「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A main substrate part 43 of a panel part which is an active matrix type liquid crystal display element of counter source composition comprises plural pixel electrodes 47, a plurality of TFT 54 (Thin Film Transistor) which are switching elements, a scanning and reference signal line 53, 55, and an interconnecting line 66.例文帳に追加

対向ソース構成のアクティブマトリクス型の液晶表示素子であるパネル部の主基板部４３は、複数の画素電極４７と、スイッチング素子である複数のＴＦＴ５４と、走査および基準信号線５３，５５と、接続線６６とを含む。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1A is configured with a base part 10 including: an n type GaAs substrate 11; an n type DBR layer 12; and an electrode 15, and a mesa part 20 including: an MQW active layer 21; a p type DBR layer 22; and electrodes 25.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１１、ｎ型ＤＢＲ層１２、及び電極１５を有するベース部１０と、ＭＱＷ活性層２１、ｐ型ＤＢＲ層２２及び電極２５を有するメサ部２０とによって半導体発光素子１Ａを構成する。 - 特許庁

To provide a transflective multi gap system liquid crystal display apparatus of an active matrix type wherein alignment disorder of a liquid crystal due to an electric field caused by a switching element or the like can be effectively suppressed and high quality display free from coloring can be obtained.例文帳に追加

半透過反射型マルチギャップ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、スイッチング素子等に起因する電界による液晶の配向乱れを効果的に抑制でき、かつ色付きのない高画質表示が得られる構成を提供する。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

To improve light-emitting output further which makes expansion of scope of application to various applied products possible using an active layer of a multiple quantum well structure, and to provide a nitride semiconductor light-emitting element whose dielectric breakdown voltage is improved.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とする発光出力のさらなる向上及び静電耐圧の向上する窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

To prevent chipping from being formed in an active area and an element separation area, when forming a contact hole, in a semiconductor device different each other in a film thickness of a liner film in the first area and a film thickness of a liner film in the second area.例文帳に追加

第１領域におけるライナー膜の膜厚と、第２領域におけるライナー膜の膜厚とが互いに異なる半導体装置において、コンタクトホールの形成時に、活性領域及び素子分離領域に削れが形成されることを防止する。 - 特許庁

The DBR laser element 150 is provided with an optical waveguide 110 extending to a second end face and formed of a DBR area 110a where a uniform grating 132 is formed, a saturable absorption area 110b and an active area 110c.例文帳に追加

ＤＢＲレーザ素子１５０は，均一格子１３２が形成されたＤＢＲ領域１１０ａと可飽和吸収領域１１０ｂと活性領域１１０ｃとから形成されて第２端面１５０ｂに至る光導波路１１０を備えている。 - 特許庁

To make it possible to inspect the electric characteristics in the state in which plural element substrate devices such as an active matrix substrate device are formed on a mother substrate, and to step injecting an electro-optical material at the right time after having stuck them to a counter substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板装置等の素子基板装置がマザー基板に複数形成された状態で、それらの電気的特性検査を行え、且つ対向基板と貼り合わせた後に電気光学物質の注入を適時に停止できるようにする。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator of one embodiment disclosed herein is provided with an active element that is inserted and connected to interrupt the DC current expected to flow through an inductor L and a variable capacitance capacitor C in the steady-state.例文帳に追加

本発明の実施の一形態に係る電圧制御発振器は、定常状態においてインダクタＬ及び可変容量キャパシタＣを介して流れるはずの直流電流を遮断するために挿入接続された能動素子を備えている。 - 特許庁

A gate insulating film 7 of a high-breakdown-voltage MISFET with a thick film thickness is formed on an n-type buried layer 3 as an active area and a resistance element IR of an internal circuit is formed on the gate insulating film 7.例文帳に追加

アクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

To provide a fluid sealing type active vibration control device having novel structure capable of achieving stable operation of a moving element and a stator in a solenoid type actuator while highly securing all of transmission efficiency of exciting force, durability and reliability.例文帳に追加

加振力の伝達効率と耐久性、信頼性を何れも高度に確保しつつ、ソレノイド型アクチュエータにおける可動子と固定子の安定作動を実現せしめ得る、新規な構造の流体封入式能動型防振装置を提供すること - 特許庁

