「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A negative electrode 22 contains a negative electrode active material which contains Sn or Si as a constituent element.例文帳に追加

負極２２は、構成元素としてＳｎまたはＳｉ含む負極活物質を含有している。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a silicon substrate 12, a metal layer 24, and an active element 14.例文帳に追加

半導体装置１０はシリコン基板１２、金属層２４、及び、能動素子１４を備えている。 - 特許庁

The content of the oxidation active element is preferably ≥0.05% expressed in terms of oxide.例文帳に追加

酸化活性成分の含有量は、酸化物基準で０．０５％以上であることが好ましい。 - 特許庁

In the semiconductor optical element 50, a current is injected into an active layer 12a of the semiconductor mesa 22.例文帳に追加

半導体光素子５０では、半導体メサ２２の活性層１２ａに電流が注入される。 - 特許庁

An active heat cycle is given to the grease sump 8 by the circulation pipe 31 or the Peltier element.例文帳に追加

この循環パイプ３１またはペルチェ素子によりグリース溜まり８に能動的ヒートサイクルを与える。 - 特許庁

The sensor may be placed on the inactive island or on the active island adjacent to the read/write element.例文帳に追加

センサは非活性島部または活性島部に読取書込素子と近接して置かれてもよい。 - 特許庁

To provide an electronic device improved in heat dissipation characteristivs of the heat generated from a thin film active element.例文帳に追加

薄膜能動素子から発生する熱の放熱特性を改善した電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor material for use of manufacturing the active layer of a thin film transistor element.例文帳に追加

薄膜トランジスタ素子活性層製造に使用される化合物半導体材料の提供。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12B contains a first element capable of forming an alloy with Li, a second element capable of forming an alloy with the first element, and the active material composed by melting a source material containing Li and solidifying.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂは、Ｌｉと合金を形成可能な第１元素と、第１元素と合金を形成可能な第２元素と、Ｌｉとを含む原料を溶融し、凝固させることにより合成した活物質を含有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an active element 2 formed on the surface of the silicon substrate 1; an insulation film 3 formed on the surface of the silicon substrate 1 and separated from the active element 2; and a passive element 4 formed on the insulation film 3.例文帳に追加

シリコン基板１表面に形成された能動素子２と、この能動素子２に離間して上記シリコン基板１表面に形成された絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成された受動素子４とを備える。 - 特許庁

It is preferable that a whole composition of the positive electrode active material has a relationship of 0.001<metal element M1/(metal element M1+primary transition metal element A) <0.2 in an atomic ratio.例文帳に追加

正極活物質は、全体の組成が、原子比で０．００１＜金属元素Ｍ１／（金属元素Ｍ１＋主要遷移金属元素Ａ）＜０．２であることが好ましい。 - 特許庁

As a result, the dissipation property of the element is improved to suppress temperature rise at the active layer 14 and hence improve the temperature characteristics of the element and improve the reliability of the element.例文帳に追加

その結果、素子の放熱性が向上するので、活性層１４での温度上昇が抑制され、素子の温度特性が向上し、素子の信頼性が向上する。 - 特許庁

At this time, the resistance element having a thinner film thickness and a capacitive element upper electrode having a thicker film thickness are formed resulting from a difference in height between the active region and the element isolation region.例文帳に追加

この時、アクティブ領域と、素子分離領域との高さの違いによって、膜厚の薄い抵抗素子と、膜厚の厚い容量素子の上部電極が形成される。 - 特許庁

Further, the light emitting element can feed to the active layer region of the semiconductor laser element the optical energy corresponding to the bias current of the semiconductor laser element.例文帳に追加

且つ前記発光素子が前記半導体レーザ素子のバイアス電流相当の光エネルギーを前記半導体レーザ素子の活性層領域に供給が可能な発光素子となす。 - 特許庁

A highlight area detecting circuit 6 compares the density of each picture element of picture data and a previously fixed threshold with each other to detect a picture element of a density level lower than the threshold to set the picture element to be an active picture element.例文帳に追加

ハイライト領域検出回路６は画像データの各画素の濃度とあらじめ定められた閾値とを比較し、閾値より濃度レベルが低濃度の画素を検出し、その画素をアクティブ画素とする。 - 特許庁

