「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The element 18 consists of an active waveguide 18a, consisting of a composition which absorbs 1.3 μm band light, and a diffraction grating 18b which is disposed adjacent to the waveguide 18a and has Bragg wavelength near in the neighborhood of 1.55 μm.例文帳に追加

素子１８は、１．３μｍ帯光を吸収する組成からなる活性導波路１８ａと、導波路１８ａに隣接配置され１．５５μｍ付近にブラッグ波長を具備する回折格子１８ｂとからなる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a nitride substrate and a semiconductor layer part including an active layer structure emitting light of a peak emission wavelength λ and formed on a principal surface of the nitride substrate.例文帳に追加

窒化物基板と、ピーク発光波長λの光を発する活性層構造を含み前記窒化物基板の主面上に形成された半導体層部とを有し、式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element whose sufficient lifetime can be ensured and by which high emission efficiency can be ensured by suppressing overflow of carriers while suppressing dislocation density in an active layer and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.例文帳に追加

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁

To provide an apparatus for molding an optical element capable of keeping an active gas concentration low in the atmosphere in a chamber while the inner pressure of the chamber is kept at a certain level, retarding a deterioration of the mold, and lengthening the service life of the mold.例文帳に追加

チャンバー内圧を一定圧に保ちつつチャンバー内雰囲気の活性ガス濃度を低く保つことができ、型の変質を遅らせ、型の寿命を延ばすことができる光学素子成形装置を提供すること。 - 特許庁

In addition, the element of the amplifier 1 can be designed over a wide range when the structures, dimensions, and strain amounts of the horizontally long section and vertically long section above and below the horizontally long section of the cross-shaped active layers 102, 103, and 104 are changed.例文帳に追加

また、十字状の活性層の横長部分と、その上下に位置する縦長部分の構造、寸法、歪量を変化させることにより広範な半導体光増幅器の素子設計が可能となる。 - 特許庁

The hyperbolic drum type element, manufactured by the method has the advantage that diameter of the active layer, is uniform in a range of not more than several micrometers to several tens of nanometers, and thus is satisfactory in reproducibility, enabling mass production.例文帳に追加

本発明による製造方法で製造された双曲面ドラム型素子は、活性層の直径が数μm以下から数十nmまでの範囲で均一で再演性が良く、大量生産が可能であるという長所がある。 - 特許庁

In the ZnO semiconductor element, an n-type Mg_ZZnO layer 2, an undoped MgZnO layer 3, an MQW active layer 4, an undoped Mg_XZnO layer 5 and an acceptor-doped Mg_YZnO layer 6 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The electronic component comprises three covers 12, 13 and 15 for housing the active element chip 11, and a heat sink unit used as the upper surface cover 15 opposing the lower surface cover 13 having heat sink properties and fixed with the chip 11.例文帳に追加

能動素子チップ１１を収容する３つのカバー体１２，１３，１５のうち、チップ１１が固着された、放熱性を有する下面カバー体１３に対向する上面カバー体１５に放熱体を用いた。 - 特許庁

To provide a picture display device and a driving method therefor by which picture quality is improved by suppressing a blur generated on the edge when displaying a moving picture in the case of driving an electro-optical element by an active matrix method.例文帳に追加

本発明の目的は，電気光学素子をアクティブマトリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑制し画質を向上させることのできる画像表示装置及びその駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

A VCSEL 10 has: a lower DBR(Distributed Bragg Reflector) 14 including a semiconductor oxidized layer 32 formed on a substrate 12 and whose constituent element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 processed on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

A surface light-emitting laser element which keeps a lower section multi-layer film reflective mirror, an active layer, and an upper section multi-layer film reflective mirror stacked in this order on a semi-conductive board is arranged into an array form, and used to irradiate a laser beam.例文帳に追加

半導体基板上に、下部多層膜反射鏡と、活性層と、上部多層膜反射鏡とがこの順に積層された面発光レーザ素子をアレイ状に配置して使用し、レーザ光を照射する。 - 特許庁

Next, after the oxide-resistance film 4 and the sacrificial oxide film 3 in the first element active region are removed by using the resist 7, the resist 7 is removed and a gate oxide film 8 of a thickness of about 100 nm is formed.例文帳に追加

次に、レジスト７を用いて第１の素子活性領域内の耐酸化膜４及び犠牲酸化膜３を除去した後、レジスト７を除去し、１００ｎｍ程度の厚さのゲート酸化膜８を形成する。 - 特許庁

In the active AF, light beams from plural light projecting elements 17 are projected to an object 21 through a projecting lens 22, and then, the reflected signal light is received by a light receiving element 18 through a light receiving lens 23.例文帳に追加

アクティブＡＦでは、複数の投光素子１７からの光を投光レンズ２２を介して被写体２１に投光し、その反射信号光を受光レンズ２３を介して受光素子１８によって受光する。 - 特許庁

