| 意味 | 例文 |
active elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2766件
The negative electrode 21 has a negative active material layer 21B containing Si as a constituting element on both surfaces of a belt-shaped negative current collector 21A.例文帳に追加
負極21は、帯状の負極集電体21Aの両面にSiを構成元素として含む負極活物質層21Bが設けられている。 - 特許庁
To inhibit the progress of deterioration due to the increase in an element temperature accompanied by heater control for retaining each cell of a compound type gas concentration sensor in an active state.例文帳に追加
複合型のガス濃度センサの各セルを活性状態に保持するヒータ制御に伴う素子温度の上昇による劣化の進行を抑制すること。 - 特許庁
By using an insulating heat dissipating material 10 for an element isolation insulator, heat generated at an active region is dissipated from a lateral direction.例文帳に追加
素子分離絶縁体に絶縁性放熱材料10を用いることで、活性領域で発生した熱を横方向から放熱することが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method that can reliably suppress the occurrence of a shaping failure in an element isolation region around the end of an active region.例文帳に追加
活性領域の端部周辺における素子分離領域の形状不良の発生を確実に抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The surface of each linear element 121 constituting the negative electrode active material layer 12, has a gradient less than 90 degrees with respect to the surface of a negative electrode collector 11.例文帳に追加
負極集電体11の表面から見て、負極活物質層12を構成するライン状パターン121の表面の勾配が90度よりも小さい。 - 特許庁
To accelerate reduction in size and high output by increasing the heat dissipation route of an electronic circuit device mounting a high output active element 2.例文帳に追加
高出力の能動素子2を搭載した電子回路装置の放熱経路を増やして冷却効果を高めて装置の小形化・高出力化を促進する。 - 特許庁
To provide a surface emission semiconductor laser element which lowers a chance of getting uneven current injection to an active layer and prevents a light of the outer peripheral part from being blocked.例文帳に追加
活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR, SWITCHING CIRCUIT, ACTIVE ELEMENT SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, THERMAL HEAD, DROPLET DISCHARGING HEAD, PRINTER DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR DRIVEN LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE例文帳に追加
薄膜トランジスタ、スイッチング回路、アクティブ素子基板、電気光学装置、電子機器、サーマルヘッド、液滴吐出ヘッド、印刷装置、薄膜トランジスタ駆動発光表示装置 - 特許庁
The cathode active material can be produced by heat treatment of a mixture of the matrix particles and the compound of element A.例文帳に追加
本発明の正極活物質は、母材粒子を製造した後に、元素Aの化合物と混合し、熱処理を行うことによって製造することができる。 - 特許庁
DEVELOPING SOLUTION FOR DEVELOPING PHOTOSENSITIVE RESIN, IMAGE FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加
感光性樹脂現像用現像液、画像形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ付アクティブマトリックス基板の製造方法、及び液晶表示素子 - 特許庁
To provide a laminated piezoelectric element which prevent delaminations and cracks at and nearby the border between an active part and an inactive part and has superior durability.例文帳に追加
活性部と不活性部の境界及びその近傍でのデラミネーションやクラックの発生を防ぎ、耐久性に優れた積層型圧電素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor memory includes a periodic structure in which active areas AA1, AA2, ..., and element isolation areas are alternately arranged in a first direction.例文帳に追加
本発明の例に係る半導体メモリは、アクティブエリアAA1,AA2,・・・と素子分離エリアとが第1方向に交互に配置される周期構造を備える。 - 特許庁
In a semiconductor laser element, an active layer is divided into two of an optical amplifying region 3 and a saturable absorption region 4 in the resonator direction.例文帳に追加
半導体レーザ素子は、共振器方向において活性層が光増幅領域3と可飽和吸収領域4との2つに分割されている。 - 特許庁
The active layer of the laser element 10 is a region sandwiched between the extending direction lines of the layers 34 of the layer 20.例文帳に追加
また、GaN系半導体レーザ素子10の活性領域は、活性層20のうち高抵抗層34の延長方向線で挟まれた領域である。 - 特許庁
To increase permittivity of an insulating film, at the same time, to reduce leakage current when using the insulating film in an active element, and to improve characteristics in a semiconductor device.例文帳に追加
絶縁膜の誘電率の更なる向上を図り、かつ能動素子に用いた場合にリーク電流を少なくし、半導体素子の特性の向上を図る。 - 特許庁
On a silicon substrate 1, an insulating film 2a for element isolation is buried in a trench 1a to form STI 2, and an active regions 3 is isolated and formed.例文帳に追加
シリコン基板1は、トレンチ1aに素子分離用絶縁膜2aを埋め込んでSTI2を形成し、活性領域3を分離形成している。 - 特許庁
The organic EL light emitting element has a layer closely resembling to a monomolecular film of a surface-active agent between the transparent electrode and the organic EL layer.例文帳に追加
