「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the semiconductor device, a trench 12 is formed on the surface side 101 of a semiconductor substrate 10 formed with an active element 11, and after a metal 13 or resin is charged into the trench 12, a rear 102 of the semiconductor substrate 10 is ground until a sheet thickness of the semiconductor substrate 10 becomes thinner than a depth of the trench 12.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、能動素子１１が形成された半導体基板１０の表面側１０１に溝１２を形成し、前記溝１２に金属１３または樹脂を充填した後に、前記半導体基板１０の板厚が前記溝１２深さよりも薄くなるまで前記半導体基板１０の裏面１０２を研削することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is constituted by forming a crystal layer with a slanting crystal surface oblique to a main surface of a substrate on the substrate and then forming a 1st conductivity type layer, and active layer, and a 2nd conductivity type layer which extend in a plane parallel to the slanting crystal surface on the crystal layer, and then removing the vicinity of a peak.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、上記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層、活性層、及び第２導電型層を上記結晶層に形成してなり、頂部近傍を除去した形状であることを特徴とする。 - 特許庁

A voltage controlled oscillator 100 includes an active element 104 comprised of a bipolar transistor, a multi-mode coupled resonator 120 which can be mounted in chip form, a slow-wave coupled resonator 124, a progressive-wave coupled resonator 128, noise filtering circuit network 108, noise elimination circuit network 112, noise feedback DC bias circuit 116, phase compensation circuit network 132 and the like.例文帳に追加

電圧制御発振器１００は、バイポーラトランジスタからなる能動素子１０４、チップ形態での実装が可能なマルチモード結合共振器１２０、遅波結合共振器１２４、進行波結合共振器１２８、ノイズフィルタリング回路網１０８、ノイズ除去回路網１１２、ノイズフィードバック・ＤＣバイアス回路１１６及び位相補償回路網１３２等により構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method of an electrode for an electrochemical element comprises: a thickness adjustment step of adjusting an aluminum porous body having a communicating pore to a prescribed thickness by compressing the body; a filling step of filling the thickness-adjusted aluminum porous body with an active material; and a cutting step of cutting the aluminum porous body to a prescribed length dimension before the filling step.例文帳に追加

連通気孔を有するアルミニウム多孔体を圧縮して所定の厚さに調整する調厚工程と、調厚された前記アルミニウム多孔体に活物質を充填する充填工程と、充填工程の前に、アルミニウム多孔体を所定の長さ寸法に切断する切断工程とを備えていることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

The positive electrode for the power storage element has a battery mix layer and a capacitor layer on a current collector, the battery mix layer contains a positive active material mainly comprising a lithium-containing composite oxide, the capacitor layer contains activated carbon, the battery mix layer is placed on the current collector, and the capacitor layer is placed on the battery mix layer.例文帳に追加

電池合剤層とキャパシタ層を集電体上に有してなる蓄電素子用正極であって、前記電池合剤層がリチウム含有複合酸化物を主体とした正極活物質を含み、前記キャパシタ層が活性炭を含み、前記集電体上に前記電池合剤層を有し、さらに前記電池合剤層上に前記キャパシタ層を有していることを特徴とする。 - 特許庁

This element has a laminated structure consisting of n-InP substrate 21, and n-InP clad layer 22, SCH-MQW active layer 23, first p-In clad layer 24, p-AlInAs/AlGaInAs layer 25, second p-InP clad layer 26, and p-GaInAs contact layer 27 sequentially formed on the n-InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

Signal voltages Vsp, Vsn from a signal line driving circuit 3 are applied via an active element, such as a TFT, onto a display electrode on a matrix substrate 11, and a common voltage Vcom common to each display cell 13 is applied via a buffer circuit 4 to a counter electrode on a counter substrate 12, thereby applying a driving voltage to the liquid crystal in the liquid crystal display 13.例文帳に追加

