「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to obtain a cathode active material with higher true density, a composition of each element in the cathode active material is preferred to satisfy a relation of Li:Ni:Bi=6:4:1 (mol).例文帳に追加

さらに高い真密度を有する正極活物質を得るには、正極活物質中の各元素の組成が、Ｌｉ：Ｎｉ：Ｂｉ＝６：４：１（ｍｏｌ）の関係を充足することが好ましい。 - 特許庁

An element separation film 3 for separating an active region 2 is formed in a surface of a substrate 1 in the surface of which the active region 2 has been formed.例文帳に追加

表面内に活性領域２が形成されている基板１に対して、活性領域２を分離する素子分離膜３を基板１の表面内に形成する。 - 特許庁

The media interface includes active islands (220, 230) and optional inactive islands (240, 250) positioned transverse to the tape moving path with the read/write element in the active island.例文帳に追加

媒体インターフェイスはテープ移動路を横切って位置決めされる活性島部（２２０，２３０）と選択肢的非活性島部（２４０、２５０）を含み読取書込素子は活性島部にある。 - 特許庁

To provide an active suspension system wherein movement of an armature of an active suspension element is mechanically separated substantially from movement of a wheel of a vehicle in a side direction.例文帳に追加

能動サスペンション要素のアーマチャーの運動が前記車両の車輪の側方方向の運動から実質的に機械的に分断される、能動サスペンションシステムを提供する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22 contains a plurality of negative electrode active material particles having silicon as a constituting element, and a metal covering material that covers the surface thereof.例文帳に追加

負極活物質層２２は、ケイ素を構成元素として有する複数の負極活物質粒子と、その表面を被覆する金属被覆材料とを含んでいる。 - 特許庁

The negative active material layer 22B contains a crystalline negative active material having silicon as a composition element, and is connected to the negative current collector 22A.例文帳に追加

この負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含んでおり、負極集電体２２Ａに連結されている。 - 特許庁

The reaction layer 4 contains Ti as a main active metal element and the content of the active metal component in the soldering material layer 5 is ≤2 wt.%.例文帳に追加

また、反応層４には活性金属元素としてＴｉが主として含まれ、ろう材層５は、活性金属成分の含有率が多くとも２重量％以下とされている。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B of a negative electrode 22 contains, as a negative electrode active material, a material containing at least one of Si and Sn as a constituent element.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂは、負極活物質として、ＳｉおよびＳｎのうちの少なくとも一方を構成元素として含む材料を含有する。 - 特許庁

A first dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below a portion of the active semiconductor region, such as a northwest portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第１の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の北西部分など、活性半導体領域の１つの部分の下に延びる。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12 contains, as a negative electrode active material, a negative electrode material containing Sn as a constituent element and contains a zinc compound in addition to it.例文帳に追加

負極活物質層１２は、負極活物質として、Ｓｎを構成元素として含む負極材料を含有すると共に、これに加えて、亜鉛化合物を含んでいる。 - 特許庁

The Helmholtz resonator may be provided with an active element to provide active damping and/or altering a spring characteristic of the mass spring assembly formed by the resonator.例文帳に追加

ヘルムホルツ共振器には、能動減衰および／または共振器によって形成されるバネ質点アセンブリのバネ特性の変更を提供するように、アクティブエレメントを設けてもよい。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit and a semiconductor device that use an active clamp circuit capable of reducing the power loss of an active clamp element without impairing responsiveness.例文帳に追加

応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

A second dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below one second portion of the active semiconductor region, such as a southeast portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第２の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の南東部分など、活性半導体領域の第２の部分の下に延びる。 - 特許庁

A bottomed hole 14 is made in the non-active surface side 12 of a semiconductor wafer 10 and then an element and an electrode 18 to be connected to the outside are formed on the active surface side 16.例文帳に追加

半導体ウエハ１０の非能動面１２側に有底孔１４を形成したのち、能動面１６側に素子や外部接続電極１８を形成する。 - 特許庁

Particularly, these processes are effective in manufacturing a semiconductor light emitting element which has a selectively grown clad layer, guide layer, and active layer, where the active layer is a multi-quantum well.例文帳に追加

特に、選択成長されたクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、活性層が多重量子井戸とされた半導体発光素子の製造において有効である。 - 特許庁

The element M is preferred to be distributed more uniformly than the halogen element X, and at least a part of the halogen element X is preferred to exist in the form of halide of an element M' different from the element M in the coated layer of the cathode active material.例文帳に追加

元素Ｍは、ハロゲン元素Ｘに比してより均一に分布することが好ましく、ハロゲン元素Ｘの少なくとも一部は、正極活物質の被覆層において、元素Ｍとは異なる元素Ｍ’のハロゲン化物の形態で存在することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element, which forms excellently a marker for assembly and sets excellently the relative positional accuracy between a light emitting end surface and an active layer in the element, can obtain the full coupling efficiency of the element at the time of a mounting of the element, and can obtain the uniform characteristics of the element.例文帳に追加

組立用マーカ及び光出射端面と活性層との間の相対位置精度が優れ、実装時に十分な結合効率を得ることができ、均一な素子特性を得ることができる半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

An output impedance Z_0 of the active element 11 to be measured is determined beforehand by simulation, measurement or the like.例文帳に追加

