「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method of a lower cost by forming a capacitor in which a capacitance per a unit area is large while its manufacturing process is allowed to be common with a manufacturing process for an active element such as HEMT or PHEMT.例文帳に追加

単位面積当たりのキャパシタンスが大きなキャパシタを形成しつつ、製造工程をＨＥＭＴあるいはＰＨＥＭＴなどの能動素子の製造工程と共通化することにより、低コスト化を図る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 is provided with: a substrate 2; a semiconductor multilayer structure 3 in which a main surface 12a of an active layer 12 and main surfaces of layers 11, 13, 14 are each formed of an m-surface as a non-polarity surface; a cathode electrode 4; and an anode electrode 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２と、活性層１２の主面１２ａ及び各層１１、１３、１４の主面が無極性面であるｍ面により構成された半導体積層構造３と、カソード電極４と、アノード電極５とを備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

基板上に形成されたｎ型層、活性層及びｐ型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、ｎ型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をｐ型又はｉ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）とした。 - 特許庁

The upper part of the lamination structure is formed at the same intervals as stripe-shaped ridges 31a to 31f, channel width is successively set to 2.0 to 3.5 μm in 0.3 μm steps, the equivalent refractive index of the active layer is changed, and the oscillation wavelength of each element is changed.例文帳に追加

積層構造の上部は、同じ間隔で、ストライプ状リッジ３１ａから３１ｆとして形成され、チャンネル幅は、順次、０．３μｍ刻みに、２．０μｍから３．５μｍとし、活性層の等価的な屈折率を変化させ、各素子の発振波長を変える。 - 特許庁

On the other hand, active width Lc of the gate end at the side of a capacitor for information accumulation of the MISFET for memory cell selection is set narrower than the minimum machining dimensions, thus increasing the influence of the boron segregation to the insulating film for composing the element separation region (a).例文帳に追加

一方、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの情報蓄積用容量素子側のゲート端の活性幅Ｌｃを最小加工寸法よりも狭くすることにより、素子分離領域ａを構成する絶縁膜へのボロン偏析の影響を大きくする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

This method comprises: a step (S103) of cleaning the face plate (a) by exposing the face plate to an active species F* of fluorine; and a step (S105) of regenerating a front surface of the face plate (b) by exposing the face plate to a plasma of gas including oxygen as a constituting element.例文帳に追加

この方法は、(ａ)フェースプレートをフッ素の活性種Ｆ^＊に曝して、フェースプレートをクリーニングする工程(Ｓ１０３)と、(ｂ)酸素を構成元素として含むガスのプラズマにフェースプレートを曝して、フェースプレートの表面を再生する工程(Ｓ１０５)とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable and effective for practical use and where fluctuation of a pressure resisting feature is small in a high breakdown voltage semiconductor device which is integrated on an SOI substrate and in which rated voltage is shared between an embedded oxide film and a drain of an element active layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に集積され定格電圧を埋め込み酸化膜と素子活性層のドレインとで分担する高耐圧半導体素子において、耐圧特性の変動が少ない高信頼度でかつ実用化に有効な半導体装置を得ること。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which a faulty connection in a storage capacitor element caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to conductive contamination or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

In this light sampling measuring instrument, the measured light P4 emitted from a light source part 10, and the sampling pulse light P5 (P6) emitted from an active mode synchronized fiber laser 21 are made to get incident into a nonlinear optical element 24 to conduct equivalent time sampling of the measured light P4.例文帳に追加

光サンプリング測定装置は、光源部１０から射出される被測定光Ｐ４と、能動モード同期ファイバレーザ２１から射出されるサンプリングパルス光Ｐ５（Ｐ６）とを非線形光学素子２４に入射させて被測定光Ｐ４の等価時間サンプリングを行う。 - 特許庁

This active element 56 has an insulating layer 63 sandwiched between a 1st metal layer 62 and 2nd metal layers 64a and 64b and is constituted by linearly laminating the 1st metal layer 62, 2nd metal layers 64a and 64b, and insulating layer 63.例文帳に追加

第１金属層６２と第２金属層６４ａ，６４ｂとによって絶縁層６３を挟持して成る能動素子５６において、第１金属層６２と第２金属層６４ａ，６４ｂと絶縁層６３とを直線状に積層して能動素子５６を形成する。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