In a liquid crystal device with an active element 7 with an element-side electrode 18b and a pixel electrode 6 connected to the element-side electrode 18b and formed using an aluminum alloy, a protective layer 15 is disposed between the element-side electrode 18b and the pixel electrode 6.例文帳に追加

素子側電極１８ｂを備えたアクティブ素子７と、その素子側電極１８ｂに接続しアルミニウム合金によって形成される画素電極６とを有する液晶装置である。 - 特許庁

ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE USING ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF DRIVING SAME USING ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置、および有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法 - 特許庁

To obtain a new optically active compound suitably useful as a liquid crystal display element, especially antiferroelectric liquid crystal display element.例文帳に追加

液晶表示素子、特に反強誘電性液晶表示素子に好適に使用できる、新規な光学活性化合物を提供する。 - 特許庁

The optical element includes an optical element which has an active are arranged right above the guide groove 29 and is optically coupled with the optical fiber 30.例文帳に追加

光素子には活性領域がガイド溝２９の真上に配置されて光ファイバ３０と光結合する光素子が含まれる。 - 特許庁

ADHESIVE AGENT, ADHESIVE AGENT FOR OPTICAL ELEMENT, OPTICAL ELEMENT WITH ADHESIVE AGENT LAYER, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND ACTIVE ENERGY RAY-CURING ADHESIVE AGENT COMPOSITION例文帳に追加

粘着剤、光学部材用粘着剤、粘着剤層付き光学部材、画像表示装置、活性エネルギー線硬化性粘着剤組成物 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, an active region 3 as an islet-shaped element formation region is separated by an element isolation insulation film 2.例文帳に追加

シリコン基板１の表面は素子分離絶縁膜２により島状の素子形成領域である活性領域３に分離されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, an output element, a protected element TRS, a tap part ATD, and a first active barrier structure ABR.例文帳に追加

半導体基板と、出力用素子と、被保護素子ＴＲＳと、タップ部ＡＴＤと、第１のアクティブバリア構造ＡＢＲとを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element wherein a damage which an active layer receives is reduced and further an Al contained in the active layer is prevented from oxidizing, and to provide the semiconductor light emitting element wherein the Al contained in the active layer is prevented from oxidizing.例文帳に追加

活性層が受けるダメージを低減すると共に活性層に含まれるＡｌの酸化を防止できる半導体発光素子の製造方法、及び活性層に含まれるＡｌの酸化が防止された半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The element includes a semiconductor substrate, trenches for defining first active regions formed in predetermined areas of the semiconductor substrate, first element isolation films filled in the trenches, second element isolation films formed on the first element isolation films, and second active regions on the first active regions buried in spaces between the second element isolation films adjacent to each other.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成されて第１活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチ内にギャップフィルされている第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の上に形成されている第２素子分離膜と、隣接する前記第２素子分離膜との間の空間に埋め込まれた前記第１活性領域上の第２活性領域とを含む。 - 特許庁

In the first direction, the width of the element isolation insulating film between (m-1)th and m-th active areas is wider than the width of the element isolation insulating film between m-th and (m+1)th active areas.例文帳に追加

第１方向において、ｍ−１番目とｍ番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅は、ｍ番目とｍ＋１番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅よりも広い。 - 特許庁

The band changeover device 13 includes an active element and two BPFs and selects a BPF in use by selecting an ON/OFF state of the active element on the basis of the control signal.例文帳に追加

バンド切替器１３は、能動素子と二つのＢＰＦとを含んで構成されており、制御信号に基づいてこの能動素子のオンオフ状態を切り替えることにより、使用するＢＰＦを選定する。 - 特許庁

When a receiving error is generated, a control part 20 turns on a power supply of the active element 12 and controls the switching of the switch 17 so that the output of the active element 12 is led out.例文帳に追加

そして、制御部２０において、受信誤りが発生したときに、アクティブ素子１２の電源をオンにし、スイッチ１７に対しアクティブ素子１２の出力を導出するように切替制御するようにした。 - 特許庁

When a mirror element 3 is switched from the inactive state of the active state, auxiliary mirror elements 4 belonging to at least the same column are made active before this switching to intercept reflected light of the mirror element 3.例文帳に追加

ミラー素子３をインアクティブからアクティブへと遷移させる場合には、それに先立って、少なくとも同じ列に属する副ミラー素子４をアクティブとしてミラー素子３の反射光を遮断させる。 - 特許庁

