| 意味 | 例文 |
active elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2766件
Further, the gate electrode 9a covers the whole one side along the direction of the gate length of the border region of the active region L and element isolation groove 2 and part of two sides along the direction of the gate width.例文帳に追加
また、このゲート電極9aは、アクティブ領域Lと素子分離溝2との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁
To provide a bias voltage generating circuit wherein the variation in threshold voltage does not affect a bias voltage, related to a semiconductor integrated circuit where the active layer of a FET is used as a resistance element.例文帳に追加
抵抗素子としてFETの活性層を用いる半導体集積回路において、しきい値電圧Vtのばらつきがバイアス電圧に影響を与えないバイアス電圧発生回路を提供する。 - 特許庁
The amount of the active ingredients in the reservoir element 11 combined with the negative electrode is 0.5-12 mg per cm^2 and per mAh of the current passing through 1 cm^2 of the electrode 6.例文帳に追加
負極と組み合わされている貯留部品11内の活性成分の量は、電極のcm^2当り及び1cm^2の電極6を通過する電流のmAh当り0.5−12mgである。 - 特許庁
Further, an (n) type transparent element substrate 90 made of a group III-V compound semiconductor having larger band gap energy than the active layer 5 is stuck on the second main surface of the layer 50 to be stuck.例文帳に追加
また、該貼り合せ対象層50の第二主表面に活性層5よりもバンドギャップエネルギーが大きいIII−V族化合物半導体からなるn型透明素子基板90が貼り合される。 - 特許庁
To supply a desired driving current to the light emitting element of each pixel constantly and correctly by eliminating variations in threshold voltages of active elements of insides of pixels and variations in driving currents due to an early effect of them.例文帳に追加
画素内部の能動素子のしきい値電圧のばらつき、及び、アーリー効果による駆動電流のばらつきを無くし、安定且つ正確に各画素の発光素子に所望の駆動電流を供給する。 - 特許庁
The semiconductor laser element is constituted by forming a pair of laminated structures each of which is composed of a first-conductivity clad layer and an active layer and has a triangular cross section on a mask layer having selectively formed openings and second-conductivity clad layers on the structures.例文帳に追加
よって、本発明は、特にGaN系半導体を用い、傾斜結晶層を有する半導体素子でレーザー発振を実現する素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁
The nitride-based light emitting element has such a structure that a substrate 110, n-type clad layer 130, active layer 140, p-type clad layer 150, lattice cell layer 160, and ohmic contact layer are laminated in order.例文帳に追加
窒素物系発光素子は、基板110、n型クラッド層130、活性層140、p型クラッド層150、格子セル層160及びオーミック接触層が順次に積層された構造よりなっている。 - 特許庁
In one embodiment, a plurality of read/write elements and thermosensors are provided, and the sensors of the thermosensors are positioned on the inactive island and/or active island between the read/write elements or adjacent to an end element.例文帳に追加
一実施例では複数の読取書込素子とサーモセンサが設けられサーモセンサのセンサは非活性島部および/または活性島部で読取書込素子間または端部素子に近接して位置決めされる。 - 特許庁
To improve the reliability of a liquid crystal drive apparatus and selection flexibility of a drive element and a liquid crystal, by reducing the voltage applied on a transistor (TFT) of the liquid crystal display (LCD) device for performing active driving.例文帳に追加
アクティブ駆動を行う液晶表示装置のトランジスタ(TFT)にかかる電圧を低減し、液晶駆動装置の信頼性および駆動素子、液晶の選択の自由度を向上する。 - 特許庁
The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加
面発光レーザ素子10は、基板11上にDBR層12、活性層15およびDBR層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がDBR層12,18により構成されている。 - 特許庁
Thus, the distance from the active element 11 to the via hole 22 is enlarged, while maintaining increase in the ground inductance comparatively low, and the lowering of production yield in the formation of the via hole 22 is prevented.例文帳に追加
こうして、接地インダクタンスの増大を比較的少なく維持しつつ、能動素子11からビアホール22までの距離を大きくして、ビアホール22形成時における製造歩留まりの低下を防止する。 - 特許庁
The cathode active material is obtained by putting under a mechanical milling alloy powder containing at least one kind of element selected from a group consisting of the group XIV elements except C and the group XIII elements except Ti.例文帳に追加
Cを除く14族元素、及びTlを除く13族元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含有する合金粉末にメカニカルミリング処理を施して負極活物質を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element capable of taking out the light emitted from an active layer efficiently by suppressing dependence on the incident angle of light reflection from a reflective layer.例文帳に追加
