「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an effective material as an active material for a dye-sentitized solar cell and its producing method based on a concept to realize a titanium oxide complex which has a large surface area and where electrons can be efficiently migrated and to develop a photoelectric conversion element using a titanium oxide coated carbon material.例文帳に追加

表面積が大きく、電子の効率的な移動を可能にする酸化チタン複合体の実現をコンセプトに、色素増感太陽電池の活性物質として有効な材料及びその製造方法、並びに該酸化チタン被覆炭素材料を用いた光電変換素子を開発する。 - 特許庁

To provide a display device which stably and exactly supplies a desired value of current to a luminous element of each pixel independent of not only variation of threshold values of active elements in the pixel but also that of mobility and displaying the image of high quality, and also to provide a driving method therefor.例文帳に追加

画素内部の能動素子のしきい値のバラツキはもとより、移動度のバラツキによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、高品位な画像を表示することが可能な表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst element capable of enhancing the activity or selectivity of a catalytic component and capable of dynamically optimizing the state of a catalytical active seed even if a reaction condition changes, and an exhaust gas cleaner capable of efficiently cleaning a particulate matter-containing exhaust gas even at a low temperature.例文帳に追加

触媒成分の活性や選択性を向上させ、反応条件が変化しても触媒活性種の状態を動的に最適化できる触媒素子、及びＰＭを含む排気ガスを低温下でも高効率で浄化可能な排気ガス浄化装置を提供すること。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser element comprises: a first reflector 102; a first spacer layer 104; an active layer 105; a second spacer layer 106; and a second reflector 108 that are sequentially provided on a substrate 101; and a first electrode 109 and a second electrode 110.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。 - 特許庁

In the active RFID tag, the operation part 31 recognizes the real illuminance detected by a photoconductive element 22 in the photodetection part 2 through an A/D conversion circuit 33, and at the time of determining that the real illuminance exceeds an illuminance threshold stored in the nonvolatile memory 34, prepares a transmission signal.例文帳に追加

このようなアクティブ型ＲＦＩＤタグは、演算部３１により、光検出部２の光導電素子２２にて検出された実照度をＡ／Ｄ変換回路３３を介して認識し、不揮発性メモリ３４の照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。 - 特許庁

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.例文帳に追加

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁

This invention relates to the device for optically coupling the light (1) of at least one wavelength of the laser beam source (2) to the optical assembly (3), more specifically the confocal scanning microscope, having an optically active element (4) acting to select the wavelength and to set the power of the coupling light (5).例文帳に追加

本発明は、レーザ光源（２）の少なくとも１つの波長の光（１）を、具体的には波長を選択し、結合光（５）のパワーを設定するために作用する光学活性素子（４）を有する光学組立物（３）、好ましくは共焦点走査型顕微鏡に結合するための装置に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has such a structure that can enable the suppression of kink, reduction in loss and stabilization in polarization direction simultaneously, reduces light distribution monotonously as it is far from an active layer, and enables high output operation which enables easy crystal composition control.例文帳に追加

キンクの抑制、低損失化、偏光方向の安定化を同時に達成でき、かつ光分布が活性層から離れるに従って単調減少するような構造を持ち、その結晶組成制御が容易となる高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Using a second substrate 100, the polycrystalline silicon TFT being an active element of a driving circuits 14 and 16 and a layer 140 to be transferred including a second electrode wiring group connected to the polycrystalline silicon TFT are formed and a part to be a terminal is exposed to form a second electrode exposure part 141.例文帳に追加

第２の基板１００を用いて、駆動回路１４，１６の能動素子である多結晶シリコンＴＦＴと、それに接続された第２の電極配線群を含む被転写層１４０を形成し、端子となる部分を露出させて第２の電極露出部１４１とする。 - 特許庁

To provide a titanium oxide structure which has a large surface area and can achieve efficient movements of ions and electrons, to provide a material effective as an active material for a dye-sensitized solar cell, and to provide a method for producing the material, and to develop a photoelectric conversion element obtained by using the titanium oxide structure.例文帳に追加

表面積が大きく、イオンと電子の効率的な移動を可能にする酸化チタン構造体の実現をコンセプトに、色素増感太陽電池の活性物質として有効な材料及びその製造方法、並びに該酸化チタン構造体を用いた光電変換素子を開発する。 - 特許庁

