「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor laser element comprises: a substrate 101 having a cavity 101a; and a semiconductor layer laminate 102 including a first clad layer 122 of a first conductivity type, an active layer 124 and a second clad layer 126 of a second conductivity type sequentially formed on the substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

To provide an adhesive film for dicing, which is equipped with an adhesive layer that has high adhesive power in a dicing step and suppresses detachment and scattering of cut pieces such as semiconductor element etc., and has excellent light peelability to a workpiece having an active surface in a pick-up step.例文帳に追加

ダイシング工程においては高い粘着力を有し半導体素子などの切断片の脱離飛散が抑えられるとともに、ピックアップ工程においては活性面を有する被加工物に対しても優れた軽剥離性を有する粘着剤層を備えたダイシング用粘着フィルムを提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor has: an organic electrode composed of at least two or more kinds of organic compounds; and an organic semiconductor element film composed of an organic semiconductor active layer consisting principally of an organic compound selected out of at least one or more kinds of organic electrode constituents.例文帳に追加

少なくとも２種類以上の有機化合物からなる有機電極と、少なくとも１種類以上の有機電極構成成分から選ばれた有機化合物を主成分とする有機半導体活性層から構成された有機半導体素子膜を有する有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which the thickness of the semiconductor epitaxial layer to be an active region in a back-illuminated image pickup element and the like can be easily managed to be a desired thickness without using an SOI substrate, and gettering of contaminating impurities can be smoothly performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This light emitting element includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer 50, a second conductivity type semiconductor layer 30, and an active layer 40 located between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a plurality of polarization induction patterns 80.例文帳に追加

発光素子は、第１導電型の半導体層５０、第２導電型の半導体層３０、及び前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する活性層４０を含む発光構造物と、複数の偏光誘導パターン８０を含む。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is provided with a power generation element including a unit cell with a positive electrode, an electrolyte layer, and a negative electrode laminated in this order, and a reference electrode with an reference electrode active material layer containing graphite fluoride in which lithium is doped formed on a current collector.例文帳に追加

正極、電解質層、および負極がこの順に積層されてなる単電池を含む発電要素とリチウムがドープされたフッ化黒鉛を含む参照極活物質層が集電体上に形成された参照極とを備えたリチウムイオン二次電池に関する。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層（ソース電極）４と第二の電極層（ドレイン電極）５との間に有機半導体層６が形成され、そして、前記有機半導体層６及び第三の電極層（ゲート電極）２が有機電気絶縁層３を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

The constricted oxide layer surface light-emitting semiconductor laser element has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors, and an active layer that is arranged between the pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors on a substrate, and then emits laser beams in a direction that orthogonally crosses the substrate.例文帳に追加

本素子は、基板上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する、酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

To solve the problem that, in a millimeter wave oscillator in which a Gunn diode element is mounted on a millimeter wave resonator substrate, a semiconductor substrate which constitutes the Gunn diode has a bad heat dissipation property, increases the temperature of a Gunn diode active layer during operation and thereby remarkably reduces the millimeter wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device contains forming a plurality of through electrodes 54 which penetrate through first and second planes 20, 21 of a semiconductor substrate having an active element region 12, and a conductive layer 38 electrically connected to at least one of the plurality of through electrodes 54.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、能動素子領域１２を有する半導体基板の、第１及び第２の面２０，２１を貫通する複数の貫通電極５４と、複数の貫通電極５４の少なくとも１つに電気的に接続してなる導電層３８と、を形成することを含む。 - 特許庁

This bactericidal agent contains a compounded material consisting of a complex metal hydroxide containing copper ion or zinc ion exhibiting a bactericidal or an antibacterial activity as a bactericidal element and calcium phosphates as active ingredient, and a method of sterilization by using the above bactericide and a method for regenerating the above bactericide are also provided.例文帳に追加

殺菌あるいは抗菌性を示す銅イオンまたは亜鉛イオンを殺菌素子として含有する、複合金属水酸化物と、リン酸カルシウム類とからなる複合物を有効成分とする殺菌剤および当該殺菌剤を用いる殺菌方法および当該殺菌剤を再生する方法。 - 特許庁

To provide a radiation emitting semiconductor element, which includes an active layer for emitting radiation, a p-type conductive layer, a transparent conductive layer (TCL), and a non-p-type ohmic contact layer.例文帳に追加

本発明は、放射線を生じさせるのに用いる活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、ｐ型導電層、透明導電層（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ， ＴＣＬ）、そして非ｐ型オーミック（ｏｈｍｉｃ）接触層を含む、放射線を発する半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor layer element 10, a resonator 12 where a quantum well active layer 11 constituted of a barrier layer formed of gallium nitride and a well layer formed of indium gallium nitride is sandwiched by optical guide layers constituted of n-type and p-type aluminium gallium nitride from upper/lower directions is formed.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層１１が少なくともｎ型とｐ型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器１２が形成されている。 - 特許庁