反射層における光に対する反射が入射角に依存することを抑制して、活性層から発光された光を外部へ効率良く取り出すことができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element reducing a contact resistance between an electrode and a cap layer without degrading an electric power conversion efficiency in an active layer, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the semiconductor laser element 30, a clad layer 3 of the first conductivity type, an active layer 4, and a clad layer 5 of the second conductivity type are formed sequentially above a semiconductor substrate 1 of the first conductivity type.例文帳に追加
半導体レーザ素子30は、第1導電型の半導体基板1の上方に第1導電型のクラッド層3、活性層4、第2導電型のクラッド層5が順次形成されている。 - 特許庁
The output signal providing part includes one active element that operates as an entropy source, and provides an output signal that oscillates in response to a first clock signal.例文帳に追加
前記出力信号提供部はエントロピー(entropy)ソース(source)として動作する一つの能動素子を含み、第1クロック信号に応答して発振する出力信号を提供する。 - 特許庁
This means is a notch, a slit or an active element, and the feed means is formed in the vicinity of the center of gravity of the microstrip.例文帳に追加
また、前記手段はノッチ若しくはスリット又はアクティブ素子であることを特徴とし、給電手段は、前記マイクロストリップの重心付近に形成されていることを特徴とする通信用アンテナとする。 - 特許庁
A common displacement electrode Ec comprising conductive rubber is installed on the lower surface of an active part 141 of a displacement generator 140 comprising silicone rubber, and a capacitative element is forded between the common displacement electrode Ec and the fixed electrodes E1-E4.例文帳に追加
シリコンゴムからなる変位生成体140の作用部141の下面に導電性ゴムからなる共通変位電極Ecを設け、固定電極E1〜E4との間に容量素子を形成する。 - 特許庁
The laminated piezoelectric element 30 for constituting the oscillating unit 32 is composed of a piezoelectric inactive part 36 and a piezoelectric active part 37, and the friction material 31 is connected to the upper surface of the piezoelectric inactive part 37.例文帳に追加
振動体32を構成する積層圧電素子30を、圧電不活性部36と圧電活性部37から構成すると共に、圧電不活性部37の上面に摩擦材31を接合する。 - 特許庁
To reduce operation current and to prolong the life of an element by reducing a waveguide loss due to the adsorption of light from an active layer by an etching stop layer.例文帳に追加
エッチング停止層によって活性層からの光が吸収されることによる導波路損失を低減し、動作電流の低減および素子の長寿命化を図ることができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor laser device capable of effectively preventing the concentration of stress to a ridge section (a ridge-shaped projecting section) when a laser element is installed to a base from the active layer side.例文帳に追加
レーザ素子を活性層側から基台に取り付ける場合に、リッジ部(うね状の突起部)に応力が集中するのを有効に防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a trench element isolating type semiconductor device and its forming method capable of improving problem thinly forming a gate insulation film on an active area peripheral end without any problem of a dent.例文帳に追加
デントの問題点がなく、活性領域周辺端でゲート絶縁膜が薄く形成される問題点を改善できるトレンチ素子分離型半導体装置及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
To attain reduction in size and improvement in the flexibility of layout, by preventing magnetic flux generated by an inductor from affecting another active element, in a semiconductor device where a plurality of chips are laminated.例文帳に追加
複数のチップが積層された半導体装置において、インダクタにより発生する磁束が他の能動素子に影響を与えるのを防ぎ、小型化及びレイアウトの自由度向上を実現する。 - 特許庁
To make uniform the numbers of crystal grains in the active region in a semiconductor device by lessening the grain diameter of crystal grains in a crystalline semiconductor film obtained by a thermal crystallizing method using a metallic element.例文帳に追加
金属元素を用いる熱結晶化法によって得られる結晶質半導体膜の結晶粒の粒径を小さくすることで、デバイスの活性領域における結晶粒の数を一様にする。 - 特許庁
The air treatment device has an electric heating element (5) and a refillable pack, and the refillable pack contains aromatic substances or granules (2) of wax or paraffin including other active materials like bug repellents.例文帳に追加
空気処理装置は、電気加熱素子(5)と、詰め替え用パックとを有し、該詰め替え用パックは、芳香剤または例えば防虫剤のような他の活性物質を含むワックスまたはパラフィンの顆粒(2)を含有する。 - 特許庁
