「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light emitting element 10 is provided with: a semiconductor mesa 52 including an active layer 18 and a p-type clad layer 54; and the semi-insulating buried layer 56 for burying the semiconductor mesa 52.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、活性層１８及びｐ型クラッド層５４を含む半導体メサ５２と、半導体メサ５２を埋め込む半絶縁性の埋め込み層５６とを備える。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 has a first layer 12A that contains Sn, and a second layer 12B that contains an element other than Sn capable of storing and releasing Li electrochemically.例文帳に追加

負極活物質層１２は、Ｓｎを含む第１層１２Ａと、Ｌｉを電気化学的に吸蔵および離脱することが可能なＳｎ以外の元素を含む第２層１２Ｂとを有している。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁

This sealed battery 10 is provided with a power generation element 11 equipped with a negative electrode 12 and a positive electrode 22 with active materials 14 and 24 applied to respective surfaces of a negative electrode plate 13 and a positive electrode plate 23.例文帳に追加

密閉形電池10は、負極板13および正極板23それぞれの両面に活物質14，24が塗工された負極12および正極22を具備する発電要素11を備える。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

A composition inclining layer gently changing composition distribution of a main component element of a current collector and silicon is formed in the vicinity of the interface between a current collector and the negative active material thin film.例文帳に追加

集電体と負極活物質薄膜との界面近傍に、集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されている。 - 特許庁

The high-pressure resistant device includes a region 33 which intentionally inverts when a high voltage is applied to the high-voltage line 32, and an active element 50 which turns on when a high voltage is applied thereto.例文帳に追加

高電圧配線３２に高電圧が印加されたときに、意図的に反転する領域３３を設け、高電圧が印加されているときにオン状態となる能動素子５０を備える。 - 特許庁

A semiconductor memory device according to an embodiment comprises: a semiconductor substrate; a plurality of element isolation insulators which are formed on an upper part of the semiconductor substrate and divide the upper part to a plurality of active areas extending in a first direction; and an electric contact connected to the active areas.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に形成され、前記上層部分を第１方向に延びる複数本のアクティブエリアに区画する複数本の素子分離絶縁体と、前記アクティブエリアに接続されたコンタクトと、を備える。 - 特許庁

In an electrode element body 20 made by filling a core body 21 with the active material 22, the electrode plate for a cell is manufactured through a coating process of coating an outer edge part in a region filled with the active material 20 with a solution made of an organic solvent with resin dissolved therein.例文帳に追加

芯体２１に活物質２２が充填されてなる極板素体２０に対して、樹脂が有機溶剤に溶解されてなる溶液を、前記極板素体２０における前記活物質２２の充填領域の外縁部に塗布する塗布工程とを含むようにして電池用極板を製造する。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device and, permitting to easily discriminate a specific bus line when inspecting bus lines and restoring a defect, and a manufacturing method therefor, relating to an active matrix type display device having a switching element at each pixel and the manufacturing method therefor.例文帳に追加

本発明は、各画素にスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法に関し、バスラインの検査や欠陥修復を行う際に、容易に特定のバスラインを識別することのできるアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region.例文帳に追加

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも１つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer of a quantum well structure which has a well layer made of a nitride semiconductor containing indium, the active layer is sandwiched between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 having an active region 103 isolated by an element isolation region 102; a gate insulating film 111 formed on an active region 103; and a gate electrode 121 formed on the gate insulating film 111.例文帳に追加

半導体装置は、素子分離領域１０２により分離された活性領域１０３を有する半導体基板１０１と、活性領域１０３の上に形成されたゲート絶縁膜１１１と、ゲート絶縁膜１１１の上に形成されたゲート電極１２１とを備えている。 - 特許庁

A light emitting element according to the present invention includes an active layer 5 to emit light, p-type GaN layer 7 to coat the active layer 5, a p-type NiO_x film 8a formed on the p-type GaN layer 7, and an ITO film 8b formed to coat the p-type NiO_x film 8a.例文帳に追加

