「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide transparent transistor and semiconductor circuit to avoid deterioration in an opening rate and disfigurement of a display element due to opaque transistor and semiconductor circuit, and to provide an active matrix display device such as an organic EL element or a liquid crystal display element in which the semiconductor circuit is used as a selective driving circuit.例文帳に追加

トランジスタや半導体回路が不透明であることによる表示素子の開口率の低下や外観を損ねることを回避するために、透明なトランジスタおよび半導体回路を提供することが目的であり、第２に該半導体回路を選択駆動回路として用いた有機ＥＬ素子或いは液晶表示素子等のアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生ＭＯＳ ＦＥＴが形成されることが無いＳＯＩ型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a light-emitting device having an active matrix driving type pixel structure in which a TFT is provided for each pixel, there is provided a feature that a reverse-direction voltage is applied to the light-emitting element without intervention of the TFT.例文帳に追加

各画素にＴＦＴが備えられたアクティブマトリクス駆動方式の画素構造を有する発光装置において、発光素子にＴＦＴを介さずに逆方向電圧を印加することに特徴を有している。 - 特許庁

To solve the problem, wherein conventional methods of manufacturing a semiconductor element invite high manufacturing cost related to a mask or reticles and failures in adjustment between photolithographic processes of a capacitor, an active region, a transistor and a bit line contact.例文帳に追加

従来の半導体素子の形成方法では、マスクまたはレチクルに関連する高製造コストを招き、コンデンサ、活動領域、トランジスタおよびビット線コンタクトのフォトリソグラフィープロセスの間で調整不良が生じる。 - 特許庁

Thus, an extremely large dispersion is not caused in a potential of each pixel capacitance with respect to the potential of the data signal lines S, so that the dispersion of a leak current flowing via an active element of each pixel can be suppressed.例文帳に追加

したがって、データ信号線Ｓの電位に対する各画素容量の電位に極端に大きなばらつきを生じることはなく、各画素のアクティブ素子を介するリーク電流のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a condition advantageous for formation of an organic active film in production of an organic thin film transistor, and to provide an organic gate insulating film which imparts an element with improved performance and provide an organic thin film transistor using the same.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造において、有機活性膜の形成に有利な条件を提供し、素子特性を向上させうる有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an active clamp DC/DC converter that can reduce turn-on loss of a main switching element with a reduction in maximum output voltage or an increase of cost and circuit scale being minimized.例文帳に追加

最大出力電圧の低下やコスト及び回路規模の増大を抑えつつ、メインスイッチング素子がオンする際の損失を抑えることが可能なアクティブクランプ型ＤＣＤＣコンバータを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic semiconductor element in which the active layer can be formed which is patterned to have an excellent pattern shape while being prevented from decreasing in electric characteristics thereof.例文帳に追加

活性層の電気的特性の低下を防止でき、しかも良好なパターン形状を有するようにパターニングされた活性層を形成することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the current which flows in the power supply lines becomes only for the load current of the selected element circuits and current measurement is conducted at the signal controller side outside a display region, even in an active matrix panel.例文帳に追加

したがって、電源線を流れる電流は選択された素子回路のみの負荷電流となるので、アクティブマトリクスのパネルであっても、表示領域外の信号コントローラ側で共通に電流測定を行うことができる。 - 特許庁

The first slope S1 close to the center of the active region L is comparatively sharp, and the second slope S2 close to the side wall of the element isolation groove 2 is gentler than the first slope S1.例文帳に追加

活性領域Ｌの中央部に近い第１の傾斜面（Ｓ_1 ）は、比較的急峻な傾斜面であり、素子分離溝２の側壁に近い第２の傾斜面（Ｓ_2 ）は、第１の傾斜面（Ｓ_1 ）よりも緩やかな傾斜面である。 - 特許庁

And in a state where the output voltage is saturated, the torque current is made to follow a torque current command by setting the dead-zone element 33E into an active state, and the magnetic flux current is made to renounce following a magnetic flux current command.例文帳に追加