ＴＦＴなどのアクティブ素子を介して信号線駆動回路３からの信号電圧Ｖsp・Ｖsnをマトリクス基板１１上の表示電極に印加するとともに、各表示セル１３に共通の共通電圧Ｖcom をバッファ回路４を介して対向基板１２上の対向電極に印加することで、表示セル１３における液晶に駆動電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode for the electrochemical element reversibly absorbing and releasing lithium ions is equipped with a current collector 11 which has a high first projection 13a and a second low projection 13b on at least one surface, and a columnar body 15 formed aslant on the first projection and the second projection of the current collector 11 and containing an active material.例文帳に追加

リチウムイオンを可逆的に吸蔵および放出する電気化学素子用電極であって、少なくとも片面に高さの高い第１凸部１３ａと低い第２凸部１３ｂが形成された集電体１１と、集電体１１の第１凸部１３ａと第２凸部１３ｂ上に斜立して形成された活物質を含む柱状体１５と、を備えた構成を有する。 - 特許庁

This element 100 is provided with a first passive waveguide 110a where a first Bragg diffraction grating 150a with a uniform grating cycle is formed, a second passive waveguide 110c where a second Bragg diffraction grating 150c with a non-uniform grating cycle is formed, and an active waveguide 110b for connecting the first passive waveguide 110a and the second passive waveguide 110c.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は，均一な格子周期を持つ第１ブラッグ回折格子１５０ａが形成された第１受動導波路１１０ａと，不均一な格子周期を持つ第２ブラッグ回折格子１５０ｃが形成された第２受動導波路１１０ｃと，第１受動導波路１１０ａと第２受動導波路１１０ｃとを接続する活性導波路１１０ｂにを備えている。 - 特許庁

A method of manufacturing a light emitting element includes a step of forming an MQW (Multi Quantum Well) active layer 24 that includes: the steps of forming a well layer 21 made of a nitride semiconductor; and forming a barrier layer 23 made of a nitride semiconductor on the well layer 21 at a growth temperature which is 130 to 150°C higher than the growth temperature of the well layer 21.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に、窒化物半導体からなりバリア層２３を、井戸層２１の成長温度より１３０℃以上１５０℃未満高い成長温度で形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

There are provided the catalyst for a cathode electrode of a fuel cell carried by a carrier and containing an active material containing metal M selected from Ru, Pt, Rh and their combination, as well as a chalcogen element Ch selected from among S, Se, Te and their combination, its manufacturing method, and the membrane electrode assembly for a fuel cell using the catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、担体に担持され、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ及びこれらの組み合わせから選択される金属Ｍ、ならびに、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びこれらの組み合わせから選択されるカルコゲン元素Ｃｈを含む活性物質を含む燃料電池のカソード電極用触媒とその製造方法、および、この触媒を使用した燃料電池用膜電極接合体が提供される。 - 特許庁

In a substrate for a solar battery, the square average value Ra of roughness height on a surface coming into contact with a photoelectric conversion layer is ≤70 nm, especially an active layer of at least one photoelectric conversion element consists of non-monocrystal silicon or non-monocrystal silicon alloy and the photoelectric conversion layer is formed by laminating a plurality of unit cells.例文帳に追加

光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下である太陽電池用基板、特にそのうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であるとか、光電変換層が単位セルを複数個積層して形成された太陽電池用基板などを提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

A multilayer piezoelectric element comprises a columnar multilayered body manufactured by laying a plurality of ceramic layers and a plurality of internal electrodes alternately, and a pair of external electrodes connected with every other internal electrode alternately wherein such a part as the gap between the internal electrode and the ceramic layer is 2 μm or less substantially occupies 50% or more of an active part.例文帳に追加

複数のセラミック層と複数の内部電極とを交互に積層してなる柱状積層体と、該柱状積層体の側面に設けられ、前記内部電極が一層おきに交互に接続される一対の外部電極とを具備してなる積層型圧電素子であって、前記内部電極とセラミック層との隙間が２μｍ以下である部分が、実質的に活性な部分の５０％以上である。 - 特許庁

With the positive electrode active substance for the alkaline storage battery equipped with a core layer including nickel hydroxide and a surface layer including a cobalt compound and coating the core layer, the surface layer is made of a hydroxide including cobalt and at least one kind of rare-earth element of which, the oxidation number of the cobalt contained in the surface layer is to be three or more.例文帳に追加

