「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a better charge/discharge cycle characteristics of a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a negative electrode active material containing a phase expressed in a composition formula: Li_XM (where M is at least either element of Sn or Si) capable of lithium charge/discharge.例文帳に追加

Ｌｉの吸蔵・放出が可能な、組成式Ｌｉ_ＸＭ（ＭはＳｎおよびＳｉのうちの少なくとも一方の元素）で表される相を含む負極活物質を備えた非水電解質二次電池の、より優れた充放電サイクル特性を得ること。 - 特許庁

To provide a method by which the sensitivity to each variable of the performance about a kind of system whose time attribute in the the active state of each element constituting the system is linked to at least one variable directly or indirectly can be analyzed simply.例文帳に追加

システムを構成する各要素の作用状態の時間的属性が各要素の少なくとも１つの変数に直接にまたは間接に関連付けられる種類のシステムについてそれの性能の各変数に対する感度を簡単に解析する。 - 特許庁

A main substrate part 43 of a panel part which is an active matrix type liquid crystal display element of counter source composition comprises plural pixel electrodes 47, a plurality of TFT 54 (Thin Film Transistor) which are switching elements, a scanning and reference signal line 53, 55, and an interconnecting line 66.例文帳に追加

対向ソース構成のアクティブマトリクス型の液晶表示素子であるパネル部の主基板部４３は、複数の画素電極４７と、スイッチング素子である複数のＴＦＴ５４と、走査および基準信号線５３，５５と、接続線６６とを含む。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

To provide a transflective multi gap system liquid crystal display apparatus of an active matrix type wherein alignment disorder of a liquid crystal due to an electric field caused by a switching element or the like can be effectively suppressed and high quality display free from coloring can be obtained.例文帳に追加

半透過反射型マルチギャップ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、スイッチング素子等に起因する電界による液晶の配向乱れを効果的に抑制でき、かつ色付きのない高画質表示が得られる構成を提供する。 - 特許庁

When measuring the film thickness on the gate of the transistor, an optical model is prepared to constitute a measuring object by the composition of respective different film structures of a gate area, an active area and an element separation area, and the surface film thickness on the gate is calculated by fitting.例文帳に追加

トランジスタのゲート上膜厚を計測する際、計測対象をゲート領域、活性領域、素子分離領域とそれぞれ異なる膜構造の合成で構成される光学モデルを作成し、フィッティングによりゲート上表面膜厚を算出する。 - 特許庁

In a structure for connecting a switching element to a pixel electrode via contact holes 43a, 43b, 43c and 43d formed in an interlayer insulation film on an active matrix substrate 13, the positions of respective contact holes 43a, 43b, 43c and 43d are irregularly arranged among a plurality of pixel regions 32a, 32b, 32c and 32d.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１３上の層間絶縁膜に形成したコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを介して、スイッチング素子と画素電極とを接続する構造において、複数の画素領域３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ間でそれぞれのコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄの位置を不規則に配置する。 - 特許庁

The preparing method comprises a first step of giving heat treatment to a raw material compound and a second step of coating the active material with a compound including the element A, followed by a heat treatment, wherein the time for the second heat treatment is shorter than the time for the first heat treatment in the first step.例文帳に追加

〔２〕原料化合物を熱処理する第一の工程と、該活物質をＡを含む化合物で被覆した後、熱処理を行う第二の工程の製造方法で、第二の熱処理時間が第一の工程よりも短い製造方法。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a structure that an active layer 6 is pinched between the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 10, an Al_xGa_1-xN(AlGaN) layer having the composition ratio x of Al of 0.01≤x<0.06 is employed as the n-type clad layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層１０との間に活性層６が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、ｎ型クラッド層として、Ａｌ組成比ｘが０．０１≦ｘ＜０．０６のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（ＡｌＧａＮ）層を用いる。 - 特許庁

In the housing member 2, a bottom part of the recess 3 that faces the first active region 5 is a transparent first transparent region 7, and a step 11 is formed on an inside surface 8 of the recess 3, with the functional element board 15 joined to the step 11.例文帳に追加

収納部材２は、第一活性領域５に対向する窪み３の底部が透明な第一透明領域７であり、窪み３の内側面８に段差部１１が形成され、この段差部１１に機能性素子基板１５が接合している。 - 特許庁

Discrete active element chips 3 mounted on a circuit board 1 where wiring 2 is provided are coated with an electromagnetic wave absorbing layer 6, which is composed of an insulating resin of resistance 10^10 Ωcm or above and metal particles that are dispersed in it, through the intermediary of a coating resin layer 5.例文帳に追加