Upon manufacturing an active matrix substrate of a liquid crystal device, a plastic sheet 50 for use as a base body is laminated on a sheet carrier substrate 55 (laminating step), under which condition a TFT or the like is formed on the plastic sheet 50 by a semiconductor process (element forming step).例文帳に追加

液晶装置のアクティブマトリクス基板を製造するにあたって、その基体として用いるプラスチックシート５０をシート支持用基板５５に積層し（積層工程ＳＴ１）、この状態のままで、プラスチックシート５０に対して半導体プロセスを用いて、ＴＦＴなどを形成する（素子形成工程ＳＴ２）。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

Once image data of one picture are stored in transfer unit circuits (register) RY of respective stages of the longitudinal shift register, a latch pulse (YSFT) is made active to latch the image data held in the transfer unit circuits (RY) of the respective stages in a latch element circuit (RL) in parallel.例文帳に追加

縦方向シフトレジスタ２００の各段の転送単位回路（レジスタ）ＲＹに１画面分の画像データが蓄積された段階で、ラッチパルス（ＹＳＦＴ）をアクティブとして、各段の転送単位回路（ＲＹ）に保持されている画像データを、ラッチ要素回路（ＲＬ）にパラレルにラッチする。 - 特許庁

A data line drive circuit for driving an active matrix drive type display device includes a function for resetting data line application potential of a start point and an end point of each horizontal scanning period at an arbitrary reference voltage value positioned in the side of on potential of a switching element rather than black level potential of signal voltage.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動型表示デバイスのデータ線駆動回路に、各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする機能を搭載する。 - 特許庁

To realize a C-2-phase, at least having a contrast ratio of about 200:1 or higher with excellent reproducibility, by suppressing generation of zigzag defect and hairpin defect causing contrast ratio lowering in the manufacture of an active matrix drive ferroelectric liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティヴマトリクス駆動強誘電性液晶表示素子の作製において、コントラスト比低下の原因となるジグ−ザグ欠陥及びヘアピン欠陥の発生を抑えて少なくともコントラスト比が２００：１程度またはそれ以上となるＣ−２一様相を再現性よく実現する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high capacity and high reliability of the battery at high temperatures by solving trouble that the reliability of the battery is degraded at high temperatures when composite particles containing an active catalyst element and carbon nano-fibers having a large specific surface area are used for a negative electrode material.例文帳に追加

活性な触媒元素と比表面積の大きなカーボンナノファイバとを含む複合粒子を負極材料として用いる場合に高温で電池の信頼性が低下するという課題を解決し、高容量で、かつ高温での電池の信頼性の高い非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

To properly correct the variation of the movement degree of a driving transistor, so as to prevent shading due to the waveform distortion of a write signal by applying to a display device and a method of driving the display device, an active matrix type display device using an organic EL element for instance.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、駆動トランジスタの移動度のばらつきを適切に補正して書込み信号の波形なまりによるシェーディングを防止する。 - 特許庁

To provide an E-ink display panel capable of utilizing a production line of an existing bottom gate type thin film transistor by adopting the bottom gate type thin film transistor for an active element array type substrate and capable of overcoming a top gate phenomenon which may be generated by voltage applied to a pixel electrode in conventional technology.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板でボトムゲート型薄膜トランジスタを採用することで、既存のボトムゲート型薄膜トランジスタの生産ラインを活用させ、かつ従来技術における画素電極に印加する電圧により生じるトップゲート現象を克服できる電子インク表示パネルを提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device and a producing method thereof capable of realizing an uniform emission by minimizing the voltage drop when horizontally carrying current, and never deteriorating the open area ratio and light transmittance even by using an active element such as TFT, and electronic equipment.例文帳に追加

水平方向に電流が流れる際の電圧降下を小さくすることによって均一な発光を実現するとともに、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

On a region for forming a pixel electrode electrically connected to an active element (602) conductive coloring layers (606-608) functioning as the pixel electrodes and the color filters are formed with a step to discharge ink resulting from mixing of color materials and a conductive material with an inkjet method.例文帳に追加

アクティブ素子（６０２）に電気的に接続される画素電極の形成領域に、色材と導電性材料が混合されてなるインクをインクジェット方式で吐出する工程により、画素電極及びカラーフィルタとして作用する導電性着色層（６０６〜６０８）を形成する。 - 特許庁

A main component of a positive electrode active material is a Li-Ni composed oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is at least one kind of metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0), and further an oxygen absorbing compound is included.例文帳に追加

主成分が、ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表されるＬｉ−Ｎｉ複合酸化物で、さらに酸素吸収化合物を含む。 - 特許庁

