「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a FinFET which can prevent loss of an element isolation film and improve current driving capability without causing deterioration of off-leakage characteristic, even if three faces working as a channel of a fin active region pattern are released.例文帳に追加

素子分離膜の損失を防止し、フィンアクティブ領域パターンのチャネルとして機能する３つの面が開放されても、オフ漏れ特性が低下することなく電流駆動能力を向上させることができるＦｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

A color filter substrate 10 has a transparent substrate 1, the light shielding layer (BM) which is formed on the transparent substrate 1 and arranged opposite the active element (TFT), and color filters 2R and 2B of at least two colors which are formed on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１０は、透明基板１と、透明基板１上に形成され、かつアクティブ素子（ＴＦＴ）に対向する位置に配置される遮光層（ＢＭ）と、透明基板１上に形成された少なくとも２色のカラーフィルタ２Ｒ，２Ｂとを有する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate reducing capacitance formed in the intersection of a scanning line and a signal line without increasing wiring line resistance and decreasing driving capability of a switching element, and also to provide a display device equipped with the same.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

In the active vibration controlling method, the smart board in which the piezoelectric fiber with the metallic core is embedded is used as a controlled target, a finite element model for the controlled target is led out, a low-dimensional model for design of a control system is found out, and the piezoelectric fiber is used as a sensor or an actuator.例文帳に追加

金属コア入り圧電ファイバが埋め込まれたスマートボードを制御対象とし、制御対象の有限要素モデルを導出し、さらに制御系設計のための低次元化モデルを求め、該圧電ファイバをセンサまたはアクチュエータとして用いる。 - 特許庁

In the laser welding apparatus, a beam synthesizer 24 is arranged on a prescribed position in addition to constitution in which end mirrors 10, 12, an active medium 14, wavelength converted crystal 16, a polarizing element 18, and a higher harmonic separation output mirror 20 are arranged.例文帳に追加

このレーザ溶接装置は、終端ミラー１０，１２、活性媒質１４、波長変換結晶１６、偏光素子１８および高調波分離出力ミラー２０を配置する構成に加えて、所定位置にビーム合成部２４を配置している。 - 特許庁

An auxiliary switching element Q2 is so configured as to be driven by a self-oscillation circuit that is formed by winding 1T of a primary winding of an insulating-converter transformer, and thus, the structure provides a simple drive-circuit system of the active clamp circuit.例文帳に追加

アクティブクランプ回路の補助スイッチング素子Ｑ2は、絶縁コンバータトランスの一次巻線を１Ｔ巻き上げて形成される自励式の発振回路により駆動される構成を採っており、これによって、アクティブクランプ回路の駆動回路系を簡略なものとしている。 - 特許庁

The plane emission laser element 1 has a structure wherein a lower multilayer film reflector 3, a lower clad layer 4, an active layer 5 of a multi-quantum well structure, an upper clad layer 6, and an upper multilayer film reflector 7 are sequentially layered on a p-GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor optical element has an active layer composed of the mixed crystal of four or more elements of a group II-VI chemical compound of group II elements mainly containing Zn and group VI elements containing at least O and containing two or more of S, Se and Te.例文帳に追加

Ｚｎを主体とするＩＩ族元素と、少なくともＯを含みかつＳ，Ｓｅ及びＴｅのうちの２種以上を含むＶＩ族元素とのＩＩ−ＶＩ族化合物の４元以上の混晶からなる活性層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 特許庁

In this light sampling measuring instrument, the measured light P4 emitted from a light source part 10, and the sampling pulse light P5 (P6) emitted from an active mode synchronized fiber laser 21 are made to get incident into a nonlinear optical element 24 to conduct equivalent time sampling of the measured light P4.例文帳に追加

光サンプリング測定装置は、光源部１０から射出される被測定光Ｐ４と、能動モード同期ファイバレーザ２１から射出されるサンプリングパルス光Ｐ５（Ｐ６）とを非線形光学素子２４に入射させて被測定光Ｐ４の等価時間サンプリングを行う。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

This active element 56 has an insulating layer 63 sandwiched between a 1st metal layer 62 and 2nd metal layers 64a and 64b and is constituted by linearly laminating the 1st metal layer 62, 2nd metal layers 64a and 64b, and insulating layer 63.例文帳に追加