また、出力電圧が飽和した状態では、不感帯要素３３Ｅを能動状態としトルク電流をトルク電流指令に追従させ、磁束電流は磁束電流指令への追従を放棄する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

To improve the quality of a moving picture, to reduce the number of active elements required per a source wiring and to obtain multi-level display with less source drive circuit scale in a display device using an organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、動画質を改善すると共に、ソース配線１本当たりに必要なアクティブ素子の数を減らし、より少ないソースドライバ回路規模で多階調表示を得る。 - 特許庁

The GaN-based light-emitting element is constituted, in such a way that the GaNP layer which is changed into a mixed crystal by executing heat treatment is used as the active layer with reference to a multilayer film 30', which is constituted by laminating GaN layers and GaP layers.例文帳に追加

ＧａＮ層とＧａＰ層との積層により構成される多層膜３０’に対し、熱処理を施すことで混晶化されたＧａＮＰ層を活性層としてＧａＮ系発光素子を構成する。 - 特許庁

An active element substrate 31 has an electric field shielding conductor layer 60 for cutting off a leak electric field from a scanning line 24 to a display pixel part closer to a liquid crystal layer 32 than to the wiring area of the scanning line 24.例文帳に追加

能動素子基板３１は、走査線２４から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層６０を、走査線２４の配線領域よりも液晶層３２に近い層に備える。 - 特許庁

The control means controls the values (duty ratio) of a control signal (PWM signal) to gradually increase it while holding the interval period (τ2) of a value inactivating the active element between them during the starting mode of the applying means.例文帳に追加

制御手段は、印加手段の起動モードにおいて、制御信号（ＰＷＭ信号）の値（デューティ比）を、能動素子を能動化しない値のインターバル期間（τ２）を挟んで徐々に増加させるように制御する。 - 特許庁

This nonaqueous lithium type electricity storage element is structured such that an edge rate (L/S) being a ratio of the total length L (cm) of an visible outline in a plan view to a plane area S (cm^2) of the negative electrode active material layer satisfies 0.10<L/S<1.00.例文帳に追加

負極活物質層の平面積Ｓ（ｃｍ^2）に対する平面視における外形線の全長Ｌ（ｃｍ）の比率であるエッジ率（Ｌ／Ｓ）が、０．１０＜Ｌ／Ｓ＜１．００を満たすように構成する。 - 特許庁

A wiring-inhibited region 10 is arranged in the active side of an IC chip 1, and a transparent see-through region 3 is arranged so as to cope with the wiring-inhibited region, in the transparent substrate 9 of a display element mounted with the IC chip 1.例文帳に追加

ＩＣチップ１の能動面に配線禁止領域１０を設け、ＩＣチップ１が実装される表示素子の透明基板９に配線禁止領域に対応するように透明な透視領域３を設ける。 - 特許庁

This circuit is controlled with the first bit and word lines, and further provided with a clear logic circuit for setting a memory element to a first value when the first bit and word lines are active.例文帳に追加

また、この回路は、第１のビット線及び第１のワード線によって制御され、前記第１のビット線及び前記第１のワード線が活動状態の場合、メモリ素子を第１の値に設定するクリア論理回路を備える。 - 特許庁

To construct an active matrix driven liquid crystal element, capable of gray scale displaying by using fast responsiveness of a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase and improving contrast, by preventing alignments defect due to difference in level of wiring.例文帳に追加

カイラルスメクチック相を示す液晶の高速応答性を利用し、配線の段差に起因する配向欠陥を抑制してコントラストを向上し、階調表示が可能なアクティブマトリクス駆動型の液晶素子を構成する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element wherein an n-type semiconductor layer having a good crystallinity can be formed while suppressing the degradation of In-contained active layers such as a light receiving layer and a light emission layer.例文帳に追加

Ｉｎを含む受光層や発光層等の能動層の劣化を抑制しながら、良好な結晶性を有するｎ型半導体層を形成することが可能な光半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bulk-heterojunction organic photoelectric conversion element is characterized in that an active layer is obtained by adding a third component to a system, i.e., a mixture of a polythiophene derivative and a C60 derivative.例文帳に追加