有機EL発光素子は、透明電極と有機EL層との間に界面活性剤の単分子膜に近似した層を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor element which suppresses deterioration in light-emitting efficiency due to deposition of In in an InGaN active layer.例文帳に追加
InGaN活性層中のInの析出による発光効率の低下を抑制する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The storage capacitors are arranged in the respective sub-pixel regions, and one electrode of each of them is electrically connected to the active element in the identical sub-pixel region.例文帳に追加
蓄積キャパシタは、それぞれの副画素領域に配置され、一方の電極が同じ副画素領域内のアクティブ素子と電気的に接続されている。 - 特許庁
To provide a Hall element whose active layer is formed of InAs and whose deterioration of constant-current sensitivity is prevented to an extent necessary for industrial mass production.例文帳に追加
素子の定電流感度の劣化が、工業的量産のために必要な程度に防止されている、活性層がInAsであるホール素子を提供すること。 - 特許庁
The surface of each linear element 121 constituting the negative electrode active material layer 12 has a gradient less than 90 degrees with respect to the surface of a negative electrode collector 11.例文帳に追加
負極集電体11の表面から見て、負極活物質層12を構成するライン状パターン121の表面の勾配が90度よりも小さい。 - 特許庁
To provide a projection type display device using a liquid crystal display element of active matrix driving system capable of preventing a display performance from being deteriorated due to a stripe domain.例文帳に追加
ストライプドメインによる表示性能の低下を防止できるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を用いた投射型表示装置を提供する。 - 特許庁
Concretely, the material on the liquid crystal layer side for e.g. a black matrix, an active element or wiring formed on at least either one of the substrates is defined as a light absorbing body.例文帳に追加
具体的には、例えば基板の少なくとも一方に形成したブラックマトリクス、能動素子、配線の液晶層側の材料を光吸収体とする。 - 特許庁
To provide a display device having light receiving elements disposed in an active area, and improving detection performance of the light receiving element.例文帳に追加
アクティブエリアに受光素子を配置し、しかも、この受光素子の検出性能を向上することが可能な表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a practical means capable of compensating reduction in the luminance of a light emitting element with the lapse of time in each pixel in an active matrix type image display apparatus.例文帳に追加
アクティブマトリクス型の画像表示装置において、発光素子の経時的な輝度低下を画素単位で補償可能な実用的手段を提供する。 - 特許庁
There is provided a positive electrode active material having a crystal structure of a Li_9M_3(P_2O_7)_3(PO_4)_2 type, where M is an element that can take a plurality of valences other than zero valence.例文帳に追加
Mは0価以外の複数の価数を取り得る元素であり、Li_9M_3(P_2O_7)_3(PO_4)_2型の結晶構造を有する正極活物質。 - 特許庁
Thereby, constant current can flow in an EL element and an active matrix type EL display device having an accurate gradation display with high image quality is realized.例文帳に追加
これにより、EL素子に一定の電流を流すことができ、正確な階調表示の高画質なアクティブマトリクス型EL表示装置が提供される。 - 特許庁
The surface-emitting laser element 10 includes a first reflecting layer 12, an n-type spacer layer 13, an active layer 14, and a p-type spacer layer 15 that have been laminated sequentially.例文帳に追加
面発光レーザ素子10は、順次に積層された第1の反射層12、n型スペーサ層13、活性層14、およびp型スペーサ層15を有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element which can achieve excellent emission efficiency by controlling thermal damage to an active layer, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
活性層の熱ダメージを抑制することにより、優れた発光効率を実現することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an organic active element in which the on/off ratio of the current between a source and a drain can be increased, and at the same time, which can be operated by a low gate voltage.例文帳に追加
ソース・ドレイン間電流のオン/オフ比を大きくすることができると共に、低いゲート電圧で動作させることができる有機能動素子を提供する。 - 特許庁
To provide a protection circuit of a sensor device capable of preventing an active element provided on an output stage from malfunctioning by a high frequency noise and static electricity.例文帳に追加
高周波ノイズ及び静電気により出力段が備える能動素子が誤作動することを防止することができるセンサ装置の保護回路を提供する。 - 特許庁
The side wall film 6 located below the polycrystalline silicon film 7 is formed across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolation film 3.例文帳に追加
尚、多結晶シリコン膜7の下に位置する側壁膜6は、活性領域2aと素子分離膜3との境界50にまたがって設けられる。 - 特許庁
A second active load element is connected between the signal line and the second terminal, and has a resistance value varied according to the prescribed direct current reference voltage.例文帳に追加
第2アクティブロード素子は前記信号ラインと前記第2端子との間に連結され、所定の直流基準電圧に従って可変される抵抗値を有する。 - 特許庁
The thickness of the insulating layer 5 is so adjusted that the centers of the core of the optical waveguide and the active layer 7-1 of the optical element are equal in height.例文帳に追加
