「Step Coverage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a thin-film resistor, in which undercut of a barrier metal is prevented, the step coverage of a protective film is improved and reliability is enhanced.例文帳に追加

バリアメタルがアンダーカットされてしまうことを防止し、保護膜のステップカバレッジが良好で信頼性が高い薄膜抵抗体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device in which a step coverage of wiring layers formed on ohmic electrode layers is improved, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

オーミック電極層上の配線層の段差被覆性が改善された、信頼性が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition apparatus capable of executing the film deposition of a metallic film containing less impurities at low temperature and with excellent step coverage.例文帳に追加

不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

Thereby, the process number can be reduced, the good step coverage is realized, and the increasing resistance value of the interface portion between the Ti film and the silicon layer is also suppressed.例文帳に追加

これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 - 特許庁

To provide a hafnium-containing material for forming a film having excellent vaporization stability and higher film formation rate, to provide a method for producing the film, and to provide a method for producing a hafnium-containing thin film having satisfactory step coverage.例文帳に追加

気化安定性に優れ、高い成膜速度を有するハフニウム含有膜形成材料及び該形成材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal-containing film in which film deposition under low temperature conditions is excellent, and capable of stable film deposition, and also capable of depositing a thin film enough in step coverage.例文帳に追加

低温条件での成膜に優れ、安定した成膜が可能であり、かつ段差被覆性に富んだ薄膜を形成することができる。 - 特許庁

Supplying the vapors in alternating pulse produces these same compositions with a very uniform distribution of thickness and excellent step coverage.例文帳に追加

交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。 - 特許庁

Thus, the degree of homogeneity (uniformity of film thickness or the like) of the thin film can be improved, and further its step coverage properties can be improved.例文帳に追加

このように構成すれば、薄膜の均質度（膜厚の均一性等）を向上させるとともに、ステップカバレッジ特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which realizes satisfactory step coverage without interrupting lowering of the wiring resistance of a wiring layer, and to provide the manufacture method.例文帳に追加

配線層の配線抵抗の低抵抗化を妨げることなしに、良好なステップカバレッジを可能にする半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve step coverage of a plating electrode and to improve an exposure margin degree of a photoresist layer for forming a bump electrode in a method for forming the bump electrode.例文帳に追加

バンプ電極の形成方法において、メッキ電極のステップカバレージを改善すると共に、バンプ電極形成用のフォトレジスト層の露光余裕度を改善する。 - 特許庁

In an environment where an image is formed as the function of the combination of cyan, magenta, yellow and black components of an output print, the method comprises a step (1) of increasing an area coverage for a color below the threshold of the developing stability and a step (2) of removing the extremely low area coverage color and replacing it with black.例文帳に追加

出力プリントのシアン、マゼンタ、黄および黒色成分の組み合わせの関数として画像を生成する環境において、１）現像の安定性のしきい値を下回る色のエリアカバレッジを増加させるステップと、２）非常に低いエリアカバレッジ色を除去し、それを黒で置換するステップを有する方法が提供される。 - 特許庁

It is possible to secure sufficiently high step coverage and inside hole coverage, and to increase the remanent polarization density of a ferroelectric film specifically by forming the ferroelectric material film at a temperature which is as low as possible among the raw material supply rate controlling.例文帳に追加

特に、原料供給律速のうちできるだけ低い温度で強誘電体材料膜を形成することにより、十分に高いステップカバレッジおよびホール内カバレッジを確保しつつ強誘電体膜の残留分極密度を高めることができる。 - 特許庁

To form a contact hole in a good shape without damaging an Si substrate, and to improve the step coverage of a metal interconnection layer without adding extra processes.例文帳に追加

Ｓｉ基板にダメージを与えることなく良好な形状のコンタクトホールの形成を可能とし、余分な付加工程を加えることなく金属配線層のステップカバレージを改善する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate in which interlayer capacitance can be reduced and a stabilized contact is attained by enhancing the step coverage of a conductive film in a contact hole.例文帳に追加

層間容量を低減できると共に、コンタクトホール内の導電膜のステップカバレジを向上させて安定したコンタクトが得られる薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method capable of improving step coverage in forming a thin film even when the inner diameter and width of a recessed part formed on a surface of a processing object are small.例文帳に追加

被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a CVD-Ti film by which a Ti film can be deposited on a fine hole part formed in an insulated film at a high step coverage.例文帳に追加

