「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

In the electrode for electrochemical element, an electrode composition layer containing an electrode active material, a conductive agent, a binding agent, and a high molecular material of which solubility parameter is 12-17 (cal/cm^3)^1/2 is formed on a collector.例文帳に追加

集電体上に、電極活物質、導電剤、結着剤および溶解度パラメータが１２〜１７（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である高分子物質を含んでなる電極組成物層が形成されてなる電気化学素子用電極。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 includes an n-type semiconductor region 12, an un-doped semiconductor layer 14 containing an active layer 44, a current constricting layer 16 having an opening 16a extending in a predetermine direction, and a p-type semiconductor region 18.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１２と、活性層４４を含むアンドープ半導体層１４と、所定方向に延びる開口１６ａを有する電流狭窄層１６と、ｐ型半導体領域１８とを備える。 - 特許庁

The surface type semiconductor laser comprising a vertical resonator having reflectors 4 above and below an active layer 6 is composed, at least partially, of a magnetic semiconductor layer 2 containing at least any one of Mn, Cd, Co, V, Cr, Ni and Fe as a constitutive element.例文帳に追加

活性層６の上下に反射鏡４を有する垂直共振器を持つ面型半導体レーザの少なくとも一部を、少なくともＭｎ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれかを構成元素として含む磁性半導体層２で構成する。 - 特許庁

To suppress crosstalk caused by fluctuations of information signal line voltage when driving a liquid crystal element having a V-shaped optical characteristic on one side in an active matrix way and color-displaying in a field-sequential system.例文帳に追加

片側Ｖ字の光学特性を有する液晶素子をアクティブマトリクス駆動し、フィールドシーケンシャル方式によってカラー表示する際に、情報信号線の電圧変動によるクロストークを抑制し、正確な階調表示を行う。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition having negative dielectric anisotropy for an active matrix type liquid crystal display element that has a low solid phase or smectic phase-nematic phase transition temperature while retaining physical property values such as refractive index anisotropy, viscosity and the like.例文帳に追加

屈折率異方性、粘性等の物性値を維持したまま、固体相又はスメクチック相−ネマチック相転移温度が低い誘電率異方性が負のアクティブマトリクス型液晶表示素子用液晶組成物の提供。 - 特許庁

In the insulated gate transistor, desorption gas observed as a water molecule by a temperature rising desorption analysis (TDS measurement)is less than 1.4 molecules/nm^3 if an oxide containing at least one element of In, Ga, and Zn is used in an active layer 5.例文帳に追加

活性層にＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物を用いる場合において、昇温脱離分析（ＴＤＳ測定）により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３未満とする。 - 特許庁

To provide a high reliability semiconductor device by preventing the propagation of cracks and fine exfoliation, occurring at the time of cutting a semiconductor wafer to an active element region, and to provide a method of manufacturing the semiconductor wafer and the semiconductor device.例文帳に追加

半導体ウェハの切断時に発生するクラックや微細な剥離が能動素子領域に伝播することを防止して、信頼性の高い半導体装置、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Memory cell transistors where word lines serve as gates are provided in an active region OD, and a ferroelectric capacitor composed of a lower electrode, a ferroelectric film, and an upper electrode TE is provided on an element isolating region.例文帳に追加

活性領域ＯＤ内には、ワード線ＷＬをゲートとするメモリセルトランジスタが設けられ、素子分離領域の上に、下部電極，強誘電体膜及び上部電極ＴＥからなる強誘電体キャパシタが設けられている。 - 特許庁

To realize an edge face window structure without generating manufacture yield due to the oxidization of Al or the deterioration of reliability in a semiconductor optical element in which an active layer is formed by using Al system III-V group compound semiconductor materials.例文帳に追加

Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を用いて活性層を形成する半導体光素子において、Ａｌの酸化による製造歩留まりや信頼性の低下を引き起こすことなく、端面窓構造を実現する。 - 特許庁

A TFT substrate 10 of an active matrix drive display unit has a TFT element including a gate electrode layer 12, gate insulation film 13, semiconductor pattern layer, and source/drain electrode layers successively formed on a glass substrate 11.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動表示装置のＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１上に順次に形成される、ゲート電極層１２、ゲート絶縁膜１３、半導体パターン層、及び、ソース／ドレイン電極層を含むＴＦＴ素子を有する。 - 特許庁