An active layer of a semiconductor laser element integrated with optical modulator uses an MQW layer containing a mixed crystal of our elements In, Ga, Al and As to increase the band offset ΔEc of the conductor over 75 meV and the band offset ΔEv of the valence band over 0 meV below 25 meV.例文帳に追加

光変調器集積半導体レーザ素子の活性層にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ及びＡｓの４元混晶を含んだＭＱＷ層を用い、伝導帯のバンドオフセットΔＥｃを７５ｅｍＶよりも大きくし、かつ、価電子帯のバンドオフセットΔＥｖを０ｍｅＶより大きく２５ｍｅＶより小さくする。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

An active region is formed on a first surface of a light transmitting substrate 201, and an optical element 103 created by cutting the light transmitting substrate 201 is adhered to a prescribed position of an adhesive tape 102 to which a lead frame 101 is adhered using a rear surface of the first surface as a bonding surface.例文帳に追加

光透過基板２０１の第１面に能動領域を形成し、光透過基板２０１をカットすることによって作成された光素子１０３を、リードフレーム１０１が貼り付けられた粘着テープ１０２の所定位置に、第１面の裏面を貼り付け面として接着する。 - 特許庁

A semiconductor film containing a rare gas element with 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 formed by a plasma CVD method is formed and a part of the semiconductor film is removed to form an active layer, and accordingly, a top gate type thin-film transistor or a bottom gate type thin-film transistor is formed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

The control piston 19 is associated with an adjustment means 24 interacting with the gripper body, and consequently the needle grippers 36 can adjust the protrusion of the gripper needles from the frontal plane 16 towards the active position depending on the width of the element to be picked up and moved.例文帳に追加

これによって、制御ピストン１９は、グリッパー本体と相互作用する調節手段２４と関連し、結果的に、ニードル・グリッパー３６はピックアップされて動かされる要素の幅によって、作動位置の方へ、前額面１６から前記グリッパー・ニードルの突出部を調整することが可能となる。 - 特許庁

To provide a nitrogen compound semiconductor light-emitting element with large emission intensity, which comprises an n-type layer composed of AlGaN, an active layer composed of AlGaInN, and a p-type layer, and emits ultraviolet light with an emission peak wavelength of 400 nm or less, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An active matrix substrate is provided with a reflection picture element electrode 10 and a transmission pixel electrode 11 in one pixel and a reflection pixel electrode part for reflecting external light and a transmission pixel electrode part for transmitting the light of a backlight are formed in a single pixel.例文帳に追加

このアクティブマトリクス基板は一つの絵素の中に反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１を備えており、一つの絵素の中に外部からの光を反射する反射用絵素電極部分とバックライトの光を透過する透過用絵素電極部分を形成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a low driving voltage in which a mechanical stress incident to wire bonding can be prevented from having an adverse effect on the optical output characteristics of an active layer while avoiding troubles due to crosstalk.例文帳に追加

本発明は、ワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスによる活性層の光出力特性への悪影響を回避することができるとともに、クロストークによる問題を回避でき、かつ駆動電圧が低い半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The power amplifier includes a plurality of push-pull amplifiers mutually interconnected in a novel circular geometry, and preferably functions as a primary winding of an active element having signal inputs of adjacent amplification devices driven with an input signal of equal magnitude and opposite phase.例文帳に追加

電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。 - 特許庁

An n-type MOS transistor has an active region STN surrounded by the element isolation region 3 where a width Xc in the longitudinal direction of the gate in the entire region Wc including the contact forming region with a contact plug 10b formed is formed of the same width in the breadthwise direction of the gate.例文帳に追加

一方、Ｎ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＮが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ｂが形成されるコンタクト形成領域を含めた全領域Ｗｃでゲート長方向の幅Ｘｃが同じ幅で形成されている。 - 特許庁

A pixel electrode 23 provided on an inner surface of at least one of a pair of substrates 22 at least one of which is transparent and having at least one liquid crystal display layer (active element) 25 is provided, a display layer is formed between the substrates 22 and a spacer (structural supporting body) 12 is provided in the display layer.例文帳に追加

少なくとも一方が透明である一対の基板２２の少なくとも一方の内面に設けられて少なくとも１つの液晶層（能動素子）２５を有する画素電極２３を設け、基板２２間に表示層を形成し、表示層内にスペーサ（構造支持体）１２を設ける。 - 特許庁

