「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To properly correct the variation of the movement degree of a driving transistor, so as to prevent shading due to the waveform distortion of a write signal by applying to a display device and a method of driving the display device, an active matrix type display device using an organic EL element for instance.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、駆動トランジスタの移動度のばらつきを適切に補正して書込み信号の波形なまりによるシェーディングを防止する。 - 特許庁

To provide an E-ink display panel capable of utilizing a production line of an existing bottom gate type thin film transistor by adopting the bottom gate type thin film transistor for an active element array type substrate and capable of overcoming a top gate phenomenon which may be generated by voltage applied to a pixel electrode in conventional technology.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板でボトムゲート型薄膜トランジスタを採用することで、既存のボトムゲート型薄膜トランジスタの生産ラインを活用させ、かつ従来技術における画素電極に印加する電圧により生じるトップゲート現象を克服できる電子インク表示パネルを提供する。 - 特許庁

The power circuit for an option board, which supplies voltage to an option board mounted on a device body, comprises a circuit including active elements Q1 to Q3 built in the device body, and a passive element Rd built in the option board to set a supply voltage.例文帳に追加

機器本体に装着されるオプションボードに電圧を供給する電源回路において、機器本体に内蔵される能動素子（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３）を含む回路と、オプションボードに内蔵され、電源電圧を設定する受動素子（Ｒd ）とでオプションボードの電源回路を構成する。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

On a region for forming a pixel electrode electrically connected to an active element (602) conductive coloring layers (606-608) functioning as the pixel electrodes and the color filters are formed with a step to discharge ink resulting from mixing of color materials and a conductive material with an inkjet method.例文帳に追加

アクティブ素子（６０２）に電気的に接続される画素電極の形成領域に、色材と導電性材料が混合されてなるインクをインクジェット方式で吐出する工程により、画素電極及びカラーフィルタとして作用する導電性着色層（６０６〜６０８）を形成する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device and a producing method thereof capable of realizing an uniform emission by minimizing the voltage drop when horizontally carrying current, and never deteriorating the open area ratio and light transmittance even by using an active element such as TFT, and electronic equipment.例文帳に追加

水平方向に電流が流れる際の電圧降下を小さくすることによって均一な発光を実現するとともに、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

A main component of a positive electrode active material is a Li-Ni composed oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is at least one kind of metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0), and further an oxygen absorbing compound is included.例文帳に追加

主成分が、ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表されるＬｉ−Ｎｉ複合酸化物で、さらに酸素吸収化合物を含む。 - 特許庁

A cleavage guide groove 3 which penetrates with the p-type clad layer 12 and whose bottom surface is disposed at a position higher than an upper surface of the active layer 9 is formed in an end surface region which is disposed by sandwiching the aperture portion in plan view and which includes an end surface of a resonator of the semiconductor laser element.例文帳に追加

平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 - 特許庁

The light modulation element 20 is provided with a pair of substrates 1,2 having electrodes 3,4 and a light modulating layer composed of a liquid crystal composition containing (a) a nematic liquid crystal substance and (b) an associative organosiloxane having at least one associative site having an optically active site, both placed between the substrates.例文帳に追加

本発明の光変調素子２０は、電極３，４を設けた一対の基板１，２の間に、（ａ）ネマティック液晶物質、及び、（ｂ）光学活性部位を有する会合性部位を少なくとも１か所有する会合性オルガノシロキサン、を含有する液晶組成物からなる調光層を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

As for this liquid crystal device, in a liquid crystal panel P in which a pair of electrodes 3a, 3b are arranged so as to hold a liquid crystal 2 and one of the electrode 3b is connected to an active element 4, the temperature dependence of the voltage holding capacity between the pair of electrodes 3a, 3b is regulated to be ≤10%/10°C.例文帳に追加

液晶２を挟み込むように一対の電極３ａ，３ｂを配置し、一方の電極３ｂにアクティブ素子４を接続した液晶パネルＰにおいて、一対の電極３ａ，３ｂの間の電圧保持率の温度依存性が１０℃当たり１０％以下となるようにする。 - 特許庁

This positive active material contains a compound expressed by the general formula: LixMnyA1-yPO4, where 0<x≤2, 0<y<1, and A is a metallic element selected from among Ti, Zn, Mg and Co, or a plurality of metallic elements selected from among Ti, Fe, Zn, Mg and Co.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_xＭｎ_yＡ_1-yＰＯ_4（ただし、０＜ｘ≦２であり、０＜ｙ＜１である。ＡはＴｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｏから選ばれる一種の金属元素である。または、ＡはＴｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｏから選ばれる複数の金属元素である。）で表される化合物を含有する。 - 特許庁

