「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises an active element structure 2 which is formed on a semiconductor substrate 1 and has a connecting region 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１に形成され、且つ半導体基板の表面に形成された接続領域３を有する能動素子構造２を有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁

To provide composite particles, in forming an active material layer of an electrochemical element electrode, with an improved diffusion property of electrolytic ions, and resistance lowered of the electrodes.例文帳に追加

電気化学素子用電極の電極活物質層を形成する複合粒子において、電解質イオンの拡散性を向上し、電極を低抵抗化すること。 - 特許庁

With respect to the semiconductor device, there is provided in the position of an opening present just under its active element a conductor layer for filling therewith the opening, and other conductor layers are also formed in the positions having no opening.例文帳に追加

半導体装置において、能動素子直下の開口の位置に開口を充填するための導体層を有し、開口のない位置にも導体層を形成する。 - 特許庁

To enhance image quality of a solid state image pick-up device by minimizing intrusion of light emitted from an active element such as a transistor, a diode, or the like, during operation into a photoelectric conversion part.例文帳に追加

固体撮像装置において、動作時のトランジスタやダイオード等の能動素子からの発光の光電変換部への侵入を抑制し、画質の向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a novel organic substrate by solving difficulties of processes generated when an active element is mounted in the substrate using a conductive adhesive.例文帳に追加

導電性接着剤を利用した能動素子を基板内に実装するときに発生する工程上の難点を解決し、新しい有機基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the degradation of display quality caused by occurrence of unevenness by preventing an active element from defectively operating owing to light transmitted through a light shielding layer and light reflected by the light shielding layer.例文帳に追加

遮光層を透過した光および遮光層で反射された光によるアクティブ素子の動作不良を防止することによって、カスミによる表示品位の低下を防ぐ。 - 特許庁

To provide an element which prevents a crystal defect due to damage generated during etching processing from propagating to an active layer by a current conducting operation and has a long operation lifetime.例文帳に追加

エッチング加工時に生じた損傷による結晶欠陥が、通電動作によって活性層に伝播することを防ぎ、動作寿命の長い素子を提供する。 - 特許庁

The compacting of a metallic workpiece whose major component is an active metallic element such as Ti and Al can be easily performed without generating galling on the inner surface of dies.例文帳に追加

金型内面にかじり等を生じることなく、Ｔｉ、Ａｌ等の活性金属元素を主成分とした金属素材の成形加工を容易に行うことができる。 - 特許庁

To enhance the efficiency of a process development by shortening the time for analyzing the cause of abnormalities of a display screen, and to provide an active matrix liquid crystal display element having higher performance.例文帳に追加

表示画面の異常の原因解析にかかる時間を短縮してプロセス開発の効率を高め、より高性能なアクティブマトリクス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The stack is bonded to a transparent optical element having a refractive index for the light emitted by the active region preferably greater than about 1.5, or preferably grater than about 1.8.例文帳に追加

スタックは、活性領域により放射される光について約１.５より大きく好ましくは約１.８より大きい屈折率を有する透明光学素子に結合される。 - 特許庁

The positive electrode active material is made by providing a coated layer containing at least a kind of element M selected from second to sixteenth groups different from a main transition metal element A constituting complex oxide particles at least containing lithium and one or a plurality of transition metal and a halogen element X, with the element M and the halogen element X presenting different distribution, at least on a part of the surface of the complex oxide particles.例文帳に追加

リチウムと、１または複数の遷移金属とを少なくとも含む複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に、複合酸化物粒子を構成する主要遷移金属元素Ａとは異なり、２族〜１６族から選ばれる少なくとも１種の元素Ｍと、ハロゲン元素Ｘとを含み、元素Ｍとハロゲン元素Ｘとが異なる分布を呈する被覆層を設けて正極活物質とする。 - 特許庁

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

This method for manufacturing an electrode comprises a cutting process to cut an electrode sheet where an active substance containing layer is formed on a collector, and to obtain an electrode element body as a portion of the electrode sheet and a heating/pressurization processing process to operate heating/pressurization processing to at least the peripheral edge of the active substance containing layer in the electrode element body.例文帳に追加