配線２を設けた回路基板１上に搭載した個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、１０^10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６で被覆する。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁

The positive electrode material contains active material particles consisting of a lithium-containing manganese oxide as expressed by a general formula: Li_1+aMn_2-x-aM_xO_4+y (in the formula, M is a transition metal element other than Mn, 0<x≤0.5, -0.2≤y≤0.5, and 0≤a≤0.33).例文帳に追加

正極材料は、一般式：Ｌｉ_1+aＭｎ_2-x-aＭ_xＯ_4+y（式中、ＭはＭｎ以外の遷移金属元素であり、０＜ｘ≦０．５、−０．２≦ｙ≦０．５、および０≦ａ≦０．３３である。）で表わされるリチウム含有マンガン酸化物からなる活物質粒子を含む。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display device having high reliability by reducing the number of times of photolithographic treatment(PR) and passivating a semiconductor layer with a channel protective film at low cost, in a reflection type liquid crystal display panel driven by using an active matrix driving element.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動素子を用いて駆動される反射型液晶表示パネルにおいて、フォトリソ（ＰＲ）回数を下げ、低コストでかつチャネル保護膜で半導体層をパッシベートし、信頼性の高い反射型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

A first substrate 1 where an active matrix element 16 is disposed of a reflection type liquid crystal display device consists of a transparent substrate, and a light-absorbing layer 14 is formed directly or with a gap 21 interposed on the outer face of the transparent substrate 1.例文帳に追加

反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス素子１６を配置した第一の基板１を透明基板で構成し、この透明基板１の外側の面に、ギャップ２１を介して又は直接に光吸収層１４を形成している。 - 特許庁

In the optical switch device which individually controls mirror elements 3 arranged like a matrix to an active state or an inactive state to connect optical signals from input ports to arbitrary output ports, an auxiliary mirror element 4 is provided for each output port.例文帳に追加

マトリクス状に配列されたミラー素子３をアクティブまたはインアクティブに個別に制御して入力ポートからの光信号を任意の出力ポートに接続する光スイッチ装置にあって、各出力ポートごとに副ミラー素子４を設ける。 - 特許庁

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

The first substrate 31 comprises the plurality of TFTs or the semiconductor circuit elements thereon, and a plurality of the TFTs or a portion of the circuit element groups are transferred to the second substrate having a thin film patterning thereon, which is the active matrix substrate.例文帳に追加

第一の基板31上に形成された複数のTFT又は回路素子群と、前記複数のTFT又は回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板とする。 - 特許庁

The liquid crystal composition is useful as a liquid crystal composition for an active matrix, especially useful for as a constituting member of a VA (vertically oriented) type liquid crystal display element because the composition has a high voltage holding ratio and remarkably improved light fastness.例文帳に追加

当該液晶組成物は高い電圧保持率を有しており、なおかつ、耐光性を大幅に改善することができ留ため、アクティブマトリックス用液晶組成物特にVA方式用の液晶表示素子の構成部材として有用である。 - 特許庁

An acceptor doped layer or/and an active function layer among thin films constituting the ZnO-based semiconductor element is/are not formed of ZnO alone, but formed of a Zn-based compound containing ZnO and other elements.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体素子を構成する薄膜のうち、アクセプタドープ層又はアクティブ機能層のいずれか、あるいは、アクセプタドープ層及びアクティブ機能層の両方をＺｎＯ単体で構成せずに、ＺｎＯと他の元素を含むＺｎＯ系化合物で構成する。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1A is configured with a base part 10 including: an n type GaAs substrate 11; an n type DBR layer 12; and an electrode 15, and a mesa part 20 including: an MQW active layer 21; a p type DBR layer 22; and electrodes 25.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１１、ｎ型ＤＢＲ層１２、及び電極１５を有するベース部１０と、ＭＱＷ活性層２１、ｐ型ＤＢＲ層２２及び電極２５を有するメサ部２０とによって半導体発光素子１Ａを構成する。 - 特許庁

To provide a material which is a tin-containing material, whose capacity is larger than that in the case of using tin (an Sn element, SnSx and the like) independently and whose cycle characteristic is improved when being used as a negative electrode active material for a lithium secondary battery.例文帳に追加

スズを含有する材料であって、リチウム二次電池用負極活物質として使用した場合に、スズ（Ｓｎ単体、ＳｎＳｘ等）を単独で用いる場合よりも容量が大きく、しかもサイクル特性が改善された材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for wet dispersing fine particles, which is used for preparing slurry in which the fine particles are dispersed while suppressing agglomeration due to the exposure of the active surface of the particle and keeping almost primary particle size and to provide the slurry prepared by the method for wet dispersing fine particles and an optical element.例文帳に追加