The active element also has a second main electrode area which accepts carriers passing through the main current control areas, and a recessed section 17 which is formed toward the first main surface from the second main surface of the substrate 11 immediately below the plurality of main current control areas and has lengths S1 and S2 which are shorter than the effective finger lengths W in the first axial direction.例文帳に追加

そして、複数本の主電流制御領域の直下において、半導体基板１１の第２の主表面から第１の主表面に向かって形成され、第１軸方向の長さＳ１，Ｓ２が実効フィンガー長Ｗよりも短い凹部１７とを更に有する。 - 特許庁

In a master device 10 of an SS(spectrum spread) type cordless telephone using a TDD(time-division duplex communication system), a transistor whose gain band width product fT is not higher than 45 MHz, that is, not more than 1/20 of 900 MHz being radio frequencies is used as the active element of a reception system amplifier 12 and a transmission system amplifier 13.例文帳に追加

ＴＤＤを用いたＳＳ方式のコードレス電話の親機１０において、受話系アンプ１２および送話系アンプ１３の能動素子として、それぞれ利得帯域幅積ｆＴが、無線周波数である９００ＭＨｚの１／２０以下の、４５ＭＨｚ以下のトランジスタを用いる。 - 特許庁

An active matrix substrate is provided with a reflection picture element electrode 10 and a transmission pixel electrode 11 in one pixel and a reflection pixel electrode part for reflecting external light and a transmission pixel electrode part for transmitting the light of a backlight are formed in a single pixel.例文帳に追加

このアクティブマトリクス基板は一つの絵素の中に反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１を備えており、一つの絵素の中に外部からの光を反射する反射用絵素電極部分とバックライトの光を透過する透過用絵素電極部分を形成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a low driving voltage in which a mechanical stress incident to wire bonding can be prevented from having an adverse effect on the optical output characteristics of an active layer while avoiding troubles due to crosstalk.例文帳に追加

本発明は、ワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスによる活性層の光出力特性への悪影響を回避することができるとともに、クロストークによる問題を回避でき、かつ駆動電圧が低い半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The power amplifier includes a plurality of push-pull amplifiers mutually interconnected in a novel circular geometry, and preferably functions as a primary winding of an active element having signal inputs of adjacent amplification devices driven with an input signal of equal magnitude and opposite phase.例文帳に追加

電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。 - 特許庁

A semiconductor laser element comprises: a substrate 101 having a cavity 101a; and a semiconductor layer laminate 102 including a first clad layer 122 of a first conductivity type, an active layer 124 and a second clad layer 126 of a second conductivity type sequentially formed on the substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。 - 特許庁

To provide titanium oxide that includesa large surface area and can achieve an efficient movement of ions and electrons, and to develop a material useful as an active material for a dye-sensitized solar cell, a method for producing the material, and a photoelectric conversion element using the titanium oxide structure.例文帳に追加

表面積が大きく、イオンと電子の効率的な移動を可能にする酸化チタンの実現をコンセプトに、色素増感太陽電池の活性物質として有効な材料及びその製造方法、並びに該酸化チタン構造体を用いた光電変換素子を開発する。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

To provide an adhesive film for dicing, which is equipped with an adhesive layer that has high adhesive power in a dicing step and suppresses detachment and scattering of cut pieces such as semiconductor element etc., and has excellent light peelability to a workpiece having an active surface in a pick-up step.例文帳に追加

ダイシング工程においては高い粘着力を有し半導体素子などの切断片の脱離飛散が抑えられるとともに、ピックアップ工程においては活性面を有する被加工物に対しても優れた軽剥離性を有する粘着剤層を備えたダイシング用粘着フィルムを提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor has: an organic electrode composed of at least two or more kinds of organic compounds; and an organic semiconductor element film composed of an organic semiconductor active layer consisting principally of an organic compound selected out of at least one or more kinds of organic electrode constituents.例文帳に追加

