「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In the unit power generation element 31, a bipolar electrodes 21 having a positive electrode active material layer 23 formed on one side of a collector 22 and a negative electrode active material layer 24 formed on the other side are laminated through an electrolyte layer 25.例文帳に追加

単位発電要素３１は、集電体２２の一方の面に正極活物質層２３が形成され、他方の面に負極活物質層２４が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層されてなる。 - 特許庁

An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 and a second layer 2 respectively containing silicon and a metal element as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１０１上に、珪素および金属元素を負極活物質として各々含有する第１および第２の層１，２が交互に積層されてなる負極活物質層１０２を有する。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, and by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

The memory element 101 includes a first active region 105 on a substrate 100, and first and second source/drain regions 150, 152 positioned on the substrate adjacent to the first and second sidewalls of the first active region 105.例文帳に追加

メモリ素子１０１は、基板１００上に第１アクティブ領域１０５と、第１アクティブ領域１０５の第１及び第２側壁にそれぞれ隣接する基板上に位置する第１及び第２ソース／ドレイン領域１５０、１５２を含む。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor formed with a high accuracy source/drain electrode pattern of several μms and an active matrix display device using the organic thin film transistor as an active element.例文帳に追加

インクジェット印刷あるいはディスペンサ印刷を用いた数μｍの高精細なソース・ドレイン電極パターンが形成された有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタをアクティブ素子として用いるアクティブマトリックス表示装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an active layer area I of layer structure including an active layer and a waveguide layer area II butt- joined therewith are formed on a semiconductor substrate, and the butted joint surface J is a vertical surface inclined at 45 degrees to the crystal azimuth (011) of a conductor material comprising at least the active layer in the active layer area I.例文帳に追加

活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。 - 特許庁

The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁

In the active driving type organic EL display provided with an organic EL element and a TFT, between the lower electrode of the organic EL element and the TFT, there is arranged an electrical connecting member composed of amorphous electric conductive oxide.例文帳に追加

有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設ける。 - 特許庁

The device includes a protective element 3 extending all over the active surface of the image plate 2, wherein the protective element 3 extends at least partly over the rear surface of the image plate.例文帳に追加

この装置は、前記画像板２の活性化表面の全てにわたって延在する保護要素３を含み、この保護要素３は、さらに前記画像板の前記裏面にわたって少なくとも部分的に延在している。 - 特許庁

The closed assembly moves between two conditions: one in which the blank closing element 26 is loaded on the furnace opening, and another in which the active closing element 32 is located on the furnace opening which includes the crucible and the mold.例文帳に追加

閉鎖組立体は、ブランク要素２６が炉開口に装填状態と能動閉鎖要素３２が炉においてるつぼ及び鋳型を有する炉開口にある作動状態とである２つの状態間において動く。 - 特許庁

A mesh-shaped wiring pattern 3 connected to a DC potential (GND potential, for example), is formed on an active element area (such as transistor) and a passive element area (such as resistor or capacitor) on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体基板の上の能動素子領域１（トランジスタなど）と受動素子領域２（抵抗、コンデンサなど）の上に、ＤＣ電位（例えばＧＮＤ電位）に接続された網目状の配線パターン３を形成する。 - 特許庁

In the active driving type organic EL display device having an organic EL element and a TFT, an electric connecting member consisting of a noncrystalline conductive oxide is disposed between the lower electrode of the organic EL element and the TFT.例文帳に追加

有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設ける。 - 特許庁

To provide a transparent composite sheet that has high surface smoothness, low linear expansion coefficient and excellent transparency and can be used as an optical sheet, a plastic substrate for display element and a substrate for active matrix display element.例文帳に追加

高い表面平滑性を有し、低線膨張係数で透明性に優れた、光学シート、表示素子用プラスチック基板又はアクティブマトリックス表示素子用基板として好適に利用できる透明複合シートを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light-emitting element which can improve a strength of the obtained element with preventing adhesion of a foreign material to an end of an active layer when removing a growth substrate by the LLO method.例文帳に追加

成長基板をＬＬＯ法によって除去する際に、異物の活性層端部への付着を防止しつつ、得られた素子の強度の向上ができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The support further has a protruding element arranged on a metallization level of the interconnection level, thereby making it possible to produce an electrical contact between the interconnection level and the active element of the acoustic resonator.例文帳に追加

該支持部は相互接続平面部の金属被覆平面部の上方に配置された突起素子を更に備え、これにより、相互接続平面部と音響共振器の能動素子との間に電気的接触が形成される。 - 特許庁

