「Step Coverage」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the H_2gas is added when forming the film, the coverage for a step is high, and in particular, if the film is formed at a low pressure less than 10 Pa, the silicon nitride film also with high withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

成膜時にＨ_2ガスが添加されているので、段差に対する被覆性（カバレッジ）が高く、特に、１０Ｐａ未満の低圧で形成すると、絶縁耐圧も高いシリコン窒化膜を得ることができる。 - 特許庁

To prevent deterioration of insulating layer step coverage on a gate electrode, while preventing generation of a hillock on a first metal layer, in a thin-film transistor with a multilayer structure gate electrode.例文帳に追加

積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。 - 特許庁

To provide a thin film that has uniform thickness and superior step coverage in narrow holes, and is suitable for electronic interconnect in microelectronics and magneto resistance in magnetic information storage devices.例文帳に追加

マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗に好適な、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a solution material for an organic metal chemical vapor deposition method having excellent film composition controllability and step coverage, and a composite oxide series dielectric thin film prepared using the material.例文帳に追加

優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric layer of good performance which is shorten in processing time by transferring to a substrate a green sheet which is good in step coverage, and tolerant of high temperature and high pressure to form the dielectric layer.例文帳に追加

ステップカバレッジが良く、高温、高圧に耐えられるグリーンシートを基板に転写して誘電体層を形成することによって工程時間を短縮し、且つ性能に優れた誘電体層を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a contact structure, wherein aluminium or an aluminium alloy is used as a conductive material in a via hole, the occurrence of a void, a disconnection or the like is eliminated in multilayer wiring regions and the step coverage of the wiring regions is excellent.例文帳に追加

ビアホール内の導電物質としてアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用い、ボイドや断線などの発生がなく、ステップカバレッジが優れたコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The top electrode 33 is thin and inferior in step coverage, so even if foreign matter is present in the capacitor insulating film 32, the bottom electrode 31 and top electrode 33 less have an inter-layer short circuit.例文帳に追加

上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。 - 特許庁

To provide a method of forming a silica film by a vapor growth method, by which a film-forming temperature can be lowered and which has excellent step coverage and flatness of a surface.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜温度を低温化することができ、更にステップカバレッジ及び表面の平坦性が良好な気相成長法によるシリカ膜の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a film forming method by which a Co film can be deposited with good step coverage and with high reproducibility when depositing the Co film using cobalt carbonyl as a film forming material.例文帳に追加

成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

When depositing the membrane, a tapered angle is naturally formed, thereby improving step coverage of subsequential processes, reducing the generation of holes within a device, and eliminating the need of a complicated etching process.例文帳に追加

該薄膜を堆積する時に自然にテーパ角度が形成されることにより、後続工程のステップ被覆性を高めると共に装置中の孔の発生を減らし、複雑なエッチング工程を不要とした。 - 特許庁

In a step 109 of calculating the toggle rate, the toggle rate can be calculated by using a code coverage calculating tool with respect to connection data in an RTL design phase which can be obtained in an RTL designing step of the semiconductor integrated circuit in place of a conventional toggle rate calculation with respect to a net list.例文帳に追加

トグル率算出工程１０９で、従来のネットリストに対するトグル率算出に代えて、半導体集積回路のＲＴＬ設計工程で得られるＲＴＬ設計段階の接続データに対してコードカバレッジ算出ツールを用いてトグル率を算出することを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing coverage failures caused by the cohesion of an Al film in an early stage of a second step while preventing an increase or variation in the electric resistance of a metallic wire when forming the metallic wire by two-step sputtering, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

金属配線を２ステップスパッタにより形成する場合、金属配線の電気抵抗の上昇や、ばらつきを抑制しつつ、２ｎｄステップの初期段階におけるＡｌ膜の凝集によるカバレッジ不良を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition apparatus which deposits a thin film with superior step coverage and film quality without bringing damage to a substrate and a circuit element, while keeping a fast evaporation speed at low temperature.例文帳に追加

基板及び回路素子の損傷をもたらさず、低温で速い蒸着速度を確保し、優れたステップカバレッジ及び膜質特性を有する薄膜を蒸着させる化学気相蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a film formation apparatus excellent in step coverage, and capable of consistently feeding a raw material and practically and less costly forming a metal film of excellent quality without degrading the raw material.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。 - 特許庁

In a part where electrical interconnections, such as scanning lines and signal lines intercross, difference in level between the interconnections can be reduced, resulting in improving the step coverage of an insulation film and reducing defects, such as short-circuitings and disconnections between the interconnections.例文帳に追加

