該一つの高周波コイルによって複数個の放電用容器の各容器内に反応ガスのプラズマを生成して、このプラズマが各放電用容器に設けられたプラズマ噴出口から基板に照射されるように構成される高周波プラズマ源。 - 特許庁

To prevent damages by making a potential difference between linear conductive interconnections and other elements small when irradiating plasmas in plasma treatment of a substrate with the linear conductive interconnections.例文帳に追加

直線状導電性配線を有する基板のプラズマ処理において、プラズマ照射時の導電性配線と他要素との電位差を小さくし、ダメージを防止する。 - 特許庁

To provide a sintered compact composed of an Y_2O_3 single phase having a high corrosion resistance to corrosive gases and their plasmas used in manufacturing processes of semiconductors or liquid crystals.例文帳に追加

半導体・液晶製造工程で使用される腐食性ガスやそのプラズマに対して高い耐食性を有するＹ_２Ｏ_３単相からなる焼結体の提供。 - 特許庁

To provide a corrosion-resistant member having excellent corrosion resistance to halogen-based corrosive gases, such as fluorine-based corrosive gases and chlorine-based corrosive gases, and their plasmas.例文帳に追加

フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマに対して優れた耐食性を有する耐食性材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an heating material with a built-in electrode, which eliminates variation of the thickness of dielectric layers, and uniformizes the generation of plasmas to improve the yield of products.例文帳に追加

誘電体層の厚さのばらつきを無くし、プラズマの発生を均一化して、製品の歩留まりを向上させた電極内蔵発熱体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The chlorine/oxygen-based plasmas provide good selectivity with high etch rates for Ir and PZT layers and low etch rates for the hard mask.例文帳に追加

塩素／酸素系のプラズマは、Ｉｒ及びＰＺＴ層に対して高いエッチング速度かつハードマスク(360)に対して低いエッチング速度を有する良好な選択性を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of keeping a wafer surface from damages by organic chemicals and plasmas in a GaAs semiconductor process.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、ウエハ表面を有機性薬品及びプラズマからのダメージから防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell manufacturing method comprises the steps of forming a first electrode on one surface of a silicon substrate having a first polarity, irradiating the other surface of the silicon substrate with hydrogen plasmas after forming the first electrode, and forming a second electrode on the other surface of the silicon substrate after irradiation with hydrogen plasmas.例文帳に追加

第１の極性を有するシリコン基板の一方の面上に第１の電極を形成する工程と、第１の電極の形成後にシリコン基板の他方の面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマの照射後にシリコン基板の他方の面上に第２の電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

To provide a microwave introduction apparatus wherein microwaves can be uniformly introduced into a plasma processing chamber, and to provide a SWP (Surface Wave Plasma) processing apparatus which can carry out a process uniformly without any damages by plasmas.例文帳に追加

マイクロ波を均一にプラズマ処理室内に導入できるマイクロ波導入装置、およびプラズマダメージのない均一な処理ができるＳＷＰプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

By the atmospheric pressure plasma treatment, organic matters or particles which includes a natural oxide film attaching to the surfaces of the Al pads are removed in a -He+O2 plasmas gas atmosphere, even though this is not shown.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理は、^-Ｈｅ＋Ｏ_2 プラズマガス雰囲気により、図示しないが、Ａｌパッド表面上に付着した自然酸化膜を含む有機物やパーティクルなどが除去される。 - 特許庁

A measuring circuit 9 measures an antenna bias voltage which varies according to an amount of electric charges between the inner wall of a vacuum treatment chamber 1 and plasmas 13 generated in the vacuum treatment chamber 1.例文帳に追加

測定回路９は、真空処理室１の内壁と真空処理室１内に生成されたプラズマ１３との間の電荷量に応じて変動するアンテナバイアス電圧を計測する。 - 特許庁

To provide a probabilistic cycrotron ion filter capable of selectively isolating and separating ions having specified range of mass numbers from many kinds of plasmas.例文帳に追加

あらかじめ定められた範囲内にある質量数をもつイオンを多種のプラズマの中から選択的に隔離および分離することが可能な確率的サイクロトロンイオンフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide an ion accelerator, simplified substantially, which efficiently pulls out all ions contained in acceleratable plasmas generated, and moreover, is capable of accelerating ion beams of long pulse width as well.例文帳に追加

大幅に単純化し、発生した加速可能なプラズマに含まれるイオンの総てを効率良く引き出し、なおかつ、長いパルス幅のイオンビームも加速が可能となるイオン加速装置を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a chamber 100 for introducing a wafer, radical source 102 capable of supplying radicals into the chamber 100, beam source 104 capable of supplying ion beams or plasmas into the chamber 100, wafer stage 106 capable of supporting and fixing the wafer led into the chamber 100 and neutralizer 108 capable of neutralizing electric charges inside the chamber 100 ionized by the ion beams, plasmas or radicals.例文帳に追加