The power source further comprises an active clamping means for maintaining a low DC output voltage produced from a centertap of the secondary winding constant at the secondary side to control a conducting angle of an auxiliary main switching element in response to a level of the low DC output voltage.例文帳に追加

そして二次側には、二次巻線の中間タップから取り出される直流出力低電圧についての定電圧化を図るためにアクティブクランプ手段を備え、直流出力低電圧のレベルに応じて、補助メインスイッチング素子の導通角を制御する。 - 特許庁

The base 1 is then inverted and the other thinned and diced base substance 21 on which an active element 22 is formed is mounted on the second side 1B, and electrodes 13 and 36 are formed on the wiring portion 40 penetrating the first and second sides 1A and 1B.例文帳に追加

基体１を反転させて、第２の面１Ｂ上に、能動素子２２が形成され且つ薄化及び個片化された他の基体２１を搭載し、第１及び第２の面１Ａ及び１Ｂに貫通する配線部４０上に電極１３、３６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suitably be used as a semiconductor chip to be mounted on an MCP, suppresses diffusion of heavy metal from the backside of the semiconductor device to nearby an element active area, and has high mechanical strength; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＭＣＰに搭載される半導体チップとして好適に使用でき、半導体装置の裏面から素子活性領域の近傍への重金属の拡散を抑制し、且つ高い機械的強度を有する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A corresponding fuel electrode collector part 21 of the power generation element part A is embedded in each recess 12, and a corresponding fuel electrode collector active part 22 and an interconnector 30 are respectively embedded in recesses 21a and 21b formed on an outer side surface of each fuel electrode collector part 21.例文帳に追加

各凹部１２に、対応する発電素子部Ａの燃料極集電部２１が埋設され、各燃料極集電部２１の外側面に形成された凹部２１ａ、２１ｂに、対応する燃料極活性部２２及びインターコネクタ３０がそれぞれ埋設される。 - 特許庁

This semiconductor chip S has a structure wherein a heat radiating element 5 composed of numbers of radiating fins 4 is formed in the rear face 3 of a semiconductor substrate 1 which is the opposite side to the active face 2 of the semiconductor substrate 1 in which an integrated circuit is formed.例文帳に追加

本発明の半導体チップＳは、半導体基板１の集積回路が形成されているアクティブ面２とは反対側の裏面３の前記半導体基板１に多数の放熱フィン４からなる放熱素子５が形成されている構造のもである。 - 特許庁

A DMOS transistor 13 operating on a voltage lower than the lowest DC input voltage of a DC-DC converter 3 is an active element and a bipolar transistor 17 is connected in parallel with the DMOS transistor 13 thus constituting an oscillator 1.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ３の動作可能最低入力直流電圧より低い電圧で動作するＤＭＯＳトランジスタ１３を能動素子とし、このＤＭＯＳトランジスタ１３に対して並列にバイポーラトランジスタ１７を接続して発振器１を構成する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure comprising an active element provided with an ohmic electrode and an MIM capacitor having a dielectric layer interposed between a lower electrode and an upper electrode, on a semiconductor substrate, wherein the lower electrode and the ohmic electrode have the same structure.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element provided with an active layer of quantum well structure, comprising a well layer of a nitride semiconductor containing indium between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

Such active species are added to an oxygen radical as an element bonding to Si atoms on the semiconductor surface to hinder the formation of double bonds between the Si atoms and oxygen atoms to reform the alteration layer, and the formed reforming layer is removed by wet etching.例文帳に追加

前記変質層を、酸素ラジカルに、前記半導体表面のＳｉ原子に結合してＳｉ原子と酸素原子との間の二重結合の形成を阻害するような元素の活性種を添加して改質し、形成された改質層をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide an industrially useful method for producing a carboxylic acid ester of an xylene in a high yield by using a highly active catalyst composed of a specific metal element when producing the carboxylic acid ester by reacting the xylene with a carboxylic acid and molecular oxygen in a liquid phase.例文帳に追加

キシレン、カルボン酸及び分子状酸素を液相で反応させてカルボン酸エステルを製造するにあたり、特定の金属元素から成る高活性な触媒を用いて高収率でキシレンのカルボン酸エステルを得る、工業的に有用な製造方法を提供する。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