In the piezoelectric oscillation circuit using a piezoelectric vibrator, a voltage-variable active inductance circuit 3 that is composed by a dual- gate FET as an amplification element is inserted and connected into the oscillation loop of the piezoelectric oscillation circuit, thus composing the voltage- controlled piezoelectric oscillation circuit.例文帳に追加

圧電振動子を用いた圧電発振回路において、前記圧電発振回路の発振ループ中に、増幅素子としてデュアルゲートＦＥＴを用いて構成する電圧可変能動インダクタンス回路３を挿入接続することにより、電圧制御圧電発振回路を構成する。 - 特許庁

The positive electrode active material of lithium secondary battery is composed of a core containing at least one lithium compound and a surface processed layer formed on the core and containing one or more coating substances selected from the group comprising hydroxide, oxyhydroxide, oxycarbonate, and hydroxycarbonate of coating element.例文帳に追加

少なくとも一種以上のリチウム化合物を含む、コア及びコア上に形成されたコーティング元素のヒドロキシド、オキシヒドロキシド、オキシカーボネート及びヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも一種以上のコーティング物質を含む表面処理層からなるリチウム二次電池用正極活物質。 - 特許庁

The light beam can be selectively guided to a first objective lens 28A or a second objective lens 28B corresponding to the kinds of the optical disks 100 by bringing an active diffraction element 42 into a non-diffraction or diffraction state according to the kind of the optical disk 100 used.例文帳に追加

使用する光ディスク１００の種別に応じて、アクティブ回折素子４２を非回折状態又は回折状態とすることにより、光ビームを当該光ディスク１００の種別に応じた第１の対物レンズ２８Ａ又は第２の対物レンズ２８Ｂに選択的に導光することができる。 - 特許庁

"Integrated circuit" means a circuit, in its final or an intermediate form, in which the elements, at least one of which is an active element, and some or all of the interconnections are integrally formed in or on a piece of material and that is intended to perform an electronic function:例文帳に追加

「集積回路」とは，最終形態又は中間形態の回路であって，複数ある素子のうち少なくとも1は能動素子であり及び相互接続の部分又は全体が材料片内に又は材料片上に集積的に形成されていて，1の電子作用を実行させる目的のものをいう。 - 特許庁

For the purpose of this Law, "integrated circuit" means a product, in its final form or an intermediate form, in which the elements, at least one of which is an active element, and some or all of the interconnections are integrally formed on a piece of isolating material and which is intended to perform a specific electronic function. 例文帳に追加

本法の適用上、「集積回路」とは、その最終形あるいは中間型において、その中の素子の少なくとも一つが能動素子であり、全ての又は一部の配線が絶縁材料の内部に統合された形で一定の電子機能を有するよう意図された製品を意味する。 - 特許庁

On the active matrix substrate 1, where a TFT 14 is connected to each picture element electrode 16 arranged on a transparent substrate in a matrix, the parasitic capacitance Cgd is formed by a region, where the gate electrode 14G overlaps with the drain electrode 14D, and the periphery region.例文帳に追加

透明基板上にマトリクス状に配置された各絵素電極１６にＴＦＴ１４が接続されたアクティブマトリクス基板１において、ゲート電極１４Ｇとドレイン電極１４Ｄとが重なり合う領域およびその周縁領域とによって寄生容量Ｃｇｄが形成される。 - 特許庁

To provide a composition for forming an active energy ray-curable type resin sheet, especially a resin sheet suitable for an optoelectronics element, whereby the resulted resin sheet has low water absorption together with excellent heat resistance and transparency without causing the problems of discoloration and solvent resistance.例文帳に追加

得られる樹脂シートが耐熱性及び透明性に優れる上、さらに吸水率が低く、着色の問題がなく、さらに耐溶剤性の問題がなく、特に、光エレクトロニクス素子に適した樹脂シート製造のための活性エネルギー線硬化型樹脂シート形成用組成物の提供。 - 特許庁

The piezoelectric element plate whose surface process layer is removed through chemical etching and whose frequency is adjusted with precision, a media whose main component is amorphous alumina, chrome oxide as an abrasive, and a surface active agent are put in a cylindrical plastic container and this container is filled with water.例文帳に追加

円筒形プラスチック容器に、化学的エッチングによって圧電素板片の表面加工層が除去され、かつ周波数が精度良く調整された圧電素板片と不定形のアルミナを主体とするメディアと、研磨材として酸化クロム、及び界面活性剤を容器に投入し、水で容器を満たす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride-based semiconductor element which facilitates device separation by forming an separation trench in a nitride-based semiconductor layer, by a method where no damage is introduced into a crystal owing to collision of plasma and active ions or the like and no much time is required.例文帳に追加

