「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of manufacturing a semiconductor package, a surface active process is performed ununiformly using plasma discharge at least to a region on a surface insulation layer where a semiconductor element is mounted.例文帳に追加

少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 - 特許庁

In the laser element having an active layer where a plurality of quantum wells and barriers are laminated repeatedly, a tunnel junction is inserted into the barrier between the quantum wells.例文帳に追加

複数の量子ウェルと障壁とが反復的に積層されてなされる活性層を備えたレーザー素子であって、量子ウェルの間の障壁内にトンネル接合が挿入されていることを特徴とするレーザー素子である。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes semiconductor layers of first conduction type and second conduction type and an active layer between them, as well as a first electrode layer and second electrode portion electrically connected to each semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は第１導電型及び第２導電型半導体層とその間の活性層を含み、各半導体層を電気的に連結させる第１電極層及び第２電極部を含む。 - 特許庁

This semiconductor optical element 10 is provided with an optical waveguide of a mesa structure formed on a substrate and including an active layer, and an embedding layer covering both side faces of the mesa structure and formed of a high-resistance semiconductor.例文帳に追加

半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。 - 特許庁

A surface emission semiconductor laser element chip having an oscillation wavelength of 1.1-1.7 μm and a resonator structure including reflectors provided above and below a light emitting active layer is employed.例文帳に追加

レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

In the semiconductor layer element, a dopant resulting from mixing two elements Mg and Zn different in ease of diffusion is added to a p-InGaP clad layer 13 formed on an infrared laser active layer 12.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。 - 特許庁

By absorbing the light transmitting the first substrate 1 by the light-absorbing layer 14, the reflected light is prevented from entering the semiconductor layer of the active matrix element 16 to reduce a current caused by leaked light.例文帳に追加

第一の基板１を透過した光を光吸収層１４によって吸収することによって、アクティブマトリックス素子１６の半導体層に入射する反射光を防止し、光リーク電流を低減する。 - 特許庁

A first reflector 11, an active layer 15, a narrow current layer 16, a second reflector 17, and a p-type contact layer 18 are laminated on a substrate 10 in order to form an element forming area.例文帳に追加

基板１０の上に第１の反射鏡１１、活性層１５、電流狭窄層１６、第２の反射鏡１７及びｐ型コンタクト層１８が順次積層されてなる素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

Each photosensitive cell has a photodiode 101, a transfer gate 102, a floating diffusion layer 103, an amplifying transistor 104, and a restting transistor 105 formed in a active region 100 surrounded by an element separating region.例文帳に追加

各感光セルでは、フォトダイオード１０１と、転送ゲート１０２と、フローティング拡散層部１０３と、増幅トランジスタ１０４と、リセットトランジスタ１０５とが、素子分離領域に囲まれた一つの活性領域１００内に形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device packaged while including a semiconductor, a noise shielding layer SDa or a noise shielding layer consisting of a meshed conductive layer is formed in a predetermined region of the upper layer of a first semiconductor chip 12 including an active element to cover the entire surface of that region, and a second semiconductor chip 16 including an active element is stacked on the upper layer of the noise shielding layer SDa.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子を含む第１半導体チップ１２の上層の所定の領域に、例えばこの領域を全面に被覆するノイズ遮蔽層ＳＤａあるいはメッシュ状導電層からなるノイズ遮蔽層などのノイズ遮蔽層が形成されており、このノイズ遮蔽層ＳＤａの上層に、能動素子を含む第２半導体チップ１６が積層されている構成とする。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a resin film 15 is formed on a TFT array substrate 10 where a switching active element 4 to drive a pixel electrode is formed, and the switching active element 4 is brought into contact with a pixel electrode 2 formed on the resin film 15 through a contact hole 12, formed in the resin film 15.例文帳に追加

画素電極を駆動するためのスイッチング能動素子４が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上に樹脂膜１５を形成し、樹脂膜１５に形成されたコンタクトホール１２により、スイッチング能動素子４と、樹脂膜１５上に形成された画素電極２とをコンタクトさせる液晶表示装置であって、コンタクトホール１２の全部または一部に充填された状態で、コンタクトホール１２部位を覆うように柱状樹脂パターン１７を形成した。 - 特許庁

