| 意味 | 例文 |
active elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2766件
The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.例文帳に追加
半導体光素子1は、半導体基板3上に設けられ第1半導体層及び第2半導体層が交互に積層された第1DBR反射層4と、第1クラッド層5と、活性層7と、第2クラッド層10とを備える。 - 特許庁
The semiconductor dynamic quantity sensor 10 is provided with the wiring 32, which is formed by etching a silicon semiconductor crystal in which an active layer is stacked on the support board via an insulation layer and which connects respective fixed electrodes of a sensor element 12 with electrode pads 36.例文帳に追加
半導体力学量センサ10は、支持基板の上に絶縁層を介して活性層を重ねたシリコン半導体結晶をエッチングすることにより形成され、センサ素子12の各固定電極と電極パッド36とを繋ぐ配線32を備える。 - 特許庁
In the piezoelectric sheet 3 of the laminated piezoelectric element, an active portion, which is interposed between the electrode portion 11 of an individual electrode 2 and a common electrode 4, is deformed when a voltage is applied between the individual electrode 2 and the common electrode 4.例文帳に追加
積層圧電素子の圧電シート3においては、個別電極2の電極部11とコモン電極4とに挟まれた部分が活性部となり、個別電極2とコモン電極4との間に電圧が印加されると、この活性部が変位することになる。 - 特許庁
The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2.例文帳に追加
変調光源1は、DBR部5と位相部6と活性部7とを有するDBRレーザー2と、DBRレーザー2から基本波を受けてSHG光を出す光波長変換素子3と、DBRレーザー2を制御する制御手段4とを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device high in reliability and having a small-size nonvolatile memory, by suppressing extreme field concentration on an active layer surface in a channel region and realize a minute semiconductor memory element.例文帳に追加
チャネル領域における活性層表面での極端な電界集中を抑え、かつ微細な半導体記憶素子を実現することで、信頼性が高く小型の不揮発性メモリを有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A method for producing an electrode active material includes a process of dissolving vanadium oxide in a hydrogen fluoride aqueous solution and performing solvothermal treatment with an inorganic alkali metal salt in a nonaqueous solvent to obtain fluoride M_3 VF_6 (M represents an alkali metal element) having a cryolite structure.例文帳に追加
電極活物質の製造方法は、酸化バナジウムをフッ化水素水溶液に溶解し、非水溶媒中で無機アルカリ金属塩とともにソルボサーマル処理してクライオライト構造のフッ化物M_3VF_6(Mはアルカリ金属元素を示す)を得る工程を含む。 - 特許庁
To provide a method for producing an alkoxybenzaldehyde and/or an alkoxybenzyl acetate in a high yield by using a highly active catalyst composed of a specific metal element in oxidizing an alkoxytoluene with a carboxylic acid and molecular oxygen in a liquid phase.例文帳に追加
アルコキシトルエンをカルボン酸及び分子状酸素により液相で酸化するにあたり、特定の金属元素からなる高活性な触媒を用いて高収率でアルコキシベンズアルデヒド及び/又はアルコキシベンジルアセテートを製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a reflection type liquid crystal display device having high reliability by reducing the number of times of photolithographic treatment(PR) and passivating a semiconductor layer with a channel protective film at low cost, in a reflection type liquid crystal display panel driven by using an active matrix driving element.例文帳に追加
アクティブマトリクス駆動素子を用いて駆動される反射型液晶表示パネルにおいて、フォトリソ(PR)回数を下げ、低コストでかつチャネル保護膜で半導体層をパッシベートし、信頼性の高い反射型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
A first substrate 1 where an active matrix element 16 is disposed of a reflection type liquid crystal display device consists of a transparent substrate, and a light-absorbing layer 14 is formed directly or with a gap 21 interposed on the outer face of the transparent substrate 1.例文帳に追加
反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス素子16を配置した第一の基板1を透明基板で構成し、この透明基板1の外側の面に、ギャップ21を介して又は直接に光吸収層14を形成している。 - 特許庁
An acceptor doped layer or/and an active function layer among thin films constituting the ZnO-based semiconductor element is/are not formed of ZnO alone, but formed of a Zn-based compound containing ZnO and other elements.例文帳に追加
ZnO系半導体素子を構成する薄膜のうち、アクセプタドープ層又はアクティブ機能層のいずれか、あるいは、アクセプタドープ層及びアクティブ機能層の両方をZnO単体で構成せずに、ZnOと他の元素を含むZnO系化合物で構成する。 - 特許庁