微粒子の活性面の露出による凝集を抑え、微粒子がほぼ一次粒子径で分散したスラリーを製造するための微粒子の湿式分散方法、それを用いて製造されたスラリー及び光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a battery capable of uniformizing the reaction distribution of an active material in a positive electrode plate 1 and a negative electrode plate 2 over the whole power generation element 4 by widely forming a width L for the outer peripheral side with wider interval D between current collecting lugs 1a and 2a.例文帳に追加

集電耳１ａ，２ａの間隔Ｄが広い外周側ほど幅Ｌも広く形成することにより、正極板１や負極板２での活物質の反応分布を発電要素４全体で均一化させることができる電池を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of flash memory element, capable of sufficiently decreasing the critical dimension of the active region, increasing the surface area of the floating gate, realizing uniform and flat floating gate, and suppressing the production of moats.例文帳に追加

活性領域の臨界寸法を十分減らすこと、フローティングゲートの表面積を増加させること、均一で平坦なフローティングゲートを実現すること、及びモウト発生を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The GPS antenna system is provided with N sets of antenna elements and a control means that controls a received signal from each antenna element to allow a desired wave to be directed to a maximum value of a radiation pattern and to allow a non-desired wave to be directed to a null (zero) point as its active control.例文帳に追加

Ｎ個のアンテナ素子と、各アンテナ素子からの受信信号を制御して希望波に対しては放射パターンの最大値を向ける一方、非希望波に対してはヌル（零）点を向ける能動的制御を行う制御手段と、を有する。 - 特許庁

Subsequently, a support 7 is deposited on the stripping face of the single crystal SiC layer 1a of the deposition substrate 6 and the base substrate 3 is removed thus obtaining a structure where the support 7 is deposited on the single crystal SiC layer 1a becoming the active region of the element.例文帳に追加

続いて、堆積用基板６の単結晶ＳｉＣ層１ａの剥離面に支持体７を堆積させたのち、ベース基板３を除去し、素子の活性領域となる単結晶ＳｉＣ層１ａの上に、支持体７が堆積された構成とする。 - 特許庁

In a pixel circuit, an active switching element 410 is connected to a 1st gate line 211, a 1st data line 111, a red 1st source voltage line 311R, a green 1st source voltage line 311G, and a blue 1st source voltage line 311B.例文帳に追加

ピクセル回路において，アクティブスイッチング素子４１０は，第１ゲートライン２１１，第１データライン１１１，レッド第１電源電圧ライン３１１Ｒ，グリーン第１電源電圧ライン３１１Ｇ，及びブルー第１電源電圧ライン３１１Ｂに接続されている。 - 特許庁

A pixel 1 is divided into two or more, and separate current supply lines are connected to respective divided parts 2 , and at least one of connection lines 4 between a defective divided part 5 out of the divided parts 2 and an active element 3 is cut off.例文帳に追加

画素１を２分割以上分割し、分割された各分割部２に別個の電流供給配線が接続されるとともに、分割部２の内の不良分割部５とアクティブ素子３との接続配線４の内の少なくとも１つを遮断する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

A method of manufacturing a substrate in which an operation for bonding an active element 8 composed of a first material to the surface of a support 2 composed of a second material when manufacturing a substrate, especially for optics, electronics or optoelectronics, is also provided.例文帳に追加

更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。 - 特許庁

To provide a fluid sealing type active vibration control device having novel structure capable of achieving stable operation of a moving element and a stator in a solenoid type actuator while highly securing all of transmission efficiency of exciting force, durability and reliability.例文帳に追加

加振力の伝達効率と耐久性、信頼性を何れも高度に確保しつつ、ソレノイド型アクチュエータにおける可動子と固定子の安定作動を実現せしめ得る、新規な構造の流体封入式能動型防振装置を提供すること - 特許庁

A method for producing an electrode active material includes a process of dissolving vanadium oxide in a hydrogen fluoride aqueous solution and performing solvothermal treatment with an inorganic alkali metal salt in a nonaqueous solvent to obtain fluoride M_3 VF_6 (M represents an alkali metal element) having a cryolite structure.例文帳に追加

電極活物質の製造方法は、酸化バナジウムをフッ化水素水溶液に溶解し、非水溶媒中で無機アルカリ金属塩とともにソルボサーマル処理してクライオライト構造のフッ化物Ｍ_3ＶＦ_6（Ｍはアルカリ金属元素を示す）を得る工程を含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a semiconductor multilayer film formed by laminating a semiconductor layer and an active layer, and the light extraction plane having many projections formed on a surface, wherein topmost parts of the projections is flat surfaces parallel to the semiconductor multilayer film.例文帳に追加

