「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes the semiconductor substrate, an active element formed in the first region of the semiconductor substrate, an inductor element formed above the second region of the semiconductor substrate different from the first region, and a trench part having a plurality of trenches formed in the backside of the semiconductor substrate in the second region, wherein the plurality of trenches are formed radially from a position corresponding to the center of the inductor element.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板の第１領域に形成された能動素子と、前記第１領域とは異なる前記半導体基板の第２領域の上方に形成されたインダクタ素子と、前記第２領域における前記半導体基板の裏面に形成された複数の溝を有する溝部とを備え、前記複数の溝は、前記インダクタ素子の中心部に対応する位置から放射状に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device manufactured by this manufacturing method comprises an active region including a high-voltage element region and a low-voltage element region, a semiconductor substrate 100 defined as an inactive region, an element isolation film 110 formed on the inactive region of the semiconductor substrate 100, and a gate oxide film 120 formed on the high-voltage region of the semiconductor substrate so that it has a uniform thickness.例文帳に追加

本発明の製造方法により製造された半導体素子は、高電圧素子領域と低電圧素子領域とを含む活性領域と、不活性領域とで定義される半導体基板と、前記半導体基板の不活性領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板の高電圧素子領域上に均一な厚さを有するように形成されるゲート酸化膜とを含む。 - 特許庁

A blue-violet semiconductor laser element 100 (a nitride semiconductor laser element) having an active layer 25 comprises: a semiconductor element layer 2 in which resonator end surfaces 2a and 2b are formed; an inorganic dielectric layer 30 formed on the resonator end surface 2a; and a fluorinated polymer layer 38 formed on the surface at the opposite side of the resonator end surface 2a of the inorganic dielectric layer 30.例文帳に追加

この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。 - 特許庁

The ferroelectrics memory cell used for an FeRAM element includes a first active region 10 including the gate of a depletion type transistor, a second active region 20 including the gate of an enhancement type transistor and abutting on the first active region 10, a word line 66 connected with the gates of the depletion type and enhancement type transistors, and a ferroelectrics capacitor for storing data therein and connected with the drain of the enhancement type transistor.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ素子に用いられる強誘電体メモリセルにおいて、空乏形トランジスタのゲートを含む第１活性領域１０と、エンハンスメント形トランジスタのゲートを含んで、前記第１活性領域と接する第２活性領域２０と、前記空乏形トランジスタのゲート及び前記エンハンスメント形トランジスタのゲートが接続されているワードライン６６と、データを貯蔵し、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインに接続された強誘電体キャパシタとを含んでなる。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor light-emitting element) includes a GaN substrate 10 having a principal growth plane 10a, and nitride semiconductor layers 11-18 each grown on the principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 and each including an active layer 14 (well layer 14a) containing In and a carrier block layer 15.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長され、Ｉｎを含む活性層１４（井戸層１４ａ）およびキャリアブロック層１５を含む窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。 - 特許庁

In the active matrix type electrooptical device, a nonlinear element 10 used as a pixel switching element is provided with: a lower electrode 13 composed of an alloy film of tantalum and niobium; an insulator 14 obtained by subjecting the surface of the lower electrode 13 to anodization; and an upper electrode 15 confronted with the lower electrode 13 via the insulator 14.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。 - 特許庁

The lithium secondary battery uses a lithium contained composite oxide, consisting of lithium cobaltate and a 0001-2 atom.% auxiliary element M (a transition or typical metal element other than Li, Co), based on cobalt of the lithium cobaltate, as a positive electrode active material and contains 60-95 vol.% γ-butyrolactone as the solvent for an electrolyte.例文帳に追加

正極活物質として、コバルト酸リチウムと、このコバルト酸リチウムのコバルトに対して０．００１〜２原子％の副成分元素M（Ｌｉ，Ｃｏを除く遷移金属および典型金属元素）とを有するリチウム含有複合酸化物を有し、電解質の溶媒としてγ−ブチロラクトンを６０〜９５体積％含有する構成のリチウム二次電池とした。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal medium capable of satisfying various characteristics required for an active matrix liquid crystal display element and having a low threshold voltage, a wide nematic temperature range and a low viscosity and useful as an electrooptical display element by including specific polar compounds.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤに求められる種々の特性を満足し、かつ、しきい値電圧が低く、広いネマティック温度範囲、低い粘性を有し、高い保持率を高温度まで維持できる液晶組成物およびこれを使用した液晶表示素子を提供する、若しくは従来より上記の欠点を改善した液晶組成物・液晶表示素子の提供。 - 特許庁