Each of the mooring devices 100A, 100B comprises an active means for use in moving the installing element 1 within a vertical plane and a horizontal plane, wherein this method includes a step for re-positioning the installing element 1 in a stepwise manner.例文帳に追加

各係留装置１００Ａ，１００Ｂは、垂直にかつ水平面内で装着要素１を動かす能動的手段を備えており、この方法は、装着要素１を段階的に再位置決めすることを含む。 - 特許庁

Since the display element attains compatibility between high contrast ratio and high voltage retention, an information display which can be driven by an active element such as TFT and has excellent display quality can be produced.例文帳に追加

本願発明の表示素子は、高いコントラスト比と電圧保持率を両立できるので、TFTなどのアクティブ素子で駆動することが可能であり、優れた表示品位を有する情報ディスプレイを実現することができる。 - 特許庁

To provide a novel ferrocene-containing conductive polymer able to enhance action characteristics when used as a material of the organic active layer of an organic memory element, the organic memory element and a method for producing the same.例文帳に追加

有機メモリ素子の有機活性層の素材として使用するときに動作特性を向上させることが可能な新規のフェロセン含有伝導性高分子、これを用いる有機メモリ素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

In the laser element portion 10A and the LED element portion 10B, a semiconductor layer containing an active layer 113, a p-side electrode 117 and an n-side electrode 118 are continuously provided to be on a common layer.例文帳に追加

レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the lithium iron phosphate-contained positive electrode active material which is made by calcining a mixture containing a metallic element compound containing iron element, a phosphoric acid compound containing an organic phosphoric acid compound, and a lithium compound.例文帳に追加

鉄元素を含む金属元素化合物と、有機リン酸化合物を含むリン酸化合物と、リチウム化合物と、を含む混合物を焼成してなるリン酸鉄リチウム含有正極活物質の製造方法。 - 特許庁

Thus, the negative electrode active material for a nonaqueous electrolyte secondary battery which contains the element M capable of forming the intermetallic compound with lithium and has a moisture amount of 0.04 molecule or less per one atom of the above element M.例文帳に追加

こうして、リチウムと金属間化合物を形成可能な元素Ｍを含み、水分量が上記元素Ｍの１原子あたり０．０４分子以下である非水電解質二次電池用負極活物質を得る。 - 特許庁

To provide an image display panel that is applied to an active matrix type image display device using a self light-emitting element, for example, such as an organic EL element so as to reduce restrictions on casing design compared with the conventional one and prevent deterioration in image quality.例文帳に追加

本発明は、例えば有機ＥＬ素子等の自発光素子を使用したアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、従来に比して筺体設計の制約を低減し、画質の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide an electrode metal foil of electric double-layer accumulating element which can increase a contact area for active substance without deteriorating the strength thereof and can reduce the internal resistance of the electric double-layer accumulating element without deteriorating its quality.例文帳に追加

活物質との接触面積を、強度を低下させずに増加させ、品質低下なく電気二重層蓄電素子の内部抵抗を減少させ得る電気二重層蓄電素子の電極用金属箔を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加

高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composite sheet which is inexpensive, reduced in the coefficient of linear expansion, has good surface smoothness and can be suitably utilized as an optical sheet, a plastic substrate for a display element or a substrate for an active matrix display element.例文帳に追加

安価で線膨張係数が小さく、表面平滑性が良好な、光学シート、表示素子用プラスチック基板又はアクティブマトリックス表示素子用基板として好適に利用できる複合シートを提供する。 - 特許庁

To prevent dielectric breakdown of a thin film transistor of an active matrix type liquid crystal display element which has an anodic oxide film formed on the surface of a scanning line, etc., and to make the size of the element itself small.例文帳に追加

走査ライン等の表面に陽極酸化膜が形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、薄膜トランジスタの静電気に起因する絶縁破壊等を防止できる上、素子自体のサイズを小さくする。 - 特許庁

An element isolating region 2 and a well layer 3 are formed on a silicon substrate 1, and then a silicon layer 6 of low-impurity concentration is deposited on a region including the element isolating region 2 and an active region 5 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１に素子分離領域２及びウェル層３を形成した後、素子分離領域２及びアクティブ領域４を含む領域にＣＶＤ法を用いて低不純物濃度のシリコン層６を堆積させる。 - 特許庁

In an active matrix type EL display device, an EL element is sealed with a sealing material and a frame material, and an upper electrode of the EL element and a flexible printed circuit (FPC) are electrically connected to each other through a connection wire.例文帳に追加

アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置において、ＥＬ素子はシール材とフレーム材により封止されており、ＥＬ素子の上部電極とフレキブルプリントサーキット（ＦＰＣ）とは接続配線により電気的に接続される。 - 特許庁

The semiconductor element comprises: the recessed channel region formed in a semiconductor substrate while containing the vertical type SOI channel structure which is formed in an active region and the element isolation structure defining the active region and is positioned at the side walls of the element isolation structure on both the sides in the longitudinal direction of the gate region; and a gate structure formed at the upper part of the recessed channel region of the gate region.例文帳に追加

半導体基板内に形成され、活性領域を画成する素子分離構造と活性領域内に形成され、ゲート領域の長手方向で両側の素子分離構造の側壁に位置した垂直型ＳＯＩチャンネル構造を含むリセスチャンネル領域と、ゲート領域のリセスチャンネル領域の上部に形成されるゲート構造物を含む半導体素子及びその製造方法。 - 特許庁

To expose respective gate electrode formation films and gate wiring formation films formed on an active region and an element separation region with high accuracy, without being affected by the level difference between the active region and the element separation region, in a method for manufacturing a semiconductor device having a full-silicified gate electrode.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、活性領域と素子分離領域との段差による影響を受けることなく、活性領域上と素子分離領域上とに形成されたそれぞれのゲート電極形成膜及びゲート配線形成膜の露出を精度良う。 - 特許庁

At least one end of an active element-doped polycrystalline transparent ceramic part 2 is connected to a polycrystalline transparent ceramic part 1 not containing the active element, and optically polished both end faces of connected composite laser medium are covered with dielectric multilayer films 6 and 7 for minimizing reflection losses on surfaces.例文帳に追加

活性元素をドープした多結晶質透明セラミック部分２の少なくとも一つの端部が、活性元素を含まない多結晶質透明セラミック部分１と接合され、この結合された複合レーザ媒質の光学研摩された両端面は、表面の反射ロスを極小化するための誘電体多層膜６、７で被覆される。 - 特許庁

Further, by making active timing of the plurality of signals periodical and making an active period width fixed, it is possible to simplify a configuration of a peripheral circuit such as a power circuit and a signal generation circuit, and further prevent long-term direct current application to an electrooptical element, and extend a life of the electrooptic element.例文帳に追加

さらに複数の信号のアクティブタイミングを定期的であるとともにアクティブ期間幅を一定とすることによって、電源回路、信号生成回路等の周辺回路構成を簡素化が実現でき、さらには電気光学素子への長期的な直流印加を防止し、電気光学素子の寿命を延ばすことができる。 - 特許庁

A semiconductor element having a multi-channel includes a semiconductor substrate on which an element isolation film is formed, many trenches formed in an active region of the semiconductor substrate, and a channel active region that links sidewalls facing each other in the trench regions and the surface of which is used as a channel region.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜が形成された半導体基板、半導体基板の活性領域内に形成された多数のトレンチ及びそれぞれのトレンチ領域内の対向する側壁を連結し、表面がチャネル領域として用いられるチャネル活性領域を含む多重チャネルを有する半導体素子からなる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a liquid crystal display device of a color filter on array type, a color filter film 11 is formed on a TFT array substrate 9 on which the switching active element 5 for driving a pixel electrode is formed and before the color filter film 11 is formed, a protective film 3 is formed on the switching active element 5.例文帳に追加

画素電極を駆動するためのスイッチング能動素子５が形成されたＴＦＴアレイ基板９上に、カラーフィルタ膜１１を形成するカラーフィルタオンアレイ型液晶表示装置の製造方法であって、カラーフィルタ膜１１を形成する前に、スイッチング能動素子５上に保護膜３を形成する。 - 特許庁

This invention also includes a 1st active element T3 that is placed between a bias terminal of the 1st TR T1 and a transmission terminal of the 2nd TR T2 and a 2nd active element T4 that is placed between a bias terminal of the 2nd TR T2 and a transmission terminal of the 1st TR T1.例文帳に追加

本発明によれば、このような回路はさらに、第一のトランジスタＴ１及び第二のトランジスタＴ２のそれぞれのバイアス及び伝達端子間に配置された第一の能動素子Ｔ３と、第二のトランジスタＴ２及び第一のトランジスタＴ１のそれぞれのバイアス及び伝達端子間に配置された第二の能動素子Ｔ４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.例文帳に追加

半導体素子は、ソース／ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース／ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース／ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁

If a light transmissive part 32 and a light reflection part 34 of the light composite element 30 is in the form of a fine strip along a laminated direction of the semiconductor arrays 12 and 22, the light flux emitted from active layers 14 and 24 is suitably received with the light composite element 30 even when the active layers 14 and 24 are deviated.例文帳に追加

合光素子３０の光透過部３２および光反射部３４が半導体レーザアレイ１２、２２の積層方向に沿って細長い帯状であれば、活性層１４、２４が位置ズレを有していても、活性層１４、２４から出射した光束が合光素子３０によって適切に受光される。 - 特許庁

The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region (103) formed on semiconductor substrates, a trench-shaped element isolation region (104) formed on the semiconductor substrates (101, 102), and a fluorine diffusing region (116) formed on the semiconductor substrates to surround the element isolation region keeping separation from the active region.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板に形成された活性領域（１０３）と、前記半導体基板（１０１、１０２）に形成されたトレンチ型の素子分離領域（１０４）と、前記素子分離領域を囲み、且つ、前記活性領域に接触しないように前記半導体基板に形成されたフッ素拡散領域（１１６）とを有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition that has a high refractive index anisotropy and a low threshold voltage, and is improved in burn-in phenomenon when used for constructing an active matrix-driven cholesteric liquid crystal display element, and to also provide an active matrix-driven cholesteric liquid crystal display element improved in burn-in phenomenon and excellent in display quality.例文帳に追加

高い屈折率異方性及び低い閾値電圧を有し、アクティブマトリクス駆動コレステリック液晶表示素子を構成した場合における焼き付き現象を改善した液晶組成物を提供し、併せて焼き付き現象が改善された表示品位が優れたアクティブマトリクス駆動コレステリック液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The voltage detecting circuit for comparing a voltage to be detected with a reference voltage and outputting a signal, based on the result of comparison, includes an inverting amplifier circuit including an active element having a control terminal, a threshold voltage of which is no larger than the reference voltage, and the voltage to be detected is applied to the control terminal of the active element.例文帳に追加

検出すべき電圧を基準電圧と比較し、比較結果に基づいた信号を出力する電圧検出回路であって、制御端子のしきい値電圧が基準電圧以下である能動素子を含んだ反転増幅回路を含み、検出すべき電圧を能動素子の制御端子に入力するようにした。 - 特許庁

In the nonaqueous lithium ion secondary battery, a positive electrode including, as positive electrode active material, a lithium compound containing a metal element of Fe or Mn as a constituting element, and a negative electrode including, as a negative electrode active material, a carbon material capable of storing/releasing lithium ions are separately disposed within nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

本発明の非水系リチウムイオン二次電池は、構成元素に金属元素としてＦｅ又はＭｎを含むリチウム化合物を正極活物質とする正極と、リチウムイオンを吸蔵・放出可能な炭素材料を負極活物質とする負極とを、非水電解液内で分離して配置したものである。 - 特許庁

This preamplifier 40 comprises an active element 42, a base 54 for the active element 42 connected with an input terminal 44 of the preamplifier 40 via an input protection circuit 60, an emitter 58 connected with a ground terminal 48 via an emitter resistance R_E, and a collector 56 connected with a power terminal 50 via a collector resistance R_L.例文帳に追加

プリアンプ４０は、能動素子４２を含み、能動素子４２のベース５４は、プリアンプ４０の入力端子４４に入力保護回路６０を介して接続され、エミッタ５８はエミッタ抵抗Ｒ_Ｅを介して接地端子４８に接続され、コレクタ５６はコレクタ抵抗Ｒ_Ｌを介して電源端子５０に接続される。 - 特許庁

The MIS transistor comprises an active area 10a surrounded by an element separation area 11 on a semiconductor substrate 10, a gate insulating film 16a formed on the active area and the element separation area and having a high dielectric constant film 15a, and a gate electrode 19a formed on the gate insulating film.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、半導体基板１０における素子分離領域１１に囲まれた活性領域１０ａと、活性領域及び素子分離領域上に形成され、高誘電率膜１５ａを有するゲート絶縁膜１６ａと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１９ａとを備えている。 - 特許庁

A power feeding line 13 for anode oxidation extending in the row direction out of power feeding lines 13 for anode oxidation of a lattice shape is provided in the upper edge part of an active element substrate forming region 3, and a power feeding line 13 for anode oxidation extending in the column direction is provided in the left edge part of the active element substrate forming region 3.例文帳に追加

格子状の陽極酸化用給電ライン１３のうち行方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の上辺部に設けられ、列方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の左辺部に設けられている。 - 特許庁