「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The MOS active element includes first and second semiconductor regions a1, b1 formed while being isolated from each other in a surface area of the well region, an insulating film formed on the well region between the first and second semiconductor regions, and a gate conductor layer formed on the insulating layer.例文帳に追加

ＭＯＳ型能動素子は、前記ウェル領域の表面領域に互いに離隔して形成された第１，第２の半導体領域ａ１，ｂ１、前記第１，第２の半導体領域間の前記ウェル領域上に形成された絶縁膜、及び前記絶縁膜上に形成されたゲート導電体層を有する。 - 特許庁

Liquid crystal molecules in the transmission region T are driven with an electric potential between a transparent pixel electrode 402 and a common electrode 302 and liquid crystal molecules in the reflection region R are driven with an electric potential between the transparent pixel electrode 402 and an auxiliary electrode 304 on the active element array substrate 400 or on the counter substrate 300.例文帳に追加

透過領域Ｔの液晶分子は、透明画素電極４０２と共通電極３０２の間の電位によって駆動され、反射領域Ｒの液晶分子は、透明画素電極４０２と能動素子アレイ基板４００または対向基板３００上の補助電極３０４との間の電位によって駆動される。 - 特許庁

The light emitting element comprises a substrate (1), a semiconductor active region (4) formed to cover the substrate (1) and generating first light, and a transparent conductive layer (9) containing first phosphor which is pumped by the first light to generate second light having a wavelength different from that of the first light.例文帳に追加

本発明の発光素子は、基板（１）と、基板（１）を被覆するように形成された、第１光を発生する半導体活性領域（４）と、前記第１光によって励起されて前記第１光と異なる波長を有する第２光を発生する蛍光体を含む第１蛍光体含有透明導電層（９）とを具備する。 - 特許庁

A catalyst for producing the optically active α-amino acid derivative has M(OR^1)_2 (M represents an alkali earth metal element and R^1 represents an alkyl group) and a ligand bonded to M of M(OR^1)_2, and a compound constituting the ligand is a compound having a biaryl skeleton or a bisoxazoline skeleton.例文帳に追加

光学活性α−アミノ酸誘導体合成用の触媒であって、Ｍ（ＯＲ^１）_２（但し、Ｍはアルカリ土類金属元素、Ｒ^１はアルキル基）と該Ｍ（ＯＲ^１）_２のＭに結合をする配位子とを持ち、前記配位子を構成する化合物がビアリール骨格またはビスオキサゾリン骨格を持つ化合物である。 - 特許庁

In a lithium cell where a generating element constituted by inserting an inorganic solid electrolyte 2 of oxide system between a positive electrode 1 and a negative electrode 3 formed by binding an active material with an oxide glass comprises a group of poles in a plurality of series form stacked between the collectors 4, the collectors 4 being formed with a graphite sheet.例文帳に追加

活物質を酸化物ガラスで結着して成る正極１と負極３との間に酸化物系無機固体電解質２を介在させて成る発電要素が集電体４を介して複数直列に積層されて成る極群を有するリチウム電池であって、上記集電体４をグラファイトシートで形成した。 - 特許庁

The active layer of this light emitting element is provided with at least one first well layer composed of an In-containing nitride compound semiconductor, and at least one second well layer which emits light having a longer main peak wavelength than the light emitted from the first well layer has and is composed of an In-containing nitride compound semiconductor.例文帳に追加

本発明による活性層は、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層と、第１井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第２の井戸層と、を備える。 - 特許庁

The recording head is for recording an image in a medium and has a recording agent carrier part for carrying a recording agent to be transferred to the medium in order to record the image and an active element for making the recording agent carrier part carry the recording agent based on image information on the image.例文帳に追加

画像を媒体に記録するための記録ヘッドであって、画像を記録するために前記媒体に転写される記録剤、を担持するための記録剤担持部と、前記画像の画像情報に基づいて、前記記録剤担持部に前記記録剤を担持させるためのアクティブ素子と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the optical semiconductor element, where an optical semiconductor chip having an active layer which radiates or absorbs a light is bonded on a substratum by using a bonding member, the bonding member is formed so as to have a light-reflecting surface which makes an acute angle with a side surface of the optical semiconductor chip, on the outside the optical semiconductor chip.例文帳に追加

光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなる光半導体素子において、接合部材を光半導体チップの外側に光半導体チップの側面と鋭角をなす光反射面を有するように形成した。 - 特許庁