An amplifying optical component AOP includes: an amplifying optical fiber 30 including a core 31 doped with an active element and cladding 32 adapted for incident excitation light for exciting the active element; and a circuitously propagating optical fiber 50 optically coupled to a cladding portion 61 of the amplifying optical fiber 30 between one end 36 and the other end 37 to provide traffic for part of the excitation light propagated through the cladding 32.例文帳に追加

本発明の増幅用光学部品ＡＯＰは、活性元素が添加されるコア３１、及び、前記活性元素を励起するための励起光が入射されるクラッド３２を含む増幅用光ファイバ３０と、前記増幅用光ファイバ３０の一端３６と他端３７との間のクラッド部分６１に対して光学的に結合され、クラッド３２を伝播する励起光の一部を往来させる迂回伝播用光ファイバ５０とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, provided with a semiconductor layer containing Al between a substrate and an active layer containing nitrogen, the semiconductor layer containing Al and the active layer containing nitrogen are grown by using an organometallic Al material and nitrogen compound material, respectively; and a GaNAs layer 213 (or GaInNAs layer) is formed between a semiconductor layer 202, containing Al and an active layer 204 containing nitrogen.例文帳に追加

基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、Ａｌを含む半導体層と窒素を含む活性層はそれぞれ有機金属Ａｌ原料と窒素化合物原料を用いて成長されており、Ａｌを含む半導体層２０２と窒素を含む活性層２０４との間にＧａＮＡｓ層２１３（またはＧａＩｎＮＡｓ層）が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element is a constricted oxide type surface-emitting semiconductor laser element which has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors and an active layer disposed between these mirrors on a GaAs substrate 12, and emits a laser beam in a direction of crossing the substrate at right angles.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

To provide an electrode for an electrochemical element, which has an excellent adhesion property to an active material layer and to a collector body such as a metal foil even without adding a binder and shows a high capacity even under a high current density and to provide the electrochemical element which shows the high capacity even under the high current density using the electrode.例文帳に追加

バインダーを添加しなくても、活物質層と金属箔などの集電体との結着性が優れ、かつ大電流密度下でも高い容量を示す電気化学素子用電極を提供し、また、その電極を用いて大電流密度下でも高い容量を示す電気化学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a guide substrate for an optical fiber to realize an lightwave circuit module which has a pitch conversion function so as to couple the pitch P1 of an optical fiber array to the pitch P2 in an active layer or a waveguide part of an optical element, as well which achieves direct optical coupling between an optical element and an optical fiber array with low loss.例文帳に追加

光ファイバアレイのピッチP1を光素子の活性層又は導波路部のピッチP2との結合が可能となるようにピッチ変換する機能を有しつつ、光素子と光ファイバアレイとを直接且つ低損失に光学的に結合可能となる光波回路モジュールを実現するための光ファイバ用のガイド基板を提供する。 - 特許庁

A silicon alkoxide, one or more metallic compounds having at least one element selected from the group consisting of elements of groups 5-11 in the periodic table, one or more metallic compounds having at least one element selected from the group consisting of elements of groups 2, 4, 12 and 13 in the periodic table, and a nonionic surface-active agent are mixed together.例文帳に追加

シリコンアルコキシドと、周期表の５〜１１族から選ばれる少なくとも１つの元素を含む一種類以上の金属化合物と、周期表の２，４，１２，１３族から選ばれる少なくとも１つの元素を含む一種類以上の金属化合物と、ノニオン系界面活性剤とを混合する。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: bit lines (BIT/BITB); a memory element (memory cell or local sense amplifier) connected to the bit lines; and a precharge circuit for applying a predetermined voltage (VDD) to the bit lines for a predetermined period (PRE=L) immediately before the memory element is set to an active state by activation of a word line (WL=H).例文帳に追加