第１金属層６２と第２金属層６４ａ，６４ｂとによって絶縁層６３を挟持して成る能動素子５６において、第１金属層６２と第２金属層６４ａ，６４ｂと絶縁層６３とを直線状に積層して能動素子５６を形成する。 - 特許庁

To provide a layout of a word activation block which expands the flexibility of the layout of a peripheral element region surrounding a memory cell array, and provide an internal pattern layout of a semiconductor memory device capable of wiring for a word active signal without increasing the chip size.例文帳に追加

メモリセルアレイ周辺の周辺素子領域の配置の自由度を広げるワード活性化ブロックの配置を提供することと、チップサイズを大きくすることなく、ワード活性信号の配線を行なうことのできる半導体メモリ装置の内部パターン配置を提供すること。 - 特許庁

An active layer of the semiconductor laser 1 can be inclined at a predetermined angle to a track direction and the elliptic spot can be arranged aslant on the information recording medium by inclining the light source mounting surface 16 to the surface in parallel with the light receiving element 8 at the predetermined angle.例文帳に追加

光源実装面１６を受光素子８に平行な面に対して所定の角度に傾斜させることで、半導体レーザー１の活性層をトラック方向に対して所定の角度に傾斜させ、情報記録媒体上に楕円スポットを斜めに配置できる。 - 特許庁

In this method, the active element 8 or the support 2 contains a polycrystalline material at least in a part being bonded on the surface thereof, and a layer of the amorphous material 6 is formed on the surface containing the polycrystalline material prior to the bonding.例文帳に追加

この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the positive electrode active material for the lithium-ion secondary battery can be manufactured by mixing one or two or more kinds of the compounds containing at least one kind of metal element out of Co, Ni, Mn, Ti, Zr, Hf, Ce, and Pr with a lithium compound and calcinating it.例文帳に追加

また本発明のリチウムイオン二次電池用正極活物質は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｐｒのうち少なくとも１種の金属元素を含有する化合物を単独又は２種以上とリチウム化合物とを混合し、焼成することによって製造することができる。 - 特許庁

The number of manufacturing processes for the alignment marks for aligning the photo resist pattern for forming the active region of the high voltage semiconductor device is reduced, and failure generated when an element separating film is subsequently formed is removed in advance, so that the manufacturing processes are made easier.例文帳に追加

高電圧半導体装置の活性領域を形成するためのフォトレジストパターンをアラインするためのアラインメントマークの製造工程の数を減少させ、後続に素子分離膜を形成するときに発生する不良を事前に除去して製造工程が容易である。 - 特許庁

In a semiconductor device which makes a crystallized crystalline silicon film using a metal element promoting crystallinity of a silicon to be an active layer, phosphor is doped to regions 114 and 116 where a source region or drain region is formed and heat treatment is performed.例文帳に追加

珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。 - 特許庁

The integrated circuit includes at least one interconnection level and an acoustic resonator provided with a support comprising at least one bilayer assembly comprising a layer of high acoustic impedance material and a layer of low acoustic impedance material, and an active element.例文帳に追加

少なくとも１つの相互接続平面部と、高音響インピーダンス材レイヤおよび低音響インピーダンス材レイヤを備える少なくとも１つの２層アセンブリを有する支持部および能動素子を備えた音響共振器と、を備える集積回路を本発明は提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element reducing the resistance of a p-type nitride semiconductor layer without degrading the light emission intensity of an active layer in a nitride semiconductor laminate grown on a nonpolar nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the capacitance formed on an intersection of a scanning wire and a signal wire is reduced while accompanied with no increase in wiring resistance and/or no lowering of a driving function of a switching element, and also provide a display device equipped with the same.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating roller device for induction heating a heating roller with a high frequency power source suitable for generating a high frequency output of desirable power with an active element having small current rating, and provide a fixing device and an image forming device using the heating roller device.例文帳に追加