In a memory cell array region 1, the pattern of the element components (active regions 10-15 and 21-23 and polysilicon regions 31-42) of each unit memory cell and the pattern of the dummy cell of a dummy cell region 3 for outer periphery are made equal to each other and both patterns have an axisymmetrical relation with respect to their boundary line BC1.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域１の１メモリセル単位のメモリセルの素子構成要素（活性領域１０〜１５，２１〜２３及びポリシリコン領域３１〜４２）のパターンと外周用ダミーセル領域３のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線ＢＣ１に対して線対称な関係を呈している。 - 特許庁

To provide an ink-jet printer head which solves a problem caused by thickness of a piezoelectric sheet and an electrode, obtains an excellent jet performance by bringing out well a piezoelectric characteristic of the piezoelectric sheet and obtaining full displacement of an active part, and prevents occurrence of defects such as an electrode cut, a laminated layer release and the like, and also to provide its piezoelectric element.例文帳に追加

圧電シート及び電極の厚さに基づく問題を解決し、圧電シートの圧電特性を良好に発揮させて活性部位の十分な変位を得て優れた噴射性能を得るととともに、電極切れや積層剥離等の不具合を発生させることのないインクジェットプリンタヘッドおよび圧電素子を提供すること。 - 特許庁

The deodorant having the indicator function contains at least one pigment selected from an anthocyanidin-based pigment, a chalcone-based pigment, an anthraquinone-based pigment, a carotenoid-based pigment, a porphyrin-based pigment, a curcuma pigment, a tamarind pigment, a beet-red pigment, a gardenia-blue pigment and a monascus-red pigment, as an active element.例文帳に追加

本発明のインジケータ機能を有する消臭剤は、アントシアニジン系色素、カルコン系色素、アントラキノン系色素、カロテノイド系色素、ポルフィリン系色素、ウコン色素、タマリンド色素、ビートレッド色素、クチナシ青色素およびベニコウジ赤色素の中から選ばれた少なくとも１種の色素を有効成分として含有するものである。 - 特許庁

The positive-electrode active material having such a composition can be constituted, by preliminarily mixing and burning the compound containing lithium, the compound containing the transition metal, and the compound containing the metallic element M; by depositing the compound containing at least one of sulfur (S), phosphorus (P) and fluorine (F) on the surface of the complex-oxide particle; and by burning it again.例文帳に追加

このような正極活物質は、リチウムを含む化合物と、遷移金属を含む化合物と、金属元素Ｍを含む化合物とを予め混合して焼成し、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）およびフッ素（Ｆ）の少なくとも一つを含む化合物を複合酸化物粒子の表面に被着させ、再度焼成することにより得られる。 - 特許庁

To provide an image display device, capable of suppressing cost increase of the image display device, and suppressing image quality deterioration caused by a feedthrough voltage generated, when the operation state of an active element is switched from a state, capable of outputting a driving voltage to a state wherein the output of the driving voltage is restrained.例文帳に追加

画像表示装置のコストアップを抑えて、アクティブ素子の動作状態が、駆動電圧が出力可能な状態から駆動電圧の出力が規制される状態に切り換わるときに発生するフィードスルー電圧による画像品質の低下を抑制することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 100 is provided with, in the following order: a first electrode 6; an active layer 4 capable of generating electric charge by means of incident light; a second electrode 2; and a wavelength conversion layer 9 capable of emitting light by wavelength conversion of an incident UV ray into light having a wavelength longer than that of the UV ray.例文帳に追加

有機光電変換素子１００に、第一の電極６と、光の入射により電荷を生じうる活性層４と、第二の電極２と、入射した紫外線を前記紫外線よりも長波長の光に波長変換して出射させうる波長変換層９とを、この順に設ける。 - 特許庁

To provide a new arylamine polymer useful as a polymer material for an organic thin-film EL element having excellent light-emitting performance and excellent durability, a polymer material for an active layer of an organic transistor or an organic electronics such as a material for electrophotographic receptor.例文帳に追加

本発明は、優れた発光特性を有すると共に耐久性に優れた有機薄膜ＥＬ素子用の高分子材料として、有機トランジスタの活性層用高分子材料として、また、電子写真感光体用材料などの有機エレクトロニクス用素材として有用な新規アリールアミン重合体を提供することを目的とする。 - 特許庁

After forming a surface element structure on the first principal plane of the active region 100 of a semiconductor substrate 1, a trench 23 is formed from the second principal plane side of the isolation structure 120.例文帳に追加