絶縁膜に形成された微細なホール部位に高ステップカバレージでＴｉ膜を成膜することができるＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and device for realizing an appropriate step coverage for one or more kinds of materials on a substrate by using a sputtered and ionized material.例文帳に追加

本発明は、スパッタされイオン化された材料を使用して基板上への１種以上の材料の不適合ではないステップ・カバレージを実現する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A step coverage is improved by rounding the peripheral edge of the top surface of the light emitting element to prevent a protective film from being etched and the surface of the element from being exposed.例文帳に追加

発光素子天面の周縁エッジ部に丸みを持たせることによりステップカバレージ性を向上させ、保護膜のエッチング及び素子表面の露出を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element, in which the step coverage of a formed film can be enlarged and also the film can be deposited in a low temperature range.例文帳に追加

形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a Cu channel wiring together with its manufacturing method, where the base material layer for electrolytic plating which is of low resistance and satisfactory step coverage is formed.例文帳に追加

低抵抗でステップカバレジが良好な電解めっきの下地層が形成されたＣｕ溝配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a step coverage of an upper protection film for protecting a heating resistor layer and a pair of electrodes formed thereon and to make the protection film thin.例文帳に追加

発熱抵抗層とこの上層に形成した一対の電極とを保護する上部保護膜のステップカバレージを良好にするとともに、保護膜の薄膜化を図る。 - 特許庁

By forming e.g. the CuMn alloy film and the Mn film, by the heat-treatment such as CVD process, the fine recessed portion can be filled with a high step coverage.例文帳に追加

これにより、例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができる。 - 特許庁

To form a composite TiN film having an improved step coverage, low film stress and suitable for for a plugging of small dimensions compared to the case by a standard TiN process.例文帳に追加

標準のＴｉＮプロセスと比較して、ステップカバレージが改良され、膜応力が低く、小寸法のプラグ充てん適用例に適する複合ＴｉＮ層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon oxide film which can be formed at low temperature, and has superior surface flatness, recessed part burying properties, and step coverage, and also has a superior film forming speed.例文帳に追加

低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Step coverage is improved by making a peripheral edge of a top surface of a light emitting element rounded, a protection film is prevented from being etched, and the surface of the element is prevented from being exposed.例文帳に追加

発光素子天面の周縁エッジ部に丸みを持たせることによりステップカバレージ性を向上させ、保護膜のエッチング及び素子表面の露出を防止する。 - 特許庁

To provide a film deposition method having a high film deposition rate and sufficient coverage properties to a step on a base material, and a low-cost film deposition system with a simple system constitution.例文帳に追加

高い成膜速度と基材上の段差に対して十分なカバレッジ性を有する成膜方法及び装置構成が簡素で低コストな成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for the capacitor of a semiconductor element, capable of preventing a defective dielectric film deposited on the lower electrode and a step coverage on the upper electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ下部電極上に蒸着される誘電膜及び上部電極のステップカバレッジの不良を防止し得る半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the high melting metal layer has good step coverage, the high melting metal layer does not break by the level difference of the opening on the upper face of the forming region of the photodiode.例文帳に追加

その結果、高融点金属層はステップカバレッジが良いので、フォトダイオードの形成領域上面にある開口部の段差で高融点金属層は破断しない。 - 特許庁

To provide the laminating method of an atomic layer capable of forming a metal oxide film having excellent step coverage characteristics and high dielectric constant at a high deposition speed.例文帳に追加

優れたステップカバレージ特性及び高誘電率を有する金属酸化物の膜を、高い蒸着速度で形成することのできる原子層積層方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing the capacitor of a semiconductor memory element capable of improving the electric characteristic of the capacitor by improving the step coverage of a lower electrode.例文帳に追加

下部電極のステップカバレッジを向上させることにより、キャパシタの電気的特性を向上させることができる半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon oxynitride film by which a silicon oxynitride film having high step coverage can be formed under a low temperature, and to provide a device of forming the same and a program.例文帳に追加

低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

The verification target register to be verified is specified from a configuration of a verification target circuit 100 (step S101), and patterns requiring verification are extracted as a coverage criterion with regard to the specified verification target register (step S102).例文帳に追加

検証対象回路１００の構成から検証対象となる検証対象レジスタを特定し（ステップＳ１０１）、特定された検証対象レジスタについて、カバレッジ基準となる検証を要するパターンを抽出する（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

