「X-ray sensitivity」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To image and observe a specimen, which contains a density range from a large density change like a bone or the lungs to a small density range like living body soft tissue or the like, difficult to measure by a conventional absorbing and phase contrast X-ray imaging apparatus, with high sensitivity.例文帳に追加

従来の吸収及び位相コントラストＸ線撮像装置では測定が難しかった骨や肺等のような大きな密度変化から生体軟部組織等のような小さな密度変化までを含むような試料を高感度に撮像・観察する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness all at once in microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly an electron beam or X-ray.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工において、感度と解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive material having high sensitivity to high energy rays such as a far ultraviolet radiation, an electron beam, an X-ray, etc., capable of developing in an alkali aqueous solution, excellent in heat resistance, and useful for a chemical amplification positive type resist material which is suitable for micromachining technology, etc.例文帳に追加

遠紫外線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像可能であり、耐熱性に優れかつ微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料等に有用な感光性材料を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that satisfies, at a high level, all of high sensitivity, high resolution, good pattern profile and good line edge roughness in an ultrafine region, particularly in electron beam, X-ray or EUV photolithography, and satisfactorily reduces a problem of outgassing during exposure, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガスの問題が充分に低減された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, proper pattern profile and satisfactory line edge roughness, particularly in an electron beam, X-ray or EUV lithography in an ultrafine region, and to provide a pattern formation method that uses the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、および良好なラインエッジラフネスを同時に満足するパターンを形成可能な感活性光線または感放射線性樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for forming a pattern with high sensitivity and wide exposure latitude in an ultrafine region, while suppressing changes in the resist performance due to an acid generated during resist storage, with respect to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, particularly, a resist composition for electron beam, X-ray or EUV lithography.例文帳に追加

感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加

本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity while maintaining storage stability in a level suitable for practical use, and in particular, to provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV light, and a resist film formed of the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

保存安定性について実用レベルを損なうことなく、優れた感度を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、特には電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物、該組成物を用いてなるレジスト膜及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that can simultaneously satisfy the requirements for high sensitivity, high resolution, desirable pattern configuration, desirable line edge roughness and desirable iso/dense bias in especially lithography using an electron beam, X-rays or EUV light as an exposure radiation source, and to provide a method of forming a pattern using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation detection apparatus in which a radiation source is stabilized, highly accurate measurement is achieved by correcting the measurement error due to radiation dosage change from the measurement result of a transit dose, the cost of the testing instrument is reduced, the measurement sensitivity is improved and the longer operating life of the radiation source is aimed by lowering the output of the X-ray source.例文帳に追加

線源の安定化をはかり、透過線量の測定結果から線量変動による測定誤差補正することで高精度な測定を実現し、検査装置の低価格化、計測感度向上、Ｘ線源の低出力化を図ることにより線源の長寿命化を図った放射線検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation detector of high light transmittance, capable of increase a grooving working speed without generating lowering of partial radiation detection sensitivity even when using a hard ceramic scintillator, and capable of enhancing productivity thereby, and an X-ray CT equipment capable of providing a tomographic image of high quality free from an artifact using the radiation detector.例文帳に追加

光透過率が高く、かつ硬いセラミックシンチレータを用いた場合でも、部分的な放射線検出感度低下を引き起こすことなく、溝切り加工速度を速くして生産性の向上が可能な放射線検出器及びこの放射線検出器を用いてアーチファクトのない高画質の断層画像が得られるＸ線ＣＴ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material having high sensitivity, excellent in sharpness, not lowering contrast even when put under high humidity, ensuring high contrast even when processed with a developer not substantially containing a hardening agent, free of pressure fog in a liquid and suitable particularly for use in an X-ray mammographic system.例文帳に追加

高感度で鮮鋭性に優れ、高湿下に置かれてもコントラストの低下を招かず、実質的に硬膜剤を含有しない現像剤で処理しても、高コントラストが得られ、液中プレッシャーカブリの発生を伴わない、特にＸ線乳房撮影システムに好適なハロゲン化銀写真感光材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, an X-ray or EUV light, and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution and good line edge roughness particularly when the resist composition is used in the form of an ultrathin film of ≤250 nm.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にレジスト組成物を２５０ｎｍ以下の超薄膜で用いる場合における、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which simultaneously satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and few development defects particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