本発明による発光素子は、光を発生する活性層５と、活性層５を被覆するｐ−ＧａＮ層７と、ｐ−ＧａＮ層７の上に形成されたｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａと、ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａを被覆するように形成されたＩＴＯ膜８ｂとを具備する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 contains a negative electrode active material 12A of particle-form containing a simple substance or a compound of an element capable of forming an alloy with Li, a binder 12B of particle-form containing a copolymer of vinilydene fluoride or polyvinylidene fluoride, and a conductive agent 12C.例文帳に追加

負極活物質層１２は、Ｌｉと合金を形成可能な元素の単体あるいは化合物を含む粒子状の負極活物質１２Ａと、フッ化ビニリデンの共重合体あるいはポリフッ化ビニリデンを含む粒子状の結着剤１２Ｂと、導電剤１２Ｃとを含有している。 - 特許庁

A precursor of the positive electrode active material is obtained by heat-treating an aqueous solution which contains an organic chelate compound and a high-boiling point organic solvent, in which compounds of all elements constituting the positive active material among transition metal element groups comprising Mn, Ni, and Co are dissolved.例文帳に追加

有機キレート化合物と、高沸点有機溶媒とを含み、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｏから構成される遷移金属元素群のうち前記正極活物質を構成する全ての元素の化合物が溶解してなる水溶液を熱処理することにより、前記正極活物質の前駆体を得る。 - 特許庁

The outer packaging material 160 for the electrochemical device containing as a battery element at least an electrolyte layer interposed between a positive active material and a negtive active material, comprises a ceramic part 161 containing ceramic and a resin film 163 or metal foil 165.例文帳に追加

正極活物質層および負極活物質層に挟持された電解質層を少なくとも電池要素として含む電気化学デバイス用の外装材１６０であって、セラミックを含有するセラミック部１６１と、樹脂膜１６３または金属箔１６５とからなることを特徴とする、外装材１６０。 - 特許庁

To provide an electrode for electrochemical element and a lithium ion battery having a high cycle characteristic, a high capacity, and a high energy density by preventing a deformation of a collector or a removal of an active material from the collector accompanying an expansion of an alloy active material at the time of charging.例文帳に追加

充電時の合金系活物質の膨張に伴う集電体の変形や集電体からの活物質層の剥離を抑制することにより、サイクル特性に優れ、高容量かつ高エネルギー密度の電気化学素子用電極およびリチウムイオン電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention layer 42 containing the Si impurities is interposed between the active layer 30 and p-type clad layer 40a of the semiconductor mesa portion 2M, and traps Zn diffused from the p-type clad layer 40a to the active layer 30.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

In a gate electrode 5 of a pair of transistors consisting of an n-channel-type MISFETQn and a p-channel MISFETQp, gate length in a boundary from an active region B to an element separation region A is relatively increased as compared with that in the active region B.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐからなるペアトランンジスタのゲート電極５において、活性領域Ｂから素子分離領域Ａにかけての境界部分におけるゲート長を、活性領域Ｂにおけるゲート長よりも相対的に長くする。 - 特許庁

The method of producing the catalyst made of the inorganic fiber comprises immersing an inorganic fiber structure (C) into an aqueous solution of an active component, containing a salt of an organic acid, including an active component element (A), a surfactant (B) and/or a water soluble organic solvent (D), then drying the structure mentioned above and firing the dried structure.例文帳に追加

（Ａ）活性成分元素を有する有機酸塩と（Ｂ）界面活性剤および／または（Ｄ）水溶性有機溶剤、とを含む活性成分水溶液に、（Ｃ）無機繊維構造体を浸漬した後、前記構造体を乾燥、焼成することを特徴とする無機繊維製触媒の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a substrate 2 and an active layer 12 which has a nonpolar or semi-polar surface as a growth principal surface 12a and is made of a group III nitride semiconductor, and has a light emission portion 3 which emits polarized light from the active layer 12, and side end surfaces 1a are mirror planes.例文帳に追加

