「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor laser element, a semiconductor layer interface 116 containing oxygen atoms is present at least above an active layer 103 in the internal region of the laser resonator, and a peak wavelength of photoluminescence on the active layer 103 in end face close region of the laser resonator is shorter than a peak wavelength of photoluminescence on the active layer in the inner region of the laser resonator.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、酸素原子を含む半導体層界面１１６が少なくともレーザ共振器の内部領域の活性層１０３の上方に存在し、かつ、レーザ共振器の端面近傍領域の活性層１０３のフォトルミネッセンスのピーク波長が、レーザ共振器の内部領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長よりも短くなっている。 - 特許庁

A nickel-hydrogen battery includes a negative electrode furnished with hydrogen storage alloy and a positive electrode equipped with a positive electrode active material layer containing a positive electrode active material using as the base material at least either of nickel hydroxide and nickel oxide and an element having such a property as heightening the rate of utilization of the positive electrode active material when added thereto and a property to make segregation when the cyclic number of charge and discharge increases.例文帳に追加

ニッケル水酸化物およびニッケル酸化物の少なくとも一方を基材とする正極活物質と、正極活物質に添加され正極活物質の利用率を高める性質と充電放電のサイクル数が増加すると偏析する性質とをもつ元素とを含む正極活物質相を備た正極と、水素吸蔵合金を備えた負極とを有するニッケル水素電池である。 - 特許庁

In the laminated element 2, a part formed of the internal electrodes 4A, 4B stacked in the laminating direction is formed as an active part P and a part (both end portions of the laminated element 2) formed of the internal electrodes 4A, 4B not stacked in the laminating direction is formed as an inactive part Q.例文帳に追加

積層体２において、内部電極４Ａ，４Ｂが積層方向に重なり合っている部分は活性部Ｐとなっており、内部電極４Ａ，４Ｂが積層方向に重なり合っていない部分（積層体２の両側端部）は不活性部Ｑとなっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing aqueous paste for forming a power storage element electrode, in which an active material, a conduction aid, and a binder are finely homogeneously dispersed, high in workability, low in risk of damaging an environmental load and health of a human body; and to provide the power storage element electrode.例文帳に追加

活物質、導電助剤、結着剤が微細で均質に分散され、高い加工性を有し、環境負荷及び人体の健康を損ねる危険性の小さな、蓄電素子電極形成用水性ペーストの製造方法、及び蓄電素子電極を提供する。 - 特許庁

Namely, the heat generated in the first active region R1 is prevented (relieved) from thermally concentrating on a center portion of the semiconductor element 2, and effect of heat diffusion to the periphery is enhanced to lower the highest temperature of the semiconductor element 2, thereby making a temperature distribution uniform.例文帳に追加

すなわち、第１活性領域Ｒ１で生じた熱が半導体素子２の中央部へ熱集中するのを防ぐ（緩和する）と共に、周囲への熱拡散効果を高め、半導体素子２の最高温度を低下させ、温度分布を均一化することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix substrate includes: a step of forming an organic protection film for a switching element on a substrate on which the switching element is formed and which at least partially has a surface portion whose contact angle with water is 20° or below (organic protection film formation step).例文帳に追加

スイッチング素子が形成された、水との接触角が２０°以下である表面部分を少なくとも一部に有する基板に、該スイッチング素子の有機保護膜を形成する工程（有機保護膜形成工程）を有する、アクティブマトリックス基板の製造方法。 - 特許庁

The solid catalyst contains an element selected from the group of copper and silver of group 11 of the periodic table as an active component and an element selected from the group of antimony and bismuth of group 15 of the periodic table, and is substantially free from elements of the platinum group.例文帳に追加

活性成分として元素の周期律表第１１族の銅及び銀より成る群から選ばれた元素と、第１５族のアンチモン及びビスマスより成る群から選ばれた元素とを含有し、白金族元素を実質的に含有していない固体触媒。 - 特許庁