In a capacitor forming region 1B, an active region 7b is formed between element isolation regions 6 and a capacitor 20 is formed on the element isolation region 6 and the active region 7b.例文帳に追加

キャパシタ形成領域１Ｂにおいて、素子分離領域６の間に活性領域７ｂが設けられており、素子分離領域６および活性領域７ｂ上にキャパシタ２０が形成される。 - 特許庁

An element isolation insulating film 15 is formed on a surface layer of the non-defect layer 13, a p- or n-type active region 16 is formed, and an element is formed on a surface side of the active region 16.例文帳に追加

無欠陥層１３の表面層に、素子分離絶縁膜１５を形成すると共にｐ型やｎ型の活性領域１６を形成し、活性領域１６の表面側に素子を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜３０４は活性領域３０２の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域３０２上にグルーブを供給する。 - 特許庁

To provide a method of dicing capable of manufacture, without impairing the reliability of an active element and improvement of workability, and a micromachining device in which the reliability of the active element is maintained.例文帳に追加

能動素子の信頼性を損なうことなく製造することができ、かつ作業性を向上させることができるダイシング方法および能動素子の信頼性が維持されたマイクロマシンデバイスを提供すること。 - 特許庁

A recessed part 22 is provided on an upper surface of a part of the element isolation region 11 sandwiched between the active region 10a and active region 10b.例文帳に追加

素子分離領域１１のうち活性領域１０ａと活性領域１０ｂとで挟まれた部分の上面には凹部２２が設けられている。 - 特許庁

The active materials 6a, 6b contain active material parts 6a, 6b exposing to at least a part of the outer circumferential part of the power generating element 11.例文帳に追加

発電要素１１の活物質６ａ、６ｂは、発電要素１１の外周面の少なくとも一部に露出する活物質部分６ａ、６ｂを含む。 - 特許庁

The control device 20 controls the operation of the excitation actuator 50 so as to cancel the vibration element attributable to the active turning control during the active turning.例文帳に追加

そして、制御装置２０は、アクティブ転舵時には、該アクティブ転舵制御に起因する振動成分を打ち消すべく加振アクチュエータ５０の作動を制御する。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a sub-insulating film is provided between an active region forming an MOS transistor and an element isolation region surrounding the active region.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタを構成する活性領域とその周囲の素子分離領域との間に副絶縁膜を設ける。 - 特許庁

Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.例文帳に追加

ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁

The active matrix image display has an amorphous oxide used as an active layer 12 of a field effect transistor for driving a light control element.例文帳に追加

アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。 - 特許庁

Voltage driven active elements (N type MOSFET 12a and P type MOSFET 12b) are used as the output active element for the voltage balancing circuit 5a.例文帳に追加

また、電圧バランス回路は、出力能動素子として、電圧駆動型能動素子（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａとＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂ）を使用する。 - 特許庁

A cell element 10 of the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a positive electrode 11 containing a positive electrode active material, and a negative electrode 12 containing a negative electrode active material.例文帳に追加

非水電解液二次電池の電池要素１０は、正極活物質を含む正極１１と負極活物質を含む負極１２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device has a substrate including a plurality of active regions and a plurality of element separation regions among the adjacent active regions.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、複数の活性領域及び隣接する活性領域の間の複数の素子分離領域を含む基板を備える。 - 特許庁

A phased array antenna includes an active or a beam forming array and an active edge element capable of transmitting and/or receiving radio wave signals.例文帳に追加

位相調整アレイ・アンテナは、能動又はビーム形成アレイ部と、信号の送信又は受信あるいはその両方を行う能動寄生素子とを含んでいる。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device, which can form an active element formed in good yield by using a lightweight plastic substrate, and to provide a method for manufacturing the display device.例文帳に追加

軽量なプラスチック基板を用いて、歩留まり良くアクティブ素子を形成可能なアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of improving the light emitting intensity of an active layer by improving crystallinity of the active layer.例文帳に追加

活性層の結晶性を向上させることにより活性層の発光強度を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which can emit the light effectively with an active layer and can effectively extract the light generated in the active layer.例文帳に追加

活性層が効率よく発光できるとともに、活性層において発生した光を効率よく取り出すことができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