This amplifier circuit has: an amplifier 2 having an amplifying element in which an active area is made of a GaN or its compound semiconductor; and a phase compensation circuit 3 connected to the amplifier 2, provided with attenuation property and having negative phase distortion.例文帳に追加

能動領域がＧａＮあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子を有するアンプ２と、アンプ２に接続され、減衰性を備え、負の位相歪を有する位相補償回路３とを有する構成としている。 - 特許庁

To improve luminous efficiency, light emitting wavelength reproducibility, and in-plane uniformity in a nitride-based compound semiconductor light emitting element provided with an Al-containing evaporation preventing layer immediately above an In-containing quantum well active layer.例文帳に追加

Ｉｎを含む量子井戸活性層の直上にＡｌを含む蒸発防止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、発光効率、発光波長の再現性および面内均一性を良好にする。 - 特許庁

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted.例文帳に追加

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。 - 特許庁

To prevent film peeling of an auxiliary electrode 8 formed by shadow mask patterning in order to reduce a sheet resistance of a translucent electrode 7 in an active matrix type organic EL display device using a top emission type organic EL element.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、透光性電極７のシート抵抗を低減させるためにシャドーマスクパターニングにより形成される補助電極８の膜剥がれを防止する。 - 特許庁

To provide a method of producing an active matrix type liquid crystal display device having a thin film transistor as a switching element by which the production cost can be decreased.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関し、製造コストを低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an image display apparatus and a method for manufacturing the same, wherein the image display apparatus is applied to an active matrix type image display apparatus based on an organic EL element e.g. to prevent image quality deterioration due to light from an adjacent pixel.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置及び画像表示装置の製造方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、隣接画素からの光による画質劣化を防止する。 - 特許庁

To improve the low-noise characteristics of a semiconductor laser element and to reduce its operating current and improve its temperature characteristics and reliability, by adding silicon, selenium, zinc, beryllium, sulphur or carbon into an active layer as an impurity at a predetermined concentration.例文帳に追加

低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 - 特許庁

The active control element composed of a servomotor is difficult for adaptation since force (displacement) of a high frequency is applied when stepping on an unexpected recess-projection of a ground surface and an obstacle unfixed to a moving surface.例文帳に追加

サーボ・モータで構成される能動的制御要素は、地表面の予期せぬ凹凸や、移動面に固定されていない障害物などを踏んだりした場合の、高い周波数の力（変位）が加わることになり、適応困難である。 - 特許庁

To obtain a structure wherein a hollow portion is formed between a translucent member and an active element on a semiconductor substrate, without applying heavy load and conducting a pattern alignment at the jointing of the translucent member and the semiconductor substrate.例文帳に追加

光透過性部材と半導体基板上の能動素子との間に中空部分を形成する構造を得るために、光透過性部材と半導体基板との接合時に、高荷重を掛けること及びパターン合わせを不要にする。 - 特許庁

In this semiconductor device, in which a plurality of the resistive elements 4 are formed on the element isolating oxide film 2 in a prescribed region formed on the surface of a semiconductor substrate 1, active regions 3 are arranged at positions adjacent to the resistance elements 4.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成された所定領域の素子分離酸化膜２上に複数の抵抗素子４が形成された半導体装置であって、抵抗素子４と近接する位置に活性領域３を設けた。 - 特許庁

As the lithium-containing composite oxide of the positive electrode active material, LiNi_xM_yMn_2-x-yO_4 (where M is at least one kind of transition metal element, excluding Ni and Mn, 0.4≤x≤0.6, and 0≤y≤0.1) is preferably used.例文帳に追加

上記正極活物質の含リチウム複合酸化物としては、一般式ＬｉＮｉ_x Ｍ_y Ｍｎ___2-x-y Ｏ_4 （ただし、ＭはＮｉおよびＭｎ以外の少なくとも１種の遷移金属元素で、０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｙ≦０．１）で表されるものが好ましい。 - 特許庁