To provide a material which is a tin-containing material, whose capacity is larger than that in the case of using tin (an Sn element, SnSx and the like) independently and whose cycle characteristic is improved when being used as a negative electrode active material for a lithium secondary battery.例文帳に追加
スズを含有する材料であって、リチウム二次電池用負極活物質として使用した場合に、スズ(Sn単体、SnSx等)を単独で用いる場合よりも容量が大きく、しかもサイクル特性が改善された材料を提供する。 - 特許庁
In the optical switch device which individually controls mirror elements 3 arranged like a matrix to an active state or an inactive state to connect optical signals from input ports to arbitrary output ports, an auxiliary mirror element 4 is provided for each output port.例文帳に追加
マトリクス状に配列されたミラー素子3をアクティブまたはインアクティブに個別に制御して入力ポートからの光信号を任意の出力ポートに接続する光スイッチ装置にあって、各出力ポートごとに副ミラー素子4を設ける。 - 特許庁
The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加
量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁
To provide a method for wet dispersing fine particles, which is used for preparing slurry in which the fine particles are dispersed while suppressing agglomeration due to the exposure of the active surface of the particle and keeping almost primary particle size and to provide the slurry prepared by the method for wet dispersing fine particles and an optical element.例文帳に追加
微粒子の活性面の露出による凝集を抑え、微粒子がほぼ一次粒子径で分散したスラリーを製造するための微粒子の湿式分散方法、それを用いて製造されたスラリー及び光学素子を提供する。 - 特許庁
To provide a battery capable of uniformizing the reaction distribution of an active material in a positive electrode plate 1 and a negative electrode plate 2 over the whole power generation element 4 by widely forming a width L for the outer peripheral side with wider interval D between current collecting lugs 1a and 2a.例文帳に追加
集電耳1a,2aの間隔Dが広い外周側ほど幅Lも広く形成することにより、正極板1や負極板2での活物質の反応分布を発電要素4全体で均一化させることができる電池を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of flash memory element, capable of sufficiently decreasing the critical dimension of the active region, increasing the surface area of the floating gate, realizing uniform and flat floating gate, and suppressing the production of moats.例文帳に追加
活性領域の臨界寸法を十分減らすこと、フローティングゲートの表面積を増加させること、均一で平坦なフローティングゲートを実現すること、及びモウト発生を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The GPS antenna system is provided with N sets of antenna elements and a control means that controls a received signal from each antenna element to allow a desired wave to be directed to a maximum value of a radiation pattern and to allow a non-desired wave to be directed to a null (zero) point as its active control.例文帳に追加
N個のアンテナ素子と、各アンテナ素子からの受信信号を制御して希望波に対しては放射パターンの最大値を向ける一方、非希望波に対してはヌル(零)点を向ける能動的制御を行う制御手段と、を有する。 - 特許庁
Subsequently, a support 7 is deposited on the stripping face of the single crystal SiC layer 1a of the deposition substrate 6 and the base substrate 3 is removed thus obtaining a structure where the support 7 is deposited on the single crystal SiC layer 1a becoming the active region of the element.例文帳に追加
続いて、堆積用基板6の単結晶SiC層1aの剥離面に支持体7を堆積させたのち、ベース基板3を除去し、素子の活性領域となる単結晶SiC層1aの上に、支持体7が堆積された構成とする。 - 特許庁
In a pixel circuit, an active switching element 410 is connected to a 1st gate line 211, a 1st data line 111, a red 1st source voltage line 311R, a green 1st source voltage line 311G, and a blue 1st source voltage line 311B.例文帳に追加
ピクセル回路において,アクティブスイッチング素子410は,第1ゲートライン211,第1データライン111,レッド第1電源電圧ライン311R,グリーン第1電源電圧ライン311G,及びブルー第1電源電圧ライン311Bに接続されている。 - 特許庁
In the housing member 2, a bottom part of the recess 3 that faces the first active region 5 is a transparent first transparent region 7, and a step 11 is formed on an inside surface 8 of the recess 3, with the functional element board 15 joined to the step 11.例文帳に追加
収納部材2は、第一活性領域5に対向する窪み3の底部が透明な第一透明領域7であり、窪み3の内側面8に段差部11が形成され、この段差部11に機能性素子基板15が接合している。 - 特許庁