The active reflecting coefficient is reduced by placing the electric field planes of a plurality of element antennas orthogonally to an axis joining grating lobes at an angle that are generated by the main beam scanning of array antennas and the array antennas at a bore sight angle so as to reduce the electromagnetic coupling among a plurality of the element antennas.例文帳に追加

アレーアンテナの主ビーム走査に伴って発生するグレーティングローブの発生角度と上記アレーアンテナのボアサイト角度を結ぶ軸上において、上記複数の素子アンテナの電磁的な素子間結合が小さくなるように、上記複数の素子アンテナの電界面を上記軸と直交するように置いたことでアクティブ反射係数の低減を可能にした。 - 特許庁

The thin film device includes: the substrate; an electric field shielding plate formed above the substrate, the electric filed shielding plate having conductivity; and an active layer having a thin film element formed on the electric field shielding plate, the electric field shielding plate being connected to a potential of any electrode of the thin film element or a ground potential.例文帳に追加

本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

The positive-electrode active material is used with a composition such that at least one of sulfur (S), phosphorus (P), and fluorine (F) exists in the aggregate on the surface of a complex-oxide particle containing transition metal and metallic element M; and that the metallic element M has concentration gradient getting concentrated toward the surface from the center of the complex-oxide particle.例文帳に追加

遷移金属と金属元素Ｍとを含む複合酸化物粒子の表面に硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種が、複合酸化物粒子表面に凝集した形態で存在し、金属元素Ｍが、複合酸化物粒子の中心から表面に向けて濃くなる濃度勾配を有している正極活物質を用いる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor base 1, an insulating layer 2 for element isolation which is at least partially embedded in the semiconductor base 1, an active element formed in the semiconductor base 1 and including an impurity region, and a film 11 formed between the insulating layer 2 and semiconductor base 1, and having negative fixed charges.例文帳に追加

半導体基体１と、半導体基体１に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層２と、半導体基体１内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層２と半導体基体１との間に形成された、負の固定電荷を有する膜１１とを含んで半導体装置を構成する。 - 特許庁

It also includes a plurality of element formation areas 22, first insulation walls 32 surrounding the respective element formation areas 22, conductive walls 34 surrounding the first insulation walls 32, and second insulation walls 36 surrounding the conductive walls 34 when viewing the cross section parallel to the surface of the active layer 20.例文帳に追加

活性層２０を表面に平行する断面で観察すると、複数の素子形成領域２２と、各々の素子形成領域２２を囲繞している第１絶縁側壁３２と、各々の第１絶縁側壁３２を囲繞している導電側壁３４と、各々の導電側壁３４を囲繞している第２絶縁側壁３６が観測される。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with an optical fiber 20 for guiding laser beams where an optical fiber grating 30 is formed; and a pump laser module 10 constituted of a semiconductor laser element 11 with an SQW active layer 41 for emitting the laser beam, and a coupling optical system 15 for coupling the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 to the optical fiber 20.例文帳に追加

光ファイバグレーティング３０が形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバ２０と、ＳＱＷ活性層４１を有してレーザ光を出射する半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から出射したレーザ光を光ファイバ２０へ結合する結合光学系１５とから構成されるポンプレーザモジュール１０とを備えるようにする。 - 特許庁

To increase the flexural rigidity of cutting elements 15, 16 of a rotary cutter 1 provided with a plurality of cutting members 10 supporting the cutting elements 15, 16 and rotating on a vertical axis in work, wherein the cutting element has an active region 39 for cutting vegetables and a connecting region 37 connecting the cutting element to the supporting member of the cutting member.例文帳に追加