In an active matrix type display device, satisfactory holding characteristics can be obtained without deterioration of the aperture ratio by disposing a capacitance element below a pixel TFT region, as shown in Figure 3.例文帳に追加
アクティブマトリクス型表示装置において、図3のように容量素子を画素TFT領域の下方に配置することにより、開口率を損ねることなく良好な保持特性を得ることができる。 - 特許庁
To eliminate reflection loss in the interface of a transparent conduction film and a photoelectric conversion active layer in a back electrode, to provide a photoelectric conversion element with high photoelectric conversion efficiency, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加
裏面電極における透明導電膜と光電変換活性層との界面での反射ロスをなくし、光電変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a good black and white display of a liquid crystal display element of a two-layer type laminated with two liquid crystal panels having chiral nematic liquid crystals prepared by adding an optically active material to nematic liquid crystals.例文帳に追加
ネマチック液晶に光学活性物質を添加してなるカイラルネマチック液晶を有する2枚の液晶パネルを積層した2層型の液晶表示素子において、良好な白黒表示を得る。 - 特許庁
To provide an integrated circuit, wherein at least, an inductive element and an active region coexist, and electromagnetic mutual reaction is reduced without increasing the size of the integrated circuit.例文帳に追加
本発明は、少なくとも誘導素子及び活性領域が一緒に存在し、集積回路の大きさに増加することなく電磁相互作用が減少される集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁
A common terminal 12 of an active element 11 is connected to a ground conductor 13 of a coplanar line, and an input terminal 14 and an output terminal 15 are connected to signal conductors 16 and 17 of the coplanar line.例文帳に追加
能動素子11の共通端子12はコプレーナ線路の接地導体13に接続し、入力端子14および出力端子15はコプレーナ線路の信号導体16,17に接続する。 - 特許庁
To provide a new optically active compound which has large spiral mobile power and large dielectric constant anisotropy, to provide a liquid crystal composition containing the compound, and to provide a liquid crystal electrooptical element using the composition.例文帳に追加
らせん誘起力及び誘電率異方性が大きい新規な光学活性化合物、該化合物を含む液晶組成物、及び該組成物を用いた液晶電気光学素子が提供される。 - 特許庁
To provide an active driving type organic EL display device in which the lower electrode of an organic EL element and the drain region of a TFT can be easily and electrically connected, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
有機EL素子の下部電極と、TFTのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機EL表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The positive electrode active material film is formed of, for example, a lithium phosphate compound in an amorphous state, which contains Li, P, one element M1 selected from Ni, Co, Mn, Au, Ag, and Pd, and O.例文帳に追加
正極活物質膜は、例えば、LiとPとNi、Co、Mn、Au、Ag、Pdから選ばれる何れかの元素M1とOとを含有するアモルファス状態のリチウムリン酸化合物で構成される。 - 特許庁
To enable prevention of deterioration of reliability of a gate insulating film by inhibiting formation of a faucet at a near part of an element isolation insulating film in a semiconductor layer to become an active region of a MOS transistor.例文帳に追加
MOS型トランジスタの活性領域となる半導体層における素子分離絶縁膜の近傍部分にファセットが形成されないようにして、ゲート絶縁膜の信頼性劣化を防止できるようする。 - 特許庁
The liquid crystal display element, which has an extremely good outward appearance and is preferable in the practical use, can be obtained by coloring a sealing agent 3 white so as to put a wiring part present under the sealing agent out of sight and to allow a border with an active area to be vague.例文帳に追加
シール剤を白く着色することにより、シール剤の下の配線部が見えず、また、アクティブエリアとの境界が目立たず、実用上非常に見栄えの良い液晶表示素子が得られる。 - 特許庁
As a result, a resistance value of a first power source wiring 16 from the power source pad 14a to an active element region 12 can be reduced, so that decrease of a power source voltage can be restrained.例文帳に追加
したがって、電源パッド14aから能動素子領域12までの第1の電源配線16の抵抗値を低下させることができるため、電源電圧の低下を抑えることができる。 - 特許庁
The semiconductor device 10 comprises an active element part, i.e., an SIThy 12, a rectifying section, i.e., a diode 14, and an isolation layer 16 for insulating the SIThy 12 from the diode 14.例文帳に追加
能動素子部であるSIThy12と、整流部であるダイオード14と、前記SIThy12とダイオード14とを電気的に絶縁する分離層16から半導体装置10を構成する。 - 特許庁
To provide an active matrix display device which prevents reduction in the lifetime of a display element and is capable of reducing power consumption and improving display quality, and a driving method thereof.例文帳に追加