集電体上に活物質含有層が形成された電極シートを切断して、電極シートの一部である電極素体を得る切断工程と、電極素体における活物質含有層の少なくとも周縁部に加熱加圧処理を施す加熱加圧処理工程と、を含むことを特徴とする電極の製造方法。 - 特許庁

An n-type MIS transistor nTr includes: an active region 1a that is surrounded by an element isolation region 32 in a semiconductor substrate 1; a gate insulator film 13a that is formed on the active region 1a and on the element isolation region 32 and includes a high dielectric constant insulator film 12a; and a gate electrode 16a formed on the gate insulator film 13a.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタｎＴｒは、半導体基板１における素子分離領域３２に囲まれた活性領域１ａと、活性領域１ａ上及び素子分離領域３２上に形成され且つ高誘電率絶縁膜１２ａを有するゲート絶縁膜１３ａと、ゲート絶縁膜１３ａ上に形成されたゲート電極１６ａとを備えている。 - 特許庁

According to an embodiment, a manufacturing method of semiconductor light-emitting element includes a step of forming an active layer containing indium on a heated substrate and a step of forming a multilayer film made of a nitride semiconductor on the active layer in a state where the substrate is heated to the substantially same temperature as that when forming the active layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、加熱した基板上に、インジウムを含む活性層を形成する工程と、前記活性層を形成するときと実質的に同じ温度に前記基板を加熱した状態で、前記活性層上に、窒化物半導体からなる多層膜を形成する工程と、を備えた。 - 特許庁

In the laminated battery having a battery element made by having a cathode with a cathode active material layer formed on the surface of a collector, a separator, and an anode with an anode active material formed on the surface of a collector, at least one cathode active material layer and the separator contain heat resistant materials.例文帳に追加

集電体の表面に正極活物質層が形成されてなる正極、セパレータ、及び集電体の表面に負極活物質層が形成されてなる負極がこの順で積層されてなる電池要素を有する積層型電池であって、少なくとも一の正極活物質層及びセパレータが耐熱性材料を含む事を特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

In the mesa formation step S15, width of the active layer is determined so that the difference between the oscillation wavelength of the distributed feedback type semiconductor laser element which depends on the width of the active layer in a direction crossing the predetermined direction and the period of the grating, and the gain peak wavelength of the active layer obtained at the measurement step falls within a predetermined range.例文帳に追加

メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material for lithium secondary battery and manufacturing method for the active material, wherein the positive electrode active material consists of a core containing lithium compound and a surface processed layer formed on the core and containing one or more coating substances selected from the group comprising hydroxide, oxyhydroxide, oxycarbonate, and hydroxycarbonate of a coating element.例文帳に追加

本発明はリチウム二次電池用正極活物質及びその製造方法に関するものであり、この正極活物質はリチウム化合物を含む、コア及びコア上に形成されたコーティング元素のヒドロキシド、オキシヒドロキシド、オキシカーボネート及びヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも一種以上のコーティング物質を含む表面処理層からなる。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of a semiconductor substrate 101, an active area and an element separation area 102, a gate insulating film 105 formed on the active area, a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 105 and a conductor formed in the source/drain area at the upper part of a face with which the active area and the gate insulating film 105 are brought into contact.例文帳に追加

半導体基板１０１と、活性領域と素子分離領域１０２と、上記活性領域上に形成されたゲート絶縁膜１０５と、上記ゲート絶縁膜１０５上に形成されたゲート電極１０６と、ソース／ドレイン領域に活性領域とゲート絶縁膜１０５が接する面より上部に導電体とを備える。 - 特許庁

The piezoelectric element 10 has an active part A receiving an electric field by the voltage application of the inner electrodes 12 to generates displacement, and an inert part B receiving no electric field to generate no displacement and the relation between the width Wact of the active part A and the whole width Wall of the active part A and the inactive part B is Wact/Wall > 0.85.例文帳に追加

圧電素子１０は前記内部電極１２の電圧印加により電界がかかって変位が発生する活性部分Ａと、電界がかからず変位の発生しない不活性部分Ｂを有し、前記活性部分Ａの幅Ｗａｃｔと、該活性部分Ａと前記不活性部分Ｂを合わせた全体の幅Ｗａｌｌの関係が、 Ｗａｃｔ／Ｗａｌｌ＞０.８５ である。 - 特許庁