The battery contains a power generating element 15 in which a cathode plate 20 and a anode plate 30 having mixture layers 22, 32 containing active material formed on current collectors 21, 31 are wound through a separator 16.例文帳に追加

電池は、集電体２１，３１上に活物質を含有する合剤層２２，３２が形成された正極板２０と負極板３０とを、セパレータ１６を挟んで巻回してなる発電要素１５を収容してなる。 - 特許庁

If the monitoring circuit detects an output voltage change that is indicative of attachment of the electronic device or if the storage element needs to be replenished, the monitoring circuit can place the power converter circuit in an active mode of operation.例文帳に追加

監視回路が電子デバイスの装着を示す出力電圧変化を検出したとき、または、蓄積素子が充電の必要があるときは、監視回路は、電力変換器回路をアクティブ動作モードにする。 - 特許庁

The terminal has a pad 32 provided on the active surfac of an electronic element 31 with an IC chip 30 mounted thereon, a metal post 33 connected with the pad, and a bump electrode 33 provided on the metal post.例文帳に追加

本発明の端子は、ＩＣチップ３０を搭載した電子素子３１の能動面上に設けたパッド３２と、該パッドに接続された金属ポスト３３と、該金属ポスト上に設けた突起電極３３とを有する。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery and a non-aqueous electrolyte secondary battery using the same that has high cycle characteristics maintaining a high initial capacity by adding an element.例文帳に追加

元素添加によって高い初期容量を維持したまま、高いサイクル特性を具備した非水系電解質二次電池用正極活物質とそれを用いた非水系電解質二次電池を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor laser element has one support 2 on each side of a ridge 1 located above an active layer, and the support 2 is divided by a trench 3 formed along the short side of the ridge 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジ１の両側方に１本ずつサポート２を有し、サポート２は、リッジ１の短手方向に沿って形成された溝部３によって分割されている構成とする。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of improved light emitting output and better electrostatic resistance, for expanded application range to various application products, using an active layer of a multiplex quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Components of the occupation area of the active element 56 toward a pixel electrode 66 can be made small, so the effective pixel area E of the pixel electrode 6 can be made large and the aperture rate can, therefore, be increased.例文帳に追加

能動素子５６の占有面積のうち画素電極６６へ向かう成分を小さくできるので、画素電極６６の有効画素領域Ｅを大きくとることができ、それ故、開口率を大きくすることができる。 - 特許庁

A TFT itself formed on a substrate has an optimum structure to fit performance required by each circuit or element so that a highly reliable active matrix type light emitting device can be provided.例文帳に追加

また、基板上に形成されるＴＦＴ自体も各回路又は素子が必要とする性能に併せて最適な構造のＴＦＴを配置することで、信頼性の高いアクティブマトリクス型発光装置を実現することができる。 - 特許庁

The surface of the positive electrode collector at least on a side toward the positive electrode active substance layer is made from a material, containing 1 mass% of an element (for example platinum) having a work function of 4.5 or more.例文帳に追加

ここで、前記正極集電体のうち少なくとも前記正極活物質層側の表面は、仕事関数４．５以上の元素（例えば白金）を１質量％以上含む材料により構成されている。 - 特許庁

To obtain an active matrix liquid crystal display element comprising a thin film transistor in which the resistance of a wiring comprising a gate electrode and a gate line is lowered while retarding occurrence of hillocks in the wiring furthermore.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート電極及びゲート線からなる配線の低抵抗化を図るとともに、配線にヒロックがより一層発生しにくいようにする。 - 特許庁

A sensor unit 11 has a protection material 31, a sensor housing module 21, and an active element housing module 41 in this order in a multi-stage state so that the sensor surface of the sensor housing module may face the protection material.例文帳に追加

センサーユニット１１は、保護材３１とセンサー内蔵モジュール２１と能動素子内蔵モジュール４１をこの順でセンサー内蔵モジュールのセンサー面が上記保護材と対向するように多段状態で備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a gate insulation film is restrained from becoming partially thinner near ends of element separation films, and variations in an area of an active region is suppressed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜が素子分離膜端部の近傍で部分的に薄くなることを抑制でき、かつトランジスタのアクティブ領域の面積がばらつくことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor light-emitting element, which can enhance the proportion of incorporated In in a step of growing an active layer containing In on a GaN substrate, having a semipolar plane as main surface.例文帳に追加

半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly active electrode catalyst for a fuel cell composed of molybdenum, transition metal elements other than molybdenum, and a chalcogen element, and also to provide an index for performance evaluation useful for superior catalyst design.例文帳に追加

モリブデンと他の遷移金属元素とカルコゲン元素からなる高活性な燃料電池用電極触媒を提供するとともに、良好な触媒設計に役立つ性能評価のための指標を提供する。 - 特許庁

The positive electrode active material is composed of a mixture of spinel type lithium manganate and lithium cobaltate, and a first different element of at least either of Zr and Ti is added to the cobalt acid lithium.例文帳に追加