作業時に上方を向く軸線を中心に回転する複数の切断部材10を有し、切断部材には切断要素15、16が取り付けられ、切断要素は野菜を切断するための活動領域39と切断要素を切断部材の支持体に連結する連結領域37とを有する、回転式切断機械1の切断要素15、16の曲げ剛性を強くする。 - 特許庁

A system for testing the active matrix array including a plurality of transistors includes: an injecting element operative to apply a driving voltage to the selected transistors of the array; a readout circuit having amplifiers operative to selectively detect output signals; and a control circuit operative to control the injecting element and the readout circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタを含むアクティブマトリクスアレイをテストするシステムであり、アレイの選択されたトランジスタに駆動電圧を印加する働きをする注入素子と、出力信号を選択的に検出する働きをする増幅器を有する読み出し回路と、前記注入素子及び前記読み出し回路を制御する働きをする制御回路と、を含む。 - 特許庁

The recovery overvoltage suppressing means 16a of an active gate circuit 12a regulates the gate current of the semiconductor switching element S1 of one arm, so as to suppress the overvoltage of the recovery voltage of the reflux diode D2 of the other arm, at turn on of the semiconductor switching element S1 of one arm out of a pair of arms that form the leg of a power converter.例文帳に追加

アクティブゲート回路１２ａのリカバリ過電圧抑制手段１６ａは、電力変換器のレグを形成する一対のアームのうちの一方のアームの半導体スイッチング素子Ｓ１のターンオン時に他方のアームの還流ダイオードＤ２のリカバリ電圧の過電圧を抑制するように一方のアームの半導体スイッチング素子Ｓ１のゲート電流を調整する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された上側透明基板１３と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された下側基板１９と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層１５とを備える。 - 特許庁

This active material for the nickel electrode of alkaline battery comprises a first component of nickel hydroxide family and a second component containing one kind of element selected from among the element group of scandium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, lutetium, hafnium, tantalum, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold and mercury.例文帳に追加

アルカリ蓄電池用ニッケル電極活物質は、水酸化ニッケル系の第１成分と、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルピウム、ツリウム、ルテチウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金および水銀からなる元素群から選択された元素を１種含む第２成分とを含んでいる。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element, including a first-conductivity-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second-conductivity-type nitride semiconductor layer successively stacked on a substrate, in which a light extraction surface located above the second-conductivity-type nitride semiconductor layer has a conical or pyramidal projecting portion, as well as a method for manufacturing the nitride semiconductor light-emitting element are provided.例文帳に追加

基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第２導電型窒化物半導体層の上方に位置する光取り出し面が錐体状の凸部を有している窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

In the infrared active ranging device used both for a moving picture and a still picture using a light emitting element to project the light spot of infrared light toward a subject for a still-picture imaging or a moving-picture imaging, driving pulses are supplied to the light emitting element in a predetermined cycle and the light spot is repeatedly projected to the subject in the cycle when imaging the still picture.例文帳に追加

静止画撮影又は動画撮影の対象となる被写体に向けて赤外光の光スポットを投光する発光素子を用いた動画静止画共用赤外アクティブ測距方法であって、静止画撮影の場合、発光素子に所定の周期で駆動パルスを供給し、該周期で繰り返し光スポットを該被写体に投光する。 - 特許庁

There is provided an edge emitting semiconductor laser chip, including a support substrate (1) and an intermediate layer (2), wherein the intermediate layer (2) intermediates an adhesion between the support substrate (1) and an element structure (50) of the edge-emitting semiconductor laser chip, and at that time, the element structure (50) has an active region (5) provided for beam formation.例文帳に追加

端面発光型半導体レーザチップであって、支持基板（１）と、中間層（２）とを有し、前記中間層（２）は、支持基板（１）と端面発光型半導体レーザチップの素子構造（５０）との間の付着を媒介し、その際、該素子構造（５０）は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域（５）を有する、端面発光型半導体レーザチップ。 - 特許庁

The non-linear element 10 used as a pixel switching element in an active matrix type electro-optical device comprises a bottom electrode 13 formed of niobium or its alloy, an insulator 14 made by anodic oxidation of the surface of the bottom electrode 13, and a top electrode 15 which faces the bottom electrode 13 via the insulator 14.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、ニオブまたはその合金からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。 - 特許庁

