「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。 - 特許庁

The surface-emitting laser device comprises: a calculation processing unit that executes a calculation on an instruction from outside and outputs a voltage signal in accordance with a calculation result; a surface emission laser element that is directly connected to the calculation processing unit and has an active layer which is provided with a driving voltage signal generated by superimposing a bias voltage common to a supply voltage to the calculation processing unit on the voltage signal.例文帳に追加

外部からの指令に従って演算を行い、該演算結果に従って電圧信号を出力する演算処理装置と、前記演算処理装置に直接的に接続し、活性層を有し、前記演算処理装置に対する供給電圧と共通の電圧をバイアス電圧として前記電圧信号に重畳して生成した駆動電圧信号が前記活性層に供給される面発光レーザ素子と、を備える。 - 特許庁

This active type display includes a drive transistor Dr-Tr for controlling a current for making a light emitting element OLED emit light, a series circuit of a correction capacity Cf provided between a drain electrode and a gate electrode of the drive transistor Dr-Tr and the first control transistor AZA-Tr, and a writing capacity Cw provided between the gate electrode of the drive transistor Dr-Tr and a selecting transistor Sw-Tr.例文帳に追加

発光素子ＯＬＥＤを発光させるための電流を制御する駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒと、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのドレイン電極とゲート電極との間に設けられた補正容量Ｃｆと第１の制御用トランジスタＡＺＡ−Ｔｒとの直列回路と、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極と選択用トランジスタＳｗ−Ｔｒとの間に設けられた書込容量Ｃｗと、を備える。 - 特許庁

A second semiconductor substrate 100, having the semiconductor device, is disposed as opposed to a first semiconductor substrate 60 having an active element via an adhesive insulating film, and wiring contributing to an electrical operation of the semiconductor device provided on the second semiconductor substrate is extended and formed between the first semiconductor substrate and adhesive insulating film, thereby dispensing with a metal-made lead terminal that connects with an external electrode.例文帳に追加

半導体素子を有する第２の半導体基板１００を、接着性絶縁膜を介して、能動素子を有する第１の半導体基板６０に対向配置し、前記第２の半導体基板に設けられた前記半導体素子の電気的動作に寄与する配線を、前記第１の半導体基板と前記接着性絶縁膜の間に延在して形成することにより、外部電極と接続する金属製のリード端子を不要とする。 - 特許庁

This surface-modified lithium nickel compound oxide is used as the positive electrode active material for the lithium secondary battery, and it is manufactured by calcinating the lithium nickel compound oxide after making a compound of a specific element among the elements of groups 4B-6B of the periodic table whose oxide has a melting point of 750°C or more exist on the surface of a lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

リチウム二次電池の正極活物質として用いる表面修飾リチウムニッケル複合酸化物であって、リチウムニッケル複合酸化物の表面に、周期表４Ｂ〜６Ｂ族の元素のうち、前記元素の酸化物の融点が７５０℃以上である所定の元素の化合物を存在させた後に、前記リチウムニッケル複合酸化物を焼成することによって製造されることを特徴とする表面修飾リチウムニッケル複合酸化物。 - 特許庁

A metal polysulfide having a high electrochemical activity is synthesized by reacting a metal salt with an element sulfur, and a positive electrode is formed comprising this and a complex comprising the metal polysulfide as a positive electrode active material, a conductor and a binder, and the secondary cell is formed comprising the positive electrode, negative electrode and an electrolyte which is chemically stable to the positive and negative electrodes and moves an ion between these electrodes.例文帳に追加

金属塩を元素イオウと反応させることによって高電気化学活性を有するポリサルファイド金属塩を合成し、これを正極活物質として用い、このポリサルファイド金属塩からなる正極活物質と導電体とバインダーを含む複合体で正極を構成し、上記正極と、負極と、上記の正極と負極に対して化学的に安定で、かつそれらの電極間にイオンを移動させる電解質とで二次電池を構成する。 - 特許庁

This equipment has a resonator, which is composed of a microstrip line and a dielectric block, arranged to couple with it and an active element which generates negative resistance, and this oscillates at a frequency in the higher-order of the frequency that the user wants to oscillate and that one resonance frequency within the higher-order mode coincide with the frequency that the user wants to oscillate.例文帳に追加

マイクロストリップ線路とそれに結合するように配置された誘電体ブロックで構成される共振器と、負性抵抗を発生するための能動素子を有して、誘電体共振器の基本モードの共振周波数が発振させたい周波数より低く、さらに、高次モードの内の一つの共振周波数が発振させたい周波数に一致するように、誘電体ブロックを設定することで、共振器の高次のモードで発振させる。 - 特許庁

