「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

An optical communication module contains an active optical element provided with the first optical waveguide surrounded by a clad consisting of a linear body and a curved end in which a light travels, and a plane waveguide element provided with the second optical waveguide surrounded by a clad with a light incoming to an inside through an end surface of an input side with a light outgoing from the curved end of the first optical waveguide.例文帳に追加

本発明による光通信モジュールは、直線形状の胴体部と曲線形状の曲線端部とからなる光が進行するクラッドに囲まれた第１光導波路を備える能動型光素子と、第１光導波路の曲線端部から出射された光が入力側端面を通じて内部に入射されるクラッドに囲まれた第２光導波路を備える平面導波路素子と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.例文帳に追加

あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁

In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。 - 特許庁

With the organic electroluminescent element including a positive electrode, a hole transport layer, a luminescent layer, an electron injection layer and a negative electrode, the luminescent layer uses a mixture of an optically active low molecular load transport material and a high molecular luminescent material, whereby, an organic electroluminescent element with improved eight emitting efficiency, color purity and laser transfer characteristics.例文帳に追加

本発明は有機電界発光素子に係り、陽極電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及び陰極電極を含む有機電界発光素子において、上記発光層は光学的に活性である低分子電荷輸送材料と高分子発光材料の混合物を用いるのを特徴とする有機電界発光素子を提供することによって発光効率、色純度及びレーザー転写特性が向上した有機電界発光素子を提供できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting element includes steps of: forming a semiconductor film including an active layer on a substrate; forming division grooves sectioning the semiconductor film into semiconductor light-emitting element regions; forming buried protective portions by filling the division grooves with a resist material; forming a metal film for plating start, covering surfaces of the semiconductor film and buried protective portions; and forming a metal support of metal plating on the metal film.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、基板上に活性層を含む半導体膜を形成する工程と、半導体膜を半導体発光素子領域に区画する分割溝を形成する工程と、分割溝にレジスト材を充填して埋め込み保護部を形成する工程と、半導体膜および埋め込み保護部の表面を覆うメッキ開始用の金属膜を形成する工程と、金属膜上に金属メッキからなる金属支持体を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a light emitting section layer 12 which is sandwiched between a first-conductivity clad layer 2 and a second-conductivity clad layer 4 and composed of an active layer 3 and a transparent conductive layer 7 made of a metal oxide are formed on a first-conductivity substrate 1.例文帳に追加

第一導電型の基板１に、第一導電型のクラッド層２と第二導電型のクラッド層４とに挟まれた活性層３からなる発光部層12と、金属酸化物からなる透明導電層７とが形成された半導体発光素子であって、透明導電層７の下地層として化合物半導体層６が形成されている半導体発光素子。 - 特許庁

To provide a production process of a separator/electrode composite for an electrode element containing at least one lithium-containing electrode with an electrochemical active material insoluble in a polymer finely dispersed in a polymer matrix, which the process can be simply performed in such a manner that processing can be carried out while further selecting an electrode material under an optional atmosphere.例文帳に追加

任意の雰囲気下で電極材料をさらに選択しながら加工を実施することができるように簡単に実施しうる、ポリマーマトリックス中にポリマー中で不溶性の電気化学的活物質が微細に分散されている、少なくとも１つのリチウム介在電極を含む電池素子のためのセパレーター／電極複合体の製造法を記載する。 - 特許庁

To easily and economically manufacture a semiconductor substrate having a semiconductor layer row provided with active zones suitable for a lateral principal extending direction, a principal surface, and the generation of radiation, and a radiant emission semiconductor chip provided with an electrical connection element disposed on the principal surface that can be pulse-operated in a reduced modulation time.例文帳に追加

ラテラルな主延在方向、主要面、放射生成に適している活性ゾーンを備えている半導体層列を有して半導体基体、主要面に配置されている電気的な接続エレメントを備えた放射放出半導体チップを、低減された変調時間でパルス化作動可能であると同時に簡単にしてかつコスト面で有利に製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery preventing an expansion of the battery in charge/discharge caused by reduction of an electrolyte and having very low self discharge, in the battery using a negative electrode containing a negative active material comprising a group IIB, IIIB, IVB, or VB element in the periodic table forming a lithium compound or solid solution.例文帳に追加

リチウムと化合物または固溶体を形成する周期律表ＩＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族およびＶＢ族の元素からなる負極活物質を含む負極を用いるリチウム二次電池において、電解液の還元分解による充放電サイクル時の電池の膨れを防止し、自己放電性の非常に小さい電池とする。 - 特許庁

To surely correct variation in the threshold voltage of a drive transistor even when discharging a voltage between the terminals of held capacity in a plurality of periods via a drive transistor and correcting the variation in threshold voltage of the drive transistor, by applying an active matrix type image display device using an organic EL element, for example.例文帳に追加