プラズマや活性イオンなどの衝突による結晶へのダメージの導入がなく、且つ多くの時間を必要としない方法で、窒化物系半導体層に分離溝を形成することにより、素子分離を容易にする窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The non-aqueous lithium battery element uses a composite porous material formed by covering the surface of an active carbon with a carbonaceous material as a negative electrode, and an amorphous metal oxide containing at least one atom of Mn, V, as a positive electrode, and non-aqueous solvent containing lithium salt as an electrolyte.例文帳に追加

負極として活性炭の表面に炭素質材料が被着した複合多孔性材料を用い、正極としてＭｎ、Ｖの少なくとも一種を含有する非晶質金属酸化物を用い、電解液としてリチウム塩を含有する非水溶媒を用いる非水系リチウム型蓄電素子。 - 特許庁

In the active matrix type display device having display elements 33 and storage capacitors 32 by pixels defined by crossing data lines 12 and gate lines 11, one-end sides of the display element 33 and the storage capacitor 32 of each pixel are connected to a data line 12a of a right adjacent pixel.例文帳に追加

データ線１２とゲート線１１とを交差させて定義される画素ごとに、表示素子３３および蓄積容量３２を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、それぞれの画素における表示素子３３および蓄積容量３２の一端を右隣の画素のデータ線１２ａに接続している。 - 特許庁

In an element substrate 10x to be used by an electric-optic device such as a liquid crystal device, a base insulating layer 12 is formed on a support substrate 10d, and an active layer configuring an electric effective transistor 10y is formed on the surface of the base insulating layer 12.例文帳に追加

液晶装置などといった電気光学装置で用いられる素子基板１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙを構成する能動層が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has a semiconductor layer 11 in which an n-type clad layer 12, a light active layer 13, and a p-type clad layer 14 are formed on one main surface of an n-type substrate 10 in order, and p-type cap layers 21-23 are formed on the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。 - 特許庁

Disclosed is a stabilizer for a fastening body comprising conducting fastening working after making a polymer of an unsaturated linear hydrocarbon having carbon number 4 as an active ingredient adhere to at least either one of a screw element, a washer a screwing part of screw of a fastened body or a washer-contact surface of bolt members or the like.例文帳に追加

炭素数４の不飽和鎖状炭化水素の重合体を有効成分としてこれを、ボルト部材等のねじ部品、座金、被締結体のねじ螺合部又は座面の少なくともいずれか一つに付着させた後、締付け作業する締付体締付け力安定化剤。 - 特許庁

An oxide of at least one kind of element selected from a group consisting of group XV elements, Cd, Zn, Zr, Mn, Ca, Sr, and Ba as addition components is added to the denitrifying catalyst containing V_2O_5 as an active component and TiO_2 at least as a support component.例文帳に追加

活性成分としてＶ_２Ｏ_５を含有し、担体成分として少なくともＴｉＯ_２を含有する脱硝触媒に、添加成分として、１５族元素、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物を含有せしめる。 - 特許庁

A variable frequency divider 8 variably frequency dividing a signal oscillated at a variable resonance frequency in a variable oscillator 2, on the basis of an operation of an active element section 3 for generating negative resistance and a frequency switching control signal; using a frequency division ratio signal; and the frequency-divided signal is output from an output signal terminal 6A.例文帳に追加

負性抵抗を発生する能動素子部３の動作と周波数切替え制御信号とにより可変共振器２で可変の共振周波数で発振した信号を、分周比制御信号により可変分周器８で可変に分周して出力信号端子６Ａから出力する。 - 特許庁

The main substrate 6 where an active element 4 is formed of laminated films of an odd number of 3 or more of insulating films 2 formed of a resin material having high heat resistance and metallic thin films 1 composed of a metal or an alloy having the coefficient of thermal expansion smaller than that of the insulating films 2.例文帳に追加

能動素子４を形成した主基板６を、高耐熱性の樹脂材料で形成される絶縁膜２と、該絶縁膜２のよりも熱膨張係数が小さい金属もしくは合金からなる金属薄膜１とを３以上の奇数からなる積層膜とした。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a p-type semiconductive layer and an n-type semiconductive layer which are connected via an active layer, and emits light with an applied forward bias, wherein both of the p-type semiconductive layer and the n-type semiconductive layer are ferromagnetic members.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。 - 特許庁

To provide an optically active compound having a large spiral-inducing capacity, a high transparent point and a low viscosity, and excellent in compatibility with another liquid crystalline or non-liquid crystalline compounds, a liquid crystalline composition and a liquid crystalline electrooptic element by using the same compound.例文帳に追加

らせん誘起力が大きく、透明点が高く、低粘性であって、他の液晶性または非液晶性等の化合物との相溶性にも優れた光学活性化合物の提供、該光学活性化合物を用いてなる液晶組成物および液晶電気光学素子の提供。 - 特許庁

