「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby a semiconductor substrate can be obtained which is suitably used in an active element such as TFT and has high quality of polycrystalline silicon film, having large particle diameters.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ等のアクティブ素子に好適な、大粒子径の高品質な多結晶シリコン膜を備えた半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

The element has a plurality of quantum well layers 6b, 6d, and has an active layer 6 wherein the quantum well layers 6b, 6d and barrier layers 6a, 6c, 6e are formed alternately.例文帳に追加

複数の量子井戸層６ｂ，６ｄを有し、量子井戸層６ｂ，６ｄとバリア層６ａ，６ｃ，６ｅとを交互に形成した活性層６を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an active element and an MIM capacitor and having a structure capable of shortening its manufacturing processes, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

能動素子とＭＩＭキャパシタとを備え、その製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element 10, a semiconductor layer 11 has a first surface and a second surface opposite to the first surface and has a multilayer structure including an active layer.例文帳に追加

半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。 - 特許庁

Active regions 10b covered with the protection film 12 and element separation regions 13 exposed from the protection film 12 are formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に、保護膜１２に覆われた活性領域１０ｂと保護膜１２から露出した素子分離領域１３とを形成する。 - 特許庁

The liquid crystal capacitors are arranged in the respective sub-pixel regions, and one electrode of each of them is electrically connected to the active element in the identical sub-pixel region.例文帳に追加

液晶キャパシタは、それぞれの副画素領域に配置され、その一方の電極が同じ副画素領域内のアクティブ素子と電気的に接続されている。 - 特許庁

To reduce impedance of a scan line than before by applying the technique to an image display apparatus of an active matrix type by an organic EL element, for example.例文帳に追加

本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、走査線のインピーダンスを従来に比して低減する。 - 特許庁

The active layer of the semiconductor laser element 220 has a quantum well structure comprised of a well layer made of InGaAs and barrier layers pinching the well layer.例文帳に追加

上記半導体レーザ素子２２０の活性層は、ＩnＧaＡsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。 - 特許庁

The lower electrode 7B is connected to the active element 8 and the upper electrode 7T is connected to the power source supply wiring 4.例文帳に追加

下部電極７Ｂはサンプリング用の能動素子８に接続されている一方、上部電極７Ｔは電源供給配線４に接続されている。 - 特許庁

To obtain an AlGaInP based semiconductor laser element in which diffusion of dopant from a clad layer to a semiconductor active layer is controlled without thickening an anti-diffusion layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、拡散防止層を厚くすることなくクラッド層から半導体活性層へのドーパントの拡散を抑制する。 - 特許庁

To reduce or eliminate disadvantages and problems associated with previous techniques for determining an active/standby state for modules of a network element.例文帳に追加

本発明は、ネットワーク構成要素のモジュールのアクティブ／スタンバイ状態を決定する従来技術に関連する不利点及び問題を低減又は除去する。 - 特許庁

After that, an element separation structure for dividing an active region on the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate by using the photoresist 100 after pattering.例文帳に追加

その後、パターンニング後のフォトレジスト１００を利用して、半導体基板に活性領域を区画する素子分離構造を当該半導体基板に形成する。 - 特許庁

In the element termination region 200, a trench 700 is formed in a closed-loop shape enclosing the device active region 100 substantially perpendicularly to a substrate surface.例文帳に追加

素子終端領域２００には、基板表面に略垂直に、素子活性領域１００を取り囲む閉ループ状にトレンチ７００が形成されている。 - 特許庁

The metal element M can be arranged inside an anode active material 2 or on an anode grid as a metal single body or its compound.例文帳に追加

この金属元素Ｍは金属単体あるいはその化合物として、負極活物質２内もしくは負極格子上に配置することができる。 - 特許庁

To provide novel lightning, corona and low frequency static energy protecting means and a method for an active antenna system using a patch/ microstrip antenna element.例文帳に追加

