「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a FinFET which can prevent loss of an element isolation film and improve current driving capability without causing deterioration of off-leakage characteristic, even if three faces working as a channel of a fin active region pattern are released.例文帳に追加

素子分離膜の損失を防止し、フィンアクティブ領域パターンのチャネルとして機能する３つの面が開放されても、オフ漏れ特性が低下することなく電流駆動能力を向上させることができるＦｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

A color filter substrate 10 has a transparent substrate 1, the light shielding layer (BM) which is formed on the transparent substrate 1 and arranged opposite the active element (TFT), and color filters 2R and 2B of at least two colors which are formed on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１０は、透明基板１と、透明基板１上に形成され、かつアクティブ素子（ＴＦＴ）に対向する位置に配置される遮光層（ＢＭ）と、透明基板１上に形成された少なくとも２色のカラーフィルタ２Ｒ，２Ｂとを有する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate reducing capacitance formed in the intersection of a scanning line and a signal line without increasing wiring line resistance and decreasing driving capability of a switching element, and also to provide a display device equipped with the same.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

In the active vibration controlling method, the smart board in which the piezoelectric fiber with the metallic core is embedded is used as a controlled target, a finite element model for the controlled target is led out, a low-dimensional model for design of a control system is found out, and the piezoelectric fiber is used as a sensor or an actuator.例文帳に追加

金属コア入り圧電ファイバが埋め込まれたスマートボードを制御対象とし、制御対象の有限要素モデルを導出し、さらに制御系設計のための低次元化モデルを求め、該圧電ファイバをセンサまたはアクチュエータとして用いる。 - 特許庁

In the laser welding apparatus, a beam synthesizer 24 is arranged on a prescribed position in addition to constitution in which end mirrors 10, 12, an active medium 14, wavelength converted crystal 16, a polarizing element 18, and a higher harmonic separation output mirror 20 are arranged.例文帳に追加

このレーザ溶接装置は、終端ミラー１０，１２、活性媒質１４、波長変換結晶１６、偏光素子１８および高調波分離出力ミラー２０を配置する構成に加えて、所定位置にビーム合成部２４を配置している。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

Or, the cathode active material is obtained by putting under a mechanical alloying at a reaction temperature of less than 90°C materials including powder containing at least one kind of element selected from a group of the group XIV elements except C and the group XIII elements except Ti.例文帳に追加

または、Ｃを除く１４族元素、及びＴｌを除く１３族元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含有する粉末を含む原料に、９０℃未満の反応温度でメカニカルアロイング処理を施して負極活物質を得る。 - 特許庁

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.例文帳に追加

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

This organic light-emitting element has a pair of resonator structures and an organic active layer, sandwiched between the pair of resonator structures and composed of an organic material, capable of surficially emitting the light by injecting the electric current via at least a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の共振器構造体と、前記一対の共振器構造体の間に挟持され、少なくとも一対の電極を介する電流注入によって面発光し得る有機材料からなる有機活性層とを有することを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is increased in data loading speed in a page buffer by selecting data input via an IO pad to make only a desired data bus active, and prevents a power loss by reducing current consumption by an excess current.例文帳に追加

ＩＯパッドを介して入力されるデータを選択してプログラムを希望するデータパスだけをアクティブさせて、ページバッファへのデータロード速度を改善し、過度電流により電流消費を低減して電力損失を防止できるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To simplify the shapes of an element active region and a gate electrode, facilitate pattern formation in a lithography process, reduce registration deviation of resist patterns, and relieve design rule of a divided path of a word line while variation in storage characteristics of a semiconductor storage device is prevented.例文帳に追加

素子活性領域およびゲート電極の形状の単純化を図り、リソグラフィ工程におけるパターン形成を容易にし、レジストパターンの合わせずれを低減して、半導体メモリの記憶特性の変動を防止しつつ、ワード線の分路の設計ルールの緩和を図る。 - 特許庁

Further, an electrode for an electrochemical element comprises an aluminum porous body having communicating pores, the communicating pores being filled with a mixture containing an active material, a conductive assistant, and a binder, and the percentage content of the binder in the mixture being in the range of 5 wt% or lower.例文帳に追加