半導体層と活性層とを積層した半導体多層膜と、表面に複数の凸部が形成された光取り出し面とを有し、前記凸部の最上部が前記半導体多層膜に対して平行な平坦面である半導体発光素子。 - 特許庁

To maintain the gap of a display region peripheral region around a display region consisting of arrangement regions of a plurality of pixel electrodes inside sealant in an active matrix transflective liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持する。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a circularly polarized light control element provided with cholesteric layers different in selective reflection wavelength band without modifying or deactivating liquid crystal molecules or optically active groups.例文帳に追加

液晶分子または光学活性基を変性または失活させることなく、選択反射波長帯域の異なるコレステリック層を備えた円偏光制御素子を容易に製造することができる、円偏光制御素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A flexible gripper element 114 is mounted between the compression disc 113 and the control piston 112, and moves between a contracted position and an expanded position according to the movement of the control piston between the inactive position and the active position of the compression disc.例文帳に追加

フレキシブルグリッパ要素１１４は圧縮円板１１３と制御ピストン１１２との間に取り付けられそして圧縮円板の非作動位置と作動位置との間で制御ピストンの移動に応じて収縮位置と拡張位置との間で移動する。 - 特許庁

In this case, the positive electrode for a secondary battery contains a positive electrode active material for a secondary battery having base substance particles containing a lithium-manganese composite oxide, and a lanthanoid element-containing compound adhering to at least a part of surfaces of the base substance particles.例文帳に追加

ここで、この二次電池用正極は、リチウムマンガン複合酸化物を含む基体粒子と、この基体粒子の表面の少なくとも一部に付着したランタノイド元素含有化合物とを備える二次電池用正極活物質を含有する。 - 特許庁

Therefore, the occurrence of the variation in the response time of the active sections corresponding to the individual electrodes 2 due to the formed positions of the individual electrodes 2 arranged in a matrix-like state and the laminated piezoelectric element 1 can be driven appropriately.例文帳に追加

従って、マトリックス状に配置された個別電極２の形成位置によって各個別電極２に対応する活性部の応答時間にばらつきが生じるのを防止することができ、積層型圧電素子１を適切に駆動させることが可能なる。 - 特許庁

When the amplifier is composed of the amplifying element in which the active area is made of a GaN or its compound semiconductor, the phase compensation circuit 3 having negative phase distortion is connected to the amplifier 2 to thereby compensate phase distortion that occurs in the amplifier.例文帳に追加

能動領域がＧａＮあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子でアンプを構成した場合に、負の位相歪を有する位相補償回路３をアンプ２に接続することで、アンプで生じる位相歪を補償することができる。 - 特許庁

Although mixing and treatment in the halogenation process are specifically not limited if halogen can be introduced into the surface or the inside of the material for negative active material, by adopting mechanochemical treatment, the halogen element can be introduced more stably.例文帳に追加

このハロゲン化工程における混合・処理については負極活物質材料の表面または内部にハロゲンが導入出来るものであれば限定しないが、メカノケミカル処理を採用することで、より安定的にハロゲン元素を導入できる。 - 特許庁

The semiconductor element has a semiconductor super lattice layer 7 formed by using a substrate provided with a recess or a projection with periodicity in a major surface, and a semiconductor multilayer film 101 including an active layer 5 formed on the semiconductor super lattice layer 7.例文帳に追加

半導体素子は、主面に周期性を有する凹部又は凸部を設けた基板を用いて形成された半導体超格子層７と、半導体超格子層７の上に形成された活性層５を含む半導体多層膜１０１とを備えている。 - 特許庁

A phosphor powder containing an optically active element (M) as a luminescent center ingredient in the crystal of an inorganic compound that is a nitride, oxynitride or sialon is subjected to washing treatment in a solution containing an acid.例文帳に追加

窒化物、酸窒化物、またはサイアロンである無機化合物の結晶中に光学活性元素（Ｍ）を発光中心成分として含有している蛍光体粉末に対して、酸を含む溶液中で洗浄処理を施すことにより解決する。 - 特許庁

A noble metal such as Pt, Pd or Rh as an active metal is carried on an composite oxide containing cerium comprised by complexing, to cerium, a second element having a smaller ion radius than that of cerium ion and an electronegativity of 1.4 or more.例文帳に追加

セリウムに、セリウムイオンよりも小さなイオン半径を有し、しかも電機陰性度が１．４より大きい第２の元素を複合化してなるセリウム含有複合酸化物に、活性金属としてＰｔ，Ｐｄ又はＲｈなどの貴金属を担持する。 - 特許庁