To provide a substrate for an electro-optical device realizing a high definition and a high aperture ratio, in a display using an organic semiconductor for an active matrix element, and also to provide the electrooptical device and a method for manufacturing the substrate for the electro-optical device.例文帳に追加

有機半導体をアクティブマトリクス素子に用いたディスプレイにおいて、高精細かつ高開口率の実現を可能とする電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element obtained by a reduced number of production man-hour, of an active matrix system so structured as to take out light generated at an organic layer to an opposite side of a TFT, and its manufacturing method, an organic EL display, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の主たる目的は、有機層において生じた光をＴＦＴとは反対側へ取り出す構造の、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ素子を、全体として低減された製造工数によって得ることにある。 - 特許庁

By this setup, the alignment key which provides accurate alignment, when the active region is specified on the semiconductor substrate can be formed through a simple and economical method, so that a high-voltage element which can be increased in breakdown voltage can be reduced in manufacturing cost.例文帳に追加

これにより、半導体基板上に活性領域を限定する時に正確なアラインメントを提供するアラインキーを簡単で経済的な方法で形成できるので、高耐圧化が可能な高電圧素子の製造コストを下げられる。 - 特許庁

An element active area 1 is formed, a pair of memory cells are formed, word lines 2, 2a, 2b... of the memory cell are arranged, and capacitor contact holes 3, 3a are formed in the capacitor part of the memory cell respectively to fill them with contact plugs.例文帳に追加

素子活性領域１が形成され一対のメモリセルが形成され、メモリセルのワード線２，２ａ，２ｂ…が配設され、メモリセルのキャパシタ部に容量用コンタクト孔３，３ａがそれぞれ形成されコンタクトプラグが充填されている。 - 特許庁

After an insulating layer is formed in a semiconductor substrate by the SIMOX method, a laminated substrate is formed by sticking the insulating layer to the substrate body, and the unnecessary laminated section other than a semiconductor layer is removed which becomes the active layer of a switching element.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法により半導体基板の内部に絶縁層を形成した後、これを基板本体上に貼り合わせて積層基板とし、スイッチング素子の能動層となる半導体層以外の不要な積層部を除去する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition imparting a hardened material excellent in transparency, flexibility, and excellent in hygroscopicity, a hardened material of the same and an organic EL element excellent in emission characteristic using the hardened material.例文帳に追加

透明性及び可とう性に優れ、且つ吸湿性に優れた硬化物を得ることが可能な活性エネルギー線硬化性組成物、その硬化物及びその硬化物を使用した発光特性に優れた有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory cell and an FeRAM element using the same which can improve further its integration density by the structure of its bit-line separated from its active region and has its bit-line structure comprising a depletion type transistor.例文帳に追加

ビットラインと活性領域とが分離された構造より集積度をさらに向上させることのできる、空乏形トランジスタからなるビットライン構造を有する強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

The optical disk unit is composed so that a joined surface of an active layer 13 of the semiconductor laser 8 and a generating line of an optical element 5 which is elastically deformed into a shape of almost cylindrical surface or a toroidal surface become almost right-angled by an elastic supporting member 7.例文帳に追加

半導体レーザ８の活性層１３の接合面と、弾性支持部材７によって、略シリンドリカル面状または略トロイダル面状に弾性変形した光学素子５の母線とが略垂直になるように配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a GaInNAs-based quantum well active layer with its improved temperature characteristics and lowered threshold by decreasing hydrogen (H) to be taken into the GaInNAs-based material.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系量子井戸活性層を用いた半導体発光素子において、ＧａＩｎＮＡｓ系材料への水素（Ｈ）の取り込まれを低減して、温度特性が良く低しきい値である半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A laser element 100 is provided with a columnar part formed of the laminated structure of compound semiconductor layers including an active layer 16, and laser beams are emitted from the opposite side of the columnar part to an InP substrate 10 to an orthogonal direction.例文帳に追加

本レーザ素子１００は、活性層１６を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、柱状部の反対側からＩｎＰ基板１０に対して直交方向にレーザ光を放出する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.例文帳に追加

メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁

A substrate, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a multiple ohmic contact layer are sequentially stacked, and the multiple ohmic contact layer is a nitride-based light-emitting element formed by a first transparent thin-film layer, an Ag layer, and a second transparent thin-film layer.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーミックコンタクト層が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層は、第１透明薄膜層／Ａｇ／第２透明薄膜層より形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

A surface layer of the active material particle containing a nickel oxide having a NaCl type crystal structure or second lithium nickel compound oxide and an element M not constituting a crystal structure of the first lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

活物質粒子の表層部は、ＮａＣｌ型結晶構造を有するニッケル酸化物もしくは第２リチウムニッケル複合酸化物を含み、更に、第１リチウムニッケル複合酸化物の結晶構造を構成しない元素Ｍを含む。 - 特許庁

To provide an active phased array antenna that configures a feedback loop including an antenna system and is not affected by mutual coupling from an adjacent antenna element or an adjacent sub array so as to attain monitoring with high accuracy.例文帳に追加

本発明は、アンテナ系を含めたフィードバックループを構成でき、隣接するアンテナ素子あるいはサブアレーからの相互結合による影響がなく高精度なモニタが可能なアクティブフェーズドアレーアンテナを提供することを目的とする。 - 特許庁

The oscillator oscillates a signal with a frequency close to the resonance frequency of the main dielectric resonator 5 through the magnetic field coupling of a semiconductor active element, a microstrip line and the main dielectric resonator 5 placed on a dielectric board 2.例文帳に追加

誘電体基板２上に設置した半導体能動素子及びマイクロストリップラインと主誘電体共振器５が磁界結合することにより、主誘電体共振器５の共振周波数付近で発振する発振器が得られる。 - 特許庁

The active element 20 is provided with a semiconductor layer 13 to turn on/off a current between electrodes (11 and 12), and the semiconductor layer 13 is formed of a synthetic resin composition having a dispersed organic semiconductor material.例文帳に追加

半導体層１３を介して電極（１１，１２）間に流れる電流のＯＮ／ＯＦＦを行うようにした能動素子２０において、該半導体層１３を、有機半導体材料が分散された合成樹脂組成物で構成する。 - 特許庁

The nonaqueous secondary battery is equipped with at least a positive electrode containing positive active material particles covered with a low valence oxide of a transition metal element; a negative electrode; and a nonaqueous electrolyte containing a lithium salt.例文帳に追加

遷移金属元素の低原子価酸化物が表面に被覆された正極活物質粒子を含む正極と、負極と、リチウム塩を含む非水電解質とを少なくとも備えた構成の非水電解質二次電池とする。 - 特許庁

To provide a catalyst for partially oxidizing hydrocarbon which is highly active and has long-term durability even though the content of platinum group element is small, and to provide a method of producing hydrogen-containing gas from hydrocarbon by using the catalyst.例文帳に追加

少ない白金族元素含有量でも、高活性で、かつ長期耐久性を有する炭化水素の部分酸化用触媒、および該触媒を用いて炭化水素から水素含有ガスを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The chlorine-containing resin composition contains as active ingredients an aluminosilicate substituted with a Zn ion and an inorganic phosphite containing at least one metal element selected from Ca and Ba.例文帳に追加

本発明の塩素含有樹脂組成物は、Ｚｎイオンで置換されたアルミノ珪酸塩と、Ｃａ及びＢａから選ばれる少なくとも１種以上の金属元素を含む無機亜リン酸塩を有効成分として含有することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, by the use of etchant containing a hydrofluoric acid and a nitric acid, only the amorphous silicon formed in the element isolating region 2 is selectively removed by etching, and the single crystal silicon formed in the active region 5 is hardly etched.例文帳に追加

その後、フッ酸と硝酸とを含むエッチング液を用い、アクティブ領域５に形成された単結晶シリコン部分をほとんどエッチングすることなく素子分離領域２に形成されたアモルファスシリコンのみを選択的にエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is restrained from varying in parasitic capacitance by using a thin film transistor as an active element and devising the shapes and electrode widths of the source and drain electrodes.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタをアクティブ素子として用い、ソース電極とドレイン電極の形状、及び電極幅を工夫することにより、寄生容量の変動を抑制する液晶表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