「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

By this setup, the region of an active layer 11 is varied in lattice structure, so that the element 1 is capable of compensating a characteristic change caused by heat.例文帳に追加

これにより、特に活性層１１の領域における格子の構造に変化を与えることができ、熱による素子１の特性変化を補償することが可能となる。 - 特許庁

To provide an input circuit in which the application of a high voltage exceeding element withstand voltage is prevented, and an active status/a stand-by status can be switched at a high speed.例文帳に追加

素子耐圧を超える高電圧が印加されるのを防止し、且つ、活性状態／待機状態を高速に切り替え可能な入力回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element in which a light radiated from an active layer is extracted more effectively, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

活性層から放射される光をより効率的に取り出すことができる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

On this occasion, the formation is carried out so that the distance between the opening and the neighboring active region can be varied by the width of the element isolation film pattern under the selected opening.例文帳に追加

この時、開口部とこれに隣接する活性領域との間の距離を選択された開口部の下の素子分離膜パターンの幅によって変えるように形成する。 - 特許庁

The transmission line 103 connected to an active element and a pad 102 connected to the tip of the transmission line 103 are arranged on the surface of a GaAs substrate 109.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０９の表面に、能動素子に接続する伝送線路１０３と、この伝送線路１０３の先端に接続されたパッド部１０２とを備える。 - 特許庁

It is possible to configure an optical switch group with optical coupling improved by using the optical active device 3 as an optical polarizing element and to obtain a high performance optical cross connect switch.例文帳に追加

光学能動素子３を光偏光素子とすることで光結合が向上した光スイッチ群を構成でき、光クロスコネクトスイッチの高性能化が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for adding an active element, such as Ca, rare earth metal, by which the dispersion of contents in a steel, is little and the yield is high in a ladle refining.例文帳に追加

取鍋精錬において、鋼中の含有量のバラツキが小さく、また歩留りが高くなるＣａ、希土類金属等の活性元素の添加方法を提供すること。 - 特許庁

An element isolation structure 11 is formed on a silicon wafer 10, a dummy gate oxide film and a dummy gate are formed in an active region, and the entire surface of the wafer is covered with a thin silicon nitride film 31.例文帳に追加

シリコンウェハ10上に素子分離構造11を形成し、活性領域にダミーゲート酸化膜およびダミーゲートを形成し、ウエハ全面を薄い窒化シリコン膜31で覆う。 - 特許庁

A first oxide film 32 is deposited by a CVD method on an inner circumferential surface of the trench 31 for element isolation, and the active portion trench 35 is buried with the first oxide film 32.例文帳に追加

ＣＶＤ法により素子分離用トレンチ３１の内周面に第１酸化膜３２を堆積するとともに、活性部トレンチ３５を第１酸化膜３２で埋める。 - 特許庁

A high dielectric constant film 6 as a gate insulating film is formed extended from a first upper portion 1a onto a second active region 1b through an element isolation region 2.例文帳に追加

第１の活性領域１ａ上から素子分離領域２上を経て第２の活性領域１ｂ上まで、ゲート絶縁膜となる高誘電率膜６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode, the electrode and an electrochemical element in which an adhesion between an active material layer of the electrode and a current collector can be more improved.例文帳に追加

電極の活物質層と集電体との密着性をより一層向上させることができる電極の製造方法、電極、及び電気化学素子を提供すること。 - 特許庁

To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.例文帳に追加

基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a vibration device with stable electric characteristics in which damage of an active region of a semiconductor substrate caused by a laser beam used in tuning a vibration element may be suppressed.例文帳に追加

振動素子のチューニングの際に用いるレーザー光による半導体基板の能動領域へのダメージを抑制し、電気的特性の安定した振動デバイスを提供する。 - 特許庁

The light emitting element is provided, on a substrate, with an active layer 5 of the quantum well structure formed by alternately laminating a quantum well layer 51 and a barrier layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。 - 特許庁

