「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic EL display device of active matrix type has a polarizing plate 119 arranged on a display face side with the opposite side of a substrate 101 as the display face and has a flattening layer for reducing an irregularity shape corresponding to a circuit pattern of a thin film transistor, has a pixel electrode 115 and an organic EL element installed on the flattening layer.例文帳に追加

基板１０１の反対側を表示面として、表示面側に偏光板１１９を配置するとともに、薄膜トランジスタの回路パターンに対応した凹凸形状を低減するための平坦化層を有し、平坦化層の表面に画素電極１１５及び有機ＥＬ素子を設けたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁

When an In-Cell type polarizer composition, containing a dye and a solvent and having ≤25 mS/cm conductivity and ≤2,500 ppm sodium ion concentration, is used, superior liquid crystal element, wherein a high voltage holding ratio suitable to active driving can be obtained and reduction of display performance, such as flickers and reduction in the contrast ratio will not be generated can be obtained.例文帳に追加

色素及び溶剤を含有するIn-Cell型偏光子用組成物であって、電気伝導度が２５ｍＳ／ｃｍ以下で、ナトリウムイオン濃度が２５００ｐｐｍ以下であるものを用いるとアクティブ駆動に適した高い電圧保持率を得ることができ、フリッカーやコントラスト比の低下といった表示性能の低下を引き起こすことのない優れた液晶素子が実現される。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is formed by laminating a substrate and an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer in order on the substrate top surface; and the n-type nitride semiconductor layer has at least two exposed top surfaces and also has nearly vertical flanks between the top surfaces differing in height.例文帳に追加

基板と、基板上面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順に積層されてなる窒化物半導体発光素子であって、ｎ型窒化物半導体層は、露出された上面を少なくとも２つ有し、かつ高さの異なる上面の間には、ほぼ垂直な側面を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only over the plurality of layers 23 and 24.例文帳に追加

活性層６と光取り出し層４とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層１１を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層４が組成比の異なる複数の層２３，２４からなり、これら複数の層２３，２４にわたり主面Ｓを粗面とするための凹凸２２が形成された。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

The active display device includes: the driving transistor Dr-Tr for driving the light-emitting element OLED; a holding capacitor Cs connected between the gate electrode of the driving transistor Dr-Tr and a GND; and an inductor L disposed in a path passing through the source-drain electrodes of the driving transistor Dr-Tr and the holding capacitor Cs.例文帳に追加

アクティブ型表示装置は、発光素子ＯＬＥＤを駆動する駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒと、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極とＧＮＤの間に接続された保持容量Ｃｓと、駆動用トランジスＤｒ−Ｔｒのソース・ドレイン電極および保持容量Ｃｓを通る経路に設けられたインダクタＬと、を備える。 - 特許庁

The MEMS sensor comprising: a first layer, a base layer, a first insulating layer disposed between the first layer and the base layer, and a cavity that has been formed in any of the foregoing layers, such that the first layer is a substrate of a semiconductor electrical circuit and as an active MEMS element.例文帳に追加

ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。 - 特許庁

The active matrix type light emitting display device is equipped with: a transistor T2 for drive for selectively applying a light emitting drive current to the light emitting element OEL; a transistor T1 for control controlling the gate potential of the transistor for drive; and a capacitor for holding charge CS holding the gate potential of the transistor for drive controlled by the transistor for control for every display pixel.例文帳に追加

発光素子ＯＥＬに選択的に発光駆動電流を加えるための駆動用トランジスタＴ２と、前記駆動用トランジスタのゲート電位を制御する制御用トランジスタＴ１と、前記制御用トランジスタにより制御される駆動用トランジスタのゲート電位を保持する電荷保持用キャパシタＣＳが表示画素ごとに備えられる。 - 特許庁

A semiconductor DBR mirror formed on an active layer is formed divided as a 1st DBR mirror and a 2nd DBR mirror, and a current stricture is provided only at the part of the 1st DBR mirror to reduce the thickness of a narrow area of a current path, thereby obtaining an element which can operate with both high and low voltages.例文帳に追加

活性層の上部に形成する半導体ＤＢＲミラーを、第１のＤＢＲミラーと第２のＤＢＲミラーに分けて形成し、電流狭窄は第１のＤＢＲミラーの部分にのみ設けることにより、電流経路の狭い領域の厚さを薄くすることが可能で、低電圧動作と高温動作が可能な素子を得ることができる。 - 特許庁

The cathode active material is provided with complex oxide particles, a coating layer fitted at least to a part of the complex oxide particles and made of oxide containing at least one coating element out of lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing zinc (Zn).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