A light emitting means is composed by providing an optically active medium having a spiral structure, a quarter-wave plate and a linear polarizing plate above the light emitting element formed by stacking an electrode for reflecting light like a mirror-finished surface, an organic EL layer and a transparent electrode.例文帳に追加

発光手段は、鏡面反射する電極、有機EL層、透明電極を積層して形成される発光素子の上方に、螺旋構造をもつ光学活性な媒質、四分の一波長板、直線偏光板とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide an active matrix type display apparatus capable of preventing the entry of jumping potential from a signal line or a scanning line into a capacitive element through a parasitic capacitor and thereby preventing the occurrence of display defect such as cross talk.例文帳に追加

信号線や走査線からの寄生容量を介しての容量素子への飛び込み電位の進入を防止することができ、これによりクロストーク等の表示不良を防止することが可能なアクティブマトリックス型の表示装置を提供する。 - 特許庁

Or a peripheral insulating film different from the gate insulated film of the insulated gate field effect transistor is formed along the perimeter of the element active region, with the gate electrode of the insulating gate field effect transistor so formed as to stride the peripheral insulating film.例文帳に追加

または、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート絶縁膜とは異なる周縁絶縁膜が素子活性領域の周縁に沿って形成され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極が周縁絶縁膜上を跨るように形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the occurrence of a parasitic transistor, having low threshold voltage in a portion covered with a gate electrode at the boundary between an SOI active layer and a mesa-type element separating region can be prevented effectively, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ＳＯＩ活性層とメサ型素子分離領域との境界のゲート電極で覆われた部分における、閾値電圧の低い寄生トランジスタの発生を効果的に防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a means for suppressing output from an inverter INV_2 by operating the switch element of the inverter INV_2 in an active region upon detection of a transient variation in the impedance of the load 2 in the reducing direction is also provided.例文帳に追加

また負荷２のインピーダンスの減少方向への過渡的な変化が検出されたときに、インバータＩＮＶ２のスイッチ素子を能動領域で動作させることによりインバータＩＮＶ２の出力を抑制するインバータ出力抑制手段を設ける。 - 特許庁

At a position adjacent to an embedded insulating film 4 in an active layer 3 under a semiconductor element, a ring-shaped p-type region 10 and a ring-shaped n-type region 11 are alternately formed in a repeated manner so as to surround a circular center region 10a.例文帳に追加

活性層３のうち半導体素子の下方における埋込絶縁膜４と隣接する位置に、円形状の中心領域１０ａを囲むようにリング状のｐ型領域１０およびｎ型領域１１を交互に繰り返し形成する。 - 特許庁

To provide an electrode for an electrochemical element solving problems caused by using a metal plate as a substrate, enhancing the utilization factor of an active material, enhancing cycle characteristics, enhancing productivity, and reducing cost, and to provide a battery using this electrode.例文帳に追加

金属板を基材として用いた場合に生じる問題を解消し、活物質の利用率が高くサイクル特性が良好であり、しかも生産性にも優れた低コストの電気化学素子用電極、およびこれを備えた電池を提供する。 - 特許庁

This is an alkaline battery having a positive electrode which is composed of an active material comprising a nickel hydride solid solution particle and a rare earth element or its compound containing or mixed with Fe, or Fe compound of 0.1-100 ppm.例文帳に追加

水酸化ニッケル固溶体粒子と、０．１〜１００ｐｐｍのＦｅまたはＦｅ化合物を含有または混合させた希土類元素の単体又はその化合物からなる活物質より構成された正極を用いたアルカリ蓄電池を使用する。 - 特許庁

In the secondary battery having at least a positive electrode, a negative electrode, and an electrolyte as a constituting element, an active material of at least one electrode of the positive electrode and the negative electrode contains a nitroxyl radical compound having a unit represented by formula (1).例文帳に追加

少なくとも正極、負極、電解質を構成要素とする二次電池において、正極および負極の少なくとも一方の活物質が、式（１）で表されるユニットを有するニトロキシルラジカル化合物を含むことを特徴とする二次電池。 - 特許庁

An electronic device such as a picture element forming organic layer such as a hole injection layer of an organic EL panel or an active layer of an organic thin film transistor is manufactured using an ink composition in which secondary or tertiary alcohol is added in an ink having water as a main solvent.例文帳に追加