The catalyst contains at least one element selected from the group of copper and silver of group 11 of the periodic table as an active component and at least one element selected from the group of vanadium, niobium and tantalum of group 5 and is substantially free from elements of the platinum group.例文帳に追加

活性成分として元素の周期律表第１１族の銅及び銀より成る群から選ばれた元素と、第５族のバナジウム、ニオブ及びタンタルより成る群から選ばれた元素とを含有し、白金族元素を実質的に含有していない固体触媒。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

A stress effect relaxation region B with a width of 2 μm or more of relaxing the stress effect of affecting the operating characteristic of the element in which an element isolation region 20 is formed in each active region 11 on the periphery of a circuit forming region A.例文帳に追加

回路形成領域Ａの周囲には、素子分離領域２０が各活性領域１１に形成される素子の動作特性に影響を与える応力効果を緩和するための２μｍ以上の幅を持つ応力効果緩和領域Ｂが形成されている。 - 特許庁

The first semiconductor layer (120) contains a gettering element and a catalyst element accelerating the crystallization of the second semiconductor layer, and the active layer (132) overlaps with the first semiconductor layer (120) when viewed from the normal direction of the back surface (112b) of the transparent substrate (112).例文帳に追加

第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

In this case, the hydrophilic layer contians the metal compound particle carrying the metal fine pieces deposited on the surface by irradiating the original plate with an active beam in the presence of the metal salt of a metal element of which the ionization tendency is at a lower rank (nobler) than that of an hydrogen element.例文帳に追加

特に、水素元素よりもイオン化傾向が後順位（貴）である金属元素の金属塩の存在下に活性光を照射して表面に析出した金属微小片を担持した金属化合物粒子を含有する平版印刷用原板。 - 特許庁

An active region and trench element isolating region are provided on a semiconductor substrate 100 while the trench element isolating region is composed of a sidewall insulating films 120 made of thermal oxide films, exposure preventive films 122 made of high temperature oxide films and insulator buried in films 130 made of low temperature oxide films.例文帳に追加

半導体基板上１００に活性領域及びトレンチ素子分離領域を備え、トレンチ素子分離領域は熱酸化膜の側壁絶縁膜１２０、高温酸化膜の露出防止膜１２２及び低温酸化膜の絶縁物埋込層１３０からなる。 - 特許庁

To ensure a device working speed at a high speed, even by a large reverse bias operation and an ultra-high speed modulation in an optical integrated device, in which the active layers of a reverse biased semiconductor optical element and the positive (or zero) biased semiconductor optical element are abutted and jointed mutually.例文帳に追加

逆バイアスされる半導体光素子と順（又はゼロ）バイアスされる半導体光素子の活性層どうしを突合せ接合している光集積デバイスにおいて、大きな逆バイアス動作や超高速変調をしても、高速なデバイス動作速度を確保する。 - 特許庁

Namely, to maintain the desirable limited field of view, the light receiving element 16 having a wider field of view than a light receiving element has a corresponding field of view is adopted for active interruption of the field of view by the partitioning part 30.例文帳に追加

すなわち、本発明では、制限させた所望の視野を確保するために、その視野に合致した受光素子を用いるのではなく、その視野より広い視野をもった受光素子１６を採用して、その視野を、仕切り部３０で積極的に遮るようにする。 - 特許庁

To provide: a semiconductor light-emitting element which has an InGaN active layer of high In composition having a uniform composition distribution, the semiconductor light-emitting element emitting light of ≥480 nm in light emission wavelength with high luminous efficiency and being superior in mass-productivity; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

均一な組成分布を有する高In組成のInGaNの活性層を有する素子であって、発光波長が４８０nm以上の発光を高い発光効率で実現でき、しかも量産性に優れた半導体発光素子およびその製造方法を提供する提供する。 - 特許庁