本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、駆動トランジスタを介して保持容量の端子間電圧を複数回の期間で放電して駆動トランジスタのしきい値電圧をばらつき補正する場合でも、駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを確実に補正することができるようにする。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing silicon (Si).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、ケイ素（Ｓｉ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tungsten (W).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、タングステン（Ｗ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The transparent or substantially transparent moldable and/or flexible base substrate for use as an outside protective element for an electronic device or an optoelectronic device including at least one electrically active organic layer is made up of a complex structural body consisting of a plastic layer and a glass layer with a thickness of 200 μm or less.例文帳に追加

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスにおける外側保護要素として使用するための、透明または実質的に透明な成形性かつ／または可撓性の基体であって、２００μｍ以下の厚さのガラスの層とプラスチックの層とからなる複合構造体によって構成される。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte secondary battery including an iron phosphate lithium compound as a main material of positive electrode active material includes a current blockage device 1 that blocks a current path extending from a power generation element 3 to an electrode terminal in a sealed-type battery body 5 as fluid pressure in the battery body 5 reaches set pressure.例文帳に追加

正極活物質の主材料としてリン酸鉄リチウム化合物を含む非水電解質二次電池において、密閉式の電池筐体５内の流体圧が設定圧力に達するに伴って前記電池筐体５内の発電要素３から電極端子に至る電流路を遮断する電流遮断装置１が備えられている。 - 特許庁

The process for compacting in this invention includes: an applying step of applying a higher fatty acid-based lubricant to a surface of a metallic workpiece whose major component is an active metallic element and/or a working surface of a compacting die; and a compacting stage of compacting the metallic workpiece by the compacting die in an warm state.例文帳に追加

本発明の成形加工方法は、活性金属元素を主成分とした金属素材の表面および／または成形加工金型の加工面に高級脂肪酸系潤滑剤を塗布する塗布工程と、この成形加工金型により金属素材を温間状態で成形加工する成形加工工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vertical aligned active matrix liquid crystal display element, where respective pixel electrodes are formed in an oblong shape to attain high definition, liquid crystal molecules in respective pixels are stably aligned in the falling orientation by application of voltage to display an image, having satisfactory quality and free from feeling of roughness and ample numerical aperture can be obtained.例文帳に追加

画素電極を細長形状に形成して高精細化をはかるとともに、各画素の液晶分子を電圧の印加により安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element which has a substrate, a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer, in this order, the upper clad layer is a ridge stripe shape extending in the direction of a resonator, and a p-type electrode is formed in the upper surface of the ridge stripe.例文帳に追加

本発明では、基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The p-type MOS transistor has an active region STP surrounded by an element isolation region 3, where a width Xb in the longitudinal direction of a gate in a contact not-forming region Wb is narrower than a width Xa in the longitudinal direction of the gate on a contact forming region Wa with a contact plug 10a formed in the breadthwise direction of the gate.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＰが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ａが形成されるコンタクト形成領域Ｗａにおけるゲート長方向の幅Ｘａに比べて、非コンタクト形成領域Ｗｂにおけるゲート長方向の幅Ｘｂが狭くなっている。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

To provide a stent for suppressing and preventing the inflammation of blood vessel walls and especially capable of suppressing the inflammation reaction with the degradation of a polylactic acid complex itself in vivo by anti-inflammation ligand effect by making the polylactic acid complex into which an anti-inflammation ligand is introduced a constituting element of a physiological active substance releasing layer.例文帳に追加

血管壁の炎症を抑制・防止するためのものであり、抗炎症リガンドを導入したポリ乳酸複合体を生理活性物質放出層の構成要素とすることにより、特にポリ乳酸複合体自体の生体内での分解に伴う炎症反応を抗炎症リガンド効果によって抑制することができるステントを提供する。 - 特許庁

To provide a fluid-filled active vibration control device of a new structure capable of preventing a relative inclination or shaft displacement of a movable element to a stator arising from an error in assembling the body of a vibration control device and an electromagnetic actuator and effectively achieving targeted vibration control performance by efficient transmission of a vibration force.例文帳に追加

防振装置本体と電磁式アクチュエータとの組付け誤差等に起因する可動子の固定子に対する相対的な傾斜や軸ずれを防ぐと共に、加振力の効率的な伝達によって目的とする防振性能を有効に実現することが出来る、新規な構造の流体封入式能動型防振装置を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 4c of the read transistor RTr is shared among a plurality of memory cells MC arrayed in a predetermined direction, and the gate electrode 4c is parted into a plurality of gate electrodes 10 which have an element isolation structure 2 being a stress relaxing structure for relaxing stress acting on an annular active region 3a and each have a gate length of ≤100 μm.例文帳に追加