基板２と、非極性面又は半極性面を成長主面１２ａとするIII族窒化物半導体からなる活性層１２を有し、活性層１２から偏向光を発生する発光部３とを備え、横端面１ａが鏡面である半導体発光素子。 - 特許庁

In the battery element, a positive and negative electrodes 2, 5 are used, such that the positive electrode 2 and the negative electrode 5 are formed on one collector, and an active substance layer is partially formed at an interval 6 so that no active substance layer is present at a portion corresponding to a bent section.例文帳に追加

電池エレメントにおいて、正極２及び負極５の活物質層が１枚の集電体上に形成され、折れ曲げ部分に相当する所には活物質層が存在しないように間隔６を空けて活物質層が部分形成されているような正極及び負極を用いる。 - 特許庁

To lower element resistance by broadening the current path width specified by the width of an active mesa stripe top, including an active layer of an optical semiconductor device having a current restricting structure, thereby improving the operating speed, the operating efficiency, the high-temperature operation characteristics, the high power operation characteristics, the modulation band, etc.例文帳に追加

電流狹窄構造を有する光半導体装置において、活性層を含む活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減し、動作速度、動作効率、高温動作特性、高出力動作特性、変調帯域等を向上する。 - 特許庁

An anti-bacterial treatment system in the duct comprises a releasing element 1 for releasing antibacterial active molecules, that is installed in the inlet side of the air supply duct 4 connected to an air conditioning appliance 3 and a collecting filter 2 for collecting and removing the anti-bacterial active molecules, that is installed in an outlet side of the duct 4.例文帳に追加

空調機器３に接続された給気用ダクト４の入口側に抗菌活性分子を徐放する徐放エレメント１を設置し、給気用ダクト４の出口側に上記抗菌活性分子を捕集・除去する捕集フィルター２を設置するようにダクト内抗菌処理システムを構成する。 - 特許庁

Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加

容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁

The positive electrode can 11 and the negative electrode current collector 25 which are metal parts are covered with a conductive material 41 preventing movement of metal ions, so that the metal parts do not directly contact with a positive active material and a negative active material of a power generation element 15.例文帳に追加

金属部品である正極缶１１および負極集電子２５を、金属イオンの移動を阻止する導電性材料４１で被覆することにより、その金属部品を発電要素１５の正極作用物質および負極作用物質に直接接触させないようにする。 - 特許庁

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

This electrophoretic system is a plane type electrophoretic system using active matrix substrates as two opposed substrates 1a, 1b, and having an electrophoretic medium 2 of a plane between the substrates, and a voltage is impressed to the electrophoretic medium 2 by picture element electrodes 4 provided in the active matrix substrates.例文帳に追加

本電気泳動装置は、対向する２枚の基板１ａ・１ｂとして、アクティブマトリクス基板を用い、この基板間に、平板の電気泳動用媒体２を有する平板型電気泳動装置であり、アクティブマトリクス基板に備えらた画素電極４により、電気泳動用媒体２に電圧を印加する。 - 特許庁

In case an anode active material layer 2 contains an anode active material having silicon as a structuring element, an anode collector 1 made of a belt-like metal foil includes a first thickness part P1 (thickness T1) and a second thickness part P2 (thickness T2) which is thinner than the P1.例文帳に追加

負極活物質層２がケイ素を構成元素として有する負極活物質を含有する場合に、帯状の金属箔からなる負極集電体１が第１の厚さ部分Ｐ１（厚さＴ１）とそれよりも薄い第２の厚さ部分Ｐ２（厚さＴ２）とを有している。 - 特許庁

To provide an organic electrolyte secondary battery having excellent cyclic lifetime characteristics by suppressing manganese precipitation to the surface of a negative electrode active material consisting of a carbonaceous substance in the case a positive electrode active material consists of composite oxide of such a structure that lithium manganate or part of the manganese therein is substituted with other element(s).例文帳に追加