To solve the problem occurring when an upper electrode of a two- terminal nonlinear resistance element is etched without increasing the cost by forming the lower electrode and the upper electrode of the resistance element from the same kind of metal films in an MIM active matrix liquid crystal display device.例文帳に追加

ＭＩＭ型のアクティブマトリクス型液晶表示装置で、２端子非線形抵抗素子の下部電極と上部電極とを同種の金属膜を用いて形成し、上部電極をエッチング形成する際に生じる問題を、コストアップを避けて解決する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element wherein an active element region having a lattice constant larger than that of a single crystal nitride based semiconductor layer and good crystallinity is formed on the nitride based semiconductor layer, and a method for fabricating the same.例文帳に追加

単結晶の窒化物系半導体層上にその窒化物系半導体層よりも大きな格子定数を有し、かつ、良好な結晶性を有する能動素子領域が形成された窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To suppress deterioration due to redox decomposition of a nonaqueous electrolyte in a lithium ion secondary battery using a positive electrode active material composed of a lithium manganese based oxide containing a lithium (Li) element and a tetravalent manganese (Mn) element and having a crystal structure belonging to a layered rock-salt structure.例文帳に追加

リチウム(Li)元素および4価のマンガン(Mn)元素を含み結晶構造が層状岩塩構造に属するリチウムマンガン系酸化物からなる正極活物質を用いたリチウムイオン二次電池において、非水電解液の酸化還元分解による劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which each of pixels Aij arranged in a matrix form placement is provided with an active element TR1 and a liquid crystal element LC at low cost and which can deal with pixel defect at a low cost and at any time even in a complicated circuit structure.例文帳に追加

マトリクス状に配置された画素Ａｉｊのそれぞれがアクティブ素子ＴＲ１および液晶素子ＬＣを備えて構成される液晶表示装置において、低コストに、また複雑な回路構成においても、画素欠陥に常時対応可能とする。 - 特許庁

The semiconductor device is designed by the cell-base method using a ferroelectric capacitive standard cell 100 wherein an active element such as a transistor is not formed but the electric capacitive element is formed between power lines 120A and 120B having a predetermined width.例文帳に追加

所定幅の電源線１２０Ａと電源線１２０Ｂとの間にトランジスタ等の能動素子が形成されておらず、強誘電体容量素子が形成されている強誘電体容量スタンダードセル１００を用いて、セルベース方式で半導体装置を設計する。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

A semiconductor element includes: semiconductor layers 203 and 204 formed on a semiconductor substrate 201 to provide an active region and having a recessed part formed at the lower end of a sidewall; a first insulating film 202A for element isolation; and a second insulating film 206 for element isolation formed on the sidewall of the first insulating film 202 and the semiconductor layers 203 and 204.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板２０１上に形成されて活性領域を提供し、側壁下部端に凹部が形成された半導体層２０３、２０４と、素子分離用の第１の絶縁膜２０２Ａと、第１の絶縁膜２０２及び半導体層２０３、２０４の側壁に形成された素子分離用の第２の絶縁膜２０６とを備えている。 - 特許庁

On the active matrix type organic electroluminescent element, an organic electroluminescent diode and an array element are formed on different substrates separately, whereby, even if a defect is generated at either of an array element manufacturing process or an organic electroluminescent diode manufacturing process, the defective substrate is removed, and two non-defective substrates are stuck to each other.例文帳に追加

本発明による有機電界発光素子は、有機電界発光ダイオードとアレイ素子を各々異なる基板に構成することによって、アレイ素子の製造段階と有機電界発光ダイオードの製造段階のいずれかの工程で不良が発生したとしても、不良が発生した基板を除去して、良品の２枚の基板が合着される。 - 特許庁

To prevent the situation in which element impedance is erroneously detected when the output current of an air/fuel ratio sensor becomes a value impossible to measure and element temp. rises excessively in a case holding the air/fuel ratio sensor to an active state, by detecting element impedance from AC characteristics to feed back the same to control a heater.例文帳に追加