少なくとも２種類以上の有機化合物からなる有機電極と、少なくとも１種類以上の有機電極構成成分から選ばれた有機化合物を主成分とする有機半導体活性層から構成された有機半導体素子膜を有する有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which the thickness of the semiconductor epitaxial layer to be an active region in a back-illuminated image pickup element and the like can be easily managed to be a desired thickness without using an SOI substrate, and gettering of contaminating impurities can be smoothly performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This light emitting element includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer 50, a second conductivity type semiconductor layer 30, and an active layer 40 located between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a plurality of polarization induction patterns 80.例文帳に追加

発光素子は、第１導電型の半導体層５０、第２導電型の半導体層３０、及び前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する活性層４０を含む発光構造物と、複数の偏光誘導パターン８０を含む。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is provided with a power generation element including a unit cell with a positive electrode, an electrolyte layer, and a negative electrode laminated in this order, and a reference electrode with an reference electrode active material layer containing graphite fluoride in which lithium is doped formed on a current collector.例文帳に追加

正極、電解質層、および負極がこの順に積層されてなる単電池を含む発電要素とリチウムがドープされたフッ化黒鉛を含む参照極活物質層が集電体上に形成された参照極とを備えたリチウムイオン二次電池に関する。 - 特許庁

Using a second substrate 100, the polycrystalline silicon TFT being an active element of a driving circuits 14 and 16 and a layer 140 to be transferred including a second electrode wiring group connected to the polycrystalline silicon TFT are formed and a part to be a terminal is exposed to form a second electrode exposure part 141.例文帳に追加

第２の基板１００を用いて、駆動回路１４，１６の能動素子である多結晶シリコンＴＦＴと、それに接続された第２の電極配線群を含む被転写層１４０を形成し、端子となる部分を露出させて第２の電極露出部１４１とする。 - 特許庁

To provide a titanium oxide structure which has a large surface area and can achieve efficient movements of ions and electrons, to provide a material effective as an active material for a dye-sensitized solar cell, and to provide a method for producing the material, and to develop a photoelectric conversion element obtained by using the titanium oxide structure.例文帳に追加

表面積が大きく、イオンと電子の効率的な移動を可能にする酸化チタン構造体の実現をコンセプトに、色素増感太陽電池の活性物質として有効な材料及びその製造方法、並びに該酸化チタン構造体を用いた光電変換素子を開発する。 - 特許庁

Once image data of one picture are stored in transfer unit circuits (register) RY of respective stages of the longitudinal shift register, a latch pulse (YSFT) is made active to latch the image data held in the transfer unit circuits (RY) of the respective stages in a latch element circuit (RL) in parallel.例文帳に追加

縦方向シフトレジスタ２００の各段の転送単位回路（レジスタ）ＲＹに１画面分の画像データが蓄積された段階で、ラッチパルス（ＹＳＦＴ）をアクティブとして、各段の転送単位回路（ＲＹ）に保持されている画像データを、ラッチ要素回路（ＲＬ）にパラレルにラッチする。 - 特許庁

To realize a C-2-phase, at least having a contrast ratio of about 200:1 or higher with excellent reproducibility, by suppressing generation of zigzag defect and hairpin defect causing contrast ratio lowering in the manufacture of an active matrix drive ferroelectric liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティヴマトリクス駆動強誘電性液晶表示素子の作製において、コントラスト比低下の原因となるジグ−ザグ欠陥及びヘアピン欠陥の発生を抑えて少なくともコントラスト比が２００：１程度またはそれ以上となるＣ−２一様相を再現性よく実現する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

A data line drive circuit for driving an active matrix drive type display device includes a function for resetting data line application potential of a start point and an end point of each horizontal scanning period at an arbitrary reference voltage value positioned in the side of on potential of a switching element rather than black level potential of signal voltage.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動型表示デバイスのデータ線駆動回路に、各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする機能を搭載する。 - 特許庁

Upon manufacturing an active matrix substrate of a liquid crystal device, a plastic sheet 50 for use as a base body is laminated on a sheet carrier substrate 55 (laminating step), under which condition a TFT or the like is formed on the plastic sheet 50 by a semiconductor process (element forming step).例文帳に追加

液晶装置のアクティブマトリクス基板を製造するにあたって、その基体として用いるプラスチックシート５０をシート支持用基板５５に積層し（積層工程ＳＴ１）、この状態のままで、プラスチックシート５０に対して半導体プロセスを用いて、ＴＦＴなどを形成する（素子形成工程ＳＴ２）。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層（ソース電極）４と第二の電極層（ドレイン電極）５との間に有機半導体層６が形成され、そして、前記有機半導体層６及び第三の電極層（ゲート電極）２が有機電気絶縁層３を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