To improve step coverage or loading effect without inviting aggravation of throughput or cost-increase, in a method wherein a thin film is formed by making material and alcohol to flow alternately into a treatment chamber.例文帳に追加

原料とアルコールを交互に処理室に流して薄膜を形成する方法において、スループットの悪化やコストアップを招くことなく、段差被覆性やローディング効果を改善する。 - 特許庁

A method and apparatus are provided for achieving an uniform figure of step shape coverage of one or more materials on a substrate 110, using a sputtered ionized material.例文帳に追加

本発明はスパッタされたイオン化材料を用いて、基板１１０上に一つ以上の材料の均一な形態を有する段差形状被覆を達成する方法と装置を供する。 - 特許庁

Consequently, disconnection is prevented from being caused by a decrease in coverage of the metal films at a bottom portion of a step formed between the silicon substrate 1 and an insulating film 2.例文帳に追加

これにより、シリコン基板１と絶縁膜２との間に形成される段差の底部部分において金属膜の被覆率が低くなることによって断線が生じることを防止できる。 - 特許庁

In the substrate processed by the method, a step coverage of the tungsten-containing material filled in the feature having the high aspect ratio is improved and the size of a seam is reduced.例文帳に追加

これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring which can form wiring uniformly without depending on step coverage of a conductive layer (seed layer) and width of a wiring groove, and to provide an apparatus for the same.例文帳に追加

導電層（シード層）のステップカバレッジ性及び配線溝の幅の大小に依存せずに、配線を均一性良く形成することができる配線形成方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high withstand voltage and a high step coverage property of a gate insulating layer by a manufacturing method with a small number of processes and high usability of materials.例文帳に追加

少ない工程数で、且つ材料の利用効率を高めた手法で、耐圧が高く、且つゲート絶縁層の段差被覆性が高い半導体装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of uniforming step coverage on a substrate, and flattening metal layers, and to form continuous, void-free contacts or vias in a sub-half micron application field.例文帳に追加

基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。 - 特許庁

The capacitor lower electrode is formed on the projecting section of the capacitor lower electrode plug exposed on an interlayer insulating film by a film forming method, such as the sputtering method, etc., by which poor step coverage is obtained.例文帳に追加

層間絶縁体膜上に露出したキャパシタ下部電極プラグの突起部に、スパッタ法のような段差被覆性の乏しい成膜方法によりキャパシタ下部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method of a barrier layer capable of reducing the process number, realizing good step coverage, and suppressing the increasing resistance value of the interface portion between a Ti film and a silicon layer.例文帳に追加

工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality semiconductor device in which the generation of an eave-shaped portion to be formed during anisotropic etching is suppressed and a coverage defect or step cut does not occur.例文帳に追加

異方性エッチング時に形成されるひさし状部分の発生が抑制され、カバレージ不良や段差切れのない、高品質な半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Because the ITO 4 is formed on the protective film 3 having favorable step coverage, the occurrence of disconnection of the ITO 4 in the neighborhood of the peripheral part of the source signal line 2 can be suppressed.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好な保護膜３の上にＩＴＯ４が形成されるため、ソース信号配線２の周縁部付近における、ＩＴＯ４の断切れの発生を抑制することができる。 - 特許庁

In the step S102, as a DIRW matrix, the DIRW matrix is prepared to indicate possibly occurring state transitions among four states Declare, Initialize, Read, and Write in the register included in the verification target circuit 100, and the DIRW matrix is used to decide two kinds of coverage criterions, a matrix coverage criterion 110 and an implementation coverage criterion 120.例文帳に追加

このステップＳ１０２では、ＤＩＲＷマトリックスとは、検証対象回路１００に含まれるレジスタにおいてＤｅｃｌａｒｅと、Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅと、Ｒｅａｄと、Ｗｒｉｔｅとの４つの状態の中から生じる可能性のある状態遷移をあらわしたＤＲＩＷマトリックスを用意し、このＤＩＲＷマトリックスを利用して、マトリックスカバレッジ基準１１０と、実装カバレッジ基準１２０との２種類のカバレッジ基準を決定する。 - 特許庁

As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.例文帳に追加

このため、図２（ｂ）〜（ｈ）の製造工程図に示す通り、半導体層４と第二アンダーコート絶縁膜３との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