リードトランジスタＲＴｒのゲート電極４ｃは、所定方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣに共有されており、ゲート電極４ｃは、素子分離構造２が環状の活性領域３ａに及ぼす応力を緩和する応力緩和構造であって、各々ゲート長が１００μｍ以下である複数のゲート電極１０に分断されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having electric wiring wherein electric wiring for pads for electrically connecting a static protection element in the semiconductor device with the bumps formed on an active surface to electrode pads, and electric wiring for power electrically connected to a power source are arranged without increasing an area possessed by the semiconductor device nor causing a short circuit.例文帳に追加

能動面にバンプを形成した半導体装置における静電気保護素子と電極パッドとを電気的に接続するパッド用電気配線と、電源と電気的に接続する電源用電気配線とを、当該半導体装置が有する面積を極力増大させずに、かつ、短絡しないように配置した電気配線を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light-emitting element includes: a light-emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; a first amorphous layer on the light-emitting structure; and a nano-structure in a nano-particle form on the first amorphous layer.例文帳に追加

本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 - 特許庁

To provide a wiring board that achieves the miniaturization of a wiring board while preventing an inductor from occupying a large area and allows a loaded active element to normally operate up to a high frequency band in a wiring board in which a conductor pattern, constituting the inductor, is formed on the surface or in the inside of an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板の表面または内部にインダクタを構成する導体パターンが形成された配線基板において、インダクタが大きな面積を占めることがなく配線基板の小型化を実現できるとともに、搭載する能動素子を高い周波数帯域まで正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor laser element includes the steps of: laminating an n-type epitaxial layer, an active layer 14, and a p-type epitaxial layer; forming a waveguide structure by a striped ridge part 19 on the p-type epitaxial layer; and forming a photoresist film 70 to be shaped to cover only the ridge part 19.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型のエピタキシャル層と、活性層１４と、ｐ型のエピタキシャル層とを積層する工程と、ｐ型のエピタキシャル層にストライプ状のリッジ部１９による導波路構造を形成する工程と、リッジ部１９のみを被覆する形状となるようにフォトレジスト膜７０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Then, the active polarization element 12 is driven so that the laser beam enter the polarization beam splitter 13 by P polarization, and the position of a polarizing diffraction grating 23 in the optical axis direction and rotational direction are adjusted so that reflection light from the disk is applied onto the sensor 252 for BDs appropriately while monitoring the output of the sensor 252 for BDs.例文帳に追加

次に、レーザ光がＰ偏光にて偏光ビームスプリッタ１３に入射するようアクティブ偏光素子１２を駆動し、ＢＤ用センサ２５２の出力をモニタしながら、ディスクからの反射光がＢＤ用センサ２５２上に適正に照射されるよう、偏光性回折格子２３の光軸方向位置と回転方向位置を調整する。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

To provide a new iron sulfide and iron sulfide composition excellent in durability and treatment capability of heavy metals, to provide a method which synthesizes these new iron sulfides and to provide a method which treats heavy metals contained in ashes, soil and waste water and so on and renders it harmless by using the heavy metal treatment agent containing the iron sulfide as an active element and this treatment agent.例文帳に追加

耐久性に優れ、重金属の処理特性が優れた新規な硫化鉄、硫化鉄組成物、これらの新規な硫化鉄を合成する方法、さらに、その硫化鉄を有効成分として含む重金属処理剤、及びこの処理剤を用いて、灰、土壌、廃水等に含まれる重金属類を処理し無害化する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a light emitting element has a process to form an MQW active layer 24 including a process to form a well layer 21 composed of a nitride semiconductor layer, a process to form a barrier layer 23 using a carrier gas containing hydrogen of the ratio of 2% or more to nitride and a total flow rate of carrier gas on the well layer 21.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体層からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いてバリア層２３を形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有する発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a first substrate including an array element and a color filter formed in the active region, an electrostatic discharge (ESD) circuit formed in the outer region, a pattern spacer formed on the ESD, a second substrate facing the first substrate, and a sealant for attaching the first and the second substrates together.例文帳に追加

液晶表示装置は、前記アクティブ領域にアレイ素子とカラーフィルタが形成された第１基板と、前記外郭部に形成された静電気放電(ＥＳＤ)回路及び前記静電気放電回路上に形成されたパターンスペーサと、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と第２基板を合着するシーラントとを含む。 - 特許庁

An active element, a resistance, a capacitor, etc., which constitute at least an amplifying circuit 3 amplifying the analog output signal of a bridge circuit 2, a low-pass filter 4 limiting the band of the analog signal amplified by the amplifier 3, and an A/D converter 5 converting the band-limited analog signal into a digital signal are integrated into a monolithic integrated circuit.例文帳に追加

少なくとも、ブリッジ回路２のアナログ出力信号を増幅する増幅器３と、この増幅器３により増幅されたアナログ信号を帯域制限するローパスフィルタ４と、帯域制限されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ５を構成する能動素子、抵抗、コンデンサ等をモノリシック集積回路化する。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