パッチ／マイクロストリップ・アンテナ要素を用いた能動アンテナ・システムのための新規な電光、コロナ及び低周波数静的エネルギ防護手段および方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate 1 and has active element structure, having a connection region formed on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、半導体基板の表面に形成された接続領域を有する能動素子構造を有する。 - 特許庁

To effectively protect a pixel electrode 30 from stress even through an inorganic buffer layer is used as a substrate for forming a thin film active element 90.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０を形成するための下地として無機バッファ層を用いるにもかかわらず、応力から画素電極３０を有効に保護する。 - 特許庁

The active element array type substrate is provided with a plurality of pixel structures thereon and each pixel structure is provided with a bottom gate type thin film transistor and a pixel electrode.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板上には複数の画素構造を備えるとともに、各画素構造はボトムゲート型薄膜トランジスタおよび画素電極を備えている。 - 特許庁

On the active layer 15 of a semiconductor laser element 3, a refraction factor type main waveguide 4 is formed from the ridge 9a of a p-type clad layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ素子３の活性層１５には、ｐ型クラッド層１７のリッジ部９ａによって屈折率型の主導波路４が生成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element wherein carriers can be confined effectively in its active layer and the number of the epitaxial growth processes of semiconductors can be reduced.例文帳に追加

活性層にキャリアを効果的に閉じ込めることができるとともに、半導体のエピタキシャル成長工程を少なくできる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display device includes an active element array substrate 400, a counter substrate 300, a liquid crystal layer 500 and a reflection plate 404.例文帳に追加

能動素子アレイ基板４００と、対向基板３００と、液晶層５００と、反射板４０４とを含む半透過型液晶表示装置とする。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

The first negative electrode active material layer 121 furthermore contains O as the constituting element, and its average content of oxygen is preferably 3 atom% to 40 atom%.例文帳に追加

第１負極活物質層１２１は更に構成元素としてＯを含み、その平均酸素含有量は３原子数％〜４０原子数％が好ましい。 - 特許庁

As the Cr-trapping material is used an element having basicity stronger than the alkali metal or alkaline earth metal to be used as the catalytic active component or Ag.例文帳に追加

Ｃｒ捕捉材には、触媒活性成分として用いられるアルカリ金属又はアルカリ土類金属よりも塩基性の強い元素又はＡｇを用いる。 - 特許庁

Therefore, the diffusion prevention layer 42 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.例文帳に追加

従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止層４２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁

The cathode active material layer 11 is provided on a side of the electrolytic layer 13 opposite to the organic EL element 20, and emits electrons toward the electrolytic layer 13.例文帳に追加

陰極活物質層１１は、電解質層１３における有機ＥＬ素子２０側の反対面側に設けられ、電解質層１３に電子を放出する。 - 特許庁

To prevent an active matrix transflective liquid crystal display element from having coupling capacitance formed between a pixel electrode for transmission and a data line.例文帳に追加

アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、透過用画素電極とデータラインとの間に結合容量が発生するのを防止する。 - 特許庁

On the surface of the active element of the semiconductor chip 2, an electrode 3 made of Al is formed, and is connected to a conductor 5a via a bump 4.例文帳に追加

半導体チップ２の能動素子面にはＡｌ製の電極３が形成され、電極３はバンプ４を介して導体５ａに接続されている。 - 特許庁

The line pattern of the inner layer of the three layer substrate can be utilized as a line for applying a bias voltage and a varactor diode can be employed as the active element.例文帳に追加

３層基板の内層の線路パターンを、バイアス電圧印加用の線路として利用することができ、アクティブ素子としてバラクタダイオードを用いることができる。 - 特許庁

While securing the easiness of handling for manufacturing by making the thickness of the piezoelectric element substrate 55 increased, the sheet-like piezoelectric active part 58 can be formed.例文帳に追加