In a nonaqueous electrolyte battery 1 provided with a positive electrode 2, including positive electrode active material, a negative electrode 3 including negative electrode active material, and electrolyte filled between the positive electrode 2 and the negative electrode 3, the positive electrode active material is composed of a spinel-type lithium manganese compound oxide, having a part of manganese Mn is substituted by transition element, such as chromium.例文帳に追加

正極活物質を有する正極２と、負極活物質を有する負極３と、正極２と負極３との間に介在される電解質とを備えた非水電解液電池１において、正極活物質が、マンガン（Ｍｎ）の一部がクロム等の遷移金属で置換されているスピネル型リチウムマンガン複合酸化物からなる。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material for a lithium ion battery constituting a lithium ion battery having high discharge capacity without applying addition of a different kind of substance or substitution of a different kind of element to the positive electrode active material of lithium phosphate; and to provide a lithium ion battery having high discharge capacity by having the positive electrode active material for a lithium ion battery.例文帳に追加

リチウム金属リン酸塩の正極活物質に異種物質の添加や異種元素の置換を施すことなしに、放電容量の高いリチウムイオン電池を構成するリチウムイオン電池用正極活物質、及び、このリチウムイオン電池用正極活物質を有することで放電容量の高いリチウムイオン電池を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element having an active layer sandwiched by a pair of clad layers, hydrogen atoms are contained at least in the region close to the edge of its laser oscillator and the band gap of the active layer in the region close to the edge of the laser oscillator is larger than the band gap of the active layer in the inner region of the laser oscillator.例文帳に追加

一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。 - 特許庁

A substrate 1 is overlapped with an n-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer 4, and an optical resonant surface is made of a parting surface S in the laminating direction, to constitute a band-shaped laser element resonator that emits light from the active layer 3.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層され、積層方向の裂開面Ｓが光共振面とされ、活性層３より発光する帯状のレーザ素子共振器を構成している。 - 特許庁

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element.例文帳に追加

酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する - 特許庁

A laminated ceramic capacitor element is composed of an active layer composed of a ceramic dielectric layer and an inner electrode layer and reactive layers of ceramic dielectric layers formed on the upper and lower sides of the active layer so as to sandwich it and openings are formed at the ends of the inner electrode layer.例文帳に追加

セラミック誘電体層と内部電極層より成る有効層を挟むようにその上下にセラミック誘電体層より成る無効層を設けることにより構成された積層セラミックコンデンサ素子において、前記内部電極層の端部に空隙を形成させた。 - 特許庁

An etching stopper layer between the inner clad layer on an active layer and a mesa-striped outer clad layer is made of strain compensation structure, thereby suppressing the entry of glide dislocation generating at a stress concentrating point into the active layer and preventing a defective characteristic element.例文帳に追加

活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。 - 特許庁

The battery includes a battery element comprising a positive electrode 21 having a positive electrode active material layer 21B arranged on a strip-shaped positive electrode current collector 21A and a negative electrode 22 having a negative electrode active material layer 22B arranged on a strip-shaped negative electrode current collector 22A laminated with a separator interposed.例文帳に追加

帯状の正極集電体２１Ａ上に正極活物質層２１Ｂが設けられた正極２１と、帯状の負極集電体２２Ａ上に負極活物質層２２Ｂを有する負極２２とがセパレータを介して積層された電池素子を備える。 - 特許庁

The power generation element 20 is formed by alternately laminating a plurality of bipolar electrodes forming positive electrode active material layers 13 on one surface of a collector 12 and forming negative electrode active material layers 14 on the other surface of the collector 12 and a plurality of electrolyte layers 15.例文帳に追加

発電要素２０は、集電体１２の一方の面に正極活物質層１３が形成されかつ他方の面に負極活物質層１４が形成されてなる双極型電極と、電解質層１５とが交互に複数積層されて構成される。 - 特許庁

