「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The lithium secondary battery comprises a positive electrode 5 using as an active material a lithium contained transition metal oxide as a metal oxide, containing at least one type of transition metal element selected from Ni, Co and Mn and a negative electrode 1, using as an active material a liquid metal or a liquid alloy having a melting point of 60 degrees C or lower, containing gallium or an alloy containing gallium.例文帳に追加

正極５の活物質としてＮｉ、Ｃｏ、及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の遷移金属元素を含む金属酸化物であるリチウム含有遷移金属酸化物を含み、負極１の活物質としてガリウムあるいはガリウムを含む合金である融点が６０℃以下の液体金属あるいは液体合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The lithographic apparatus includes a polarization changing element including at least two wedge-shaped optically active members which rotate a polarization direction of at least one segment of the radiation beam with a predetermined angle with respect to a first direction of an optical propagation length adaptor associated with the wedge-shaped optically active members, and which adjust the predetermined angle.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、くさび形光学活性体に関連づけられた光学伝播距離アダプタの第１の方向に対して所定の角度に放射ビームの少なくとも１セグメントの偏光方向を回転させて、該所定の角度を調節する、少なくとも２つのくさび形光学活性体を含む偏光変更素子を備える。 - 特許庁

In an electrochemical element containing at least a first current collector, a first active material layer, a solid electrolyte layer, a second active material layer and a second current collector, the solid electrolyte layer includes lithium phosphate crystals, and full width value the at half maximum of a diffraction signal peak by an X-ray diffraction analysis is 1.7° or less.例文帳に追加

少なくとも第一集電体と、第一活物質層と、固体電解質層と、第二活物質層と、第二集電体とを積層した電気化学素子において、前記固体電解質層はリン酸リチウム結晶体を含み、前記リン酸リチウム結晶体のＸ線回折分析による回折信号ピークの半値全幅値は１．７°以下である。 - 特許庁

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6.例文帳に追加

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。 - 特許庁

To provide a nickel - hydrogen storage battery excellent in the high- rate discharging characteristic which is equipped with a positive electrode using as active material a powder chiefly containing nickel hydroxide and a negative electrode using as active material a powder of hydrogen occluding alloy chiefly composed of rare earth element(s) and nickel (Ni) and having a CaCu_5 type crystal structure and which can quickly be activated in its initial period of operation.例文帳に追加

水酸化ニッケルを主成分とする粉末を活物質とする正極と、希土類元素とニッケル（Ｎｉ）を主構成成分とし、ＣａＣｕ_5型結晶構造を有する水素吸蔵合金粉末を活物質とする負極を備えたニッケル水素蓄電池を速やかに初期活性化し、且つ、高率放電特性の優れたニッケル水素蓄電池を提供する。 - 特許庁

The switching element is controlled in such a manner that a timing of intermittently supplying the power to the heater lamp during through-up control matches a point of time after a duration of stop time measured from the end of an active period of a zero-cross signal of AC power has elapsed, and that a timing of stopping subsequent power supply is synchronized with the end of the next active period.例文帳に追加

スルーアップ制御時に、断続的にヒータランプに電力を供給するタイミングが、交流電力のゼロクロス信号のアクティブ期間の終了から計測される停止時間が経過した時点になるように、また、その後の電力供給の停止タイミングが、次のアクティブ期間の終了に同期するように、スイッチング素子が制御される。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the active hydrogen oxide existing in a carbon material (existing as hetero element-containing functional groups, such as, for example, COOH, CHO and OH) at a relatively low temperature and to provide a carbon active material suitable for polarizable electrodes including electric double layer capacitors.例文帳に追加

本発明は、炭素材中に存在する活性酸化水素（例えば、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、ＯＨなどのような含ヘテロ元素官能基として存在している）を、比較的低温で、かつ効率的に除去する方法を提供し、また、電気二重層キャパシタをはじめとする分極性電極に適した炭素活物質を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a battery excellent in discharge performance and stability by improving a gel-like negative electrode, in a battery with a powder type negative electrode metal active material stored in an electrolytic solution containing a metal element chloride which is a main component of the active material as a main electrolyte component.例文帳に追加