To provide an AlGaInP light emitting element having high reliability by preventing deterioration of a window layer due to stress and oxidation of an active layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

活性層の応力の発生と酸化によるウィンドウ層の劣化を防止して信頼性の高いＡｌＧａｌｎＰ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The second active layer 19 for the second semiconductor optical element 11b is provided on the second area 13d and the first clad layer 15 of the main surface 13a.例文帳に追加

第２の半導体光素子１１ｂのための第２の活性層１９は、主面１３ａの第２のエリア１３ｄ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。 - 特許庁

A manufacture of an active matrix EL display device comprises a step of forming an EL material for a picture element portion 111 in an application process using a dispenser 116.例文帳に追加

アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、画素部１１１に形成するＥＬ材料を、ディスペンサー装置１１６を用いた塗布工程により形成することを特徴とする。 - 特許庁

The second active layer 19 for a second semiconductor optical element 11b is prepared in a second region 13d of the principal 13a and on the first clad layer 15.例文帳に追加

第２の半導体光素子１１ｂのための第２の活性層１９は、主面１３ａの第２のエリア１３ｄ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。 - 特許庁

The liquid crystal display element is constituted by sticking a counter substrate 18 and an active matrix substrate 24 together across a liquid crystal layer 22 filled with a sealant 20.例文帳に追加

対向基板１８とアクティブマトリックス基板２４とがシール材２０によって封入された液晶層２２を介して張り合わされて液晶表示素子が構成されている。 - 特許庁

An active element sequentially drives the respective light emitting elements in the respective predetermined period in the predetermined section, and consequently the respective light emitting elements emit lights in order in the respective predetermined period.例文帳に追加

能動素子は所定区間内で所定期間ごとに各発光素子を順次に駆動し，これによって各発光素子は，所定期間ごとに順次に発光する。 - 特許庁

The semiconductor chip 51 is provided with a semiconductor active element having a first input electrode (gate electrode pad) 408 and a first output electrode (drain electrode) 410.例文帳に追加

半導体チップ５１は、第１の入力電極（ゲート電極パッド）４０８及び第１の出力電極（ドレイン電極）４１０を有する半導体能動素子を備えている。 - 特許庁

Membrane lipid, where an extracellular active domain of the membrane protein receptor is integrated into the surface, is immobilized on the surface of a piezoelectric element or a surface plasmon resonance sensor.例文帳に追加

表面に膜タンパク質レセプターの細胞外活性ドメインを組み込んだ膜脂質を圧電素子又は表面プラズモン共鳴センサーの表面に固定したことを特徴とする。 - 特許庁

To remarkably improve light emitting characteristics in a semiconductor light emitting element having a semiconductor layer containing Al and provided between a substrate and an active layer containing nitrogen.例文帳に追加

基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。 - 特許庁

Thereafter, a material containing silicon and the oxygen neutral active species or oxygen atoms are supplied to form as silicon oxide film and to manufacture a semiconductor element.例文帳に追加

また、その後に、シリコンを含んだ原料と、酸素の中性活性種もしくは酸素原子とを供給してシリコン酸化膜を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁

An opaque film 204 is formed on an end face other than an active layer end face 113 of at least one resonance surface of the nitride semiconductor laser element, having a resonance surface.例文帳に追加

共振面を有する窒化物半導体レーザ素子の少なくとも一方の共振面の活性層端面１１３以外の端面に不透光膜２０４が形成される。 - 特許庁

The light-emitting element has an electron barrier layer 16 between an active layer 15 made of ZnSeTe or BeZnSeTe and a second guide layer 17 made of an MgSe/BeZnSeTe superlattice.例文帳に追加

ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。 - 特許庁

A switching power supply device 1 comprises a transformer 10, a main switching element 120, an active clamp circuit 121, surge suppression circuits 122 and 123, and diodes 130 and 131.例文帳に追加