水酸化ニッケルを含む芯層と、コバルト化合物を含みかつ前記芯層を被覆する表面層とを備えたアルカリ蓄電池用正極を製造するために用いられるアルカリ蓄電池用正極活物質において前記表面層がコバルトと少なくとも一種の希土類元素を含む水酸化物から成り、該表面層に含まれるコバルトの酸化数を３価以上とする。 - 特許庁

Opposite connections 108, 108 of the slot line to the active element 101 connect first ends of signal conductors 109, 110 of a microstrip line to the first conductors 106, 107 of the slot lines, and ground conductors of the microstrip line are connected to second conductors 103 of the slot lines through vias 111, 111 passing through a semiconductor substrate 114.例文帳に追加

それぞれのスロット線路の能動素子１０１と反対の側の接続部１０８,１０８で、スロット線路の第１の導体１０６,１０７にマイクロストリップ線路の信号導体１０９,１１０の一端を接続し、スロット線路の第２の導体１０３に半導体基板１１４を貫通して設けたビアホール１１１,１１１を介してマイクロストリップ線路の接地導体を接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIT type switching element, by which a gate electrode, which has a sufficiently small gate hole, in which the gate hole is formed uniformly and which has superior durability, can be obtained easily and which displays superior switching characteristics, when a gate electrode for an SIT using an organic semiconductor, capable of being manufactured at a low temperature as an active layer is manufactured.例文帳に追加

本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたＳＩＴのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すＳＩＴ型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A possibility of causing a wiring defect due to dust at the time of manufacture is reduced to improve a yield by making wider a width W1cir and a width W2cir of the wiring except an active element part of a scanning line driving circuit 17 or a signal line driving circuit 18 than a width W1pix and a width W2pix of the wiring except a picture display part 19.例文帳に追加

走査線駆動回路１７又は信号線駆動回路１８の能動素子部を除く配線の幅Ｗ１ｃｉｒ、幅Ｗ２ｃｉｒを、画像表示部１９の能動素子部を除く配線の幅Ｗ１ｐｉｘ、幅Ｗ２ｐｉｘに比べて広くすることで、製造時にダストによる配線欠陥が生じる可能性を少なくして、歩留まりを向上させるようにした。 - 特許庁

The composite particles for electrochemical element electrode is manufactured through the step (I) to disperse a conductive material and a binder in a solvent to obtain a slurry, step (II) to flow an electrode active material in a tank, spray the slurry thereto and obtain flow granulating particles, and step (III) to classify the flow granulating particles and remove those of less than 5 μm in diameter therefrom.例文帳に追加

導電材および結着剤を溶媒に分散してスラリーを得る工程（Ｉ）、電極活物質を槽内で流動させ、そこに前記スラリーを噴霧して、流動造粒粒子を得る工程（ＩＩ）、前記流動造粒粒子を分級して粒子径が５μｍ未満の粒子を除去する工程（ＩＩＩ）により電気化学素子電極用複合粒子を製造する。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.例文帳に追加

、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁

The driving apparatus for the PDP is equipped with a number of driving sections which drive the driving electrodes in an active area and dummy electrodes in a non-display area and a current limiting element which is arranged between at least any one of the dummy electrodes and the driving sections to limit currents supplied to the dummy electrodes.例文帳に追加

本発明に係るＰＤＰの駆動装置はアクティブ領域の駆動電極と前記非表示領域のダミー電極を駆動する多数の駆動部と、前記ダミー電極の少なくとも１つのダミー電極と前記駆動部の間に配置されて前記ダミー電極に供給される駆動信号の電流を制限する電流制限素子と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

An element structure consists of: (1) a front reflecting region 18 containing a plurality of pairs while using a pair composed of an active region 9 and a nonactive region 10 comprising a diffraction grating 5 as one period; and (2) a nonactive rear reflecting region 17 configured by combining a plurality of vertical Mach-Zehnder couplers 21 and 22 having different lengths in the longitudinal direction respectively.例文帳に追加

素子構造は、（１）活性領域９と回折格子５を含んだ非活性領域１０とから成る１対を１周期として、当該１対を複数個含む前方反射領域１８と、（２）長手方向の長さがそれぞれ異なる複数個の垂直マッハツェンダー結合器２１，２２を組み合わせて構成された非活性な後方反射領域１７とから成る。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。 - 特許庁