本発明は、負極金属作用物質の主成分である金属元素の塩化物を主要電解質成分として含む電解液中に保持された粉末状の負極金属作用物質を備えた電池において、ゲル状負極を改善することにより、放電性能と安定性に優れる電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nonaqueous lithium type electricity storage element is constituted by storing, in a housing, an electrode stack, constituted by stacking a negative electrode body formed by providing a negative electrode active material layer to a negative electrode collector, a positive electrode body formed by providing a positive electrode active material layer to a positive electrode collector, and a separator, and a nonaqueous electrolyte containing an electrolyte containing lithium ions.例文帳に追加

負極集電体に負極活物質層を設けた負極電極体、正極集電体に正極活物質層を設けた正極電極体、及びセパレータを積層してなる電極積層体、並びにリチウムイオンを含有した電解質を含む非水系電解液を外装体に収納してなる非水系リチウム型蓄電素子。 - 特許庁

The method for producing the organic memory element having the organic active layer between a first electrode and a second electrode includes a step of forming the organic active layer by using the ferrocene-containing conductive polymer containing fluorenyl repeating units, thienyl repeating units and diallyl ferrocenyl repeating units.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子を製造するにおいて、フルオレニル繰り返し単位、チエニル繰り返し単位およびジアリールフェロセニル繰り返し単位を含むフェロセン含有伝導性高分子を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 - 特許庁

This nitride semiconductor device comprises an n-type nitride semiconductor layer 220, an electron emitting layer 230 comprising a nitride semiconductor layer including a tertiary group transition element, formed on the n-type nitride semiconductor layer, an active layer 240 formed on the electron emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer 250 formed on the active layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery provided with the negative pole 6 containing negative pole active material which electrochemically dopes/dedopes alkali metal, the positive pole 4 and nonaqueous electrolyte, the negative pole active material includes compound indicated by composition formula AxByC1-y (A is metal element. Atom ratio x and y indicate 0.2≤x≤1, 0.2≤y≤0.5, respectively).例文帳に追加

アルカリ金属を吸蔵・放出する負極活物質を含む負極６と、正極４と、非水電解質とを具備した非水電解質二次電池において、前記負極活物質は、組成式Ａ_xＢ_yＣ_1-y（Ａは金属元素、原子比ｘ、ｙは０．２≦ｘ≦１、０．２≦ｙ≦０．５をそれぞれ示す）で表される化合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The transmission type connector and the reception type connector include a connector base part, in which at least one active element is built, an external port electrically coupled with a transmission line, and an internal port electrically coupled with a circuit inside the device, respectively.例文帳に追加

送信型コネクタ、受信型コネクタは、それぞれ、少なくとも一つの能動素子を内蔵するコネクタ基部、伝送線路と電気的に結合される外部ポート、装置内部の回路と電気的に結合される内部ポートを含む。 - 特許庁

To provide a structure effective for practical application to obtain high integration and high breakdown voltage, concurrently in a high breakdown voltage semiconductor device integrated on an SOI substrate, in which its rated voltage is shared between an embedded oxide layer and the drain of an element active layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に集積され定格電圧を埋め込み酸化膜と素子活性層のドレインとで分担する高耐圧半導体素子において、高集積化と高耐圧化を同時に実現する実用化に有効な構造の提案。 - 特許庁

The laser element is composed of an n-DBR mirror 302, an active region 303, and a p-DBR mirror 304 formed on the substrate; and has a post-shaped columnar laminated structure 305 in which a side wall is covered with an insulating film 306.例文帳に追加

レーザ素子は、基板上に形成された、ｎ−ＤＢＲミラー３０２、活性領域３０３、及びｐ−ＤＢＲミラー３０４からなり、側壁が絶縁膜３０６で被覆されたポスト状円柱状積層構造３０５を備える。 - 特許庁

The active matrix substrate is constituted so that short inspection can be executed without being influenced by the high resistance short circuit while connecting no ring wiring 107 for the high resistance short circuit therewith and forming no circuit of high resistance element 98 groups when the short inspection is executed.例文帳に追加

ショート検査に際しては、高抵抗ショート回路用リング配線１０７を接続せず高抵抗素子９８群を回路化せずに、高抵抗ショート回路の影響を受けることなくショート検査を行い得るように構成した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component capable of easily manufacturing the electronic component in which an active element of a chip is not directly covered with resin, etc., and an electronic component manufacture by this manufacturing method and a printer for sealing resin.例文帳に追加

チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品を簡単に作製できる電子部品の製造方法、その製造方法で作製した電子部品および樹脂封止用印刷機を提供する。 - 特許庁