In the composition for the resin bond type magnet which comprises magnetic powder (A) comprising a transition metal element as its constitution elements and a resin binder (B), the resin binder (B) is constituted of a principal constituent of thermosetting resin (B-1) having radical polymerization reactivity comprising organic peroxide (B-2) and, further, active carbon (C) is blended.例文帳に追加

構成元素中に遷移金属元素を含む磁性粉末（Ａ）と、樹脂バインダー（Ｂ）とからなる樹脂結合型磁石用組成物において、該樹脂バインダー（Ｂ）が有機過酸化物（Ｂ−２）を含むラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂（Ｂ−１）を主成分とし、さらに、活性炭（Ｃ）を配合する樹脂結合型磁石用組成物を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.例文帳に追加

リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。 - 特許庁

To provide an active element substrate and a liquid crystal display that can suppress small variation in drain potential during OFF-period of a thin-film transistor due to capacitances, respectively provided at superimposed portions of signal lines and a pixel electrode, while taking a wide process margin, and that can simplify the structure of signal lines, and improve the aperture ratio.例文帳に追加

プロセスマージンを広くとりながら、信号線と画素電極とを重畳配置したことによる容量に起因する、薄膜トランジスタがＯＦＦしている期間のドレイン電位の変動を小さく抑えることができ、かつ、信号線の構造を簡素化すると共に開口率を向上させ得る能動素子基板と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing magnesium (Mg).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

An active matrix display device includes a storing means 761 to store compensation data for applying voltage to a pixel 37 according to characteristics of a driving transistor 32 that a pixel 37 using the organic light emitting element 33 has; and a driver controller to apply voltage to the pixel 37 according to the compensation data stored in the storing means 761.例文帳に追加

有機発光素子３３を利用する画素３７がもつ駆動トランジスタ３２の特性に応じて画素３７に電圧を印加するための補償データを記憶するための記憶手段７６１と、記憶手段７６１によって記憶されている補償データに基づいて画素３７に電圧を印加するためのドライバ・コントローラ部と、を備えた、アクティブマトリクス型表示装置である。 - 特許庁

Based on an input of a power-off instruction detected by a control part 25, the masking means 23 forcibly applies a predetermined voltage to nullify the accumulated charges to the source line of each active element at least only for one vertical period before the display panel is shut off the power supply, and thereafter, instructs a power supply part 24 to shut off the power.例文帳に追加

マスク手段２３は、制御部２５が検出した電源オフ指令の入力に基づいて、表示パネル２０に対し電源供給が遮断される前の少なくとも１垂直期間の間だけ、各アクティブ素子のソース線に強制的に前記蓄積電荷を零とする所定電圧を印加し、その後に、電源部２４に対して電源オフを命令する。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁

The resin composition for the optical element is characteristically contains: a polyurethane (meth)acrylate oligomer with at least three functional groups on the terminals (A component); a multifunctional (meth)acrylate monomer (B component); a styrene-(meth)acrylate copolymer (C component); an active energy ray sensitive polymerization initiator (D component); and a modified silicone oil containing an electrolytic salt (E component).例文帳に追加

末端に少なくとも３個の官能基を有するポリウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー（Ａ成分）と、多官能（メタ）アクリレートモノマー（Ｂ成分）と、スチレン−（メタ）アクリレート共重合体（Ｃ成分）と、活性エネルギー線官能性重合開始剤（Ｄ成分）と、電解質塩を含有させた変性シリコーンオイル（Ｅ成分）とを含有することを特徴とする光学素子用樹脂組成物。 - 特許庁

The electrochemical element electrode material contains composite particles (α) which contains (a) a fluororesin including a structural unit formed by polymerizing an electrode active material, a conductive material and tetrafluoroethylene and having a melting point of 200°C or higher, and (b) an amorphous polymer not including a structural unit formed by polymerizing tetrafluoroethylene and having a glass transition temperature of 180°C or lower.例文帳に追加

電極活物質、導電材、テトラフルオロエチレンを重合してなる構造単位を含み且つ融点が２００℃以上のフッ素樹脂（ａ）、およびテトラフルオロエチレンを重合してなる構造単位を含まず且つガラス転移温度が１８０℃以下の非晶性重合体（ｂ）を含んでなる複合粒子（α）を含有してなる電気化学素子電極材料。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device whose power consumption can be remarkably reduced by having a function for recovering electric charges charged on a common electrode and resupplying the electric charges on the common electrode without passing them through the capacity of a liquid crystal display element and a TFT (thin film transistor) and which is siutable as a monitoring display unit for portable terminal.例文帳に追加

液晶表示素子の容量及びＴＦＴを介することなく、コモン電極に充電される電荷を回収し、再供給する機能を有することにより、消費電力を著しく低減することができ、携帯端末用モニター用の表示装置として好適のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