An oxide semiconductor element includes: a gate electrode disposed on a substrate; a gate insulation layer including a recess structure; a source electrode disposed on one side of the gate insulation layer; a drain electrode disposed on the other side of the gate insulation layer; and an active pattern disposed on the gate insulation layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。 - 特許庁

This element includes an n type MgxZn1-xO clad layer 5, an InyGa1-yN active layer 11 formed thereupon, a p type MgzZn1-zO clad layer 15 formed thereupon, a 1st electrode 23 which electrically forms a contact for the clad layer 5, and a 2nd electrode 25 which electrically forms a contact for the clad layer 15.例文帳に追加

ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５と、その上に形成されたＩｎ_yＧａ_1-yＮ活性層１１と、その上に形成されたｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５と、ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５に対して電気的にコンタクトを形成する第１の電極２３と、ｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５に対して電気的にコンタクトを形成する第２の電極２５とを含む。 - 特許庁

The gate electrode 15 comprises a first portion, which is arranged on the active region 11a via the gate insulating film 13, consisting of a silicide region on the limited entire region in the thickness direction; and a second portion which is prepared on the element isolation region 12, consisting of silicon region and the silicide region, formed so that it covers the silicon region.例文帳に追加

ゲート電極１５は、活性領域１１ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、厚さ方向における全領域がシリサイド領域からなる第１の部分と、素子分離領域１２の上に設けられ、シリコン領域及び該シリコン領域を覆うように形成されたシリサイド領域からなる第２の部分とを有している。 - 特許庁

A semiconductor laser element 20 is provided with a laminated structure consisting of an n-type InP clad layer 22, an SCH-MQW active layer 23, a p-type first InP clad layer 24, an AlInAs layer 25, a p-type second InP clad layer 26 and a p-type GaInAs contact layer 27, which are formed in order on an n-type InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ＡｌＩｎＡｓ層２５、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device in which no discharge trace of a liquid crystal material is produced, no heat is produced even when exposed to intense incident light and no active element is adversely affected by light reflection or by return light and of which the display quality is stable, an easy method for manufacturing the liquid crystal device and a projection display device provided with the liquid crystal device.例文帳に追加

液晶材料の吐出痕が発生せず、強い入射光に対して発熱することなく、光の反射や戻り光に対してもアクティブ素子に影響を与えることなく、表示画質の安定した液晶装置と、容易な液晶装置の製造方法および該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element, an only first termination for achieving a breakdown voltage of a forward direction is formed on a main surface, a second termination for achieving a breakdown voltage of a backward direction is formed in a first recess around an active region of the other main surface, and the high breakdown voltage of both forward and backward directions and high mass productivity are achieved.例文帳に追加

逆阻止半導体素子において、順方向耐圧達成用の第１のターミネーションのみを一方の主表面に形成し、逆方向耐圧達成用の第２のターミネーションは他方の主表面の活性領域の周囲に設けた第１の凹部の中に形成し、高い順逆両方向耐圧と高い量産性を実現する。 - 特許庁

The forming method comprises a process of oxidizing the semiconductor surface of a substrate (9) to be processed on which a semiconductor element is formed with an oxygen atom active species produced by a plane parallel type plasma generation apparatus excited by a high frequency power supply (6) of a predetermined frequency, and hereby forming a first insulating film (18) on the substrate (9) to be processed.例文帳に追加

半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only on the outermost layer 23 of the plurality of layers.例文帳に追加

活性層６と光取り出し層４とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層１１を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層４が組成比の異なる複数の層２３，２４からなり、これら複数の層の最も外側の層２３のみに主面Ｓを粗面とするための凹凸２２が形成された。 - 特許庁

The method includes indicating lower layers of a UE to stop the MIMO operation when an ACTIVE SET UPDATE message, a CELL UPDATE CONFIRM message, or a reconfiguration message not including a MIMO parameter information element (IE) for listing MIMO configuration data thereon is received from a network terminal.例文帳に追加

方法は、ネットワークからのＡＣＴＩＶＥ ＳＥＴ ＵＰＤＡＴＥ（アクティブセット更新）メッセージ、ＣＥＬＬ ＵＰＤＡＴＥ ＣＯＮＦＩＲＭ（セル更新確認）メッセージ、または再設定メッセージに、ＭＩＭＯ構成データを載せるためのＭＩＭＯパラメータ情報要素（ＩＥ）が含まれなかった場合に、ＵＥの下位層に対してＭＩＭＯを終了するように指示する段階を含む。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing phosphorus (P).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、リン（Ｐ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing boron (B).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、ホウ素（Ｂ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