水を主溶剤とするインクに二級または三級アルコールを添加したインク組成物を用いて有機ＥＬパネルのホール注入層等の画素部形成有機層、あるいは有機薄膜トランジスタの活性層等の電子装置を製造する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate and a display device with it, capable of reducing capacity formed at an intersection between scanning wiring and signal wiring without an increase of wiring resistance and lowering of driving capability of a switching element.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises an anode, a cathode, and an active layer arranged between the anode and the cathode.例文帳に追加

陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有し、該活性層がｎ型半導体とｐ型半導体とを有し、該ｎ型半導体と該ｐ型半導体とのｐｎ接合の面積が、活性層１μｍ^3あたり１００μｍ^2以上である光電変換素子。 - 特許庁

A pixel 1 is divided into two or more, and separate current supply lines are connected to respective divided parts 2 , and at least one of connection lines 4 between a defective divided part 5 out of the divided parts 2 and an active element 3 is cut off.例文帳に追加

画素１を２分割以上分割し、分割された各分割部２に別個の電流供給配線が接続されるとともに、分割部２の内の不良分割部５とアクティブ素子３との接続配線４の内の少なくとも１つを遮断する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

A method of manufacturing a substrate in which an operation for bonding an active element 8 composed of a first material to the surface of a support 2 composed of a second material when manufacturing a substrate, especially for optics, electronics or optoelectronics, is also provided.例文帳に追加

更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。 - 特許庁

When measuring the film thickness on the gate of the transistor, an optical model is prepared to constitute a measuring object by the composition of respective different film structures of a gate area, an active area and an element separation area, and the surface film thickness on the gate is calculated by fitting.例文帳に追加

トランジスタのゲート上膜厚を計測する際、計測対象をゲート領域、活性領域、素子分離領域とそれぞれ異なる膜構造の合成で構成される光学モデルを作成し、フィッティングによりゲート上表面膜厚を算出する。 - 特許庁

112.3.Layout-Design is synonymous With 'Topography' and means the three-dimensional disposition, however expressed, of the elements, at least one of which is an active element, and of some or all of the interconnections of an integrated circuit, or such a three-dimensional disposition prepared for an integrated circuit intended for manufacture.例文帳に追加

112.3「回路配置」とは，「トポグラフィー」と同様の意味であり，その素子に少なくとも1つの能動素子を有し，集積回路の一部の若しくは全部が接続されたもの，又は製造を目的とした集積回路の三次元配置図のことをいう。 - 特許庁

In a structure for connecting a switching element to a pixel electrode via contact holes 43a, 43b, 43c and 43d formed in an interlayer insulation film on an active matrix substrate 13, the positions of respective contact holes 43a, 43b, 43c and 43d are irregularly arranged among a plurality of pixel regions 32a, 32b, 32c and 32d.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１３上の層間絶縁膜に形成したコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを介して、スイッチング素子と画素電極とを接続する構造において、複数の画素領域３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ間でそれぞれのコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄの位置を不規則に配置する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a structure that an active layer 6 is pinched between the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 10, an Al_xGa_1-xN(AlGaN) layer having the composition ratio x of Al of 0.01≤x<0.06 is employed as the n-type clad layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層１０との間に活性層６が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、ｎ型クラッド層として、Ａｌ組成比ｘが０．０１≦ｘ＜０．０６のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（ＡｌＧａＮ）層を用いる。 - 特許庁

The preparing method comprises a first step of giving heat treatment to a raw material compound and a second step of coating the active material with a compound including the element A, followed by a heat treatment, wherein the time for the second heat treatment is shorter than the time for the first heat treatment in the first step.例文帳に追加

〔２〕原料化合物を熱処理する第一の工程と、該活物質をＡを含む化合物で被覆した後、熱処理を行う第二の工程の製造方法で、第二の熱処理時間が第一の工程よりも短い製造方法。 - 特許庁

A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁

The CMOS image sensor is provided with a solid-state imaging CMOS active pixel sensor element comprising a unit pixel which is structured, so that the uniformity of the sensitivity between pixels can be improved, by using the pixel array without the need for an additional light-shielding layer.例文帳に追加

