| 意味 | 例文 |
active elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2766件
To provide a semiconductor optical integrated element including an active layer with excellent crystallinity.例文帳に追加
結晶性の良好な活性層を有する半導体光集積素子を提供する。 - 特許庁
To obtain an active layer and an element structure having excellent light emitting efficiency in a short wavelength region of 380 nm in a semiconductor element, particularly in a light emitting element using a nitride semiconductor and a laser element.例文帳に追加
半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、380nmの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。 - 特許庁
It is preferable that an area of the p-n junction is not more than 300 μm^2 per 1 μm^3 of the active layer, and an active layer in a photoelectric conversion element contains fullerene derivatives and polymer compounds.例文帳に追加
また、光電変換素子中の活性層がフラーレン誘導体と高分子化合物とを含むことが好ましい。 - 特許庁
A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 includes negative electrode active material particles having silicon as a constituent element.例文帳に追加
負極22の負極活物質層22Bは、ケイ素を構成元素として有する複数の負極活物質粒子を含んでいる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING OPTICALLY ACTIVE LAYER, APPARATUS HAVING MANY OPTICALLY ACTIVE LAYERS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CONSTITUENT ELEMENT例文帳に追加
光学活性層を有する半導体構成素子、多数の光学活性層を有する装置および半導体構成素子の製造方法 - 特許庁
The semiconductor laser device is provided with an active layer, guide layers pinching the active layer, a semiconductor laser element 220 wherein clad layers pinching the active and guide layers are formed on a GaAs substrate, and a mold resin parts (223 and 224) covering the semiconductor laser element 220.例文帳に追加
活性層と、活性層を挟むガイド層と、活性層とガイド層を挟むクラッド層がGaAs基板上に形成された半導体レーザ素子220と、半導体レーザ素子220を覆うモールド樹脂部(223,224)とを備える。 - 特許庁
A positive electrode active material is limited so that the difference between transition metal element volume of the positive electrode active material generated and that contained in raw material for a positive electrode active material be not more than 1 ppm per transition metal element.例文帳に追加
正極活物質を、生成された正極活物質の遷移金属元素量と正極活物質の原料に含まれる遷移金属元素量との差が遷移金属元素毎に1ppm以下となるように制限する。 - 特許庁
To provide a light-emitting element capable of extracting light emitted from an active layer to the outside of the element more efficiently than a conventional one.例文帳に追加
活性層から発光された光を従来より効率良く素子外部へ取り出すことができる発光素子を提供する。 - 特許庁
On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子において、半導体基板105は、素子分離膜110により限定された活性領域112を備える。 - 特許庁
To obtain a polycrystalline semiconductor element of an optimized structure in a semiconductor element using a polycrystalline semiconductor as an active layer.例文帳に追加
活性層に多結晶半導体を用いた半導体素子において、最適化された構造の多結晶半導体素子を得る。 - 特許庁
The multi-step stub circuit reflects leaked parts of the electromagnetic waves generated by the active element to return the reflected parts to the active element, resulting in a broad band high power oscillation output.例文帳に追加
この多段スタブ回路を設けたことにより、能動素子から発振される電磁波の漏れが反射されて能動素子に戻るため、帯域の広い高出力の発振出力が得られる。 - 特許庁
The optical element has the area including the active area projecting from the surface of the optical element and at least a part of the area including the active area is put in the guide groove 29.例文帳に追加
光素子は、光素子の表面から突出した活性領域を含む領域を有し、活性領域を含む領域の少なくとも一部分がガイド溝29内に収容される。 - 特許庁
The device includes an active element 10, a first barrier metal layer 22 formed on an electrode of the active element 10, and a first alloy bump 24 formed on the first barrier metal layer 22.例文帳に追加
能動素子10と、能動素子10の電極上に形成された第1のバリアメタル層22と、第1のバリアメタル層22上に形成された第1の合金バンプ24とを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor optical element having the constitution, by which crystallinity of an active layer can be improved by reducing the concentration of hydrogen ions in the active layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor optical element.例文帳に追加
活性層中の水素イオンの濃度を低減することにより活性層の結晶性を向上できる構造を有する半導体光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The vertical semiconductor device comprises a device active region 100 actualizing an element function of an IGBT, and the element termination region 200 enclosing the device active region 100.例文帳に追加