シミュレーション又は実測等により被測定能動素子１１の出力インピーダンスＺｏを予め求める。 - 特許庁

Namely, the active element for power amplification is made common for signals of a plurality of kinds of frequency bands.例文帳に追加

つまり、複数種類の周波数帯域の信号に対して、電力増幅用の能動素子を共通化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having diffusion of Zn into an active layer suppressed, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

活性層中へＺｎの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Whole surface of the cell region comprising the active region and the element isolation film is enveloped by the charge storing insulation film 74C.例文帳に追加

活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。 - 特許庁

A plurality of memory cell transistors MT have active regions Sa thereof separated from each other by an element separating groove 2.例文帳に追加

複数のメモリセルトランジスタＭＴは、活性領域Ｓａが素子分離溝２によって互いに分離している。 - 特許庁

To provide a circuit that drives an organic light-emitting element by alternating current in an active matrix organic light-emitting display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の有機発光ディスプレイにおいて、有機発光素子を交流で駆動する回路を提供する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12B is formed by a vapor phase method and contains Si as a constitution element.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂは、気相法により形成されたものであり、構成元素としてＳｉを含んでいる。 - 特許庁

The threshold voltage dispersion compensation circuit comprises the interconnection between a second active element 113 and a resistor 111.例文帳に追加

しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第２の能動素子１１３と抵抗１１１とを相互に接続してなる。 - 特許庁

An element isolation part is provided between active areas in which the plurality of memory cells and the peripheral circuit part are formed, respectively.例文帳に追加

素子分離部は、複数のメモリセルおよび周辺回路部が形成されるアクティブエリア間に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which suppresses diffusion of Zn and Si, and does not deteriorate an active layer.例文帳に追加

ＺｎおよびＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させることがない半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can efficiently radiate heat generated in an active element to a package side.例文帳に追加

能動素子で発生した熱を効率良くパッケージ側に放散することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Crystallized silicon 3 is etched with a fluoric acid or hydrochloric, and an unrequired metal element is removed to form an active layer.例文帳に追加

結晶化したシリコンをフッ酸や塩酸でエッチングして、不要な金属元素を除去し、活性層を形成する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR MAINTAINING ACTIVE ALIGNMENT IN OPTICAL SWITCH BY USING DEDICATED REPRESENTATIVE ORIENTATIONAL ELEMENT例文帳に追加

専用の代表方向付け素子を使用して光スイッチ内の能動アライメントを維持するための方法及びシステム - 特許庁

To realize high efficiency in an amplifier which amplifies a fundamental wave signal to be amplified using an active element 3.例文帳に追加

増幅対象となる基本波信号を能動素子３により増幅する増幅器で、高効率化を実現する。 - 特許庁

To prevent water penetration to an active material layer of an electrode before assembly of an electrochemical element.例文帳に追加

電気化学素子の組み立てに供する前の電極の活物質層に水分が浸入するのを防止する。 - 特許庁

To provide a small and high performance high frequency power semiconductor device having a smaller phase difference within an active element.例文帳に追加

能動素子内部での位相差が少なく、小形・高性能の電力用高周波半導体装置の提供する。 - 特許庁

The display element has a plurality of TFTs 45 for driving circuits each having an active layer 45c formed of a non-oxide semiconductor.例文帳に追加

非酸化物半導体により形成した活性層45cを備えた複数の駆動回路用ＴＦＴ45を備える。 - 特許庁

The element isolation region 109 is formed between the n-type cathode region 107 and active region 140.例文帳に追加

ｎ型カソード領域１０７と活性領域１４０との間には素子分離領域１０９が形成されている。 - 特許庁

In the active polysilicon layer 36, an TFT element region is formed which is doped with conductive impurities.例文帳に追加

活性ポリシリコン層３６には、導電性不純物をドープされたＴＦＴ素子領域が形成されている。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

To provide a laminated piezoelectric element capable of preventing reduction of the displacement quantity of an active portion in a piezoelectric sheet.例文帳に追加

圧電シートにおける活性部の変位量の低下を防止することのできる積層圧電素子を提供する。 - 特許庁

To reduce loss power in an active element controlling luminescence of respective pixels of an organic EL display device.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置の各画素の発光を制御するアクティブ素子における損失電力を低減する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has at least a substrate crystal 1, an active layer 3 and a junction A.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、少なくとも、基板結晶１と活性層３と接合部Ａとを有する。 - 特許庁

A plurality of layers of protection films 20A and 20B are provided on an active element formation surface 18 of a semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０の能動素子形成面１８に、複数層の保護膜２０Ａ、２０Ｂを設けている。 - 特許庁

To provide an organic active element and a display device which have barrier properties well balanced with prevention of their deteriorations in characteristics.例文帳に追加

バリヤ性と素子特性の劣化防止のバランスのよい有機アクティブ素子および表示デバイスを提供する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12B is formed by a gas phase method, and contains Si as a component element.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂは、気相法により形成されたものであり、構成元素としてＳｉを含んでいる。 - 特許庁

This active material particle of the electrode has a diffusively distributed metallic element which does not alloy with Li.例文帳に追加

活物質粒子中にＬｉと合金化しない金属元素が拡散分布していることを特徴としている。 - 特許庁