The constricted oxide layer surface light-emitting semiconductor laser element has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors, and an active layer that is arranged between the pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors on a substrate, and then emits laser beams in a direction that orthogonally crosses the substrate.例文帳に追加

本素子は、基板上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する、酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

To solve the problem that, in a millimeter wave oscillator in which a Gunn diode element is mounted on a millimeter wave resonator substrate, a semiconductor substrate which constitutes the Gunn diode has a bad heat dissipation property, increases the temperature of a Gunn diode active layer during operation and thereby remarkably reduces the millimeter wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device contains forming a plurality of through electrodes 54 which penetrate through first and second planes 20, 21 of a semiconductor substrate having an active element region 12, and a conductive layer 38 electrically connected to at least one of the plurality of through electrodes 54.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、能動素子領域１２を有する半導体基板の、第１及び第２の面２０，２１を貫通する複数の貫通電極５４と、複数の貫通電極５４の少なくとも１つに電気的に接続してなる導電層３８と、を形成することを含む。 - 特許庁

This bactericidal agent contains a compounded material consisting of a complex metal hydroxide containing copper ion or zinc ion exhibiting a bactericidal or an antibacterial activity as a bactericidal element and calcium phosphates as active ingredient, and a method of sterilization by using the above bactericide and a method for regenerating the above bactericide are also provided.例文帳に追加

殺菌あるいは抗菌性を示す銅イオンまたは亜鉛イオンを殺菌素子として含有する、複合金属水酸化物と、リン酸カルシウム類とからなる複合物を有効成分とする殺菌剤および当該殺菌剤を用いる殺菌方法および当該殺菌剤を再生する方法。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁

The control piston 19 is associated with an adjustment means 24 interacting with the gripper body, and consequently the needle grippers 36 can adjust the protrusion of the gripper needles from the frontal plane 16 towards the active position depending on the width of the element to be picked up and moved.例文帳に追加

これによって、制御ピストン１９は、グリッパー本体と相互作用する調節手段２４と関連し、結果的に、ニードル・グリッパー３６はピックアップされて動かされる要素の幅によって、作動位置の方へ、前額面１６から前記グリッパー・ニードルの突出部を調整することが可能となる。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

An active region is formed on a first surface of a light transmitting substrate 201, and an optical element 103 created by cutting the light transmitting substrate 201 is adhered to a prescribed position of an adhesive tape 102 to which a lead frame 101 is adhered using a rear surface of the first surface as a bonding surface.例文帳に追加

光透過基板２０１の第１面に能動領域を形成し、光透過基板２０１をカットすることによって作成された光素子１０３を、リードフレーム１０１が貼り付けられた粘着テープ１０２の所定位置に、第１面の裏面を貼り付け面として接着する。 - 特許庁

A semiconductor film containing a rare gas element with 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 formed by a plasma CVD method is formed and a part of the semiconductor film is removed to form an active layer, and accordingly, a top gate type thin-film transistor or a bottom gate type thin-film transistor is formed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To provide a nitrogen compound semiconductor light-emitting element with large emission intensity, which comprises an n-type layer composed of AlGaN, an active layer composed of AlGaInN, and a p-type layer, and emits ultraviolet light with an emission peak wavelength of 400 nm or less, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal simple substance is nickel or copper, the cathode active material is manufactured by preparing a precursor compound containing the metal element and a composition containing the core particles, baking the composition under reducing gas atmosphere at a temperature higher than thermal composition temperature of the precursor compound.例文帳に追加

金属単体はニッケルもしくは銅であり、該金属元素を含む前駆体化合物と、コア粒子とを含む組成物を調整し、該組成物を還元ガス雰囲気下、該前駆体化合物の熱分解温度を超える温度で焼成することにより、該正極活物質が作成される。 - 特許庁

The light beam can be selectively guided to a first objective lens 28A or a second objective lens 28B corresponding to the kinds of the optical disks 100 by bringing an active diffraction element 42 into a non-diffraction or diffraction state according to the kind of the optical disk 100 used.例文帳に追加

使用する光ディスク１００の種別に応じて、アクティブ回折素子４２を非回折状態又は回折状態とすることにより、光ビームを当該光ディスク１００の種別に応じた第１の対物レンズ２８Ａ又は第２の対物レンズ２８Ｂに選択的に導光することができる。 - 特許庁