走査線や信号線といった電気配線の交差する部分において、配線段差が低減されるため、絶縁膜の段差被覆性が改善し、配線間の短絡や断線等の不良が低減される。 - 特許庁

To provide a phase-change structure which contains a phase-change substance layer pattern of a minute size, having a superior step coverage or gap-fill characteristics for keeping a resistance margin and maintenance characteristic, in HARS (high-aspect-ratio-structure).例文帳に追加

抵抗マージンと維持特性を確保しながら優秀なステップカバレッジ、又は、ギャップフィル特性を有する、微小サイズの相変化物質層パターンをＨＡＲＳ（Ｈｉｇｈ＿Ａｓｐｅｃｔ＿Ｒａｔｉｏ＿Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ、高縦横比構造）内に含む相変化構造物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a film which are excellent in step coverage, stably supply raw materials and practically and inexpensively form a metallic film having excellent quality without deteriorating the raw materials.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給すると共に原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

An opening portion H can be formed shallowly, so it is easy to bury a W layer 11 in the opening portion H and step coverage of an oxidized barrier layer 17 covering the alignment mark 15 can be improved.例文帳に追加

開口部Ｈを浅く形成することができるので、開口部Ｈ内をＷ層１１で埋め込むことが容易となり、合わせマーク１５を覆う酸化バリア層１７の段差被覆性を向上させることができる。 - 特許庁

By forming the banked layer 7 between the source signal line 2 and the array substrate 1, the deterioration of step coverage of a protective film 3 caused by a reverse-tapered hollow on a side surface of the source signal line 2 is suppressed.例文帳に追加

かさ上げ層７をソース信号配線２とアレイ基板１との間に形成することによって、ソース信号配線２の側面の逆テーパ状の窪みを原因とした、保護膜３のステップカバレッジの悪化を抑制する。 - 特許庁

To provide a metal wire which has high barrier property to metal such as copper(Cu) even in a groove buried wiring pattern having a high aspect ratio where the high step coverage of a barrier metal cannot be expected, and to provide its information.例文帳に追加

バリアメタルの高いステップカバレッジが期待できない高アスペクト比の溝埋め込み構造配線パターンにおいても、銅（Ｃｕ）などの金属に対して高いバリア性を有する金属配線及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system by which a nucleation formation at the initial stage of film deposition can be performed in a short period of time without complicating a system configuration, and a film satisfactory in surface smoothness and step coverage can be obtained.例文帳に追加

装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of depositing a sputter film of excellent step coverage in a contact hole of high aspect ratio without degrading productivity, life time of a target, yield of a product, and reliability.例文帳に追加

生産性、ターゲット寿命、製品歩留り及び信頼性を低下させることなく、高アスペクト比のコンタクトホール内に優れたステップカバレッジを有するスパッタ膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Because a polyimide film 4 is formed so as to have an edge at a position apart from a scheduled region H2 for forming the bump electrode, the step coverage in the formation of the plating electrode 5 by using a sputtering method can be improved.例文帳に追加

ポリイミド膜４をバンプ電極形成予定領域Ｈ２から離れた位置に端を有するように形成しているので、メッキ電極５をスパッタ法により形成する際のステップカバレージを改善することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, together with a semiconductor manufacturing device suitable for manufacturing the semiconductor device, which comprises a Ta2O5 film having high film- thickness evenness and superior step coverage characteristics.例文帳に追加

高い膜厚均一性と優れたステップカバレッジ特性を有するＴａ_２Ｏ_５膜を備えた半導体装置の製造方法およびこの半導体装置の製造に好適に使用される半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition apparatus excellent in step coverage, and capable of consistently feeding a raw material and practically depositing a metal film of excellent quality without degrading the raw material.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which enables easy formation of an Ru-containing film whose step coverage is good, deposition delay time is short and furthermore in-plane uniformity is good, and to provide a substrate treatment method.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好であり、堆積遅れ時間の短い、ひいては面内均一性のよいＲｕを含む膜を容易に製造することのできる半導体装置の製造方法および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method which has a satisfactory step coverage, stably feeds raw materials, and can practically and inexpensively deposit a metal film of high quality without causing deterioration in the raw materials, and to provide a film deposition system.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device in which conductivity of a metal layer is improved by suppressing generation of a void or a seal in the metal layer occurring due to a conventional step coverage fault, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

従来ステップカバレージ性不良によって生じていた金属層内のボイドやシームの生成を抑制することにより、金属層の導電性を向上させた不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce etching residue of a metal layer which constitutes the electrode of a capacitance element by eliminating depression caused by step coverage of etching in a process for fabricating a semiconductor integrated circuit device which performs thickness adjustment of an LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜の膜厚調整を行う半導体集積回路装置の製造方法において、エッチングの回り込みによる窪みの無い、その結果容量素子の電極を構成する金属層のエッチング残りの発生を少なくする。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon oxide film which is superior in characteristics aspects such as dielectric strength and step-coverage, etc., for improved yield of TFT, causes no problem in handling or in cost, and is used for both a gate oxide film and interlayer insulating film.例文帳に追加