ビット線（ＢＩＴ／ＢＩＴＢ）と、前記ビット線に接続されるメモリ要素（メモリセルまたはローカルセンスアンプ）と、ワード線が活性化（ＷＬ＝Ｈ）されることにより前記メモリ要素がアクティブ状態とされる直前の所定期間（ＰＲＥ＝Ｌ）だけ前記ビット線に所定電圧（ＶＤＤ）を印加するプリチャージ回路と、を有する。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 100 (the nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 with a grown main surface 10a, and an active layer 14 formed on the grown main surface 10a of the GaN substrate 10 and having a quantum well structure including a well layer 14a and a barrier wall layer 14b.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂとを含む量子井戸構造を有する活性層１４とを備えている。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser element is an oxidized constriction type surface emitting semiconductor laser element including, on a GaAs substrate 12, a pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors and an active layer positioned between the pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors, and emitting laser light in a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In an active matrix element 35 provided with scanning signal electrodes 25 and data signal electrodes 16 in a matrix form, and provided with at least one matrix driving means and an optical function element driven by the matrix driving means at each intersection of the matrix, a mechanical conductive switch 33 operated by an electrostatic force is adopted as the matrix driving means.例文帳に追加

走査信号電極25とデータ信号電極16とをマトリクス状に配置し、その交差部に少なくとも一つのマトリクス駆動手段と、マトリクス駆動手段によって駆動される光機能素子と、を設けたアクティブマトリクス素子35において、マトリクス駆動手段を、静電気力によって作動する機械的導電スイッチ33とした。 - 特許庁

A hot wire CVD apparatus has a reaction chamber 5 for treating a substrate W, a gas introduction port 1 for supplying a reaction gas into the reaction chamber 5, the electrical heating element 30 for decomposing the reaction gas at temperature being higher than that in the substrate and for generating active species, and a lamp 20 for indirectly heating the electrical heating element 30.例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤ装置は、基板Ｗに処理を施す反応室５と、反応室５内に反応ガスを供給するガス導入口１と、基板温度よりも高温で反応ガスを分解して活性種を生成する発熱体３０と、発熱体３０を間接加熱するためのランプ２０とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the sensor device 1 including a vibration gyro element 20 disposed above the silicon substrate 10, the active region is formed so as not to overlap, in a plan view, weight electrodes 41 working as mass adjusting parts provided on weight parts 28a and 28b disposed on sides of tips of driving vibration arms 25a and 25b of the vibration gyro element 20.例文帳に追加

シリコン基板１０上に振動ジャイロ素子２０が配置されたセンサーデバイス１において、能動領域は、振動ジャイロ素子２０の駆動用振動腕２５ａ，２５ｂの先端側の錘部２８ａ，２８ｂ上に設けられた質量調整部としての錘電極４１と平面視で重なる領域を回避して形成されている。 - 特許庁

The positive electrode active material is made of an oxide with a hexagonal system represented by the general formula: Li_xCo_1-yM_yO_2 wherein M represents at least one kind of metal element having an ion radius greater than Co^3+, the metal element having an average valence of 3, with 0.4≤x≤2.0, and 0<y≤0.2.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_ｘＣｏ_１−ｙＭ_ｙＯ_２（但し、ＭはＣｏ^３＋より大きなイオン半径を有する少なくとも１種の金属元素であり、かつ金属元素の平均価数が３価であり、０．４≦ｘ≦２．０，０＜ｙ≦０．２）で表わされる六方晶構造の酸化物から成ることを特徴とする正極活物質である。 - 特許庁

At each contact point P where the linear element 121, the negative electrode collector layer 11, and the solid electrolyte layer 13 are in contact with each other, the surface of the linear element has a gradient θ less than 90 degrees to realize a battery having a large capacity with respect to the amount of active material usage and exhibiting excellent charge-discharge behavior.例文帳に追加

ライン状パターン１２１、負極集電体層１１および固体電解質層１３が互いに接する接触点Ｐにおいてライン状パターン表面の勾配θを９０度より小さくすることで、活物質の使用量に対する容量が大きく、かつ充放電特性も良好な電池を構成することができる。 - 特許庁

Li1-xMO2 (0.1<x<0.5, M is at least one element selected from Co Ni) which is difficult to chemically remove Ni portion from LiMO2 (where M is at least one element selected from Co Ni) having an average diameter (D50) of 3.0-10.0 μm is used as a positive electrode active material.例文帳に追加