The monolithic catalyst has two or more layers of cover layers formed by covering monolithic carrier, at least one of them is a catalyst layer formed by covering the monolithic carrier with catalyst active powder containing the noble metal element and carriers and the other layer of them is a cover layer having a different function from that of the catalyst layer.例文帳に追加

モノリス担体に被覆により形成される被覆層を２層以上有し、少なくとも、貴金属元素および担体を含有する触媒活性粉末を被覆してなる触媒層と、該触媒層と機能が異なる被覆層とを有するモノリス触媒である。 - 特許庁

The top emission type EL element 100 has an active structure, and comprises a substrate 10, an organic EL laminate 20 laminated on the substrate 10, and a sealing plate 40 adhered on the substrate 10 by an adhesive 30 so as to cover this organic EL laminate 20.例文帳に追加

トップエミッション型ＥＬ素子１００は、アクティブ構造をとり、基板１０と、基板１０上に積層された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように、基板１０上に接着剤３０により接着された封止板４０とから成る。 - 特許庁

To provide a method of forming a transistor of a NAND flash memory element by which the performance of the transistor in a cell region and a peripheral region is improved by defining an active width wider than a real STI pitch by forming a step STI profile using a spacer.例文帳に追加

スペーサを用いたステップＳＴＩプロファイルを形成して実際ＳＴＩピッチより広いアクティブ幅を確保することにより、セル領域と周辺領域のトランジスタ性能を向上させるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法を提供する。 - 特許庁

According to the washing method of the optical element, the organic matter contamination adhered to the fluorite substrate can be removed by the use of a DC ion source and the irradiation of the fluorine active species produced from plasma at a low energy and at a high density without giving any damage to the substrate.例文帳に追加

本発明による光学素子の洗浄法は、ＤＣイオン源を用い、低エネルギー、高密度でプラズマから生成するフッ素活性種を照射することにより、蛍石基板に付着する有機物汚染を基板にダメージを与えることなく除去できる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning the contact holes of a semiconductor substrate, polymer residues inside the via holes after ashing, and an oxide layer on a barrier metal surface, without the use of a halogen gas, which is chemically active or a plasma generating apparatus which is expensive and gives plasma damage to an element.例文帳に追加

半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte battery having a positive electrode, a negative electrode using lithium as an active material, and a nonaqueous electrolyte, the positive electrode contains at least one of transition metal complexes represented by chemical formulas 1-4, and (in the formula, Q represents an optional transition metal element).例文帳に追加

正極と、リチウムを活物質とする負極と、非水電解質とを備えた非水電解質電池において、その正極に、化学式１〜４（式中のＱは任意の遷移金属元素）で示される遷移金属錯体を少なくとも１種以上含有している。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element is composed by laminating, between a pair of electrodes, a plurality of active layers and conjugates interposed between the active layers.例文帳に追加

複数の活性層と、該活性層間に位置する接合体とが、一対の電極間に積層されて構成される有機光電変換素子であって、 前記接合体が、電子輸送層及び正孔輸送層を含む複数の層を含有し、 前記電子輸送層が、電子輸送性材料と式（１ａ）で表される溶媒又は式（１ｂ）で表される溶媒とを含む塗布液を、電子輸送層の下の層上に塗布することにより形成される有機光電変換素子。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１における素子分離領域１０２によって分離された活性領域１０４上に形成されたＰＭＯＳトランジスタであって、このＰＭＯＳトランジスタは、活性領域１０４上に形成されたゲート絶縁膜１０５ｂと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１０６ｂと、サイドウォール１０８ｂと、ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂとを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 comprises an active layer 5 for emitting light by injecting carriers, an electrode 10 formed on a light radiating surface 9, a photonic crystal area existing on other region than just beneath the electrode 10 for diffracting light generated in the active layer 5 and emitting light in the vertical direction to the light radiating surface 9a, and a light emitting area just beneath the electrode 10.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、キャリアの注入により光を発光する活性層５と、光放出面９ａに形成された電極１０と、電極１０の垂直真下以外に存在し、活性層５で発生した光を回折させるとともに光放出面９ａに対して垂直な方向に光を発するフォトニック結晶領域と、電極１０の垂直真下に存在する発光領域とを備えている。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a positive electrode 1, a negative electrode 2, and a nonaqueous electrolyte, and the positive electrode comprises a positive electrode active material where particles of at least one kind of compound selected from lanthanum hydroxide, lanthanum oxyhydroxide, yttrium hydroxide, and yttrium oxyhydroxide in a dispersed state adhere to the surfaces of positive electrode active material particles containing at least one kind of element selected from nickel and cobalt.例文帳に追加