To provide a display device and a drive method of the display device which is applied to, for example, an active matrix type display device, using an organic EL element, and thereby to appropriately correct the variations in the mobility, even when the emission efficiency differs depending on the colors of emission light.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、出射効率が出射光の色で異なる場合でも、適切に移動度のばらつきを補正することができるようにする。 - 特許庁

To correct the dispersion of the light emitting luminance of each pixel by an optical feedback system even in the case of a top emission system by application to an active matrix type display device by an organic EL element to which the top emission system is adopted regarding an image display device.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置に関し、トップエミッション方式を採用した有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、トップエミッション方式の場合であっても、光フィードバック方式により各画素の発光輝度のばらつきを補正することができるようにする。 - 特許庁

An active condition extracting processing part 51 extracts condition information for activating each transfer path in a circuit based on circuit information being information on the circuit generated by operation synthesis, data flow information showing the flow of data on the circuit and assigning information of a function element constituting the circuit.例文帳に追加

アクティブ条件抽出処理部５１は、動作合成により生成された回路に関する情報である回路情報、回路上のデータの流れを示すデータフロー情報、回路を構成する機能素子の割り当て情報、を基に回路中の各転送路がアクティブになる条件情報を抽出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed simply, uniformly, and with good adhesion on a current collector, in particular, on a porous current collector having a through-hole front and rear such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This invention relates to the active matrix type light emitting element having a light emitting layer 3 arranged in a matrix form, a transparent conductive layer 2 for supplying electrons or holes to the light emitting layer 3, a TFT substrate 1 on which a matrix control circuit for controlling the emission of the light emitting layer 3 is formed.例文帳に追加

マトリクス状に設けられた発光層３と、発光層３に電子又はホールを供給する透明導電層２と、発光層３の発光を制御するマトリクス制御回路が形成されたＴＦＴ基板１とを有するアクティブマトリクス型発光素子に関する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, where an active layer 18 is formed between a semiconductor substrate 10 and a transparent conductive film 28, a small-gauge wire electrode 32 is formed while it is connected to an electrode pad 30, that is provided on the transparent conductive film 28 and is extended to an area near the end of the transparent conductive film 28.例文帳に追加

半導体基板１０と透明導電膜２８との間に活性層１８が形成された半導体発光素子において、透明導電膜２８上に設けられた電極パッド３０に接続され、透明導電膜２８の端近傍まで延びる細線電極３２を形成する。 - 特許庁

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

To effectively avoid image quality deterioration in the configuration in which a pause is provided at a certain time in a light emission period by applying an image display device and a method for driving an image display device, in an active matrix type image display device using, for example, an organic EL element.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、発光期間の途中に休止期間を設ける構成において、画質の劣化を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁

A negative electrode active material for the aqueous lithium ion secondary battery uses an aqueous electrolyte made of a compound represented by general formula (I): M^1S_2 (I) (where M^1 represents an element selected from at least one kind from a group consisting of Fe, Mn, Ni, Cu, Co, Nb, Mo, Ti and V).例文帳に追加

負極活物質が、一般式（Ｉ）：Ｍ^1Ｓ_2（Ｉ）（式中、Ｍ^1は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＴｉおよびＶからなる群の少なくとも１種類から選ばれる元素を表す。）で表される化合物からなることを特徴とする水系電解質を用いる水系リチウムイオン二次電池。 - 特許庁

In this application, a light emitting element is formed by carrying out deposition while moving a deposition source toward a large-area substrate 100 equipped with a pixel part (or a driving circuit) having TFTs using, as an active layer, an amorphous semiconductor film, a semiamorphous semiconductor film or an organic semiconductor film.例文帳に追加

本発明は、アモルファス半導体膜、セミアモルファス半導体膜、または有機半導体膜を活性層とするＴＦＴを備えた画素部（または駆動回路）が設けられた大面積基板１００に向けて、蒸着源を移動させながら蒸着を行って発光素子を作製する。 - 特許庁

To provide a titanium oxide structure that has a large surface area and can achieve an efficient movement of ions and electrons, and to develop a material useful as an active material for a dye-sensitized solar cell, and to provide a method for producing the material, and a photoelectric conversion element using the titanium oxide structure.例文帳に追加

表面積が大きく、イオンと電子の効率的な移動を可能にする酸化チタン構造体の実現をコンセプトに、色素増感太陽電池の活性物質として有効な材料及びその製造方法、並びに該酸化チタン構造体を用いた光電変換素子を開発する。 - 特許庁