電流定格の小さな能動素子を用いて所望電力の高周波出力を発生するのに好適な高周波電源により加熱ローラを誘導加熱誘導する加熱ローラ装置、これを備えた定着装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A source 42SA and a gate 44A of an active layer 42 covered with a gate insulating film 13 are connected to a first power supply line 101 on one P-channel type thin film transistor TRA, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45A.例文帳に追加

一方のＰチャネル型薄膜トランジスタＴＲＡでは、ゲート絶縁膜１３に覆われた能動層４２のソース４２ＳＡとゲート４４Ａが第１の電源線１０１に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ａの一方の端に接続されている。 - 特許庁

An equalizer equalizes voltage of a first terminal Na and a second terminal Nb, a first active load element is connected between a signal line to which the prescribed voltage is supplied and the first terminal, and has a resistance value varied according to voltage of a bit line.例文帳に追加

等化器は前記第１端子Ｎａと前記第２端子Ｎｂとの電圧を等化し、第１アクティブロード素子は所定の電圧が供給される信号ラインと前記第１端子との間に連結され、ビットラインの電圧に従って可変される抵抗値を有する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit unit capable of suppressing power supply voltage variation by further flattening frequency characteristics of power supply impedance as compared with the prior arts, and capable of suppressing occurrence of unstable operation of an active element integrated body or spurious radiation.例文帳に追加

本発明は、従来のものに比べて電源インピーダンスの周波数特性を平坦化させて電源電圧変動を抑えることができ、能動素子集積体の不安定動作や不要輻射の発生を抑えることができる電子回路ユニットを提供する。 - 特許庁

112.2. Integrated Circuit means a product, in its final form, or an intermediate form, in which the elements, at least one of which is an active element and some or all of the interconnections are integrally formed in and/or on a piece of material, and which is intended to perform an electronic function; and例文帳に追加

112.2.「集積回路」とは，一つの製品であり，その最終態様又は中間態様において，その素子に少なくとも1つの能動素子を有し，配線の一部又は全部の接続が基板内部又は基板表面に生成され，電子機能を有するものをいう。 - 特許庁

A nickel plate for an alkaline storage battery, the surface of a conductive porous substrate is covered with an oxide containing cobalt, and the surface of the positive electrode active material is covered with nickel and a compound containing an element selected from among Ca, Sr, Sc, Y, Al, Mn and lanthanoid series elements.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池用ニッケル極板は、導電性多孔体基板の表面はコバルトを含有する酸化物で被覆されているとともに、正極活物質の表面は、ニッケルとＣａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ａｌ，Ｍｎおよびランタノイド系元素から選ばれる化合物で被覆されている。 - 特許庁

In a method of manufacturing the insulated gate transistor whose the active layer is comprised of the oxide containing at least one element of In, Ga and Zn, the desorption gas observed as the water molecule by the temperature rising desorption analysis is 1.4 molecules/nm^3 or less.例文帳に追加

活性層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物である絶縁ゲート型トランジスタの製造方法において、活性層の成膜後の、昇温脱離分析により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３以下とする。 - 特許庁

The active matrix driving element protects the semiconductor layer with a channel stopper type inverse stagger structure, a signal wiring and a drain electrode are formed in the same stage and the drain electrode has the function of a reflection plate to realize four times of photolithographic treatment.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動素子がチャネルストッパー型の逆スタガー構造で半導体層を保護し、信号配線とドレイン電極が同一の工程で形成され、かつ前記ドレイン電極が前記反射版の機能を有することで４回のフォトリソグラフィー数で実現する。 - 特許庁

After forming an element isolation region 105 that uses a silicon nitride film 102 for forming a field, the silicon nitride film 102 and a semiconductor substrate 100 are patterned to form a gate trench, which reaches the semiconductor substrate 100 in an active region 106.例文帳に追加

フィールド形成用のシリコン窒化膜１０２を用いて素子分離領域１０５を形成した後、このシリコン窒化膜１０２及び半導体基板１００をパターニングすることにより、半導体基板１００に達するゲートトレンチを活性領域１０６に形成する。 - 特許庁

A compressive stress is applied to a channel region of a PFET by a structure including an independent stress-producing dielectric element that entirely underlies the bottom surface of an active semiconductor region in which a source, a drain and a channel region of the PFET are disposed.例文帳に追加