平均粒径（Ｄ５０）が３．０〜１０．０μｍのＬｉＭＯ_２（ＭはＣｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種を表す）から、化学的にＬｉの一部を脱離させたＬｉ_１−ｘＭＯ_２（０．１＜ｘ＜０．５、ＭはＣｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種を表す）を正極活物質として用いる。 - 特許庁

In an active matrix electrooptical device, a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element comprises a lower electrode 13 composed of tantalum, an oxide film 14 formed by anodizing the surface of the lower electrode 13, and an upper electrode 15 opposing the lower electrode 13 through the oxide film 14.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルからなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、この酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the electrode active material for the lithium secondary battery composed of the complex oxide having the amorphous structure and containing: lithium; at least one transition metal element; and at least one element glass-formable in a form of an oxide together with oxygen.例文帳に追加

本発明により、アモルファス構造を有する複合酸化物であって、リチウムと、少なくとも１種の遷移金属元素と、酸素と共に酸化物の形態でガラス形成可能な少なくとも１種の元素とを含む、複合酸化物からなるリチウム二次電池用の電極活物質を製造する方法が提供される。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery includes a storage battery element equipped with a positive electrode, a negative electrode equipped with an active material containing an element to be alloyed with lithium, and a separator containing an electrolyte, and in which the separator has inclined reduced porosity toward a positive electrode side from a negative electrode side.例文帳に追加

正極と、リチウムと合金化する元素を含む活物質を備える負極と、電解質を含むセパレータと、を備える蓄電素子を含む非水電解質二次電池であって、前記セパレータが負極側から正極側に向かって傾斜減少した空孔率を有する、非水電解質二次電池である。 - 特許庁

The battery active material absorbs and emits alkali metal or alkali earth metal, and consists of a solid solution formed out of an element A capable of being alloyed with the mentioned alkali metal or alkali earth metal and an element B not capable of being alloyed with the alkali metal or alkali earth metal, in nonequilibrium condition.例文帳に追加

アルカリ金属またはアルカリ土類金属を吸蔵・放出する電池用活物質であり、該アルカリ金属またはアルカリ土類金属と合金化する元素Ａと、該アルカリ金属またはアルカリ土類金属と合金化しない元素Ｂの、非平衡状態で形成された固溶体からなることを特徴としている。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置１０は、基板２０上に、ｎ型の多層膜反射鏡２４、活性層２６、およびｐ型の多層膜反射鏡２８とを含むレーザ素子部３４が形成され、さらに、レーザ素子部３４と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域５０を有する。 - 特許庁

To provide a battery of which capacity lowering is less even if the battery is kept for a long time in a high electric potential, by using a cathode active material with compound particles of element A (provided, A is a III-group element in the periodic-law table) placed on matrix particles which contains lithium and can store and release lithium ion.例文帳に追加

リチウムを含有しかつリチウムイオンを吸蔵および放出し得る母材粒子の上に、元素Ａの化合物粒子（但し、Ａは周期律表の３族の元素）を配した正極活物質を電池に用いることにより、高電位に長時間保たれても容量低下の小さい電池とすることができる。 - 特許庁

The semiconductor laser element is provided with a semiconductor laminate consisting of a compound semiconductor layer of AlGaIn base having a step-like structure on an n-type GaN substrate using a (0001) surface as a substrate surface, and having an active layer containing two kinds of group III elements including In and a group V element including N.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。 - 特許庁

The current level of an output current Iout1 flowing between the source/drain of the active transistor Qd constituted within each pixel 20 is so set that the output current Iout1 is supplied as an active current IOLED to an organic EL element OLED at the timing at which the current level of the data current Id1 formed based on image data is attained.例文帳に追加

そして、各画素２０内に構成された駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れる出力電流Ｉｏｕｔ１の電流レベルが、画像データに基づき生成されたデータ電流Ｉｄ１の電流レベルに到達したタイミングで同出力電流Ｉｏｕｔ１を駆動電流ＩＯＬＥＤとして有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するようにする。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprises an active layer which comprises a plurality of distorted quantum wells, the active layer comprises six or more distorted quantum well layers of GaInAsP compound semiconductor, and the total thickness of the distorted quantum well layers multiplied by distortion (%) is 20-40 nm, and oscillates up to 140°C as a laser device.例文帳に追加