絶縁耐圧やステップカバレッジ等の特性面に優れ、ＴＦＴの歩留まりの向上が図れるとともに、取り扱いやコストの面でも問題なく、ゲート酸化膜にも層間絶縁膜にも使用できるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations.例文帳に追加

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

As a result, a plating layer high in adhesive properties and adhesive strength between metals can be formed without requiring the catalyzing treatment of electroless plating, a step coverage satisfactory even to a high aspect ratio can be obtained, and the generation of voids can be suppressed.例文帳に追加

その結果、無電解めっきの触媒化処理の必要がなく、金属同士の結合で被着性及び被着強度の高いめっき層が形成され、高アスペクト比に対しても良好なステップカバレッジが得られ、ボイドの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To increase a reliability of electrolytic plating by forming a copper seed layer having a sufficient step coverage in a recessed section of a large aspect ratio consisting of a recess and a connection hole and forming a copper seed layer of a sufficient thickness on a substrate.例文帳に追加

溝と接続孔とからなるようなアスペクト比の大きい凹部に十分なステップカバリッジを得た銅シード層を形成するとともに基板上には十分な厚さの銅シード層の形成することで、電解メッキの信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a thin film pattern and a method for fabricating a flat panel display device using the same that are adaptive for forming an organic material pattern having step coverage by not using a photolithography process to control a capacitance value of a capacitor.例文帳に追加

本発明は、フォト工程を使用しないで、段差を有する有機物パターンを形成することによって、キャパシタの容量が調節できる薄膜パターンの製造方法及びこれを用いる平板表示素子の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which includes a process for forming a silicon oxide film that can be formed at low temperature, and has superior surface flatness, recessed part burying properties, and step coverage, and also has a superior film forming speed; and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To effectively improve step coverage at a low cost, when a contact hole which links a gate and a source/drain with a metal wiring layer or a contact hole such as a viahole, which links a part between the metal wiring layers is formed in a multilayer wiring of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の多層配線構造において、ゲート、ソース／ドレーンを金属配線層と連結するコンタクトホールまたは金属配線層間を連結するバイアホールなどの接触ホールの形成時、低コストで効果的にステップカバレージを改善する。 - 特許庁

After that, the plasma beam PB is fed to the hearth 51 to evaporate a film material in the hearth 51, so that a metallic wiring material film good in step coverage, in which voids or the like are hard to be formed and also good in crystal orientation properties can be deposited on the substrate W.例文帳に追加

その後、プラズマビームＰＢをハース５１に供給すると、ハース５１中の膜材料が蒸発し、ステップカバレージが良好でボイド等が形成されにくく、かつ、結晶配向性の良い金属配線材料膜が基板Ｗ上に形成される。 - 特許庁

To form a conductive hydrogen barrier film with excellent step coverage in a via hole for exposing an upper electrode of a ferroelectric capacitor constituting an FeRAM, and to suppress reduction of a ferroelectric film in burying it with a tungsten film by a CVD method.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭを構成する強誘電体キャパシタの上部電極を露出するビアホールに、優れたステップカバレッジで導電性水素バリア膜を形成し、タングステン膜により、ＣＶＤ法で埋め込む際の強誘電体膜の還元を抑制する。 - 特許庁

To provide a solution raw material for organic metal chemical vapor deposition hard to be frozen even in a cold district, and having excellent film compositional controllability and step coverage, and to provide a complex oxide dielectric thin film formed by using such raw material.例文帳に追加

寒冷地であっても凍結し難く、かつ優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method, and a plasma CVD(chemical vapor deposition) system, for fabricating a highly reliable element by enhancing step coverage while suppressing corrosion of underlying Si layer at the time of forming a titanium film and a titanium silicide film by plasma CVD using TiCl4 as a material.例文帳に追加

ＴｉＣｌ_4 を原料としたプラズマＣＶＤでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Ｓｉ層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a uniform film exhibiting good step coverage can be deposited by forming the carbon layer 5 for reducing a reverse bias current by sputtering, and since an upper heterojunction layer (mixture layer 3) can be formed easily, the diode can be formed stably.例文帳に追加

さらに、逆バイアス電流低減のためのカーボン層５をスパッタリング法によって形成することでステップカバレッジの良い均一な膜を形成することができ、上部へのヘテロ接合層（混合層３）の形成が容易になることから安定したダイオード形成が可能になる。 - 特許庁