バルクへテロ型有機光電変換素子において活性層がポリチオフェン誘導体とC６０誘導体の混合物である系に第３の成分を加えてなることを特徴とするバルクへテロ型有機光電変換素子。 - 特許庁

The coating (16) becomes a protective layer used to protect an exposure region in an active image sensing element structure (12) while the array (14) is being formed, and the intrinsic transmission characteristic of the structure (12) is maintained.例文帳に追加

底部反射防止皮膜(16)は、カラーフィルタアレイ(14)の形成中に能動イメージセンシング素子構造(12)の露出領域を保護する保護層になり、これにより能動イメージセンシング素子構造(12)の本来の透過特性が維持される。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element 11a includes a base 13 made of a GaN semiconductor, a first conductivity-type AlGaN region 15, a second conductivity-type GaN-based semiconductor layer 17 and an active layer 19.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１ａは、ＧａＮ半導体からなる支持体１３と、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と、第２導電型ＧａＮ系半導体層１７と、活性層１９とを備える。 - 特許庁

The active material for the lithium secondary battery has sulfur added as an additive element to a main ingredient of a basic formula: LiMePO_4 (where Me is at least one kind selected from among Fe, Mn, Ni, and Co).例文帳に追加

リチウム二次電池用活物質は、基本式ＬｉＭｅＰＯ_4（但し、Ｍｅは、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種以上）の主成分に対して、添加元素としての硫黄が添加されてなる。 - 特許庁

A frame-like etching stopper 7 is provided in the SOI substrate 2 using a material not corroded with etching liquid for the insulating layer 4 and a piezoelectric resistive element 8 is provided at a part of an active layer 5 inside the etching stopper 7.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２には、絶縁層４用のエッチング液に浸食されない材料を用いて枠状のエッチングストッパ７を設け、活性層５のうちエッチングストッパ７の内側部位にピエゾ抵抗素子８を設ける。 - 特許庁

To provide a vertical alignment mode liquid crystal device which is capable of display with high quality by preventing disorder of alignment controlling in a connecting section between an active element and a pixel electrode, and to provide electronic equipment using the same.例文帳に追加

アクティブ素子と画素電極との接続部分における配向制御の乱れを防止し、高品位な表示を行うことが可能な垂直配向方式の液晶装置、及びそれを用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a method and material for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material such as a light emitting material disposed therein; and to provide an element formed using the same.例文帳に追加

重合性非晶質母材を前記母材に配置された発光材料など、電気活性材料でパターン化するための材料および方法、並びに前記材料および方法を用いて形成された素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element having an active layer has a protective film 30 made of silicon oxide with a thickness depending on optical density formed in a region of an end surface forward of a resonator, which emits light during operation.例文帳に追加

活性層を有する半導体発光素子であって、共振器前方端面のうち動作時に光を出射する領域には光密度に応じた膜厚の酸化シリコンからなる保護膜３０が形成されている。 - 特許庁

The bias circuit for applying a voltage to a control terminal 106 of a first active element 104 for amplifying an RF signal includes: first and second temperature compensation circuits; and a threshold voltage dispersion compensation circuit.例文帳に追加

ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子１０４の制御用端子１０６に電圧を供給するバイアス回路において、第１及び第２の温度補償用回路と、しきい値電圧バラツキ補償用回路と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor opto-electrical element 1 comprises a semiconductor region 3 of a first conductivity type, active layer 5, potential controlling layer 2, semiconductor region 7 of a second conductivity type, first DBR 8a, and second DBR 8b.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２と、第２導電型半導体領域７と、第１のＤＢＲ部８ａと、第２のＤＢＲ部８ｂとを備える。 - 特許庁

To provide an image display which prevents image quality from decreasing without decreasing a speed of image display switching even when an active element having low charging capability for an image constituent member is used.例文帳に追加