正極活物質にマンガン酸リチウムを使用した有機電解質電池においては、高温になると正極活物質中のマンガンが有機電解液中に溶解し、炭素質材料からなる負極活物質の表面に析出し、電池の寿命特性を低下させる。 - 特許庁

Composite particles containing an active material containing an element capable of alloying with lithium, a catalyst element facilitating growth of carbon nano-fibers and carbon nano-fibers grown from a surface of the active material are bound by a binder comprising at least one kind selected from a group comprising polyacrylic acid, polyacrylate, polyacrylic ester, methacrylic acid, polymethacrylate and polymethacrylic acid ester.例文帳に追加

リチウムと合金化可能な元素を含む活物質と、カーボンナノファイバの成長を促す触媒元素と、上記活物質の表面から成長させたカーボンナノファイバとを含む複合粒子を、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸塩およびポリメタクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種からなるバインダーで結着させる。 - 特許庁

Also, this method for manufacturing the land grid array module comprises a step for preparing the substrate 101, a step for mounting the plurality of active elements 103a and 103b and the passive element 102 on the both sides of the substrate 101, and a step for applying the both sides of the substrate 101 mounted with the active elements 103a and 103b and the passive element 102 with the molding compound 106.例文帳に追加

また、本発明は、ランドグリッドアレイモジュール製作方法であって、基板１０１を準備する段階と、該基板１０１の両面に複数の能動素子１０３ａ、１０３ｂと受動素子１０２を実装させる段階と、能動素子１０３ａ、１０３ｂと受動素子１０２が実装された基板１０１の両面を成形コンパウンド１０６で塗布する段階とから構成される。 - 特許庁

A TFT panel includes a plurality of signal electrodes, a plurality of scanning electrodes which cross the plurality of signal electrodes, an active element provided in a vicinity of each intersection of a signal electrode and a scanning electrode and connected to the signal electrode and scanning electrode, a pixel electrode driven by the active element, and a counter electrode to which an AC signal is applied, and which faces the pixel electrode.例文帳に追加

ＴＦＴパネル１１は、複数の信号電極と、信号電極と交叉する複数の走査電極と、信号電極と走査電極との各交点の近傍に設けられ信号電極および走査電極に接続されるアクティブ素子と、アクティブ素子によって駆動される絵素電極と絵素電極に対向して設けられ交流信号が印加される対向電極とを有する。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

A field sequential driving means drives the active element by row in each of six sub-frames corresponding to each color of RGB per frame, and from the first row to the n-th row successively, drives the active element only for a time necessary for charging to align the ferroelectric liquid crystal in a desired state with respect to each capacitor provided on each pixel on each row.例文帳に追加

また、フィールドシーケンシャル駆動手段は、１フレームあたりＲＧＢの各色に対応する六つのサブフレームの各々において、アクティブ素子を行単位で駆動し、各行の各画素に設けられたコンデンサに対して強誘電性液晶を所望の配向状態とする電荷を充電するのに必要な時間だけアクティブ素子を駆動する制御を第１行から第ｎ行まで順次行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes the substrate 20, a first conductive layer 22 formed on the substrate 20, a first insulating layer 26 formed to cover the substrate 20 and the first conductive layer 22, the active element 10 mounted on the substrate 20, a second conductive layer connected to an electrode of the active element 10, and a conductive post connecting the first conductive layer 22 to the second conductive layer.例文帳に追加

基板２０と、基板２０上に形成される第１の導電層２２と、基板２０及び第１の導電層２２を被覆して形成される第１の絶縁層２６と、基板２０に搭載される能動素子１０と、能動素子の電極に接続される第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とを接続する導電性ポストとを備えた半導体装置を構成する。 - 特許庁