Hydrogen storage alloy powder containing a rare earth element, nickel and cobalt as constituent elements, having a mean particle size of 20 to 35 μm and a mass saturation magnetization of 1 to 5 emu/g, and formed with a continuous surface layer on the surface, the surface layer having no cavity and containing Ni and Co having magnetic properties is used as an active material of a hydrogen storage alloy electrode.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の活物質として、構成元素として希土類元素、ニッケルおよびコバルトを含有し、平均粒径が２０〜３５μｍであり、質量飽和磁化が１〜５ｅｍｕ／ｇであって、表面に磁性を有するＮｉとＣｏを含み、空洞のない連続した表面層を備える水素吸蔵合金粉末を適用する。 - 特許庁

The electrode element is provided with an oxidation-reduction active film formed by depositing a polymer compound on a conductor substrate, by impregnating the conductor substrate and the counter electrode which become action electrodes in a solution containing the polymer compound expressed by a general formula (1) or a general formula (2) in a reduction state, applying a voltage to the both electrodes and electrolyzing the solution.例文帳に追加

電極素子は、一般式（１）または一般式（２）で表される高分子化合物を還元状態で含む溶液中に作用極となる導電体基板と対極とを浸漬し、両極に電圧を印加して該溶液を電解することにより、該導電体基板上に該高分子化合物を析出させて形成された酸化還元活性膜を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can prevent the intrusion of water, impurities, etc. from the side face thereof to the active face side and can prevent faults including one, wherein a resin for bonding is solidified with voids left over between a slant face and the resin for bonding, to provide its manufacturing method, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the safety and reliability of a nonaqueous electrolytic solution battery having an electrode wound-up body, obtained by winding a sheet-like positive electrode large in thickness dimension and short in length together with a negative electrode and a separator as a battery element, by suppressing dropping-off of a positive active material and cracks to be caused in the positive electrode during winding up.例文帳に追加

厚み寸法が大きく且つ短いシート状の正極を、負極およびセパレータとともに捲回してなる電極捲回体を電池要素とする非水電解液電池において、捲回時に正極活物質が脱落したり、正極にクラックができることを抑えて、非水電解液電池の安全性、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁

This electrochemical battery is composed of a negative electrode intercalating with alkali metal, a positive electrode consisting of electrode active material intercalating with alkali metal, and electrolytic solution which activates the negative electrode and positive electrode, wherein the electrolytic solution contains alkali metal salt dissolved in a four-element non-aqueous carbonate solvent mixture.例文帳に追加

上記の課題は、ａ）アルカリ金属でインターカレートする負電極、ｂ）アルカリ金属でインターカレートする電極活物質からなる正電極、および、ｃ）負電極および正電極を活性化する電解液からなり、電解液は４要素非水性カーボネート溶媒混合物に溶解されたアルカリ金属塩を含むことを特徴とする電気化学電池によって解決できる。 - 特許庁

The positive electrode has lithium oxide containing manganese as a positive electrode active material, and the negative electrode or the separator has a compound containing an element with an electronegativity of less than 1.5 as an additive.例文帳に追加

上述の課題を解決するための本発明は、正極と、負極と、電解液と、セパレータとを有するリチウムイオン二次電池であって、前記正極は、正極活物質としてマンガンを含むリチウム酸化物を有し、前記負極または前記セパレータは、添加物として電気陰性度が１.５より低い元素を含む化合物を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池である。 - 特許庁

In the positive electrode material using lithium nickel manganese oxide as a positive active material, a part of a lithium layer is replaced with at least one kind of element selected from alkali metals and alkali earth metals, and the symmetry of the space group of crystals is R-3m.例文帳に追加

リチウムニッケルマンガン酸化物を正極活物質に用いてなる正極材料であって、前記リチウムニッケルマンガン酸化物において、Ｌｉ層の一部がアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種の元素によって置換されており、結晶の空間群の対称性がＲ−３ｍであることを特徴とする正極材料。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes: a first semiconductor layer having a first conductivity type; a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type; an active layer provided between the first semiconductor layer and second semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode provided on the surfaces of the first and second semiconductor layers, respectively.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１の導電型を有する第１半導体層と、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた活性層と、第１および第２半導体層の各々の表面に設けられた第１電極および第２電極と、を含む。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element which can greatly shift its light emitting wavelength to a long wavelength, even if having e.g. an InxGa1-xN light emitting active layer or a lower mixed crystal ratio of In, has a sufficient life and can select the light emitting wavelength in a wide wavelength range from blue to red, etc.例文帳に追加

