「Step Coverage」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for eliminating a fillet forming step for the sake of improving step coverage, by forming a metallic shielding layer made of conductive epoxy by using a spray nozzle, and fabricating an SAW filter package with well-built structure even though only a single-layer metallic shielding layer without an anti-oxidation layer is formed, by forming the exterior form of the package in a top molding method.例文帳に追加

スプレーノズルを用いて導電性エポキシの金属遮蔽層を形成することによりステップカバレージ改善の為のフィレット形成工程を省略することができ、トップモールディング方式を利用してパッケージの製品外形を形成することにより酸化防止層無しの単一層の金属遮蔽層のみ形成しながら、構造の堅固なＳＡＷフィルターパッケージを製造することにある。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display and its manufacturing method wherein problems of corrosion of a transparent conduction layer and increase of contact resistance can be solved without generating disadvantage of reduction of step coverage caused by increase of the thickness of a wiring layer itself and generation of an undercut, reduction of productivity and increase of a production cost.例文帳に追加

配線層それ自体の厚さの増加及びアンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下と、生産性の低下、製造コストの上昇という難点を生じないで、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消できる液晶表示装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method capable of filling a fine recessed portion with a high step coverage by forming e.g. a CuMn alloy film and a Mn film through a heat-treatment such as CVD process and of drastically reducing the apparatus cost by enabling continuous treatment in one treatment apparatus.例文帳に追加

例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor thin-film transistor whose reliability is improved by alleviating steep incline of the peripheral portion of a first insulation film pattern on an oxide semiconductor pattern so that a source/drain electrode formed on a thin-film transistor has a uniform and good step coverage, and a method for forming the same.例文帳に追加

本発明は、その上に形成されるソース・ドレイン電極が均一で良好なステップカバレッジを有するように、酸化物半導体パターン上の第１絶縁膜パターンの周縁部の急傾斜を緩和して信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスター及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method capable of embedding even a fine recessed section with a high step coverage by forming a Mn containing thin film, a CuMn containing alloy thin film, or the like by heat treatment such as CVD (Chemical Vapor Deposition) and greatly reducing the cost of a device by performing continuous processing with one and the same processor.例文帳に追加

Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

That is, in the material, a tensile stress is low, a step coverage is good, the integrity is maintained when a subsequent processing is applied, the material does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in a chamber (in the case of not being coated with the material during attaching) and/or facilitates the integration with the high performance integrated circuits.例文帳に追加

即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。 - 特許庁

To provide a duplex zone showerhead with which step coverage of the metal thin film, vapor deposition speed, texture, adhesion characteristic or the like can be improved by uniformly carrying out the chemical treatment when a metal thin film is vapor-deposited by a CVD method with chemical treatment using a catalyst or the like and to provide a chemical-enhanced CVD using the same.例文帳に追加

触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属薄膜を蒸着するときに化学的処理を均一に行なえるようにすることで、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速度、テクスチャ、接着特性などを改善することができるデュプレックスゾーンシャワーヘッド及びこれを適用するケミカルエンハンストＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method capable of forming a barrier metal film, which has excellent step coverage against holes or a trenches for interconnection, the holes or trenches tending toward finer geometry, while maintaining the barrier property inherently demanded to the barrier metal film, and which can forming a Cu film without generating voids on the barrier metal film surface and with high adhesion therebetween.例文帳に追加

バリアメタル膜に本来求められるバリア性を維持しつつ、微細化が進む配線用のホールやトレンチに対し優れたステップカバレッジでバリアメタル膜を形成でき、その上、バリアメタル膜表面にボイドを生じることなくＣｕ膜を形成できると共に、両者間で高い密着性が得られるようにした薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same having high reliability by improving a step coverage of a metal film in a recess without complicating the method by using a conventional semiconductor manufacturing apparatus in the semiconductor device having a conductive plug in a connecting port formed in an insulating film on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上の絶縁膜に形成された接続口の中に導電性のプラグを備える半導体装置に関し、従来の半導体製造装置を用いて製造方法を複雑化させることなく、リセス部での金属膜の段差被覆性を改善して、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a dielectric substance having a high dielectric constant and excellent step coverage characteristics can be formed by introducing an oxygen-containing compound into the chamber to let the core metal of the organometallic compound to chemically react with the oxygen of the oxygen-containing compound and removing the ligand from the core metal to form the metal oxide on the substrate.例文帳に追加

続いて、前記チャンバーに含酸素化合物を導入し、前記有機金属化合物の中心金属と前記含酸素化合物の酸素とを化学的に反応させ、前記中心金属から前記リガンドを分離させ前記基板上に金属酸化物を形成することにより、高誘電率を有し優れたステップカバレージ特性を有する誘電物質を形成することができる。 - 特許庁

Though the Guideline is limited to patent and technology information in its coverage, given that (i) it provides an overview of corporate management as a whole through R&D strategies and patent strategies, (ii) individual companies are expected to exercise their ingenuity in preparing actual reports, and (iii) institutional investors and others are recently showing a growing interest in R&D and patents of companies, it is hoped that the Guideline will mark the first step in pushing ahead with the consideration of the evaluation and disclosure of intellectual capital in Japan through the preparation of intellectual property reports in line with this Guideline.例文帳に追加

この指針は、その対象を特許・技術情報に限定しているが、①研究開発戦略や特許戦略を通じて企業の経営全体を俯瞰するものとなっていること、②具体的な報告書の作成に当たっては各企業が創意工夫を行うこととされていること、③昨今、機関投資家を中心に、企業の研究開発や特許に対する関心が高まっていること等から、今後我が国においても本指針に基づく知的財産報告書の作成を通じて、今後我が国における知的資本の評価と開示に関する検討を進める上での第一歩となることが期待される。 - 経済産業省