追加的な光遮蔽層の必要なしでピクセルアレイにかけてピクセル−ピクセルの間感度の均一度を向上させることができるように構造化された単位ピクセルを含む固体撮像ＣＭＯＳアクティブピクセルセンサー素子が提供される。 - 特許庁

The semiconductor laser element, having a ridge 1 above an active layer 14, a support layer 2 having a recess 2a at least above the ridge 1 and protruding support portions 2b on the opposite sides of the recess 2a, is formed to cover at least the ridge 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層１４の上方にリッジ１を有し、少なくともリッジ１を覆い、且つ少なくともリッジ１の上方に凹部２ａを有し、凹部２ａの両側に凸状のサポート部２ｂを有するサポート層２が積層された構成である。 - 特許庁

By patterning the second conductive film so that the insulating film is exposed, a plurality of parallel second conductive film patterns are formed that cross the active region and the element isolation film so as to be overlapped with the first conductive film patterns.例文帳に追加

前記絶縁膜が露出するように前記第２導電膜をパターニングして前記第１導電膜パターンと重畳されるように前記活性領域及び素子分離膜を横切る複数の平行な第２導電膜パターンを形成する。 - 特許庁

If this exhaust gas purifying catalyst is used, excellent catalytic activity can be developed at a low cost over a long period of time under a high temperature or oxidation-reduction change condition while reducing the use of the noble metal element because Fe can be used as an active component.例文帳に追加

この排ガス浄化用触媒を使用すれば、Ｆｅを活性成分として使用できるため、貴金属元素を低減しながら、低コストで、高温下または酸化還元変動下、長期にわたって優れた触媒活性を発現することができる。 - 特許庁

If this exhaust gas purifying catalyst is used, excellent catalytic activity can be developed at a low cost over a long period of time under a high temperature or oxidation-reduction change condition while reducing the use of the noble metal element because Co can be used as an active component.例文帳に追加

この排ガス浄化用触媒を使用すれば、Ｃｏを活性成分として使用できるため、貴金属元素を低減しながら、低コストで、高温下または酸化還元変動下、長期にわたって優れた触媒活性を発現することができる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 101 includes an n-type GaAs substrate 1 as a semiconductor substrate, and an n-type AlGaInP first clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type AlGaInP second clad layer 6 which are formed thereupon in order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０１は、半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１と、その上側に順に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６とを備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element has an n-type clad layer 30 composed of AlGaN on a predetermined substrate 10, an active layer 40 composed of a quantum well of a nitride semiconductor thereon, and a p-type clad layer 50 composed of AlGaInN thereon.例文帳に追加

所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

In the applied voltage control circuit 21, gain is set so that the inclination of an applied voltage line on V-I coordinates is greater than an inclination specified by the ac impedance of the element under the active state of the sensor and on the basis of the impedance.例文帳に追加

印加電圧制御回路２１では、Ｖ−Ｉ座標上の印加電圧線の傾きが、センサ活性状態での素子の交流インピーダンスを基準として当該インピーダンスにて規定される傾きよりも大きくなるよう利得が設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor active element and a semiconductor integrated circuit both of which can reduce their thermal resistances to necessarily sufficient degrees while securing their high frequency characteristics, and can suppress the strength deterioration of their semiconductor substrates and defective mounting on the substrates.例文帳に追加

高周波特性を確保しつつ、熱抵抗を必要にしてかつ十分な程度に低減することができ、半導体基板の強度低下、実装不良発生を抑えることのできる半導体能動素子および半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing a defect, and emitting light with high efficiency, even if the emission wavelength is made long by maintaining very small lattice mismatches of a quantum-well structure in the active layer.例文帳に追加

活性層における量子井戸構造の格子不整合を非常に小さくした状態を維持することにより、欠陥の発生を防ぎ、発光波長を長波長化させても高効率で発光が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A hydrogenated silicon nitride film 11 is formed on an interlayer insulating film 8, thereby enabling to keep the hydrogen concentration of an active element region including a thin film transistor 7 for switching high, and the Si-H coupling is stabilized.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８上に水素化窒化シリコン膜１１が形成されており、これにより、スイッチング用薄膜トランジスタ７を含む能動素子領域の水素濃度を高く保つことができ、シリコン薄膜におけるＳｉ−Ｈ結合が安定する。 - 特許庁