ＰＦＥＴのソース、ドレイン、及びチャネル領域が配置される活性半導体領域の底面の下全面に存在する独立した応力を発生する誘電体エレメントを含む構造体によって、圧縮応力がＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suitably be used as a semiconductor chip to be mounted on an MCP, suppresses diffusion of heavy metal from the backside of the semiconductor device to nearby an element active area, and has high mechanical strength; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＭＣＰに搭載される半導体チップとして好適に使用でき、半導体装置の裏面から素子活性領域の近傍への重金属の拡散を抑制し、且つ高い機械的強度を有する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The base 1 is then inverted and the other thinned and diced base substance 21 on which an active element 22 is formed is mounted on the second side 1B, and electrodes 13 and 36 are formed on the wiring portion 40 penetrating the first and second sides 1A and 1B.例文帳に追加

基体１を反転させて、第２の面１Ｂ上に、能動素子２２が形成され且つ薄化及び個片化された他の基体２１を搭載し、第１及び第２の面１Ａ及び１Ｂに貫通する配線部４０上に電極１３、３６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

The power source further comprises an active clamping means for maintaining a low DC output voltage produced from a centertap of the secondary winding constant at the secondary side to control a conducting angle of an auxiliary main switching element in response to a level of the low DC output voltage.例文帳に追加

そして二次側には、二次巻線の中間タップから取り出される直流出力低電圧についての定電圧化を図るためにアクティブクランプ手段を備え、直流出力低電圧のレベルに応じて、補助メインスイッチング素子の導通角を制御する。 - 特許庁

A corresponding fuel electrode collector part 21 of the power generation element part A is embedded in each recess 12, and a corresponding fuel electrode collector active part 22 and an interconnector 30 are respectively embedded in recesses 21a and 21b formed on an outer side surface of each fuel electrode collector part 21.例文帳に追加

各凹部１２に、対応する発電素子部Ａの燃料極集電部２１が埋設され、各燃料極集電部２１の外側面に形成された凹部２１ａ、２１ｂに、対応する燃料極活性部２２及びインターコネクタ３０がそれぞれ埋設される。 - 特許庁

This semiconductor chip S has a structure wherein a heat radiating element 5 composed of numbers of radiating fins 4 is formed in the rear face 3 of a semiconductor substrate 1 which is the opposite side to the active face 2 of the semiconductor substrate 1 in which an integrated circuit is formed.例文帳に追加

本発明の半導体チップＳは、半導体基板１の集積回路が形成されているアクティブ面２とは反対側の裏面３の前記半導体基板１に多数の放熱フィン４からなる放熱素子５が形成されている構造のもである。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element provided with an active layer of quantum well structure, comprising a well layer of a nitride semiconductor containing indium between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

A DMOS transistor 13 operating on a voltage lower than the lowest DC input voltage of a DC-DC converter 3 is an active element and a bipolar transistor 17 is connected in parallel with the DMOS transistor 13 thus constituting an oscillator 1.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ３の動作可能最低入力直流電圧より低い電圧で動作するＤＭＯＳトランジスタ１３を能動素子とし、このＤＭＯＳトランジスタ１３に対して並列にバイポーラトランジスタ１７を接続して発振器１を構成する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is increased in data loading speed in a page buffer by selecting data input via an IO pad to make only a desired data bus active, and prevents a power loss by reducing current consumption by an excess current.例文帳に追加

ＩＯパッドを介して入力されるデータを選択してプログラムを希望するデータパスだけをアクティブさせて、ページバッファへのデータロード速度を改善し、過度電流により電流消費を低減して電力損失を防止できるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To simplify the shapes of an element active region and a gate electrode, facilitate pattern formation in a lithography process, reduce registration deviation of resist patterns, and relieve design rule of a divided path of a word line while variation in storage characteristics of a semiconductor storage device is prevented.例文帳に追加

素子活性領域およびゲート電極の形状の単純化を図り、リソグラフィ工程におけるパターン形成を容易にし、レジストパターンの合わせずれを低減して、半導体メモリの記憶特性の変動を防止しつつ、ワード線の分路の設計ルールの緩和を図る。 - 特許庁