交流特性から素子インピーダンスを検出しそれをフィードバックしてヒータ制御を行うことで空燃比センサを活性状態に維持する空燃比検出装置において、空燃比センサの出力電流が計測不可能な値となるようなときに素子インピーダンスが誤検出されて素子温度が過度に上昇するという事態を防止する。 - 特許庁

To provide an active matrix display element using a phosphorescent material for color having low light emission efficiency among red, green, and blue colors expressed using a conventional fluorescent material and using the fluorescent material for remaining colors by a full color organic electroluminescent element, reduce power consumption of the display element to increase competitive strength of a product, and enable the manufacture of a large area full color display element.例文帳に追加

フルカラー有機電界発光素子によって、従来の蛍光物質を用いて表現される赤色と緑色と青色のうち発光効率が低い色には燐光物質を用い、残りの色には蛍光物質を用いた能動マトリックス型表示素子の提供を可能にし、並びに、表示素子の消費電力を低減し製品の競争力を高める一方で大面積フルカラー表示素子の製作を可能にする。 - 特許庁

An active filter employed in a PLL circuit having two charge pump circuits at the post-stage of a phase comparator comprises a first circuit element connected between the output of one charge pump circuit and the earth, a second circuit element connected between the output of the other charge pump circuit and the earth, and a voltage adder for adding the voltage across the first circuit element and the voltage across the second circuit element.例文帳に追加

位相比較器の後段に２つのチャージポンプ回路を備えるＰＬＬ回路内で用いられるアクティブフィルタが、一方のチャージポンプ回路の出力とアースとの間に接続される第１の回路要素と、他方のチャージポンプ回路の出力とアースとの間に接続される第２の回路要素と、第１、第２の回路要素のそれぞれの両端の電圧を加算する電圧加算器とを備える。 - 特許庁

To control vibration applied to a building, which widely ranges from steady micro vibration such as traffic vibration and environmental vibration to earthquake motion, by integrating an active vibration control device using a piezoelectric element into a base isolation technique.例文帳に追加

免震技術に圧電素子を用いたアクティブ制震装置を組み込み、建造物に掛かる交通振動・環境振動などの定常的な微振動から地震動まで広範囲の振動を制御する。 - 特許庁

Fabrication process of a semiconductor laser element is simplified by forming a structure for preventing intrusion of a returning light into an active layer using a substrate for growing semiconductor having a laser light absorbing power.例文帳に追加

レーザ光に対する光吸収性を持つ半導体成長用基板を用い、戻り光の活性層への侵入を防止する構造とすることで、半導体レーザ素子の製造工程を簡単化する。 - 特許庁

In this liquid crystal display element, spacers 21 are provided on a counter substrate 16 to keep the distance between an active matrix substrate 11 and the counter substrate 16 constant and an orientation film 15 is formed so as to cover the spacers 21.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１１と対向基板１６との間隔を一定に保つためのスペーサ２１が対向基板１６上に設けられ、このスペーサ２１を覆うように配向膜１５が形成されている。 - 特許庁

Next, after the oxide film on a surface of the oxide-resistance film 4 formed in forming the gate oxide film 8 is removed, the oxide-resistance film 4 and the sacrificial oxide film 3 in a second element active region are removed.例文帳に追加

次いで、ゲート酸化膜８の形成時に形成された耐酸化膜４表面の酸化膜を除去した後、第２の素子活性領域内の耐酸化膜４及び犠牲酸化膜３を除去する。 - 特許庁

The MOSFET is a lateral device and electric contact is established with respect to a source from the back of an element by a conductive plug which passes through the layer from the surface of the active layer and exists in the substrate.例文帳に追加

MOSFETは横型デバイスであり、活性層の表面から層を貫通して基板中に延在している導電性プラグによって、素子の裏側からソースに対して電気的接触が確立される。 - 特許庁