The one end of a capacitor element 26 is connected to the gate electrode of an amplifying transistor 24, and a prescribed voltage or concretely, pulse signals PL whose ground level becomes active are applied to the other end of the capacitor element 26 to turn off the amplifying transistor 24 or put in a deep accumulation state, so that the 1/f noises of the amplifying transistor 24 can be reduced.例文帳に追加

増幅トランジスタ２４のゲート電極に容量素子２６の一端を接続し、当該容量素子２６の他端に所定の電圧、具体的には接地レベルがアクティブとなるパルス信号ＰＬを印加することで、増幅トランジスタ２４をオフ状態あるいは深いアキュミュレーション状態とし、増幅トランジスタ２４の１／ｆノイズを低減する。 - 特許庁

The additional pn junction at the peripheral part of the light emission area is removed by making high the resistance of the whole semiconductor layer from an element surface to an active layer at the peripheral part of the light emission area and a current spread right below a contact electrode is minimized to actualize the low capacity and high-speed operation of the element.例文帳に追加

本発明は発光領域周辺部において、素子表面から活性層にいたるまでのすべての半導体層を高抵抗化することにより、周辺部での付加的なｐｎ接合を取り除くとともに、コンタクト電極直下での電流広がりを最小限にすることにより、素子の低容量化・高速動作が可能となる。 - 特許庁

In this alkaline storage battery having a non-sintering-type positive electrode applying nickel hydroxide as an active material, a negative electrode, a separator and an electrolyte, at least a cobalt compound and a yttrium element compound are added into the positive material; and the cobalt compound and the yttrium element compound are oxidized by an alkaline aqueous solution to form the alkaline storage battery.例文帳に追加

水酸化ニッケルを活物質とする非焼結式の正極、負極、セパレータおよび電解液を有するアルカリ蓄電池において、前記正極中に少なくともコバルト化合物とイットリウム族元素化合物を添加し、かつ、そのコバルト化合物とイットリウム族元素化合物をアルカリ水溶液で酸化処理することによって、アルカリ蓄電池を構成する。 - 特許庁

To provide an air purification element including a gas-liquid contact member where electrolytic water and air are brought into contact and which is highly resistant to active oxygen such as ozone, suitable for cost reduction and superior in retentivity of electrolytic water such as ozone water, and an air cleaner incorporating the air purification element.例文帳に追加

電解水と空気が接触する気液接触部材を備えた空気浄化エレメント、及びこの空気浄化エレメントを組み込んだ空気清浄装置において、オゾン等の活性酸素に対する耐性が高く、低コスト化に適し、オゾン水等の電解水の保持性に優れた気液接触部材を備えた空気浄化エレメントを提供するものである。 - 特許庁

The first wavelength selection element 121 Bragg-reflects at least part of the light included in the optical emission spectrum in the active layer 103 and having a wavelength of λ_1 different from the wavelength λ_0 out of the light output from a first end surface 101 of the semiconductor laser diode 100 to feedback at least part of the Bragg-reflected light having a wavelength of λ_1 to the active layer 103.例文帳に追加

第１波長選択素子１２１は、半導体レーザダイオード１００の第１端面１０１から出力された光のうち、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれ波長λ_０と異なる波長λ_１の光の少なくとも一部をブラッグ反射させ、そのブラッグ反射させた波長λ_１の光のうち少なくとも一部を活性層１０３に帰還させる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1A has a refractive index distribution layer 17 provided on a GaN substrate 11 and composed of a gallium nitride based semiconductor with a periodic refractive index distribution extended in one dimension or two dimensions, an active layer 27 provided on the refractive index distribution layer 17, and a distortion relaxation layer 25 composed of InGaN and provided between the refractive index distribution layer 17 and the active layer 27.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、ＧａＮ基板１１上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層１７と、屈折率分布層１７上に設けられた活性層２７と、屈折率分布層１７と活性層２７との間に設けられたＩｎＧａＮからなる歪緩和層２５とを備える。 - 特許庁