To provide electrode paint for producing composite particles where a conductive assistant is applied uniformly to the surface of an active substance with high productivity by dispersing the conductive assistant, as desired, into solvent, composite particles employing it, an electrode having an electrode layer formed of such composite particles, and an electrochemical element having such an electrode.例文帳に追加

溶媒に導電助剤を所望のように分散させることによって、高い生産性をもって、活物質の表面に導電助剤が均一に付着した複合化粒子を製造することができる電極塗料、それを用いた複合化粒子、かかる複合化粒子によって形成された電極層を有する電極、ならびに、かかる電極を備えた電気化学素子を提供する。 - 特許庁

By transforming the low input/output impedance of an active element 12 into a little higher impedance by a microstrip line 13 and connecting it to dielectric substrates 15 and 16 provided with remaining matching circuits 18 later while using a wire 19, the influence of the inductance of the wire 19 upon the entire amplifier is reduced and the dispersion in the characteristics of the entire amplifier caused by the dispersion of a wire length is suppressed.例文帳に追加

能動素子１２の低い入出力インピーダンスをマイクロストリップ線路１３によりある程高いインピーダンスに変成した後に、ワイヤ１９を用いて残りの整合回路１８を含む誘電体基板１５，１６に接続することで、ワイヤ１９のインダクタンスの増幅器全体への影響を小さくし、ワイヤ長のばらつきによる増幅器全体の特性のばらつきを抑圧する。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Ｌｉ_ｘＭ_１−ｘＭｎＰＯ_４（式中、０＜ｘ≦１であり、ＭはＬｉよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。）で表され、かつ、ＭｎＯ_６層の層間隔が、基準物質としてのＬｉＭｎＰＯ_４に含まれるＭｎＯ_６層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is composed of an organic layer containing a luminous layer between a lower electrode and an opposing electrode formed on a substrate, and the defective part, generating short-circuiting between the opposing electrodes and the lower electrode, is treated so as to become non-conductive by making at least either the opposing electrodes or the lower electrode contact active gas.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極と対向電極の間に、発光層を含む有機層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該対向電極と下部電極の少なくとも一方に活性ガスを接触させることによって、対向電極と下部電極の間の短絡を生ずる欠陥部分を非導通化処理した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

An organic electroluminescence active matrix type display apparatus 1 comprises; an illuminance detecting part 9 for detecting the brightness of the surroundings; a calculation part 8 for calculating a luminance setting value corresponding to an output of the illuminance detecting part 9; and a duty scan driving circuit 5 as a control means for controlling an emitting period of an organic electroluminescence element 13 with the luminance setting value calculated by the calculation part 8.例文帳に追加

有機ＥＬアクティブマトリクス型表示装置１において、周囲環境の明るさを検出する照度検出部９と、この照度検出部９の出力に対応する輝度設定値を演算する演算部８と、この演算部８にて演算された輝度設定値で有機ＥＬ素子１３の発光時間を制御する制御手段としてデューティ走査駆動回路５を設置する。 - 特許庁

To provide the driving circuit of an active matrix type current- controlled type light emitting element which is capable of suppressing a display unevenness of luminance of light emitting elements caused by the dispersion in the threshold voltages of transistors or the like and in which circuits compen sating offset voltages are incorporated and with which a satisfactory picture characteristic can be obtained with a relatively small number of transistors.例文帳に追加

アクティブマトリックス型のＥＬ発光装置において、階調表示を実現させるためにカレントミラー回路あるいは閾値変動の補償回路を設けることでＴＦＴ特性のばらつきによる輝度の変動を抑えていたが、１画素内にＴＦＴを複数設ける必要があり、高い歩留まりを確保するためには１画素内に少ないＴＦＴで階調表示させることが必要である。 - 特許庁

This exhaust gas treating catalyst contains the oxide of at least one metal selected from Cr, Co, Fe, Cu and Mn as a component imparting an active point mainly and the oxide of at least one element selected from group VA, group VIA and group VB in the periodic table as a component imparting an adsorbing point mainly.例文帳に追加