圧電体基板５５の厚みを厚くすることで製造時のハンドリング容易性を確保しつつ、薄板状の圧電活性部５８を形成することができる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element in which each individual electrode can assure a desired active length even when a plurality of individual electrodes are arranged with high density.例文帳に追加

複数の個別電極を高密度に配列した場合でも、個別電極の所望な活性長を確保することができる圧電素子を提供する。 - 特許庁

These regulations are suitable for the case when performing a 130 ppi or higher highly precise display in an active matrix liquid crystal device using a TFD element.例文帳に追加

これらの設定は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置で１３０ｐｐｉ以上の高精細表示を行う場合に好適である。 - 特許庁

A stress occurring in the fabrication process or at the time of bonding is dispersed by the irregularities on the surface at the pad part 17 and the stress being applied to an active element is relaxed.例文帳に追加

パット部１７の表面凹凸により製造工程やボンディング時に生じる応力が分散され、能動素子への応力が緩和する構造にした。 - 特許庁

The optical element for generating light of a wavelength λ includes a reflector and an active layer.例文帳に追加

λ／４の光学的厚さからずれたことによる共振波長のずれや反射率の低下を抑え、特性の向上や歩留まりの向上を図ることが可能となる。 - 特許庁

To prevent image persistence from happening in a liquid crystal layer with a direct current voltage caused on a scanning line in an active matrix liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示素子において、走査線に生じる直流電圧により液晶層に焼き付きが生じるのを防止すること。 - 特許庁

The light quantity of the linearly polarized light transmitting through the optical element 3 can be instantly changed by varying the voltage applied to the optically active polymer film.例文帳に追加

光学活性高分子膜に対する印加電圧を変えることで、光学素子３を透過する直線偏光の光量を瞬時に変えることができる。 - 特許庁

To improve the driving capability of a transistor by improving the mobility of a carrier in an active region of the transistor surrounded by an element separation region.例文帳に追加

素子分離領域により囲まれたトランジスタの活性領域においてキャリアの移動度を向上させ、それによってトランジスタの駆動能力を向上させる。 - 特許庁

As a result, a stress applied to the source/drain active layers 6c1, 6d1 from the element isolation region 5b can be alleviated without generation of an obtuse-angled portion at the corner.例文帳に追加

その結果、コーナーに鋭角的な部分が発生せずに、素子分離領域５ｂからソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１へと加わる応力が緩和される。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and the interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a good quality active layer and the interface of the active layer by suppressing liberation of In as much as possible in the fabrication process of a compound semiconductor light emitting element, thereby ensuring epitaxial growth excellent in controllability.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an analysis element chip that is unlikely to have a defect in a metal thin film even when the metal thin film is placed in a high-humidity environment so as to keep active a physiological active substance fixed to a surface of the metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜の表面に固定された生理活性物質の活性を維持するために当該金属薄膜が多湿環境下におかれても、金属薄膜に欠陥が生じ難い分析素子チップを提供することを課題とする。 - 特許庁

To improve product yields by preventing short-circuiting caused by the intrusion of active material particles when pressing the active material particles that are omitted at the bent section of a battery element laminated with a positive electrode/separator/negative electrode in a wound bending type battery.例文帳に追加

捲回折れ曲げ型電池において、正極／セパレータ／負極と積層された電池エレメントの折れ曲げ部分での欠落した活物質粒子のプレス時の食い込みによる短絡を防止し、製品の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

The gate electrode 9a whose gate length in a boundary region between the active region L and element isolating trench 2 is greater than that in the central part of the active region L is constituted of an H-shaped plane pattern as a whole.例文帳に追加

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁

The power generation element 30 is formed of a bipolar electrode 21 in which a positive electrode active material layer is formed on one surface of the current collector 22 and a negative electrode active material layer is formed on other surface, being laminated through an electrolyte layer 25.例文帳に追加

発電要素３０は、集電体２２の一方の面に正極活物質層が形成され、他方の面に負極活物質層が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層されて形成される。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