Discrete active element chips 3 mounted on a circuit board 1 where wiring 2 is provided are coated with an electromagnetic wave absorbing layer 6, which is composed of an insulating resin of resistance 10^10 Ωcm or above and metal particles that are dispersed in it, through the intermediary of a coating resin layer 5.例文帳に追加
配線2を設けた回路基板1上に搭載した個々の能動素子チップ3を被覆樹脂層5を介して、10^10Ωcm以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層6で被覆する。 - 特許庁
To resolve the difficulty of the alignment for bonding the active layer of a GaN-based semiconductor laser element to the side of its heat sink, although a light intercepting electrode for reducing its amplified spontaneous emission light is required to be formed on its transparent insulating substrate.例文帳に追加
透明で絶縁性基板を用いたGaN系半導体レーザでは、自然放出光を減少させるために基板に遮光電極を設ける必要があるが、活性層をヒートシンク側に接着するための位置合わせが困難になる。 - 特許庁
The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加
発光素子1は、p型クラッド層2、活性層33及びn型クラッド層34がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつp型クラッド層2がp型Mg_xZn_1−xO(ただし、0<x≦1)層からなる。 - 特許庁
The positive electrode material contains active material particles consisting of a lithium-containing manganese oxide as expressed by a general formula: Li_1+aMn_2-x-aM_xO_4+y (in the formula, M is a transition metal element other than Mn, 0<x≤0.5, -0.2≤y≤0.5, and 0≤a≤0.33).例文帳に追加
正極材料は、一般式:Li_1+aMn_2-x-aM_xO_4+y(式中、MはMn以外の遷移金属元素であり、0<x≦0.5、−0.2≦y≦0.5、および0≦a≦0.33である。)で表わされるリチウム含有マンガン酸化物からなる活物質粒子を含む。 - 特許庁
These lines are disposed above active elements 202 and 203 of the IC, connected perpendicular with respect to the selected element under the lines by a via 260 which is filled with a metal, and connected to a segment of the lead frame by conductors 240 and 241.例文帳に追加
これらのラインは、ICの能動素子202、203の上方に位置し、金属が充填されたバイア260によってラインの下方の選択された能動素子に垂直に接続され、また導体240、241によってリードフレームのセグメントに接続される。 - 特許庁
To provide an insulated DC-DC converter that does not need to use a switching element of large voltage resistance as an auxiliary switch constituting an active clamp circuit by preventing a transformer from reaching magnetic saturation even if the DC-DC converter is restarted by soft start.例文帳に追加
再起動時にソフトスタートで起動してもトランスが磁気飽和に至るのを防止して、アクティブクランプ回路を構成する補助スイッチとして電圧耐量の大きなスイッチング素子を用いる必要のない絶縁形DC−DCコンバータを提供する。 - 特許庁
In the semiconductor laser element 1; a plurality of first base layers 3, a plurality of second base layers 5, a first clad layer 6, an active layer 7, and a second clad layer 8 are epitaxially grown on the first main surface MP1 of a GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加
半導体レーザー素子1は、GaAs基板2の第一主表面MP1上に、複数の第一ベース層3、複数の第二ベース層5、第一クラッド層6、活性層7及び第二クラッド層8とがこの順序にてエピタキシャル成長されている。 - 特許庁
To deal with the changes in temperature of an active element, the amplifier is provided with a temperature compensation circuit for compensating the temperature characteristics of output saturation power and improving the efficiency and the linearity, by changing the gate bias with the temperature.例文帳に追加
能動素子の温度変化に対応させるため、ゲートバイアスを温度と共に変化させ、出力飽和電力の温度特性を補償し、効率と線形性を改善させるための温度補償回路を設けたことを特徴とする構成を有している。 - 特許庁
Then, the gate electrode 4, a part positioned by the gate electrode 4 of the lamination film, and the side wall 5a, are used as a mask, and ions are implanted, thus forming source drains 6p and 6n in an element active area and removing the side wall 5a.例文帳に追加
その後、ゲート電極4、積層膜のゲート電極4の側方に位置する部分及びサイドウォール5aをマスクとしてイオン注入を行うことにより、素子活性領域内にソース・ドレイン6p及び6nを形成し、サイドウォール5aを除去する。 - 特許庁
An LED emitter is composed of a plurality of LED arrays consisting of more than one LED elements connected in series which are supplied with power from the output voltage variable power supply, and each LED array is connected to one end of an active element.例文帳に追加
そして、その出力電圧可変電源を電源とする1個以上のLED素子の直列接続から成る複数のLED列から構成されるLED発光体のLED列それぞれに能動素子の一端を接続する。 - 特許庁
To provide a vertical orientation type active matrix liquid crystal display element capable of displaying an image of high quality having no roughness by reducing disturbance in the orientation of liquid crystal molecules in each pixel and capable of sufficiently ensuring a numerical aperture.例文帳に追加