主に活性点を与える成分としてＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎのうちの少なくとも１種の酸化物を含み、主に吸着点を与える成分として周期律表５Ａ族、６Ａ族、５Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴とする排ガス処理触媒を用いて、焼却炉等から排出される排ガス中の有害物質の分解、除去を行う。 - 特許庁

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁

In the wavelength tunable semiconductor laser element which has an active region which oscillates a laser beam and a wavelength variable region which shifts the wavelength of the oscillated laser beam, a heat compensation region which changes most of inputted power into heat is provided adjacent to the wavelength variable region so that the sum of power inputted to the wavelength variable region and power inputted to the thermal compensated region always become constant.例文帳に追加

レーザ光を発振する活性領域と、発振したレーザ光の波長をシフトする波長可変領域とを有する波長可変半導体レーザ素子において、波長可変領域に隣接して、投入した電力の大部分を熱に変換する熱補償領域を設け、波長可変領域に投入する電力と熱補償領域に投入する電力の和を常に一定になるようにする。 - 特許庁

To appropriately correct variations in the mobility, in a transistor which drives a light-emitting element, even if the emission luminances differ, and effectively avoid shading due to the correction of the variations in the mobility, by applying the present invention to a display device or a display device driving method, for example, an active matrix-type display device having organic EL elements that use polysilicone TFTs.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えばポリシリコンＴＦＴを用いた有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置に適用して、発光輝度が種々に異なる場合でも、発光素子を駆動するトランジスタにおける移動度のばらつきを適切に補正するようにして、移動度のばらつき補正によるシェーディングの発生を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁

The catalyst for fuel cell wherein a compound including sulfur (S) and ruthenium (Ru) element is adhered on a substrate as an active ingredient is characterized in that hydrogen sulfide is not used in a synthesis process of the compound, and a precursor of the compound is carried on the substrate which is not processed by hydrogen sulfide and then fired.例文帳に追加

活性成分として、硫黄（Ｓ）とルテニウム（Ｒｕ）元素を含む化合物を基体上に被着させてなることを特徴とする燃料電池用触媒において、該化合物の合成過程において硫化水素を用いず、かつ、硫化水素での処理を行わない基体に該化合物の前駆体を担持した後に焼成することを特徴とする、該化合物を含有する燃料電池用触媒により課題を解決した。 - 特許庁

A manufacturing method of an electron emitting element having a cathode substrate and an anode substrate disposed in a vacuum via a spacer and an electron emitting source formed on the cathode substrate includes the steps of applying active treatment to a surface of the electron emitting source and burning the electron emitting source in a temperature range of 400 to 500°C after the activation treatment.例文帳に追加

真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element comprising a substrate and multilayered films formed by alternately laminating semiconductor layers which are active layers 11 and dielectric layers which are inert layers 12 on this substrate is set with the film thicknesses of the semiconductor layers and a dielectric layer within a range satisfying the pseudo phase matching conditions and generates the second harmonic light 20 in the reverse direction with respect to the progressing direction of incident basic wave light 10.例文帳に追加

基板と、この基板上に活性層１１である半導体層と不活性層１２である誘電体層とが交互に積層してなる多層膜とから構成される光波長変換素子において、半導体層および誘電体層の膜厚が擬似位相整合条件を満足する範囲に設定され、入射基本波光１０の進行方向に対し逆方向に第二高調波光２０を発生させる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 1 comprises a porous photoelectrode 2 including a semiconductor where colorant is adsorbed, a solid or solidified charge transport layer 3 arranged in contact with the photoelectrode 2 and including an ion liquid and high specific surface active carbon, a first electrode 4 electrically connected with the photoelectrode 2, and a second electrode 5 electrically connected with the charge transport layer 3.例文帳に追加

光電変換素子１は、色素が吸着された半導体を含む多孔質状の光電極２と、該光電極２に接して配置され、イオン液体および高比表面積活性炭を含む固体状または擬固体状の電荷輸送層３と、前記光電極２に電気的に接続される第１の電極４と、前記電荷輸送層３に電気的に接続される第２の電極５とを含む。 - 特許庁