そして、正極活物質はスピネル型マンガン酸リチウムとコバルト酸リチウムとの混合物からなるとともに、コバルト酸リチウムはＺｒあるいはＴｉの少なくともどちらか一方の第１異種元素が添加されている。 - 特許庁

Pixel electrodes and common electrodes are arranged at equal intervals each other in a zigzag shape and two directions of electrical fields which are almost in parallel with a surface of an active element substrate are impressed between the pixel electrodes and common electrodes.例文帳に追加

画素電極と共通電極は互いに等間隔でジグザグ状に配置され、画素電極と共通電極の間には能動素子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer.例文帳に追加

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The second semiconductor optical element includes the InP semiconductor layer 1b, an InAsP (indium arsenic phosphorus) semiconductor layer 19b, and a second active layer 23b and a second compound semiconductor layer 25b which are installed on the second region 61b.例文帳に追加

第２の半導体光素子部は、第２の領域６１ｂ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、ＩｎＡｓＰ半導体層１９ｂ、第２の活性層２３ｂ及び第２の化合物半導体層２５ｂを含む。 - 特許庁

To provide a ZnO semiconductor element which uses a ZnO semiconductor and an organic material for active functions and has a completely novel function different from conventional functions for solving problems.例文帳に追加

上述した課題を解決するために創案されたものであり、ＺｎＯ系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するＺｎＯ系半導体素子を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has the projected electrodes and the solder balls formed on the electrodes, which are formed on pad electrodes exposed from aperture parts of a protective film of a silicon wafer active element surface and on the protective film around the pad electrodes.例文帳に追加

また、ＣＳＰ構造の半導体装置を対向基板の電極端子に実装した完成体を高温高湿から低温低湿等の厳しい条件下で使用すると断線等の問題が生じてしまう。 - 特許庁

Specifically, the stress-producing dielectric element includes a region of a collapsed oxide which contacts the entire bottom surface of the active semiconductor region so that it has an area of the same spread as an area of the bottom surface.例文帳に追加

具体的には、応力を発生する誘電体エレメントは、活性半導体領域の底面の全面に接触し、それゆえ底面の面積と同一の広がりを持つ面積を有するコラプスド酸化物の領域を含む。 - 特許庁

To provide an electrode active material reducing the amount of a rare metal element such as lithium and producing a sodium secondary battery having a greater discharge capacity-maintaining rate during repeating charge and discharge.例文帳に追加

リチウム等の稀少金属元素の量を減少させることができ、しかも、充放電を繰り返した際の放電容量維持率がより大きいナトリウム二次電池を与えることのできる電極活物質を提供する。 - 特許庁

In the switching element constituted of the gate electrode, an active layer, a source electrode and the drain electrode, one side of a part which is overlapped with the drain electrode in one side of the gate electrode is constituted in a shape bent inside.例文帳に追加

ゲート電極とアクティブ層とソース電極及びドレーン電極で構成されるスイッチング素子において、ゲート電極の一辺の中上記ドレーン電極と重なる部分の一辺を内側に折れた形状で構成する。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer having a polar plane at least partially, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The positive electrode contains 0.5-5 wt.% of zeolite relative to the positive electrode active material, and the zeolite has an effective pore diameter larger than the ion radius of the metal element and equal to or less than 0.5 nm (5 Å).例文帳に追加

そして、正極は、正極活物質に対して０．５〜５ｗｔ％のゼオライトを含有し、そのゼオライトは、有効細孔径が前記金属元素のイオン半径より大きく０．５ｎｍ（５Å）以下のものである。 - 特許庁

To provide a vertical aligned type active matrix liquid crystal display element, where liquid crystal molecules in respective pixels are stably aligned in the falling orientation by application of voltage and an image having satisfactory quality can be displayed.例文帳に追加

各画素の液晶分子を書込み電圧の印加により安定に倒れ配向させ、良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The selective placement of the region containing the metal element allows whisker to be generated effectively in the active material layer formed on the current collector, and also allows the generation region to be controlled.例文帳に追加

該金属元素を含む領域を選択的に配置することで、集電体上に形成される活物質層においてウィスカーを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。 - 特許庁

The electrode for a power storage device is provided by selectively placing a region containing a metal element serving as a catalyst on a current collector and then forming an active material layer, and a power storage device including the electrode is provided.例文帳に追加

集電体上に、触媒として機能する金属元素を含む領域を選択的に配置した後、活物質層を形成した蓄電装置用電極およびこれを用いた蓄電装置を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-type nitride semiconductor 104; a p-type nitride semiconductor 106; and an active layer disposed between the n-type nitride semiconductor 104 and the p-type nitride semiconductor 106.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery capable of restraining decrease of battery capacity and increase of internal resistance after a charge and discharge cycle in the lithium ion secondary battery having a negative electrode active material including group 6 element oxide.例文帳に追加

６族元素酸化物を含む負極活物質を備えたものにおいて、充放電サイクル後の電池容量の低下及び内部抵抗の上昇をより抑制できるリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