各画素毎の液晶分子の配向の乱れを少なくし、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができ、しかも開口率を充分に確保することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery in which, when a lithium-cobalt composite oxide to which a particular dissimilar metallic element is added is used as a cathode active material, decomposition of the nonaqueous electrolytic solution is inhibited in high-temperature charging preservation and thus battery swelling is minimized.例文帳に追加
正極活物質として特定の異種金属元素を添加したリチウムコバルト複合酸化物を用いた際に、高温充電保存時に非水電解液の分解が抑制され、電池膨れの少ない非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁
A filling material capture dam 11 is formed on a protective film 4 of an active element of a circuit which can make a test of electrical characteristics and a function, whereby filling material capture slits 12 are provided in the dam 12 to contrive to make it possible to efficiently capture filling materials 8.例文帳に追加
電気特性及び機能のテストができる回路の能動素子の保護膜4上に、充填材捕獲ダム11を形成することにより充填材捕獲スリット12を設けて、充填材8を効率よく捕獲できるようにした。 - 特許庁
Also reflection preventing parts consisting of reflection reducing coating are formed on the light-emitting surface of the active matrix substrate and on both light incident and light-emitting surfaces of a light- emitting side polarizing element disposed on the light emitting side of the liquid crystal panel via an air layer.例文帳に追加
また、アクティブマトリクス基板の光出射面、及び液晶パネルの光出射側に空気層を介して配された光出射側偏光素子の光入出射両面に、減反射コーティングからなる反射防止部が形成されている。 - 特許庁
The method of manufacturing a substrate includes a step for vapor depositing an amorphous material 6 at a part being bonded to a support 2 on the surface of an active element composed of a first material, and a second material is not rarer than the first material.例文帳に追加
第1の材料から成る活性要素の表面上における支持体2への接合対象部位に非晶質材料6を蒸着する工程を備え、第2の材料が第1の材料よりも希少ではないことを特徴とする。 - 特許庁
The first substrate 31 comprises the plurality of TFTs or the semiconductor circuit elements thereon, and a plurality of the TFTs or a portion of the circuit element groups are transferred to the second substrate having a thin film patterning thereon, which is the active matrix substrate.例文帳に追加
第一の基板31上に形成された複数のTFT又は回路素子群と、前記複数のTFT又は回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板とする。 - 特許庁
The liquid crystal composition is useful as a liquid crystal composition for an active matrix, especially useful for as a constituting member of a VA (vertically oriented) type liquid crystal display element because the composition has a high voltage holding ratio and remarkably improved light fastness.例文帳に追加
当該液晶組成物は高い電圧保持率を有しており、なおかつ、耐光性を大幅に改善することができ留ため、アクティブマトリックス用液晶組成物特にVA方式用の液晶表示素子の構成部材として有用である。 - 特許庁
Phase characteristics of a band pass filter 61 loaded between an emitter terminal of the active element 11 and the reactance circuit 21 are added to the phase characteristics of the reactance circuit 21, and this means that the phase characteristics of the reactance circuit 21 are sharpened.例文帳に追加
能動素子11のエミッタ端子とリアクタンス回路21との間に装荷された帯域通過フィルタ61の位相特性はリアクタンス回路21の位相特性に加え合わされ、リアクタンス回路21の位相特性を急峻にしたことになる。 - 特許庁
In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加
n型ZnO単結晶基板基板101上に、n型MgZnOクラッド層103、ノンドープ量子井戸活性層105、p型MgZnO第2クラッド層109およびp型ZnOコンタクト層110を順次積層する。 - 特許庁
To maintain the gap of a display region peripheral region around a display region consisting of arrangement regions of a plurality of pixel electrodes inside sealant in an active matrix transflective liquid crystal display element.例文帳に追加
アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持する。 - 特許庁
To provide a method for easily manufacturing a circularly polarized light control element provided with cholesteric layers different in selective reflection wavelength band without modifying or deactivating liquid crystal molecules or optically active groups.例文帳に追加