また、連通気孔を有するアルミニウム多孔体の連通気孔内に活物質、導電助剤、バインダーを含有する合剤が充填され、合剤のバインダーの含有比率が５ｗｔ％未満であることを特徴とする電気化学素子用電極。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the capacitance formed on an intersection of a scanning wire and a signal wire is reduced while accompanied with no increase in wiring resistance and/or no lowering of a driving function of a switching element, and also provide a display device equipped with the same.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating roller device for induction heating a heating roller with a high frequency power source suitable for generating a high frequency output of desirable power with an active element having small current rating, and provide a fixing device and an image forming device using the heating roller device.例文帳に追加

電流定格の小さな能動素子を用いて所望電力の高周波出力を発生するのに好適な高周波電源により加熱ローラを誘導加熱誘導する加熱ローラ装置、これを備えた定着装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A source 42SA and a gate 44A of an active layer 42 covered with a gate insulating film 13 are connected to a first power supply line 101 on one P-channel type thin film transistor TRA, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45A.例文帳に追加

一方のＰチャネル型薄膜トランジスタＴＲＡでは、ゲート絶縁膜１３に覆われた能動層４２のソース４２ＳＡとゲート４４Ａが第１の電源線１０１に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ａの一方の端に接続されている。 - 特許庁

An equalizer equalizes voltage of a first terminal Na and a second terminal Nb, a first active load element is connected between a signal line to which the prescribed voltage is supplied and the first terminal, and has a resistance value varied according to voltage of a bit line.例文帳に追加

等化器は前記第１端子Ｎａと前記第２端子Ｎｂとの電圧を等化し、第１アクティブロード素子は所定の電圧が供給される信号ラインと前記第１端子との間に連結され、ビットラインの電圧に従って可変される抵抗値を有する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit unit capable of suppressing power supply voltage variation by further flattening frequency characteristics of power supply impedance as compared with the prior arts, and capable of suppressing occurrence of unstable operation of an active element integrated body or spurious radiation.例文帳に追加

本発明は、従来のものに比べて電源インピーダンスの周波数特性を平坦化させて電源電圧変動を抑えることができ、能動素子集積体の不安定動作や不要輻射の発生を抑えることができる電子回路ユニットを提供する。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

An auxiliary switching element Q2 is so configured as to be driven by a self-oscillation circuit that is formed by winding 1T of a primary winding of an insulating-converter transformer, and thus, the structure provides a simple drive-circuit system of the active clamp circuit.例文帳に追加

アクティブクランプ回路の補助スイッチング素子Ｑ2は、絶縁コンバータトランスの一次巻線を１Ｔ巻き上げて形成される自励式の発振回路により駆動される構成を採っており、これによって、アクティブクランプ回路の駆動回路系を簡略なものとしている。 - 特許庁

The semiconductor optical element has an active layer composed of the mixed crystal of four or more elements of a group II-VI chemical compound of group II elements mainly containing Zn and group VI elements containing at least O and containing two or more of S, Se and Te.例文帳に追加

Ｚｎを主体とするＩＩ族元素と、少なくともＯを含みかつＳ，Ｓｅ及びＴｅのうちの２種以上を含むＶＩ族元素とのＩＩ−ＶＩ族化合物の４元以上の混晶からなる活性層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 特許庁

The plane emission laser element 1 has a structure wherein a lower multilayer film reflector 3, a lower clad layer 4, an active layer 5 of a multi-quantum well structure, an upper clad layer 6, and an upper multilayer film reflector 7 are sequentially layered on a p-GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

A compressive stress is applied to a channel region of a PFET by a structure including an independent stress-producing dielectric element that entirely underlies the bottom surface of an active semiconductor region in which a source, a drain and a channel region of the PFET are disposed.例文帳に追加

ＰＦＥＴのソース、ドレイン、及びチャネル領域が配置される活性半導体領域の底面の下全面に存在する独立した応力を発生する誘電体エレメントを含む構造体によって、圧縮応力がＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。 - 特許庁

The integrated circuit includes at least one interconnection level and an acoustic resonator provided with a support comprising at least one bilayer assembly comprising a layer of high acoustic impedance material and a layer of low acoustic impedance material, and an active element.例文帳に追加