This bipolar secondary battery has a power generating element formed by stacking a bipolar electrode 23, which has a positive electrode active material layer 13 formed in one surface of a collector 11 and a negative electrode active material layer 15 formed in the other surface of the collector 11, and a separator 17, and peripheral edge parts of the bipolar electrode 23 and the separator 17 are joined with each other through a seal part.例文帳に追加

双極型二次電池は、集電体１１の一方の面に形成された正極活物質層１３および集電体１１の他方の面に形成された負極活物質層１５を有する双極型電極２３と、セパレータ１７とが積層されてなる発電要素を有し、双極型電極２３およびセパレータ１７の周縁部がシール部を介して接合されてなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane.例文帳に追加

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 - 特許庁

A bipolar secondary battery has a power generating element formed by laminating a bipolar electrode having a current collector; a positive active material layer formed on one surface of the current collector; and a negative active material layer formed on the other surface of the current collector and the separator and is formed by jointing the periphery of the bipolar electrode and the periphery of the separator via a sealing part.例文帳に追加

本発明の双極型二次電池は、集電体と、集電体の一方の面に形成された正極活物質層と、集電体の他方の面に形成された負極活物質層と、を有する双極型電極、およびセパレータが、積層されてなる発電要素を有し、双極型電極およびセパレータの周縁部がシール部を介して接合されてなる。 - 特許庁

To provide a substrate for an active matrix type liquid crystal display device, and a liquid crystal display device provided therewith, capable of easily and exactly detecting a defective position and improving a yield of manufacture as the substrate for the active matrix type liquid crystal display device having a switching element for each pixel and the liquid crystal display device provided therewith.例文帳に追加

本発明は、画素毎にスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関し、欠陥が生じている位置を容易かつ確実に検出でき、製造歩留まりを向上できるアクティブマトリクス型液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element in which a plurality of semiconductor layers having an active layer that emits light by electric current injection are stacked on a substrate, comprises a metal dot layer neighboring the active layer, and the dot metal layer is configured so that a plurality of metal dots having a dot diameter to provide localized plasmon resonance for a prescribed wavelength are arranged in parallel to the substrate.例文帳に追加

基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、 前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、 前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element has a nitride semiconductor layer including a first nitride semiconductor layer, and an active layer, a second nitride semiconductor layer; and a protective film in contact with a cavity end face of the nitride semiconductor layer, wherein the protective film in contact with at least the active layer of the cavity end face has a region thinner than the maximum thickness of the first protective film.例文帳に追加

第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子であって、少なくとも共振器面の活性層に接触する保護膜が、前記保護膜の最大膜厚よりも薄い領域を有する窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery comprising a positive electrode, a negative electrode 4 containing a metallic negative electrode current collector 41 and a nonaqueous electrolyte, a negative electrode active material layer 42 containing an element alloyable with lithium is formed on the surface of the negative electrode current collector 41, and the surface of the negative electrode active material layer 42 is covered with a carbon material 43.例文帳に追加

正極と、金属製の負極集電体４１を含む負極４と、非水電解質とからなる非水電解質二次電池において、負極集電体４１の表面にリチウムと合金化可能な元素を含む負極活物質層４２が形成され、負極活物質層４２の表面が炭素材料４３で被覆されていることを特徴とする非水電解質二次電池である。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a substrate having a trench that defines an active region; an element isolation film buried in the trench; a pro-oxidant region formed at an upper corner portion of the trench to enhance oxidation at the upper corner portion of the trench when a gate insulating film is grown on the active region; and a gate conductive film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、活性領域を画定するトレンチが形成された基板と、該トレンチに埋め込まれた素子分離膜と、前記活性領域上にゲート絶縁膜の成長時に前記トレンチの上部縁部位での酸化を促進するために前記トレンチの上部縁部位に形成された酸化促進領域と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜と、を備える。 - 特許庁

In the laser element, the superlattice layer has a superlattice undoped layer, in which impurities are not doped in both the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer on the active layer side, and a superlattice impurity doped layer, in which impurities are doped in at least one of the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer outside the active layer.例文帳に追加