縦型半導体装置は、IGBTの素子機能を実現する素子活性領域100と、素子活性領域100を囲む素子終端領域200とによって構成されている。 - 特許庁
Outside a memory cell region 110 where line-and-space (L&S) periodicity of an active area D1 and an element isolation region D1S is disordered, active areas D2a and D2b wider than the active area D1, and an element isolation region D2S disposed between the active areas D2a and D2b are formed.例文帳に追加
アクティブエリアD1及び素子分離領域D1Sのラインアンドスペース(L&S)の周期性が崩れるメモリセル領域110の外側には、アクティブエリアD1より幅が広いアクティブエリアD2a、D2bと、アクティブエリアD2aとD2b間に配置された素子分離領域D2Sが形成されている。 - 特許庁
The light-emitting element includes an active pattern arranged on the substrate, an upper mirror provided on the active pattern, and a lower mirror provided under the active pattern and can emit a light which is perpendicular to the substrate.例文帳に追加
前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。 - 特許庁
The semiconductor element 2 includes the first and second active regions R1 and R2 arranged such that a heat concentration place of the first active region R1 is replaced with the second active region R2.例文帳に追加
半導体素子2では、第1活性領域R1の熱集中箇所が第2活性領域R2で置換されるように第1及び第2活性領域R1,R2が配置されている。 - 特許庁
The display panel in which a pixel array area including a plurality of pixel cells having an active element arranged in a matrix form is included and in which a relative position of a first active element of a first pixel cell in the pixel cell is different from that of a second active element of a second pixel cell in the pixel cell, is adopted.例文帳に追加
マトリクス形状で設置されたアクティブ素子を有する複数の画素セルを含む画素アレイ域を含み、前記画素セル中の第一画素セルの第一アクティブ素子の相対位置は、前記画素セル中の第二画素セルの第二アクティブ素子と異なるディスプレイパネルを採用する。 - 特許庁
The active element housing module has a substrate 42, an active element 43, and a plurality of front and back conductive vias as well as having wiring 46 connecting the front and back conductive vias and the active element, and the front and back conductive vias are joined to the sensor housing module's front and back conductive vias.例文帳に追加
能動素子内蔵モジュールは、基板42と能動素子43と基板を貫通する複数の表裏導通ビア45を有するとともに、表裏導通ビアと能動素子を接続する配線46を有し、表裏導通ビアが上記センサー内蔵モジュールの表裏導通ビアに接合したものとする。 - 特許庁
To provide a quartz-based glass optical waveguide with an electronic active element and a method for manufacturing the optical waveguide in which the refractive index of the optical waveguide is stabilized and an adverse effect is not given to the electric characteristic of the electronic active element part even when the optical waveguide and the electronic active element are monolithickly formed.例文帳に追加
光導波路と電子能動素子をモノリシックに形成しても、光導波路の屈折率を安定化できると共に電子能動素子部の電気特性に悪影響を与えない電子能動素子付き石英系ガラス光導波路およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
On a TFT array substrate 9 where the switching active element 5 and a switching active element protection film 7 are formed, a color filter film 11 is formed and then a contact part 6 is formed by processing the color filter film 11 and switching active element protection film 7 at the same time by dry etching using patterned etching resist 10.例文帳に追加
スイッチング能動素子5とスイッチング能動素子保護膜7が形成されたTFTアレイ基板9上に、カラーフィルタ膜11を形成した後、パターニングされたエッチングレジスト10を用いて、カラーフィルタ膜11とスイッチング能動素子保護膜7を同時にドライエッチングしコンタクト部位6を形成する。 - 特許庁
The negative active material layer 22B contains a negative active material containing at least one of silicon and tin as a constituent element.例文帳に追加
負極活物質層22Bには、構成元素としてケイ素およびスズのうちの少なくとも一方を含有する負極活物質が含まれている。 - 特許庁
A negative active material layer 12B is formed by a gas phase process and has active material particles containing Si as a constitution element.例文帳に追加
負極活物質層12Bは、気相法により形成されたものであり、構成元素としてSiを含む活物質粒子を有している。 - 特許庁
A gold-plated layer, having a thickness of 5 μm or more, is formed on one of two electrodes sandwiching an active layer of a semiconductor laser element 26 which is closer to the active layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子26の活性層を挟む2電極のうち、活性層に近い電極上に金メッキ層を5μm以上形成する。 - 特許庁
The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure.例文帳に追加
半導体レーザ素子は、活性層6と、活性層6上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するp側半導体層とを備える。 - 特許庁