絶縁層5の厚さは光導波路のコア2−2と光素子の活性層7−1の中心の高さとが一致するように調整される。 - 特許庁
A flip chip type nitride semiconductor light emitting element 20 includes p-type and n-type nitride semiconductor layers 24, 26, and an active layer 25 formed between them.例文帳に追加
フリップチップ型の窒化物半導体発光素子20は、p型及びn型窒化物半導体層24、26とその間に形成された活性層25を有する。 - 特許庁
In this element, an active region 54 is defined by arranging a plurality of isolation films 52 and 53 in parallel at a constant interval in a specified region of a semiconductor substrate.例文帳に追加
この素子は、半導体基板の所定領域に複数の素子分離膜52,53が一定間隔に平行に配置されて活性領域54を画定する。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion function element of higher performance formed with an active layer including an InN crystal and a mixed crystal whose main component is InN.例文帳に追加
InN結晶及びInNを主成分とする混晶を含む活性層を備え、より高性能な光電変換機能素子を提供すること。 - 特許庁
A groove 5 is formed in the first side 1A of a base 1 on which an active element 2 is formed, and a conductive layer 9 is formed in the groove 5 and connected with an electrode 13.例文帳に追加
能動素子2が形成された基体1の第1の面1Aに溝5を形成し、溝5に導電層9を形成して電極13に接続する。 - 特許庁
On the surface of an end face 1-a of the piezoelectric active part 3 of the laminated pizoelectric element 1, a plurality of surface electrodes 7-2 are formed along a circumferential direction thereof.例文帳に追加
積層圧電素子1の圧電活性部3の端面1−aの表面に、周方向に沿って複数の表面電極7−2を形成する。 - 特許庁
The invention can be adopted for a conventional TFT-LCD eliminating a diffusing film layer as well as for the element between a liquid crystal layer and an active matrix.例文帳に追加
本発明は拡散膜層を排除した従来のTFT−LCDにも、液晶層と能動マトリックスとの間のエレメントとして適用できる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element, which allows the formation of an active layer including an Al-based III-V compound semiconductor layer with small damage.例文帳に追加
Al系III−V化合物半導体層を含む活性層を低いダメージで形成することを可能な、半導体光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of a chip size which allows an active element to receive/emit light without carrying out wire connection and silicon penetration.例文帳に追加
ワイヤー接続やシリコン貫通を行うことなく、能動素子の受光及び/又は発光が可能なチップサイズの半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
According to one embodiment, an active clamp circuit is provided that comprises a first switch element, a first resistor, a first diode, and a control circuit.例文帳に追加
実施形態によれば、第1のスイッチ素子と、第1のダイオードと、第1の抵抗と、制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。 - 特許庁
In the semiconductor light-emitting element, a p-type semiconductor layer, an active layer, a current introducing layer and a dielectric-film clad layer are laminated on a substrate in the order.例文帳に追加
基板上に、p型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。 - 特許庁
Moreover, when the active element is in off-state, a capacitance signal to be supplied to the storage capacity is varied, and thereby a pixel electrode value is varied via the storage capacity.例文帳に追加
又アクティブ素子がオフ状態のときに蓄積容量に供給する容量信号を変化させて、蓄積容量を介して画素電極値を可変する。 - 特許庁
To provide a module board which can prevent the expansion of an underfill from a mounting region of an active element component of a printed wiring board to peripheral components.例文帳に追加
アンダーフィルがプリント配線板の能動素子部品の実装領域から周辺部品に広がるのを防止することが可能なモジュール基板を提供する。 - 特許庁
In one embodiment of the invention, a single active deflection element at the input deflects an optical signal across a waveguide that commonly connects the N outputs.例文帳に追加
本発明の一実施例では、入力での単一の能動偏向素子は、N個の出力に共通に接続する導波路に亘り光信号を偏向させる。 - 特許庁
To provide a laminated piezoelectric element which can be made small-sized and secure a sufficient distance from an active part of a piezoelectric actuator to a soldering zone.例文帳に追加
素子の小型化を図り、圧電アクチュエータの活性部から半田付け箇所まで十分な距離を確保できる積層型圧電体素子を提供する。 - 特許庁
Preferably, the silicon layer 3 includes a main region that becomes an active element region, and the gettering region is included in a part other than the main region within the silicon layer 3.例文帳に追加
好ましくは、シリコン層3は、能動素子領域となる主領域を含み、ゲッタリング領域は、シリコン層3のうち、主領域以外の部分に含まれる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device which obtains high power and high reliability laser characteristics by reducing the stress near an active layer existing in a laser element.例文帳に追加
レーザ素子に内在する活性層近傍の応力を小さくし、高出力かつ高信頼性なレーザ特性が得られる半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
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