複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層は、６層以上のＧａＩｎＡｓＰ化合物半導体からなる歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み（％）との積が２０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であって、レーザ素子として１４０℃まで発振する。 - 特許庁

For the thin film transistor 20, which switches the light- emitting element 10, the semiconductor active layer 13 composed of i-type ZnO is formed via an insulation layer 12 composed of SiO_2 on a gate 11 composed of ZnO and a drain 15 and a source 16 composed of ITO are formed via a contact layer 14, composed of n-type ZnO on the semiconductor active layer 13.例文帳に追加

発光素子１０をスイッチングする薄膜トランジスタ２０は、ＺｎＯから成るゲート１１上にＳｉＯ_2から成る絶縁層１２を介してｉ型のＺｎＯから成る半導体活性層１３を形成し、半導体活性層１３上にｎ型のＺｎＯから成るコンタクト層１４を介してＩＴＯから成るドレイン１５及びソース１６を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode for an electrochemical element includes the steps of: forming the active material layer having a clearance on a long current collector; forming a wound body 10 by winding up the current collector to which the active material layer is formed; and forming coatings of resin materials on the side faces 10a and 10b of the wound body 10.例文帳に追加

電気化学素子用電極の製造方法は、長尺の集電体上に空隙を有する活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体を巻回して巻回体１０を形成する工程と、巻回体１０の側面１０ａおよび１０ｂに樹脂材料でできた被膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This bipolar type secondary battery includes a power generation element having a bipolar type electrode and a separator 17 stacked one on top of another, the bipolar type electrode having a collector 11 including a conductive resin layer, a positive electrode active material layer 13 formed on one face of the collector 11, and a negative electrode active material layer 15 formed on the other face of the collector 11.例文帳に追加

双極型二次電池は、導電性を有する樹脂層を含む集電体１１、集電体１１の一方の面に形成された正極活物質層１３、および、集電体１１の他方の面に形成された負極活物質層１５を有する双極型電極と、セパレータ１７とが積層されてなる発電要素を有する。 - 特許庁

A plurality of capacitors having different areas are formed in an active area in a semiconductor element manufacturing process, voltages are applied to the respective capacitors to detect respective capacitor currents, and pattern conversion differences of the active area are calculated from the areas of the capacitors corresponding to detected current values, thereby determining the manufacture precision based upon the pattern conversion differences.例文帳に追加

複数の異なる面積を有するキャパシタを、半導体素子生成工程においてアクティブエリアに形成し、各キャパシタに電圧を印加して、夫々のキャパシタ電流を検出し、検出された電流値と対応するキャパシタの面積とからアクティブエリアのパターン変換差を算出し、パターン変換差に基づき製造精度を判定する。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element comprises: a substrate 2; a pair of electrodes formed on the substrate 2, at least one of which is transparent; an active layer 9 formed including an electron acceptor 6 and an electron donor 5; and a benzoporphyrin compound layer formed containing a benzoporphyrin compound represented by formula (I) or (II), between one of the electrodes and the active layer 9.例文帳に追加

基板２と、基板２上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、電子受容体６及び電子供与体５を含んで形成された活性層９と、一方の該電極と活性層９との間に、下記式（Ｉ）または（II）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含んで形成されたベンゾポルフィリン化合物層とを備える。 - 特許庁

On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction.例文帳に追加

リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently removing active hydrogen oxide (the one present as a hetero element-containing functional group such as COOH, CHO and OH) present in a carbon material at a relatively low temperature, and to provide a carbon active material suitable for a polarizable electrode including an electric double layer capacitor.例文帳に追加

本発明は、炭素材中に存在する活性酸化水素（例えば、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、ＯＨなどのような含ヘテロ元素官能基として存在している）を、比較的低温で、かつ効率的に除去する方法を提供し、また、電気二重層キャパシタをはじめとする分極性電極に適した炭素活物質を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