活性領域１００の周囲に耐圧構造部１１０が設けられ、その周囲に分離構造部１２０が設けられた半導体装置において、半導体基板１の活性領域１００の第１主面に表面素子構造を形成した後に、分離構造部１２０の第２主面側からトレンチ２３を形成する。 - 特許庁

The positive active material has a covering layer formed in at least one part of a composite oxide particle and comprising an oxide containing lithium (Li) and a covering element of nickel (Ni) or nickel (Ni) and manganese (Mn), and a surface layer formed in at least one part of the covering layer and containing vanadium (V).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、バナジウム（Ｖ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To improve the insertability of resin into an insulating layer section directly under a heat spreader, in a resin-sealed semiconductor device transfer mold wherein a power semiconductor chip and a heat spreader are respectively bonded to lead frame 1st die pad front and rear surfaces and an active element chip is bonded to a 2nd die pad front surface.例文帳に追加

リードフレームの第１ダイパッドの表面及び裏面にそれぞれ電力用半導体チップ及びヒートスプレッダが接合され、第２ダイパッドの表面に能動体素子チップが接合された樹脂パッケージ型半導体装置のトランスファーモールドにおいて、ヒートスプレッダ直下の絶縁層部への樹脂の注入性を向上させる。 - 特許庁

For example, an MMIC 100 in which an FET as an active element and an MIM capacitor are provided on a GaAs substrate 10 has a structure in which source and drain electrodes 16a, 16b as ohmic electrodes of the FET and the lower electrode 16c of the MIM capacitor are made of the same metal by simultaneously forming them.例文帳に追加

例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。 - 特許庁

To provide a new arylamine polymer useful as a polymer material for use in an organic thin film EL element having excellent light-emitting characteristics and excellent durability and as a polymer material for use in the active layer of an organic transistor and also as an organic electronic material such as a material for use in electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

優れた発光特性を有すると共に耐久性に優れた有機薄膜ＥＬ素子用の高分子材料として、有機トランジスタの活性層用高分子材料として、また、電子写真感光体用材料などの有機エレクトロニクス用素材として有用な新規アリールアミン重合体を提供すること。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal device comprises a liquid crystal element driven by an active matrix system and a driving means in which the scanning select period of each scanning signal line is shorter than the response time of a liquid crystal and which applies information signal voltage corrected by adding a decrease of voltage due to reversal of the spontaneous polarization of the liquid crystal to an information signal line.例文帳に追加

アクティブマトリクス方式で駆動する液晶素子と、各走査信号線の走査選択期間が液晶の応答時間より短く、且つ、液晶の自発分極の反転による電圧の降下量を加えて補正した情報信号電圧を情報信号線に印加する駆動手段を有する。 - 特許庁

An active matrix substrate 11 is provided with: a plurality of pixels 102 arranged into a grid-like form on one substrate; a switching element 104 provided in the pixel 102; and scanning signal wires 106A(1)-(m), 106B(1)-(m) connected to the switching elements 104 in the pixels 102 provided along one direction of the grid.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１１は、１枚の基板上に格子状に配置された複数の画素１０２と、画素１０２に設けられたスイッチング素子１０４と、格子の一方向に沿って設けられた画素１０２のスイッチング素子１０４に接続された走査信号線１０６Ａ（１）〜（ｍ）、１０６Ｂ（１）〜（ｍ）とを備えている。 - 特許庁

To realize a reliable semiconductor device with superior current characteristics which has an STI element separation structure, by significantly reducing the dependence of stress on the gate width direction, and easily and surely reducing the stress that an active region receives, without increasing the number of processes nor making the processes complicated.例文帳に追加

ＳＴＩ素子分離構造を有する半導体装置において、工程増・工程煩雑化を招くことなく、応力のゲート幅方向依存性を大幅に低減し、容易且つ確実に活性領域の受ける応力を緩和して、優れた電流特性を有して信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

The backlight system according to the present invention includes a light guide (100; 160) that has first and second main surfaces and an edge surface and an attachment structure (120; 150) that are insert molded together at the edge surface of the light guide, and an optically active element (126; 166) attached to the attachment structure.例文帳に追加