少なくとも１つの相互接続平面部と、高音響インピーダンス材レイヤおよび低音響インピーダンス材レイヤを備える少なくとも１つの２層アセンブリを有する支持部および能動素子を備えた音響共振器と、を備える集積回路を本発明は提供する。 - 特許庁

In this method, the active element 8 or the support 2 contains a polycrystalline material at least in a part being bonded on the surface thereof, and a layer of the amorphous material 6 is formed on the surface containing the polycrystalline material prior to the bonding.例文帳に追加

この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the positive electrode active material for the lithium-ion secondary battery can be manufactured by mixing one or two or more kinds of the compounds containing at least one kind of metal element out of Co, Ni, Mn, Ti, Zr, Hf, Ce, and Pr with a lithium compound and calcinating it.例文帳に追加

また本発明のリチウムイオン二次電池用正極活物質は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｐｒのうち少なくとも１種の金属元素を含有する化合物を単独又は２種以上とリチウム化合物とを混合し、焼成することによって製造することができる。 - 特許庁

The number of manufacturing processes for the alignment marks for aligning the photo resist pattern for forming the active region of the high voltage semiconductor device is reduced, and failure generated when an element separating film is subsequently formed is removed in advance, so that the manufacturing processes are made easier.例文帳に追加

高電圧半導体装置の活性領域を形成するためのフォトレジストパターンをアラインするためのアラインメントマークの製造工程の数を減少させ、後続に素子分離膜を形成するときに発生する不良を事前に除去して製造工程が容易である。 - 特許庁

An electrode for an electrochemical element comprises an aluminum porous body having communicating pores, the communicating pores being filled with a mixture containing an active material, a conductive assistant, and a binder, and the percentage content of the conductive assistant in the mixture being in the range of 0 to 4 wt%.例文帳に追加

連通気孔を有するアルミニウム多孔体の連通気孔内に活物質、導電助剤、バインダーを含有する合剤が充填され、合剤の導電助剤の含有比率が０〜４ｗｔ％であることを特徴とする電気化学素子用電極。 - 特許庁

In the secondary battery using nonaqueous electrolyte, a negative electrode active material is provided with a carbon-containing phase A and a crystal phase B containing an element occuluding and emitting an alkali metal as its major constituent and having an average crystal grain size of 0.001 μm or more and 10 μm or less.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池においては、負極活物質は、炭素を含む相Ａと、アルカリ金属を吸蔵・放出する元素を主体とし結晶粒の平均の大きさが０．００１μｍ以上１０μｍ以下の結晶相Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active element array by which point defects caused by the pattern deficit of pixel electrodes can be easily restored.例文帳に追加

点欠陥の修復にかかわるパターンを作り込んだアクティブ素子アレイ基板では、その構造、構成が複雑になり、却って逆にパターン欠損の生じる確率や、いわゆるＧＳ層間ショートの起こる可能性が高くなり、したがって点欠陥の増加、歩留まりの低下を招く。 - 特許庁

The light emitting element 100 has an emission layer part 9 comprising an active layer 5 composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, a p-type clad layer 6 similarly composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, and an n-type clad layer 3.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部９が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成される活性層５、及び、同じくＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成されるｐ型クラッド層６、ｎ型クラッド層３にてなる。 - 特許庁

112.2. Integrated Circuit means a product, in its final form, or an intermediate form, in which the elements, at least one of which is an active element and some or all of the interconnections are integrally formed in and/or on a piece of material, and which is intended to perform an electronic function; and例文帳に追加

112.2.「集積回路」とは，一つの製品であり，その最終態様又は中間態様において，その素子に少なくとも1つの能動素子を有し，配線の一部又は全部の接続が基板内部又は基板表面に生成され，電子機能を有するものをいう。 - 特許庁

To provide a magneto resistive effect element, a magnetic head and a magnetic reproduction apparatus with a configuration such that an active region is specified exactly and the effect of the current magnetic field from the electrode is effectively suppressed and disappeared in a CPP type MR component.例文帳に追加

ＣＰＰ型のＭＲ素子において能動領域を的確に規定し、さらに電極からの電流磁場の影響を、効果的に抑制し消失させるような構成を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