As a result, when the impedance Ri at the predetermined value (corresponding to the predetermined active temperature or more of the element temperature) or less is detected and the pump current Ip within the predetermined range (the A/F atmosphere is specified and except for at least the fuel cutting time) is detected, failure diagnose is allowed (S3, S4-S5).例文帳に追加

この結果、インピーダンスＲｉが所定値以下（素子温度が所定の活性温度以上に相当）で、かつ、ポンプ電流Ｉｐが所定範囲内のとき（Ａ／Ｆ雰囲気を特定し、少なくとも燃料カット時を除外）に、故障診断の実施を許可する（Ｓ３，Ｓ４→Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electro-chemical element in which a high thickness electrode active material layer can be formed easily and simply, uniformly and with superb adhesiveness on a current collector, especially a perforated current collector having front-to-rear through-holes such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く高厚みの電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has a structure in which a plurality of compound semiconductor light-emitting units U that have a truncated cone shape and are made of a compound semiconductor having an active layer 232 serving as a light-emitting region are arranged via a reflective metal film 26 above a supporting substrate S having electrical conductivity.例文帳に追加

導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 - 特許庁

The power circuit for an option board, which supplies voltage to an option board mounted on a device body, comprises a circuit including active elements Q1 to Q3 built in the device body, and a passive element Rd built in the option board to set a supply voltage.例文帳に追加

機器本体に装着されるオプションボードに電圧を供給する電源回路において、機器本体に内蔵される能動素子（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３）を含む回路と、オプションボードに内蔵され、電源電圧を設定する受動素子（Ｒd ）とでオプションボードの電源回路を構成する。 - 特許庁

A cleavage guide groove 3 which penetrates with the p-type clad layer 12 and whose bottom surface is disposed at a position higher than an upper surface of the active layer 9 is formed in an end surface region which is disposed by sandwiching the aperture portion in plan view and which includes an end surface of a resonator of the semiconductor laser element.例文帳に追加

平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 - 特許庁

The light modulation element 20 is provided with a pair of substrates 1,2 having electrodes 3,4 and a light modulating layer composed of a liquid crystal composition containing (a) a nematic liquid crystal substance and (b) an associative organosiloxane having at least one associative site having an optically active site, both placed between the substrates.例文帳に追加

本発明の光変調素子２０は、電極３，４を設けた一対の基板１，２の間に、（ａ）ネマティック液晶物質、及び、（ｂ）光学活性部位を有する会合性部位を少なくとも１か所有する会合性オルガノシロキサン、を含有する液晶組成物からなる調光層を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

To provide a driving device which is for driving an active-driven type display elements of which the pixels are formed of a plurality of sub-pixels and is capable of suppressing decrease in display quality caused by dispersion of the display element characteristics and increase in the circuit scale of which is avoided, and to provide a display device using the same.例文帳に追加

画素が複数の副画素から構成されるアクティブ駆動型の表示素子を駆動するための駆動装置であって、素子特性のばらつきによる表示品位の低下を抑制できると共に回路規模の増大を回避できる駆動装置およびそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

The active element also has a second main electrode area which accepts carriers passing through the main current control areas, and a recessed section 17 which is formed toward the first main surface from the second main surface of the substrate 11 immediately below the plurality of main current control areas and has lengths S1 and S2 which are shorter than the effective finger lengths W in the first axial direction.例文帳に追加

そして、複数本の主電流制御領域の直下において、半導体基板１１の第２の主表面から第１の主表面に向かって形成され、第１軸方向の長さＳ１，Ｓ２が実効フィンガー長Ｗよりも短い凹部１７とを更に有する。 - 特許庁

In a master device 10 of an SS(spectrum spread) type cordless telephone using a TDD(time-division duplex communication system), a transistor whose gain band width product fT is not higher than 45 MHz, that is, not more than 1/20 of 900 MHz being radio frequencies is used as the active element of a reception system amplifier 12 and a transmission system amplifier 13.例文帳に追加

ＴＤＤを用いたＳＳ方式のコードレス電話の親機１０において、受話系アンプ１２および送話系アンプ１３の能動素子として、それぞれ利得帯域幅積ｆＴが、無線周波数である９００ＭＨｚの１／２０以下の、４５ＭＨｚ以下のトランジスタを用いる。 - 特許庁

A manufacturing method of an electrode for an electrochemical element comprises: a thickness adjustment step of adjusting an aluminum porous body having a communicating pore to a prescribed thickness by compressing the body; and a filling step of filling the thickness-adjusted aluminum porous body with an active material.例文帳に追加

連通気孔を有するアルミニウム多孔体を圧縮して所定の厚さに調整する調厚工程と、調厚された前記アルミニウム多孔体に活物質を充填する充填工程とを備えていることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