This semiconductor laser element 10 is provided with a laminated structure of an n-type AlGaAs clad layer 14, a GaAs active layer 16, a p-type AlGaAs clad layer 18, and a p-type GaAs contact layer 20 on an n-type GaAs substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、ＧａＡｓ活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０の積層構造を備えている。 - 特許庁

In such a case, the substrate is preferably in the form of the substrate which is further laminated with a light transparent optical semiconductor thin film on the light transparent conductive film or the substrate which has an active element to be joined to the light transparent conductive film.例文帳に追加

前記基板が、光透過性の導電膜上にさらに光透過性の光半導体薄膜を積層した基板、又は光透過性の導電膜と接合する能動素子を備えた基板である態様が好ましい。 - 特許庁

The drive circuit which has an active element, such as a thin-film transistor is fabricated so that the channel direction become the crystal growth direction of approximately strip-shaped crystal silicon film to a virtual tile TL which is formed in the discontinuous modify region.例文帳に追加

この不連続改質領域で形成した仮想タイルＴＬにチャネル方向が略帯状結晶シリコン膜の結晶成長方向となるように薄膜トランジスタ等のアクティブ素子を有する駆動回路を作り込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has no variance of polarization angle rotation even when mounted on a heat sink, etc., by a junction down joining system and does not generate a crack damaging an active layer even when cleaved.例文帳に追加

ジャンクションダウン接合方式でヒートシンク等にマウントしても、偏光角回転がばらつくようなことがなく、また劈開しても活性層に損傷を与えるようなクラックを発生させないような構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

If the monitor 54 detects an output voltage change that is indicative of attachment of an electronic device 10 or if the storage element needs to be recharged, the monitor 54 places the AC-DC power converter circuit 122 in an active mode of operation.例文帳に追加

モニタ５４が電子デバイス１０の装着を示す出力電圧変化を検出したとき、または、蓄積素子が充電の必要があるときは、モニタ５４は、ＡＣ−ＤＣ電力変換器回路１２２をアクティブ動作モードにする。 - 特許庁

Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも１つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁

The positive electrode for secondary battery uses a positive electrode mixture in which a radical compound as an positive electrode active material and X_2YF_6 (X: one kind of Li, Na, and K, Y: Group 14 element excluding C) as a substance to supply ion reacting to the radical compound are mixed.例文帳に追加

正極活物質としてのラジカル化合物と、ラジカル化合物に反応するイオンを供給する物質としてＸ_２ＹＦ_６（Ｘ：Ｌｉ，Ｎａ，Ｋの一種、Ｙ：Ｃを除く１４族元素）を混合した正極合剤を用いる二次電池用正極。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of superior electrostatic breakdown voltage whose light-emitting output is improved so that a range of application to various applied products is widened with the use of an active layer of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

A chemical species consisting of an element having the atomic weight of at least 4 (for example, argon) in an energy state higher than the ground state is introduced into the reaction chamber 10 from an active species generating apparatus 19.例文帳に追加

化学反応を起こす気体とは別に、基底状態よりも高いエネルギー状態にある原子量が４以上の元素（例えばアルゴン）からなる化学種を活性種生成装置１９から反応室１０内に導入する。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-single-crystal semiconductor film (14), a supporting substrate (12) for supporting the non-single-crystal semiconductor film (14), and an active element (10) having a portion of the non-single-crystal semiconductor film (14) as its channel region (22).例文帳に追加

半導体装置は非単結晶半導体膜（１４）と、非単結晶半導体膜（１４）を支持する支持基板（１２）と、非単結晶半導体膜（１４）の一部をチャネル領域（２２）として有する能動素子（１０）とを備える。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁

To improve gate breakdown voltage and reliability by relaxing concentration of electric field at a step part formed near a boundary between an active region and a field region trench, and suppressing production of a parasitic MOS in manufacture of a trench element isolation.例文帳に追加

トレンチ素子分離の製造において、アクティブ領域とフィールド領域トレンチの境界付近に生じる段差部への電界集中を緩和し、寄生ＭＯＳの生成を抑制して、ゲート耐圧の向上、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing manufacturing costs, the active matrix type liquid crystal display device being equipped with a thin-film transistor as a switching element.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関し、製造コストを低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, the active element 10 is approximately as high as the conductive post 25, and the area of an opening 30 formed on the first insulating layer 26 is smaller than the area of the top face of the conductive post 25.例文帳に追加