スイッチング電源装置１は、トランス１０と、主スイッチング素子１２０と、アクティブクランプ回路１２１と、サージ抑制回路１２２、１２３と、ダイオード１３０、１３１とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

The active element 50 includes a source region 25, a drain region 26, and low-voltage lines 28 and 29 connected respectively to the source region 25 and the drain region 26.例文帳に追加

すなわち、能動素子５０は、ソース領域２５およびドレイン領域２６と、ソース領域２５およびドレイン領域２６に接続された低電圧配線２８、２９とを含む。 - 特許庁

Lithium manganate spinel made by adding at least one kind of element selected from B, Bi, Mo, P, Cr, V, and W is used as a positive electrode active material.例文帳に追加

Ｂ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗの中から選ばれた少なくとも１種類以上の元素を添加してなるマンガン酸リチウムスピネルを正極活物質として用いる。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 are formed on an active region which is partitioned by an element isolation region 12 formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１に形成された素子分離領域１２によって区画された活性領域上にゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

The photo-electric element 10 comprises stacked epitaxial semiconductor layers having an active zone 3 that radiates electromagnetic beams and at least one electrical contact region 7.例文帳に追加

光電子構成素子１０は、電磁ビームを放射する活性ゾーン３を有するエピタキシャル半導体層列と、少なくとも１つの電気コンタクト領域７とを有している。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer 5, an undoped thin spacer layer 7 is provided between an undoped optical guide layer 6 and a p-type clad layer 8.例文帳に追加

量子井戸を活性層５とする半導体レーザ素子において、ノンドープ光ガイド層６とｐ型クラッド層８との間にアンドープの薄いスペーサ層７を設ける。 - 特許庁

The source/drain regions of the first MIS transistor are not in contact with the element separation region 2 positioned at the edge in the lengthwise direction of the gate in the first active region 21a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタのソース／ドレイン領域は、第１の活性領域２１ａにおけるゲート長方向の端部に位置する素子分離領域２に接していない。 - 特許庁

Then, the active (channel) region of the semiconductor device is formed by the use of the silicon film in a region other than the region where the element selected from the 5 B group is introduced.例文帳に追加

そして、その５族Ｂから選ばれた元素が導入された領域以外の領域のケイ素膜を用いて、半導体装置の能動(チャネル)領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 102 is fixed on an electrode pattern 106 by solder layers 107 by turning a side where the active layer 103 exists to a silicon substrate 104-side.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０２は、その活性層１０３の存在する側をシリコン基板１０４側に向けて、電極パターン１０６の上にハンダ層１０７で固定している。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes a semiconductor substrate, a first conductivity-type lower clad layer, an active layer, a second conductivity-type upper clad layer, an electrode and a reflection film.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板、第１導電型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の上部クラッド層、電極、及び反射膜を備えている。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1a includes a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, a potential control layer 2a, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１ａは、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２ａと、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery which is provided with a negative electrode in which an active material containing at least either element of silicon or tin is used and has excellent charge and discharge characteristics.例文帳に追加

ケイ素、スズの少なくともいずれかの元素を含む活物質を負極に用いたリチウム二次電池であって、充放電特性の優れたリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode active material capable of providing a sodium secondary battery in which the quantity of a rare metal element such as lithium or the like can be reduced and which has a large discharge capacity.例文帳に追加

リチウム等の稀少金属元素の量を減少させることができ、放電容量の大きいナトリウム二次電池を与えることができる電極活物質を提供する。 - 特許庁

A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

An asymmetric epoxidation reaction is carried out by using the optically active 1,1'-bi-2-naphthol trimer derivative represented by formula (5) or (6) as an asymmetric synthesis catalyst element.例文帳に追加

下記式（５）又は式（６）で示される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール−３量体誘導体を不斉合成触媒素子として用い、不斉エポキシ化反応を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active element structure 2 formed on a semiconductor substrate 1 and having a connecting region 3 formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、半導体基板の表面に形成された接続領域３を有する能動素子構造２を有する。 - 特許庁