正極１と、負極２と、非水電解液とを備えた非水電解質二次電池において、その正極に、ニッケルとコバルトから選択される少なくとも一種の元素を含有する正極活物質粒子の表面に、水酸化イットリウムとオキシ水酸化イットリウムと水酸化イットリウムとオキシ水酸化イットリウムとから選択される少なくとも一種の化合物の粒子が分散して付着された正極活物質を用いた。 - 特許庁

The semiconductor laser diode has a 1st conductivity type semiconductor clad layer, an active layer formed on the 1st conductivity type semiconductor clad layer, a 2nd conductivity type semiconductor clad layer formed on the active layer, an insulating film formed on the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, a metal electrode electrically connected to the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, and the electric circuit element formed on the insulating film.例文帳に追加

第１導電型半導体クラッド層と、第１導電型半導体クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型半導体クラッド層と、第２導電型半導体クラッド層上に形成された絶縁膜と、第２導電型半導体クラッド層と電気的に接続された金属電極と、絶縁膜上に形成された電気回路素子とを有する。 - 特許庁

In the secondary battery having a cathode 1, an anode 2, and the nonaqueous electrolyte, the cathode active material wherein particles of at least one of a compound selected from lanthanum hydroxide, oxy-lanthanum hydroxide, yttrium hydroxide, and oxy-yttrium hydroxide are stuck by being dispersed on the surface of cathode active material particles containing at least one of element selected from nickel and cobalt is used on the cathode.例文帳に追加

正極１と、負極２と、非水電解液とを備えた非水電解質二次電池において、その正極に、ニッケルとコバルトから選択される少なくとも一種の元素を含有する正極活物質粒子の表面に、水酸化イットリウムとオキシ水酸化イットリウムと水酸化イットリウムとオキシ水酸化イットリウムとから選択される少なくとも一種の化合物の粒子が分散して付着された正極活物質を用いた。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

This high frequency power amplifier includes: a 3-terminal active element 3 including an input terminal 4 for receiving a high frequency signal and an output terminal 5 for outputting a signal on the basis of the high frequency signal; and a capacitive element 2 and a transmission line 1 provided between the input terminal 4 and the output terminal 5 and forming at least one series resonance circuit.例文帳に追加

本発明による高周波用電力増幅器は、高周波信号が入力される入力端子４と、高周波信号に基づいた信号を出力する出力端子５とを有する３端子能動素子３と、入力端子４と出力端子５との間に設けられ、少なくとも１つの直列共振回路を形成する容量素子２及び伝送線路１とを備える。 - 特許庁

An apparatus comprises a data storage medium including a magnetic recording element; an optically active material positioned adjacent to the magnetic recording element; an electric field source for applying an electric field to a portion of the data storage medium; a source of electromagnetic radiation for irradiaing the data storage medium; and a magnetic field source for applying a magnetic filed to the portion of the data storage medium.例文帳に追加

本発明に係わる装置は、磁気記録素子およびこの磁気記録素子に隣接して位置する光学的にアクティーブな材料を含むデータ記憶媒体と、前記データ記憶媒体の一部に電界を加えるための電界ソースと、前記データ記憶媒体に照射するための電磁放射線のソースと、前記データ記憶媒体の前記部分に磁界を加えるための磁界ソースとを備える。 - 特許庁

Such nickel hydroxide particles for the alkaline secondary battery cathode active substance can be obtained by adding alkali metal sulfate to aqueous slurry containing water-soluble salt of at least one element selected from strontium and barium, a complexing agent, and nickel hydroxide particles, and having a coating layer consisting of the sulfate of the above element formed on the surface of the nickel hydroxide particles.例文帳に追加

このようなアルカリ二次電池正極活物質用水酸化ニッケル粒子は、本発明に従って、ストロンチウム及びバリウムから選ばれる少なくとも１種の元素の水溶性塩、錯化剤及び水酸化ニッケル粒子を含む水性スラリーにアルカリ金属硫酸塩を加え、水酸化ニッケル粒子の表面に上記元素の硫酸塩からなる被覆層を形成させることによって得ることができる。 - 特許庁

The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜２０２上の結晶性半導体膜からなる活性層２０７を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