A bipolar battery 4 being a secondary battery is provided with a unit cell (a battery element) 7, which has a positive-electrode active material layer 10 and a negative-electrode active material layer 8 that are respectively arranged on both sides of an electrolyte layer 9, and a coating layer 2 that at least partially coats the unit cell 7.例文帳に追加

２次電池であるバイポーラ電池４は、電解質層９の両側に配置された正極活物質層１０および負極活物質層８を有する単位電池（電池要素）７と、単位電池７の少なくとも一部を被覆する被覆層２とを備える。 - 特許庁

The electrode for electrochemical element is manufactured through a step of forming the anti-acid material layer containing an anti-acid material on the collector and a step of forming an active material layer containing an electrode active material and a binder on the anti-acid material layer.例文帳に追加

また、本発明の電気化学素子用電極は、集電体上に制酸材を含有する制酸材層を形成する工程、並びに、前記制酸材層上に電極活物質及び結着剤を含有する活物質層を形成する工程を経て製造される。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 has an EA type optical modulator 11A in which the insulating region of an active layer 16A at a first portion 11a including the exit side end is thicker than the insulating region of the active layer 16 at a second portion 11b.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子１０は、出射側端部を含む第１の部分１１ａの活性層１６Ａの絶縁領域の厚さが、第２の部分１１ｂの活性層１６の絶縁領域の厚さより厚いＥＡ型光変調器１１Ａを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 includes an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor, an upper clad layer 8 formed on the active layer 5, and a ridge portion 11 formed by dry-etching the upper clad layer 8 up to a halfway depth.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。 - 特許庁

The catalyst for the DMFC type fuel cell contains RuTe_2 obtained from a nitrogen element-containing Ru compound such as Ru(NO)(NO_3)_3 as an active component, or the catalyst of the DMFC type fuel cell contains RuTe_2 and a tungsten oxide as the active component.例文帳に追加

Ｒｕ（ＮＯ）（ＮＯ_３）_３等の窒素元素含有Ｒｕ化合物から得られたＲｕＴｅ_２を活性成分として含むＤＭＦＣ型燃料電池用触媒、或いは活性成分としてＲｕＴｅ_２とタングステン酸化物を含むＤＭＦＣ型燃料電池用触媒。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element comprises a lower clad layer, an In-containing active layer formed on the clad layer, an evaporation preventing layer formed on the active layer, and an upper clad layer formed on the evaporation preventing layer.例文帳に追加

本発明の化合物半導体発光素子は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたＩｎを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含むものである。 - 特許庁

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁

The active layer formed inside each light emitting element is formed like a curve (kinked line), that extends from the front edge face 6 to the rear edge face 7, by which the disused light that leaks and propagates through a region other than an active layer can be less reflected from a rear edge face.例文帳に追加

各発光素子内の活性層を前端面６から後端面７にわたって曲線状（折れ線状）に形成することにより、活性層以外の領域内へ漏れ込んで伝搬する非所望光の後端面での反射を低減させることができる。 - 特許庁

To provide an active matrix board in which a resin substrate is prevented from being warped during a process or after finishing assembling as a display device when an active matrix element is layered on the resin substrate, production is stably performed, and reliability is enhanced in the display device.例文帳に追加

樹脂基板にアクティブマトリクス素子を積層する場合に、プロセス途中や表示装置として組み上がった段階において、樹脂基板の反りを防止し、ひいては製造を安定して行い、表示装置の信頼性を高め得るアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an active layer 104 formed on a substrate 101, a ridge waveguide 107a formed on the active layer 104, and a semiconductor laminate body which emits light from at least one of a front end face and rear end face.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。 - 特許庁

A floating gate FG is selectively provided over two adjacent active regions AA and an element isolation region STI between them and while covering this floating gate FG, control gates CG1-CG16 are extended orthogonally with the active regions AA.例文帳に追加

隣接する２つの活性領域ＡＡと、その間の素子分離領域ＳＴＩとを跨ぐようにして、浮遊ゲートＦＧが選択的に設けられ、この浮遊ゲートＦＧを覆い、かつ活性領域ＡＡと直交するようにして制御ゲートＣＧ１〜ＣＧ１６が延設されている。 - 特許庁