An editing processing part 42 decides the use position or the use form of the active observation element selected by the term selection button 51, and determines the variable term used in the observation sentence based on a result thereof.例文帳に追加

編集処理部４２は、用語選択ボタン５１が選択されたアクティブな所見要素の使用位置、使用形式を判定し、その結果を元に、所見文に使用する可変語句を決定する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance device having the reduced series resistance of a variable capacitance element and having an increased DC interrupting capacity even when an active region width is set to be large.例文帳に追加

活性領域幅を大きく設定しても、可変容量素子の直列抵抗を低減化することができ、また、直流遮断容量を増加することが可能な可変容量装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device stably having high reliability by restraining contamination from a protective insulating film into which ions are implanted, without exerting a bad influence upon a boundary form between an active region and an element separation region.例文帳に追加

活性領域と素子分離領域の境界形状に悪影響を与えることなく、イオン注入された保護絶縁膜からの汚染を抑え、安定して高い信頼性を有する。 - 特許庁

There are provided a CIS element in which an active pixel sensor comprises a non-flat surface transistor having a perpendicular gate electrode and a channel and effects of post-image and a dark current are minimized, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたＣＩＳ素子及びその製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for easily and simply producing a silica dispersing element which is excellent in storage stability and is obtained by dispersing silica microparticulates in an active energy-ray curable resin composition.例文帳に追加

シリカ微粒子を活性エネルギー線硬化型樹脂組成物中に分散させた分散体であって貯蔵安定性に優れたシリカ分散体を容易かつ簡便に製造する製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a new optically active compound having high helical twist capability and useful as a liquid crystal composition and to provide the liquid crystal composition containing the compound and a liquid crystal element using the liquid crystal composition.例文帳に追加

ヘリカルねじれ能が大であり、液晶組成物として有用な新規光学活性化合物、該化合物を含む液晶組成物、および該液晶組成物を用いた液晶素子の提供。 - 特許庁

A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加

第１の基板１０Ａに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜１２Ｂ、ゲート電極２、層間絶縁膜１２Ｃ、映像線Ｄとソース電極４とをこの順で積層する。 - 特許庁

A response message presenting part presents the response messages little by little from a buffer in an active state to each of the channel-categorized users with a pace understandable by the user asynchronously with user utterance by element units.例文帳に追加

応答メッセージ提示部は、活動状態のバッファからチャンネル別のユーザそれぞれに対して、応答メッセージを要素単位でユーザ発言とは非同期にユーザに理解できるペースで少しずつ提示する。 - 特許庁

To provide a method which easily synthesizes a multi-element phosphate type lithium compound having an olivine structure, and to achieve the long term stability of a battery using the same as a positive electrode active material.例文帳に追加

この発明はオリビン構造を有する多元系リン酸型リチウム化合物を容易に合成する方法を提供し、これを正極活物質として用いて電池の長期安定性を目指すものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element in which a rigid bond pad stack is formed with no increase of manufacturing cost and complexity, to allow arrangement of an active circuit on the lower side of a bond pad.例文帳に追加

製造コスト及び複雑性を増加することなしに、堅牢なボンドパッドスタックを形成し、ボンドパッド下側にアクティブな回路の配置を可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption in a method for manufacturing a highly integrated semiconductor element, by reducing the electric field at an edge in an active region and preventing current flow in the off-state.例文帳に追加

高度に集積化された半導体素子の製造方法において、アクティブ領域のエッジ部位における電界を減少し、オフ状態では電流が流れないようにして消費電力を少なくする。 - 特許庁

At least two solder contacts(29) are electrically connected with the active layer(15) and protrude from the contact side(23), thereby, enabling direct soldering to the carrier board of the single semiconductor element.例文帳に追加

少なくとも二つのはんだ接点（２９）が活性層（１５）に電気的に接続されて接触側（２３）を越えて突出し、かくして単一半導体要素のキャリアボードへの直接のはんだ付けを可能にする。 - 特許庁