また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層は、活性層側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層および前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ層のいずれにも不純物がドープされていない超格子ノンドープ層と、活性層の外側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層または前記Ｉｎ_yＧａ_1_-yＮ層の少なくとも一方に不純物がドープされた超格子不純物ドープ層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor laser element comprises an active layer 4 having a window structure in a laser light emitting end face; and a p-type clad layer 5 formed on the surface of the active layer 4 and containing Mg and Zn as impurities, wherein an impurity concentration of Zn contained in the p-type clad layer 5 is larger than the impurity concentration of Mg contained in the p-type clad layer 5.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層４と、活性層４の表面上に形成され、不純物としてＭｇおよびＺｎを含有するｐ型クラッド層５とを備え、ｐ型クラッド層５に含有されるＺｎの不純物濃度は、ｐ型クラッド層５に含有されるＭｇの不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁

This lithium ion secondary battery 1 includes: a positive electrode containing, as a positive electrode active material, an oxide containing lithium and a transition metal element or a polyanion-based compound; a negative electrode containing, as a negative electrode active material, a carbon material capable of storing/releasing lithium; and a nonaqueous electrolytic solution prepared by dissolving an electrolyte in a mixed solvent of an organic solvent and a room temperature molten salt.例文帳に追加

リチウムと遷移金属元素とを含む酸化物、又はポリアニオン系化合物を正極活物質として含有する正極と、リチウムの吸蔵・脱離が可能な炭素材料を負極活物質として含有する負極と、有機溶媒と常温溶融塩との混合溶媒に電解質を溶解してなる非水電解液とを有するリチウムイオン二次電池１である。 - 特許庁

In a liquid crystal driving circuit equipped with a scanning line, data line, active element, pixel electrode, vertical scanning circuit 2, horizontal scanning circuit 5, first switch circuit, second switch circuit, and opening/closing pulse feeding circuit; a common potential is supplied to all active elements by a pre-charge signal feeding circuit just before a power source to be fed to the liquid crystal driving circuit is turned off.例文帳に追加

スキャンライン、データライン、能動素子、画素電極、垂直走査回路２、水平走査回路５、第１のスイッチ回路、第２のスイッチ回路及び開閉パルス供給回路を備える液晶駆動回路において、液晶駆動回路に供給される電源がオフになる直前に、全ての能動素子にプリチャージ信号供給回路によって共通電位を供給する。 - 特許庁

This gallium nitride compound semiconductor light-emitting element contains indium and aluminum, and at least a pair of clad layers 4 and 8, a quantum-well structure active layer 6, and a cooling layer 5 and a heating layer 7, including a GaN thin layer between at least either of the clad layer, and the quantum-well structure active layer are laminated on a substrate.例文帳に追加

インジウム及びアルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、基板上に少なくとも、一対のクラッド層４，８及び量子井戸構造活性層６、少なくとも一方のクラッド層と量子井戸構造活性層間に、ＧａＮ薄層を含む降温層５及び昇温層７が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

An organic EL element 40 includes an anode 60, a cathode 64 arranged to be opposed to the anode, an organic active layer 62 arranged between the anode 60 and the cathode 64 and a charge injection regulating layer 61 arranged between the anode 60 and the organic active layer 62 and exhibits such varistor characteristics that a conduction current due to an applied voltage changes.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、 陽極６０と、 陽極に対向して配置された陰極６４と、 陽極６０と陰極６４との間に配置された有機活性層６２と、 陽極６０と有機活性層６２との間に配置され、印加電圧による導電電流が変化するバリスタ特性を示す電荷注入調整層６１と、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the structure of the semiconductor laser element, an active layer extending along a crystal surface tilted against a principal surface of a substrate is supported between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer, and an end surface almost vertical to the crystal surface is made a resonant surface and an emitting area is made a part of an area in a tilted surface of the active layer.例文帳に追加

半導体レーザー素子の構造を、基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第１導電型半導体層と第２導電型半導体層で挟む構造とさせ、前記結晶面に略垂直な端面を共振面とさせると共に発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域とさせる。 - 特許庁