本発明のバックライトシステムは、第１及び第２主表面と端部表面を有する光導波路（100；160）と、光導波路の端部表面において光導波路に挿入成形されている取付構造体（120；150）と、取付構造体に取り付けられている光学能動素子（126；166）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate of which the cost can be reduced and waste in members and energy can be eliminated by forming a plurality of value-added thin film transistors(TFT) or semiconductor circuit element groups on a first substrate, and partially transferring them to needed portions of a second substrate, and to provide a display using the same and a manufacturing method.例文帳に追加

付加価値の高い薄膜トランジスタ(TFT)や半導体回路を第１の基板に複数作り、第二の基板の必要部分に移載することにより、アクティブマトリクス基板のコストを下げ、部材やエネルギーの無駄を低減したアクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element comprising an active layer between an n type nitride semiconductor and a p type nitride semiconductor, the n type nitride semiconductor has an n type multilayer film layer obtained by laminating an n type contact layer made of an AlgGa1-gN (0≤g≤0.2), a GaN layer and an InpGa1-pN (0<p<1) layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、ｎ型窒化物半導体は、ＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０≦ｇ≦０．２）からなるｎ型コンタクト層と、ＧａＮ層とＩｎ_pＧａ_1-pＮ（０＜ｐ＜１）層とが積層されてなるｎ型多層膜層とを含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element with a first-conductive clad layer 3, an active layer 4 containing a quantum well, and a second- conductive clad layer 8 on a semiconductor substrate 1, at least one end face for forming a resonator in vacuum is heated by such method as the application of light, electron rays, or the like.例文帳に追加

半導体基板上に第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を有する半導体発光素子において、該活性層は、共振器を形成する少なくともひとつの端面近傍が、構成元素の一部が脱離することにより発振波長に対して透明化されていることを特徴とする。 - 特許庁

When an active matrix drive of the organic EL element is performed, one frame period is divided into B sub-frame periods and only when the gradation display at A (A is an integer ≥2) gradation level or higher is performed, the display drive of a display part is performed in all the sub-frame periods including the B-th sub-frame period.例文帳に追加

有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス駆動する場合、有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス駆動する場合、１フレーム期間をＢ個のサブフレーム期間に分けて、Ａ（Ａは２以上の整数）階調レベル以上の階調表示を行う場合にのみ、第Ｂサブフレーム期間を含む全サブフレーム期間に表示部を表示駆動させる。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 40, an undoped GaInP second clad layer 42 is so arranged on a lamination structure 21 and a p-type first clad layer 20a that the upper part of an n-type AlGaAs clad layer 16, an active layer 18 and a p-type first clad layer 20 of the lamination structure 21 on a ridge 14 are embedded.例文帳に追加

半導体レーザ素子４０では、アンドープ・ＧａＩｎＰ第２クラッド層４２が、リッジ１４上の積層構造２１のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１６の上部、活性層１８、及びｐ型第１クラッド層２０を埋め込むように、積層構造２１上及びｐ型第１クラッド層２０ａ上に設けられている。 - 特許庁

To obtain high yield in a self-oscillating type nitride semiconductor laser element, wherein a substrate is overlaid with an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer, the p-type clad layer is provided with a stripe part protruding upward, and n-type current-constriction layers are formed on both sides of the stripe part, respectively.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４、及びｐ型クラッド層５が形成され、ｐ型クラッド層５は上向きに突出するストライプ部53を具え、該ストライプ部53の両側にｎ型電流狭窄層６、６を形成している自励発振型の窒化物半導体レーザ素子において、従来よりも高い歩留まりを実現する。 - 特許庁

An alkaline electron discharger for removing active oxygen in cells is provided, which has such a constituent element that compound substance of oxidized metal radiates electron and safely improves blood and plasma water in a body as a mineral and in which electrons and minerals are penetrated deep inside the body by electrons such as extremely low frequency with oxidative toxicity excluded.例文帳に追加

酸化金属の複合物が電子を出し、ミネラルとして体内で安全に血液と血漿水が改善できる構成要素で酸化毒等を排除した極低周波等電子で電子とミネラルを体の奥深く進入させ、細胞内活性酸素除去のアルカリ性電子放射器を提供するものである。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a first conductivity type first clad layer 12, a first conductivity type first optical guide layer 13, an MQW active layer 14 formed by laminating a plurality of barrier layers and well layers, a second conductivity type second optical guide layer 15, and a second conductivity type second clad layer 19 which are sequentially formed on the main surface of a substrate 11.例文帳に追加

基板１１の主面に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２、第１導電型の第１光ガイド層１３、障壁層と井戸層を複数積層したＭＱＷ活性層１４、第２導電型の第２光ガイド層１５、第２導電型の第２クラッド層１９とを有している。 - 特許庁