画像構成部材に対する充電能力が低いアクティブ素子を用いた場合でも、画像表示切り換えの速度を悪化させることなく画像品質の低下を防止することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device, being an active matrix liquid crystal display device for controlling a pixel by using a switching element with superior viewing angle characteristics and high-luminance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、スイッチング素子を用いて画素を制御するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関し、視角特性に優れて高輝度な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The charge storage film includes a charge film formed on the active region and having predetermined charge trap characteristics, and an altered charge film formed on the element isolation insulating film and having charge trap characteristics inferior to those of the charge film.例文帳に追加

電荷蓄積膜は、活性領域上に形成され所定の電荷トラップ特性を有するチャージ膜と、素子分離絶縁膜上に形成されチャージ膜よりも電荷トラップ特性の劣る変質チャージ膜とを備える。 - 特許庁

To provide a device which achieves active cooling of an optical element embodied as a front surface mirror or as a lens in a catadioptric projection objective system or a reflective projection objective system used for a microlithography projection exposure apparatus.例文帳に追加

マイクロリソグラフィ投影露光装置に用いられる反射屈折投影対物系又は反射投影対物系の光学要素、特に、前面ミラー又はレンズの能動的冷却が可能な装置を提供する。 - 特許庁

Propylene is formed by bringing an ethylene-containing reaction gas into contact with a catalyst having as an active component a zeolite containing at least one metallic element selected from the group consisting of Cu, Fe, Co, Cr, and Pt.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔよりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を含有するゼオライトを活性成分に有する触媒に、エチレンを含む反応ガスを接触させてプロピレンを生成させる。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency by choosing a plurality of kinds of materials as an electron-donating compound material for an organic active layer on the basis of a predetermined combination standard.例文帳に追加

有機活性層の電子供与性化合物材料として複数種の材料を所定の組み合わせ基準に基づき選定することにより光電変換効率が高い有機光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The VCSEL 10 includes: a lower DBR 14 formed on a substrate 12 and including a semiconductor oxidized layer 32 whose constitution element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 worked on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

With this constitution, the semiconductor laser element 1 speedily conducts heat generated through light absorption of an active layer 12 etc., to the outside via the thermally conductive film 22 to improve the heat dissipation.例文帳に追加

このような構成により、半導体レーザ素子１では、活性層１２での光吸収などによって発生した熱が熱伝導性膜２２を介して速やかに外部に伝導し、放熱性の向上が図られる。 - 特許庁

The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加

素子活性部１０１は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域１０５およびドレイン領域１０６と、ソース領域１０５とドレイン領域１０６との間に介在するチャネル領域１０７とを含む。 - 特許庁

The material for forming the electrochemical element electrode comprises an electrode active material and the composite particles including a binder, with a mean surface void of the composite particles of ≥15%.例文帳に追加

本発明に係る電気化学素子電極形成用材料は、電極活物質および結着剤を含有する複合粒子からなり、該複合粒子の表面平均空隙率が１５％以上であることを特徴としている。 - 特許庁

An input protection circuit device comprises an MOS active element 3 formed within a well region 12 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11, and first to third wiring layers 16, 17, 18.例文帳に追加

入力保護回路装置は、半導体基板１１の主表面に形成されたウェル領域１２中に形成されるＭＯＳ型能動素子３と、第１乃至第３の配線層１６，１７，１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a solvent recovery method which uses an active carbon fiber (ACF) element and retards the decrease of ACF by oxidative gases in a gas to be treated.例文帳に追加

活性炭素繊維（ＡＣＦ）エレメントを用いることによる溶剤回収方法であって、被処理ガス中に含まれる酸化性ガスによるＡＣＦの減量化を遅延減量化することができる溶剤回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a method for driving the device that can improve holding characteristics of an active element in a vertical blanking period with low power consumption and with no increase in a circuit scale.例文帳に追加

本発明は、低消費電力で、且つ回路規模を増大させることなく、垂直ブランキング期間中の能動素子の保持特性を向上させることができる液晶表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