表示素子の寿命低下を防止するとともに、消費電力の低減および表示品位の向上を図ることが可能なアクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
The optical switch of the invention includes an active deflection element formed from an electro-optical material and deflects an optical input from a single input to selected one of N outputs.例文帳に追加
本発明の光スイッチは、電気光学物質から形成される能動偏向素子を含み、N個の出力のうちの選択した1出力に、単一の入力からの光入力を偏向させる。 - 特許庁
A lattice strain relaxing layer 12, a clad layer 13, an active layer 14, and a clad layer 15 are formed with InAlGaP on an n-GaP substrate 11 which is transparent to InAlGaP semiconductor element radiation light.例文帳に追加
InAlGaP系半導体素子放射光に透明なn‐GaP基板11上に、InAlGaPによって格子歪緩和層12,クラッド層13,活性層14及びクラッド層15を形成する。 - 特許庁
This invention discloses a method for operating a mooring system 500 illustrated by active mooring devices 100A, 100B having a sucking and installing element 1 that can be fixed to a hull 51 of a ship.例文帳に追加
船の船体51に固定可能な吸引装着要素1を有する能動的な係留装置100A、100Bによって例示された係留システム500の操作方法が開示されている。 - 特許庁
The photoelectric conversion element has a mixture layer including an insulating material and the transparent conduction material between the transparent conduction film and the photoelectric conversion active layer in the back electrode.例文帳に追加
本発明の光電変換素子は、裏面電極における透明導電膜と光電変換活性層との間に、絶縁物と透明導電材料とを含む混合物層を有するものである。 - 特許庁
To provide a π-conjugate polymer having excellent luminescence property and endurance and useful as a polymer material of an organic thin layer EL element and a polymer material for an organic transistor active layer.例文帳に追加
優れた発光特性・耐久性を有し、有機薄膜EL素子用の高分子材料や有機トランジスタの活性層用高分子材料として有用なπ共役系重合体を提供する。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting element includes, on a substrate 10 composed of n-type GaAs; an n-type clad layer 12 composed of Al_xGa_1-xP; an active layer 13 composed of GaInP; and the p-type clad layer 15 composed of Al_xGa_1-xP.例文帳に追加
n型GaAsからなる基板10上に、Al_xGa_1-xPからなるn型クラッド層12、GaInPからなる活性層13、およびAl_xGa_1-xPからなるp型クラッド層15を有する。 - 特許庁
The negative electrode active material is preferably a hydrogen storage alloy represented by chemical formula 1: RE_1-xMg_xNi_yAl_z (RE represents an alkaline rare earth element, and 0.05≤x≤0.3, 2.9≤y≤4.4 and 0.1≤z≤0.3 are satisfied).例文帳に追加
負極活物質は、化学式1:RE_1−xMg_xNi_yAl_z(REはアルカリ希土類元素であり;0.05≦x≦0.3、2.9≦y≦4.4、0.1≦z≦0.3である)で表される水素吸蔵合金であることが好ましい。 - 特許庁
To provide an active matrix drive display unit enhancing an on/off ratio of a drain current than before by making a gate insulation film thinner while controlling the increase of an off current of a TFT element.例文帳に追加
TFT素子のオフ電流の増加を抑制しつつ、ゲート絶縁膜を更に薄膜化し、これによって従来よりもドレイン電流のオン/オフ比を高めたアクティブマトリクス駆動表示装置を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the current constriction layer 9 can reduce the stress applied to the active layer 5 and the adjacent layer as the p-type semiconductor layer 2 in the current constriction structure of the semiconductor light-emitting element 10.例文帳に追加
よって、半導体発光素子10の電流狭窄構造では、電流閉じ込め層9が活性層5及びp型半導体層2といった隣接層に加える応力を低減できる。 - 特許庁
To more enhance a light emission efficiency than heretofore by a simple configuration in a light emitting device of a current driving system using a transistor 4 as a driving element, as represented by an active matrix system.例文帳に追加
アクティブマトリクス方式に代表される、トランジスタ4を駆動素子として用いる電流駆動方式の発光装置において、簡素な構成によって従来よりも発光効率を向上させる。 - 特許庁
To provide a self-oscillation semiconductor laser employing a mixed-crystal semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen as an active layer and oscillating stably.例文帳に追加
窒素と窒素以外のV族元素を含む混晶半導体を活性層とする自励発振型半導体レーザにおいて、安定して自励発振する半導体レーザ等を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide an antenna module for receiving a signal having a broadcasting frequency band which uses an active impedance matching unit to satisfy broadband characteristics and includes a small-sized antenna element.例文帳に追加
アクティブインピーダンス整合部を用いることにより、広帯域特性を充足させ、且つ、大きさの小さいアンテナ素子を有する放送周波数帯域信号受信用アンテナモジュールを提供すること。 - 特許庁
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