液晶分子または光学活性基を変性または失活させることなく、選択反射波長帯域の異なるコレステリック層を備えた円偏光制御素子を容易に製造することができる、円偏光制御素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A flexible gripper element 114 is mounted between the compression disc 113 and the control piston 112, and moves between a contracted position and an expanded position according to the movement of the control piston between the inactive position and the active position of the compression disc.例文帳に追加
フレキシブルグリッパ要素114は圧縮円板113と制御ピストン112との間に取り付けられそして圧縮円板の非作動位置と作動位置との間で制御ピストンの移動に応じて収縮位置と拡張位置との間で移動する。 - 特許庁
Therefore, the occurrence of the variation in the response time of the active sections corresponding to the individual electrodes 2 due to the formed positions of the individual electrodes 2 arranged in a matrix-like state and the laminated piezoelectric element 1 can be driven appropriately.例文帳に追加
従って、マトリックス状に配置された個別電極2の形成位置によって各個別電極2に対応する活性部の応答時間にばらつきが生じるのを防止することができ、積層型圧電素子1を適切に駆動させることが可能なる。 - 特許庁
When the amplifier is composed of the amplifying element in which the active area is made of a GaN or its compound semiconductor, the phase compensation circuit 3 having negative phase distortion is connected to the amplifier 2 to thereby compensate phase distortion that occurs in the amplifier.例文帳に追加
能動領域がGaNあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子でアンプを構成した場合に、負の位相歪を有する位相補償回路3をアンプ2に接続することで、アンプで生じる位相歪を補償することができる。 - 特許庁
A phosphor powder containing an optically active element (M) as a luminescent center ingredient in the crystal of an inorganic compound that is a nitride, oxynitride or sialon is subjected to washing treatment in a solution containing an acid.例文帳に追加
窒化物、酸窒化物、またはサイアロンである無機化合物の結晶中に光学活性元素(M)を発光中心成分として含有している蛍光体粉末に対して、酸を含む溶液中で洗浄処理を施すことにより解決する。 - 特許庁
In this case, the positive electrode for a secondary battery contains a positive electrode active material for a secondary battery having base substance particles containing a lithium-manganese composite oxide, and a lanthanoid element-containing compound adhering to at least a part of surfaces of the base substance particles.例文帳に追加
ここで、この二次電池用正極は、リチウムマンガン複合酸化物を含む基体粒子と、この基体粒子の表面の少なくとも一部に付着したランタノイド元素含有化合物とを備える二次電池用正極活物質を含有する。 - 特許庁
Although mixing and treatment in the halogenation process are specifically not limited if halogen can be introduced into the surface or the inside of the material for negative active material, by adopting mechanochemical treatment, the halogen element can be introduced more stably.例文帳に追加
このハロゲン化工程における混合・処理については負極活物質材料の表面または内部にハロゲンが導入出来るものであれば限定しないが、メカノケミカル処理を採用することで、より安定的にハロゲン元素を導入できる。 - 特許庁
The semiconductor element has a semiconductor super lattice layer 7 formed by using a substrate provided with a recess or a projection with periodicity in a major surface, and a semiconductor multilayer film 101 including an active layer 5 formed on the semiconductor super lattice layer 7.例文帳に追加
半導体素子は、主面に周期性を有する凹部又は凸部を設けた基板を用いて形成された半導体超格子層7と、半導体超格子層7の上に形成された活性層5を含む半導体多層膜101とを備えている。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element has a semiconductor multilayer film formed by laminating a semiconductor layer and an active layer, and the light extraction plane having many projections formed on a surface, wherein topmost parts of the projections is flat surfaces parallel to the semiconductor multilayer film.例文帳に追加
半導体層と活性層とを積層した半導体多層膜と、表面に複数の凸部が形成された光取り出し面とを有し、前記凸部の最上部が前記半導体多層膜に対して平行な平坦面である半導体発光素子。 - 特許庁
A noble metal such as Pt, Pd or Rh as an active metal is carried on an composite oxide containing cerium comprised by complexing, to cerium, a second element having a smaller ion radius than that of cerium ion and an electronegativity of 1.4 or more.例文帳に追加
セリウムに、セリウムイオンよりも小さなイオン半径を有し、しかも電機陰性度が1.4より大きい第2の元素を複合化してなるセリウム含有複合酸化物に、活性金属としてPt,Pd又はRhなどの貴金属を担持する。 - 特許庁
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