ウエハが導入されるチャンバ１００と、チャンバ１００内にラジカルを供給できるラジカルソース１０２と、チャンバ１００内にイオンビームまたはプラズマを供給できるビームソース１０４と、チャンバ１００内に導入されるウエハを支持して固定できるウエハステージ１０６及び前記イオンビーム、プラズマまたはラジカルによりイオン化されたチャンバ１００内の電荷を中和できる中和器１０８を含む。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which light emission from plasmas can be measured precisely and stably for a long time without lowering transparency of a measurement port for measuring the light emission from the plasma.例文帳に追加

プラズマ発光を計測する計測ポートの透過率を低下させることなく、長時間にわたり安定して精度よく処理室内のプラズマ発光を計測できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The corrosion-resistant member is characterized by that the area thereof to be exposed to the halogen-based corrosive gases or their plasmas is composed of multiple oxides containing aluminum (Al), yttrium (Y) and rare earth elements (RE) excluding the yttrium.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、アルミニウム（Ａｌ）と、イットリウム（Ｙ）と、イットリウムを除く希土類元素（ＲＥ）とを含む複合酸化物からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dummy wafer and a cleaning wafer which are given a conductivity enabling an attraction and resist all reactive plasmas and the costs of which are reduced, in an electrostatic type wafer holder used for a semiconductor production device.例文帳に追加

半導体製造装置で使用される静電型ウエハー保持装置にて、吸着が可能な導電性を持たせ、あらゆる反応性プラズマに耐え、かつ安価なダミーウエハー、クリーニングウエハーを提供すること。 - 特許庁

In the presence of a treating gas containing at least oxygen and hydrogen, the surface of a base material for an electronic device is irradiated with plasmas based on the oxygen and the hydrogen and the oxide film is formed on the surface of the base material for the electronic device.例文帳に追加

酸素および水素を少なくとも含む処理ガスの存在下で、酸素および水素に基づくプラズマを電子デバイス用基材の表面に照射して、該電子デバイス用基材の表面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

After a contact hole is formed to expose a silicon substrate by etching an insulating film formed on the substrate, the exposed surface of the substrate is cleaned by supplying a hydrogen gas and a fluorine-based gas in the states of plasmas.例文帳に追加

シリコン基板上に形成された絶縁膜を蝕刻してシリコン基板の一部を露出させるコンタクトホールを形成した後、プラズマ状態の水素ガス及びフッ素系ガスを供給してシリコン基板の露出面を洗浄する。 - 特許庁

To prevent the destruction of a TFT when surface-treating a substrate with the thin film transistor (TFT) such as a glass substrate for a liquid crystal display by partially irradiating plasmas, with the substrate being held between a pair of electrodes.例文帳に追加

液晶ディスプレイ用ガラス基板などの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する基板を一対の電極間に挟むようにして部分的にプラズマ照射し表面処理する際、ＴＦＴが破壊されるのを防止する。 - 特許庁

A method of forming a ruthenium film includes steps of: generating plasmas in the vicinity of a surface of a treated substrate carrying the dielectric film to reform a surface of the dielectric film with the plasmas; and supplying a ruthenium organic metal complex and an inert carrier gas to the reformed dielectric film surface to decompose the organic metal complex, thereby forming the ruthenium film on the dielectric film.例文帳に追加

ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the ratio of the output electric powers of the first and second high-frequency electric powers is determined so that the ratio between the luminous intensities of the plasmas may fall within a specified range, and a substrate 102 is subjected to vacuum treatment in the determined output power ratio.例文帳に追加

そして、第１および第２の高周波電力の出力電力比率をプラズマの発光強度の比率が規定範囲になるように決定し、決定した出力電力比率で基板１０２に真空処理を施す。 - 特許庁

This device is provided with a driving device 8 parallelly reciprocating a magnetic field generating mechanism 7 generating a plurality of closed race track-shaped high density plasmas on the surface of a rectangular target 4 to either the long side or short side of the target 4.例文帳に追加

複数の閉じたレーストラック状高密度プラズマを矩形状のターゲット４の表面に生成する磁場発生機構７を、上記ターゲット４の長辺あるいは短辺の何れかに平行に往復移動させる駆動装置８を備える。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus has an RF electrode part 5 provided with a plurality of divided RF electrodes 7 for controlling the density of whole plasma 11 by generating a plurality of partial plasmas 10 with electrically and mutually independent RF discharges.例文帳に追加

電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