この半導体装置において、能動素子１０の高さと、導電性ポスト２５の高さが略同一であり、第１の絶縁層２６に形成される開口部３０の面積が導電性ポスト２５の上面の面積よりも小さい。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display element with which an excellent display quality and a high-speed response is obtained by reducing liquid crystal layer thickness without generating display defect due to gathering of impurities inside a pixel part.例文帳に追加

画素部内に不純物の集まりによる表示欠陥を発生させること無く液晶層厚を小さくし、良好な表示品質と高速応答性を得ることができるアクティブマトリックス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To prevent variations in gate resistance caused by the fact that polysilicon of the gate cannot be extracted because of variations in height of the active region and the element isolation region in a transistor which is fabricated by gate-last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで作製するトランジスタにおいて、活性領域と素子分離領域の高さばらつきのためゲートのポリシリコンを抜くことができないことにより、ゲートの抵抗にばらつきが生じるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To provide a method appropriate for mass production in which lithium equivalent to irreversible capacity can be supplemented uniformly in a short time, when using Si and its oxide for an active material, in order to enlarge the capacity of an electrochemical element.例文帳に追加

電気化学素子を高容量化するために活物質にＳｉおよびその酸化物などを用いた場合に、不可逆容量相当のリチウムを短時間で均一に補填できる、量産に適した方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve an area ratio (an aperture ratio) of a display electrode, and to prevent lowering of thin film transistor (TFT) characteristics caused by incidence of light on the TFT, in an active matrix circuit using the TFT as a switching element.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス回路において、表示電極の面積比率（開口率）を向上させ、また、ＴＦＴに光が当たることによってＴＦＴの特性が低下することを防止する。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element is formed on a substrate 101 and includes a laminated structure 120 containing an active layer 105, and a p-type electron barrier layer 106, an n-type current block layer 108 and p-type light guide layers 107, 111.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子は、基板１０１上に形成され、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｎ型電流ブロック層１０８及びｐ型光ガイド層１０７、１１１を含む積層構造体１２０を有している。 - 特許庁

The light-absorbing layer 30 is formed by implanting ions of an element capable of forming a deep level by breaking a crystal of the substrate 10, and has a function of absorbing light emitted from an active layer 12.例文帳に追加

光吸収層３０は、基板１０の結晶を破壊し、深い準位を形成することの可能な元素をイオン注入することよって形成されたものであり、活性層１２から発せられた光を吸収する機能を有している。 - 特許庁

Influence of the UV ray to the switching active element 5 in the exposing process when the color filter film 11 is formed, is improved by the protective film 3 and a color filter on TFT array substrate 16 of high performance can be obtained in high yield.例文帳に追加

カラーフィルタ膜１１を形成する際の露光工程におけるスイッチング能動素子５へのＵＶ光の影響が保護膜３により改善され、高歩留りの高性能なカラーフィルタオンＴＦＴアレイ基板１６を得る事ができる。 - 特許庁

To provide a vertical alignment type active matrix liquid crystal display element which can display an image of excellent quality free of a feeling of jaggedness by reducing disorder of alignment of liquid crystal molecules in a region adjacent to a TFT of a pixel.例文帳に追加

画素のＴＦＴに隣接する領域の液晶分子の配向の乱れを少なくし、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

Thus, since the film embedded in the depth from the main surface of the substrate is incorporated, active layers of different thicknesses at the respective element forming regions can be formed between the insulating film and the main surface.例文帳に追加

半導体基板の主面から異なる深さに埋め込まれた埋め込み絶縁膜を有することで、各素子形成領域ごとに異なる厚さの活性層を、埋め込み絶縁膜と主面との間に形成することができる。 - 特許庁

The surface-emitting laser element 10 has a substrate 1, reflecting layers 2, 6, cavity spacer layers 3, 5, an active layer 4, a selectively oxidized layer 7, a contact layer 8, a passivation film 9, a wiring electrode 11, and an n-side electrode 12.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、基板１と、反射層２，６と、共振器スペーサー層３，５と、活性層４と、選択酸化層７と、コンタクト層８と、パッシベーション膜９と、配線電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。 - 特許庁

To provide a two-dimensional image detector and its manufacturing method that can prevent damage of an element by emitting an excessive electric charge and prevent complicated structure without changing any manufacturing process of an active matrix board.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板の製造工程を何ら変更することなく、過剰電荷を放出して素子の破壊を防止することができ、かつ構造の複雑化を防止し得る二次元画像検出器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