To achieve a modulator integrated laser satisfying both a highly reliable DWDM optical transmission laser having an oscillation wavelength invariant with time regardless of the material system of an active layer forming a semiconductor optical element, and a low capacity external modulator capable of high speed operation with high yield and low cost.例文帳に追加

半導体光素子を形成する活性層の材料系を問わず、経時的に発振波長が変動しない高信頼性を有するＤＷＤＭ光伝送用レーザと、高速動作が可能な低容量な外部変調器とを両立する変調器集積レーザを高歩留・低コストで実現する。 - 特許庁

A single wavelength UV-ray of faint light is taken out from continuous wavelength UV-rays emitted from a nitride deep ultraviolet semiconductor light emitting element 119 by optical filters 200-208 and influences of re-ozonization of ozone and active oxygen are eliminated, thereby, an UV ray absorption type ozone concentration measurement can be correctly carried out.例文帳に追加

窒化物系深紫外半導体発光素子１１９から発する紫外線の連続波長から光学フィルタ２００〜２０８で微弱光の紫外線の単一波長を取り出し、オゾンの再オゾン化、活性酸素の影響を無くす事によって正しい紫外線吸収式オゾン濃度測定が可能になる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element has an active multi-mode interference waveguide 110b and a current control structure 104b which is formed in accordance with light intensity inside the waveguide 110b and controls a current amount inside the waveguide 110b.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路１１０ｂと、能動多モード干渉導波路１１０ｂ内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路１１０ｂ内の電流量を制御する電流制御構造１０４ｂと、を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

By separating the semiconductor substrate having a bad thermal conductivity from the Gunn diode, heat generated by the Gunn diode active layer of the thin film Gunn diode element 1 can be easily dissipated to the millimeter wave resonator substrate side, resulting in the suppression in rise in temperature of the Gunn diode and subsequent stabilization of millimeter wave output strength.例文帳に追加

ガンダイオードから熱伝導性の低い半導体基板を分離したことによって、薄膜ガンダイオード素子１のガンダイオード活性層で発生した熱を容易にミリ波共振器基板側へ放熱することが可能であり、ガンダイオードの温度上昇を抑制してミリ波出力強度を安定化することができる。 - 特許庁

The electrode active material manufacturing method includes: contacting aqueous solution containing M (M is two or more types of metal elements selected from a group consisting of metal elements excluding an alkali metal element) with precipitant to produce precipitate; and mixing the precipitate with a sodium compound and firing them.例文帳に追加

Ｍ（ここで、Ｍは、アルカリ金属元素を除く金属元素からなる群より選ばれる２種以上の金属元素を表す。）を含有する水溶液と、沈殿剤とを接触させて、沈殿物を得て、該沈殿物とナトリウム化合物とを混合して、焼成することを特徴とする電極活物質の製造方法。 - 特許庁

The active matrix type display device which switches the potential of a retention volume line 217 from a first potential Vsc1 to a second potential Vsc2 higher than the first potential Vsc1 to suppress an afterimage when the organic EL element 216 is turned off is subjected to designated voltage application processing before being shipped.例文帳に追加

保持容量線２１７の電位を第１の電位Ｖｓｃ１から当該第１の電位Ｖｓｃ１より高い第２の電位Ｖｓｃ２に切り換えて、有機ＥＬ素子２１６を消灯させる際の残像を抑制するアクティブマトリクス型の表示装置において、その表示装置を出荷させる前に、次に示す電圧印加処理を行う。 - 特許庁

The positive active material has a covering layer formed in at least a part of a composite oxide particle, comprising an oxide containing lithium (Li) and at least one covering element out of nickel (Ni) and manganese (Mn), and a surface layer formed in at least a part of the covering layer and comprising an oxide containing yttrium (Y).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、イットリウム（Ｙ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

As the positive electrode active material for the alkaline secondary cell, nickel hydroxide particles contain at least one element from a group of Zn, Co and Y, in which there is fixed metal equivalent to 10 to 20% amount of the total weight, centering on the surface.例文帳に追加

Ｚｎ，ＣｏおよびＹの群から選ばれる少なくとも１種の元素が含有されている水酸化ニッケル粒子であって、水酸化ニッケル粒子には、その表面部を中心にして、全体の重量の１０〜２０％量に相当する量の金属が定着しているアルカリ二次電池用の正極活物質。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