The baking tool used when a lithium-containing composite oxide used as the positive electrode active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery is synthesized by baking a mixture containing a lithium compound and a transition metal compound contains lithium and at least one metal element selected from the group comprising scandium, titanium, vanadium, manganese, chromium, yttrium, zirconium, and niobium, and has a porosity of 0.5-40%.例文帳に追加

リチウム化合物と遷移金属化合物を含む混合物を焼成して、非水電解質二次電池の正極活物質として用いられるリチウム含有複合酸化物を合成する際に用いられる焼成用治具において、前記焼成用治具は、スカンジウム、チタン、バナジウム、マンガン、クロム、イットリウム、ジルコニウム及びニオブよりなる群から選択される少なくとも１種類の金属元素と、リチウムを含み、かつ、その気孔率は、０．５〜４０％であることを特徴とした焼成用治具を用いる。 - 特許庁

This light emitting element includes a first Bragg reflection type mirror layer 103, a second Bragg reflection type mirror layer 108 formed on the side of optical projection face from the first Bragg reflection type mirror layer, and an active layer 105 located between the first Bragg reflection type mirror layer and the second Bragg reflection type mirror layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

A light-emitting element of a refractive index waveguide-type includes: a substrate 1 transparent to a light-emitting wavelength; a first conductivity-type clad layer 4 showing the same conductivity type as the substrate formed on the substrate; and an active layer structure 5 formed on the first conductivity-type clad layer.例文帳に追加

発光波長に対して透明な基板１、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第１導電型クラッド層４、および該第１導電型クラッド層上に形成された活性層構造５を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第１導電型クラッド層の間に第１導電型低屈折率層３が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率ｎ_sub、前記第１導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分ｎ_clad1、および前記第１導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率ｎ_LIL1が以下の関係式（式１）を満足することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

By way of supporting the development of the manufacturing industry, which is Japan's fundamental industry, core manufacturing technology has contributed to the development of all areas of the national economy such as expansion of production, promotion of trade, creation of new industries, and increase in employment, and has contributed to improving the lives of the citizenry. In addition, workers engaged in operations pertaining to core manufacturing technology have played an important role in maintaining and improving the level of the technology in their capacity as supporters of such core manufacturing technology. We believe that the economic and social role of such core manufacturing technology and workers who engage in operations pertaining thereto will continue to be an important element in the foundation of the existence of the State in the future. Recently, however, due to changes in the employment structure, changes in competitive conditions resulting from factors like the progress of industrialization overseas, and other diverse and structural changes in the economy, the share of the manufacturing industry in Japan's gross domestic product has fallen, and concerns about a decline in the industry have grown, and the smooth succession of core manufacturing technology is becoming difficult. In order to deal with such a situation and to maintain the sound development of Japan's national economy through the development of the manufacturing industry, which is a fundamental to the State, that the active promotion of core manufacturing technology is indispensable, while a social tendency to respect abilities related to core manufacturing technology is enhanced. We hereby establish this Act so as to drive forward measures for the promotion of core manufacturing technology in a comprehensive and organized manner. 例文帳に追加

ものづくり基盤技術は、我が国の基幹的な産業である製造業の発展を支えることにより、生産の拡大、貿易の振興、新産業の創出、雇用の増大等国民経済のあらゆる領域にわたりその発展に寄与するとともに、国民生活の向上に貢献してきた。また、ものづくり基盤技術に係る業務に従事する労働者は、このようなものづくり基盤技術の担い手として、その水準の維持及び向上のために重要な役割を果たしてきた。我らは、このようなものづくり基盤技術及びこれに係る業務に従事する労働者の果たす経済的社会的役割が、国の存立基盤を形成する重要な要素として、今後においても変わることのないことを確信する。しかるに、近時、就業構造の変化、海外の地域における工業化の進展等による競争条件の変化その他の経済の多様かつ構造的な変化による影響を受け、国内総生産に占める製造業の割合が低下し、その衰退が懸念されるとともに、ものづくり基盤技術の継承が困難になりつつある。このような事態に対処して、我が国の国民経済が国の基幹的な産業である製造業の発展を通じて今後とも健全に発展していくためには、ものづくり基盤技術に関する能力を尊重する社会的気運を醸成しつつ、ものづくり基盤技術の積極的な振興を図ることが不可欠である。ここに、ものづくり基盤技術の振興に関する施策を総合的かつ計画的に推進するため、この法律を制定する。 - 日本法令外国語訳データベースシステム