The optical element where the semiconductor optical amplifier (SOA) and an optical waveguide are integrated, wherein the optical waveguide includes the same active layer as in the SOA portion and guides optical wave by a ridge structure, thereby forming a ridge width or a ridge depth different from those of the SOA portion.例文帳に追加

半導体光増幅器（ＳＯＡ）と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記ＳＯＡ部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記ＳＯＡ部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 - 特許庁

To provide a layout of a word activation block which expands the flexibility of the layout of a peripheral element region surrounding a memory cell array, and provide an internal pattern layout of a semiconductor memory device capable of wiring for a word active signal without increasing the chip size.例文帳に追加

メモリセルアレイ周辺の周辺素子領域の配置の自由度を広げるワード活性化ブロックの配置を提供することと、チップサイズを大きくすることなく、ワード活性信号の配線を行なうことのできる半導体メモリ装置の内部パターン配置を提供すること。 - 特許庁

An active layer of the semiconductor laser 1 can be inclined at a predetermined angle to a track direction and the elliptic spot can be arranged aslant on the information recording medium by inclining the light source mounting surface 16 to the surface in parallel with the light receiving element 8 at the predetermined angle.例文帳に追加

光源実装面１６を受光素子８に平行な面に対して所定の角度に傾斜させることで、半導体レーザー１の活性層をトラック方向に対して所定の角度に傾斜させ、情報記録媒体上に楕円スポットを斜めに配置できる。 - 特許庁

In a semiconductor device which makes a crystallized crystalline silicon film using a metal element promoting crystallinity of a silicon to be an active layer, phosphor is doped to regions 114 and 116 where a source region or drain region is formed and heat treatment is performed.例文帳に追加

珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element reducing the resistance of a p-type nitride semiconductor layer without degrading the light emission intensity of an active layer in a nitride semiconductor laminate grown on a nonpolar nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A nickel plate for an alkaline storage battery, the surface of a conductive porous substrate is covered with an oxide containing cobalt, and the surface of the positive electrode active material is covered with nickel and a compound containing an element selected from among Ca, Sr, Sc, Y, Al, Mn and lanthanoid series elements.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池用ニッケル極板は、導電性多孔体基板の表面はコバルトを含有する酸化物で被覆されているとともに、正極活物質の表面は、ニッケルとＣａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ａｌ，Ｍｎおよびランタノイド系元素から選ばれる化合物で被覆されている。 - 特許庁

In a method of manufacturing the insulated gate transistor whose the active layer is comprised of the oxide containing at least one element of In, Ga and Zn, the desorption gas observed as the water molecule by the temperature rising desorption analysis is 1.4 molecules/nm^3 or less.例文帳に追加

活性層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物である絶縁ゲート型トランジスタの製造方法において、活性層の成膜後の、昇温脱離分析により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３以下とする。 - 特許庁

The active matrix driving element protects the semiconductor layer with a channel stopper type inverse stagger structure, a signal wiring and a drain electrode are formed in the same stage and the drain electrode has the function of a reflection plate to realize four times of photolithographic treatment.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動素子がチャネルストッパー型の逆スタガー構造で半導体層を保護し、信号配線とドレイン電極が同一の工程で形成され、かつ前記ドレイン電極が前記反射版の機能を有することで４回のフォトリソグラフィー数で実現する。 - 特許庁

After forming an element isolation region 105 that uses a silicon nitride film 102 for forming a field, the silicon nitride film 102 and a semiconductor substrate 100 are patterned to form a gate trench, which reaches the semiconductor substrate 100 in an active region 106.例文帳に追加

フィールド形成用のシリコン窒化膜１０２を用いて素子分離領域１０５を形成した後、このシリコン窒化膜１０２及び半導体基板１００をパターニングすることにより、半導体基板１００に達するゲートトレンチを活性領域１０６に形成する。 - 特許庁

To facilitate conversion of an oxide semiconductor precursor formed from a coated film into an oxide film by microwave heating, thereby improving a production efficiency of a thin-film transistor element having an oxide semiconductor film as an active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、マイクロ波加熱を用いることによって、塗布膜から形成される酸化物半導体の前駆体の酸化膜への変換を容易として、酸化物半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ素子の生産効率を向上させることにある。 - 特許庁