The pixel includes: a transparent pixel electrode 17 for applying the voltage to the liquid crystal 10 which is located in a transmitting area of the linear polarized light; an active element 14 which drives, when selected by the scanning line 12, the pixel electrode 17 according to a signal supplied from the signal line 13; and a wire 30 connecting the active element 14 to the pixel electrode 17 in the transmitting area.例文帳に追加

画素は、直線偏光の透過領域にあり液晶１０に電圧を印加するための透明な画素電極１７と、走査線１２によって選択された時信号線１３から供給された信号に応じて画素電極１７を駆動する能動素子１４と、透過領域で能動素子１４と画素電極１７を接続する配線３０とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus, there is formed an element-separation insulating film 12A sorrounding an active region AR in a high withstand voltage MOS transistor region 1A, and an element-separation insulating film 12B surrounding an active region AR in a low withstand voltage MOS transistor region 1B with the semiconductor layer 1b for physically separating the films 12A, 12B intervened therebetween.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ａにおけるアクティブ領域ＡＲを囲む素子分離絶縁膜１２Ａを形成し、同じくこれの低耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ｂにおけるアクティブ領域ＡＲを囲む素子分離絶縁膜１２Ｂを、素子分離絶縁膜１２Ａとの間に素子分離絶縁膜１２Ａおよび１２Ｂを物理的に分離する半導体層１ｂを介在させつつ形成する。 - 特許庁

In a nickel electrode which is formed by filling an active material made mainly of nickel hydroxide in a substrate composed of a conductive porous body, a covering layer which is made of a solid solution of cobalt hydroxide, nickel hydroxide, and a hydroxide of at least one kind of an element selected from among the group of Y, Al, Mn, and lanthanoid element is formed on the surface of the active material made of the nickel hydroxide.例文帳に追加

導電性多孔体よりなる基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填してなるニッケル極において、前記水酸化ニッケルを主体とする活物質表面に、水酸化コバルト、水酸化ニッケル、ならびに、Ｙ，Ａｌ，Ｍｎおよびランタノイド元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の水酸化物の固溶体よりなる被覆層が形成されているもの。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprising an active layer, a plurality of conductive clad layers sandwiching the active layer, and a current block layer having an opening above a predetermined stripe region of the active layer formed on a conductive semiconductor substrate, the opening has a width of 10-30 μm and the transverse mode is multi-mode oscillation.例文帳に追加

導電型半導体基板の上に、少なくとも、活性層と、該活性層を挟む複数の導電型クラッド層と、前記活性層の所定のストライプ状領域の上方に開口部を有する電流阻止層とが積層されてなる半導体レーザ素子において、前記開口部の幅が１０［μｍ］〜３０［μｍ］であり、横モードがマルチモード発振であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition for a barrier rib for obtaining an active driving type organic EL element capable of corresponding to an image in high resolution without disconnection of electrodes, and an active driving type organic EL display device having a barrier rib formed using the photosensitive composition for a barrier rib, in the active driving type organic EL display device forming an organic layer in a region partitioned by barrier ribs.例文帳に追加

隔壁で仕切られた領域に有機層を形成するアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、電極の断線がなく、高解像度の画像に対応出来るアクティブ駆動型有機ＥＬ素子を得るための隔壁用感光性組成物、およびその隔壁用感光性組成物を用いて形成された隔壁を有するアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The inorganic electroluminescent element at least includes: a substrate 18; a light-emitting active layer 11 including quantum dots and arranged above the substrate; the insulating layer 15 arranged between the substrate 18 and the light-emitting active layer 11; a lower part electrode 17 arranged between the substrate 18 and the insulating layer 15; and an upper electrode 16 arranged above the light-emitting active layer 11.例文帳に追加

無機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１８と、量子ドットを含み且つ基板の上方に配置される発光活性層１１と、基板１８と発光活性層１１の間に配置される絶縁層１５と、基板１８と絶縁層１５の間に配置される下部電極１７と、発光活性層１１の上方に配置される上部電極１６とを少なくとも有する。 - 特許庁