例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光活性層に持つ発光素子においても、低いＩｎの混晶比でも、長波長側に大きく発光波長をシフトさせる事が可能になり、十分な寿命を有し、且つ青色から赤色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる窒化物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加

本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁

The TFT serving as a switching element for applying voltage to the pixel part is formed as a circuit pattern functioning as a channel by holding a source electrode 7 on an a-Si layer 10 which is a semiconductor active layer, by a drain wiring leader 8b and drain auxiliary wiring 8c and applying voltage usually from the drain wiring leader 8b.例文帳に追加

画素部に電圧を印加するためのスイッチング素子であるＴＦＴにおいて、半導体活性層であるａ−Ｓｉ層１０上に、ソース電極７をドレイン配線引出し線８ｂとドレイン補助配線８ｃで挟み、通常はドレイン配線引出し線８ｂから電圧を印加することでチャネルとして機能させる回路パターンとした。 - 特許庁

To provide an image display device for achieving reduction of a current required in each active element and an output circuit of a selection signal supply part respectively connected to selection lines of a non-selection period while achieving high current supply capability and high speed operation required in the output circuit of the selection signal supply part.例文帳に追加

選択信号供給部の出力回路に要求される高い電流供給能力及び高速動作を実現しつつ、非選択期間の選択線にそれぞれ接続されている各アクティブ素子及び選択信号供給部の出力回路に要求される電流の低減とを実現することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The substrate is transparent or substantially transparent and plastic and/or flexible and is used for an external protection element in an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer, and is composed of a composite structure having a glass layer and a plastic layer of a thickness ≤200 μm.例文帳に追加

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスにおける外側保護要素として使用するための、透明または実質的に透明な成形性かつ／または可撓性の基体であって、２００μｍ以下の厚さのガラスの層とプラスチックの層とからなる複合構造体によって構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element excellent in translucency as a positive electrode, capable of improving the take-out efficiency of light discharged out of an active layer and further capable of reducing an operating voltage by securing a low resistance as the positive electrode by improving the ohmic property of a p-type contact layer and the positive electrode.例文帳に追加

正電極として透光性が良好で、活性層から放出された光の取り出し効率を改善することができ、さらに、ｐ型コンタクト層と正電極とのオーミック性を向上させ、正電極として低抵抗を確保することにより、動作電圧を低減させることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

An optical semiconductor element includes: a semiconductor film including a first semiconductor layer having a first conductive type, a second semiconductor layer having a second conductive type, and an active layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode connecting with the first semiconductor layer; and a second electrode connecting with the second semiconductor layer and facing the first electrode.例文帳に追加

第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。 - 特許庁

This certificate recording medium is issued through the steps to transfer/form an ink receiving layer 13 on an image receiving layer 22 recording information of a substrate 20 with the help of a transfer recording element 11; supply a curable resin liquid to the ink receiving layer 13 using an inkjet recording head 50; and cure the curable resin liquid by irradiating the curable resin liquid with an active ray.例文帳に追加

基材２０の情報を記録した受像層２２上に、転写記録体１１を用いてインク受容層１３を転写形成し、インク受容層１３にインクジェット記録ヘッド５０を用いて硬化性樹脂液を供給し、その後に、活性光線を照射して硬化性樹脂液を硬化させて認証記録媒体を発行する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tin (Sn).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、スズ（Ｓｎ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The active material layer is covered with a coating containing a complex compound consisting of at least one element of Y and Yb, and at least one element of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, or a complex compound consisting of at least one of Y and Yb, at least one of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, and at least one of Co and Ni.例文帳に追加

多孔性のニッケル焼結基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質が充填されてなるアルカリ蓄電池用ニッケル極において、多孔性のニッケル焼結基板に形成された活物質の表面部に、Y,Ybから選択される少なくとも１種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも１種の元素との複合化合物又はY,Ybから選択される少なくとも１種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも１種の元素と、Co,Ni から選択される少なくとも１種の元素との複合化合物を含む被覆層を設けた。 - 特許庁

In a circuit which is constituted in such a way that a direct current is supplied from a battery 101 to a plurality of packages or modules 104 including an active element, the packages or modules 104 are arranged so that no other packages nor modules may exist on the direct current supplying path 103 of each package or module 104.例文帳に追加

本発明は、電池（１０１）から能動素子を含む複数のパッケージあるいはモジュール（１０４）に直流電流が供給される構成の回路において、前記複数のパッケージあるいはモジュール（１０４）は各々の直流電流供給用パス（１０３）上に他のパッケージあるいはモジュールが存在しないよう配置されていることを特徴とする回路基板である。 - 特許庁