An anode active material layer 12 includes a particulate anode material, containing Sn or Si as a component element as an anode active material.例文帳に追加
負極活物質層12は、負極活物質として、SnまたはSiを構成元素として含む粒子状の負極材料を含んでいる。 - 特許庁
The Fabry-Perot type semiconductor laser element 10 has an active layer 17, and a clad layer 13 having a refractive index lower than the one of the active layer.例文帳に追加
ファブリーペロー型の半導体レーザ素子10は、活性層17と、活性層よりも低い屈折率を有するクラッド層13を有している。 - 特許庁
ACTIVE MATRIX ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
能動マトリックス有機電界発光素子及び前記能動マトリックス有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁
WATER CLEANING HAVING ACTIVE FUNCTION AND CERAMIC ELEMENT THEREFOR AND AUXILIARY JIG FOR WATER CLEANER例文帳に追加
活性機能を備えた浄水器、および浄水器用セラミック体、並びに浄水器用補助具 - 特許庁
INTRAUTERINE DEVICE, METHOD OF MAKING THE DEVICE AND METHOD FOR INSERTING ACTIVE ELEMENT INTO UTERINE CAVITY例文帳に追加
子宮内器具、該器具の作成方法、および子宮腔内に活性要素を挿入する方法 - 特許庁
To maintain proper switching operation of the operating state of an active element, even at the passage of time.例文帳に追加
経時においてもアクティブ素子の動作状態の適切な切り替え動作を維持することである。 - 特許庁
A gate oxide film of a thickness of about 10 nm is formed in the second element active region.例文帳に追加
そして、第2の素子活性領域内に、10nm程度の厚さのゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁
To provide an active matrix liquid crystal display element whose liquid crystal layer thickness in a pixel part is reduced.例文帳に追加
画素部の液晶層厚を小さくしたアクティブマトリックス型の液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
OPTICALLY ACTIVE COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT CONTAINING THE COMPOUND例文帳に追加
光学活性化合物、その製造方法、それを含有する液晶組成物および液晶素子 - 特許庁
The error amplifier has a configuration, including a voltage-to-current converter 20 which is an active element.例文帳に追加
この誤差増幅器は、能動素子である電圧電流変換器20を含む構成である。 - 特許庁
The anode active substance layer 13 has an amorphous phase containing Si as a component element.例文帳に追加
負極活物質層13は、構成元素としてSiを含む非晶質相を有している。 - 特許庁
ACTIVE MATRIX TYPE ORGANIC ELECTRIC FIELD LIGHT EMITTING ELEMENT WITH SIMPLIFIED MANUFACTURING PROCESS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
製造工程が単純化されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子及びその製造方法 - 特許庁
An active region 2a surrounded by an element isolation film 3 is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1上に素子分離膜3に周囲を囲まれた活性領域2aを設ける。 - 特許庁
SWITCHING ELEMENT ARRAY SUBSTRATE, ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY DEVICE USING THE SAME, AND ITS REPAIRING METHOD例文帳に追加
スイッチング素子アレイ基板、それを用いたアクティブマトリクス型表示装置およびその修復方法 - 特許庁
To provide an electrode for an electrochemical element suppressing the elution of an active material into an electrolyte.例文帳に追加
活物質の電解質中への溶出を抑制する電気化学素子用電極を提供する。 - 特許庁
ORGANIC/INORGANIC COMPOSITE SEPARATION FILM COATED WITH POROUS ACTIVE LAYER, AND ELECTROCHEMICAL ELEMENT WITH THE SAME例文帳に追加
多孔性活性層がコーティングされた有機/無機複合分離膜及びこれを備えた電気化学素子 - 特許庁
A negative electrode 22 contains a negative electrode active material containing Si or Sn as a structural element.例文帳に追加
負極22は、構成元素としてSiまたはSnを含む負極活物質を含んでいる。 - 特許庁
To provide a semiconductor element having an active region specifying alignment key, and its manufacturing method.例文帳に追加
活性領域限定用アラインキーを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY DEVICE USING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND DRIVING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT例文帳に追加
有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法、半導体回路 - 特許庁
To realize a high gradation number display at a low cost in a two terminal element type and active matrix type liquid crystal panel.例文帳に追加
二端子素子型アクティブ・マトリクス型液晶パネルにおいて、安価に高階調化を実現する。 - 特許庁
To reduce the power capacity of an active element for overvoltage protection provided in a resistance-measuring device.例文帳に追加
抵抗測定装置に備えられる過電圧保護用能動素子の電力容量を低減する。 - 特許庁
To provide the constitution of an active matrix display element by digital drive, in which vertical scanning are multiplexed.例文帳に追加
垂直走査を多重化したデジタル駆動によるアクティブマトリクス表示素子の構成を提供する。 - 特許庁
The negative electrode 22 contains a negative electrode active material containing Sn or Si as a constituent element.例文帳に追加
負極22は、SnまたはSiを構成元素として含む負極活物質を含有している。 - 特許庁
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