「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode active material for lithium secondary batteries contains a graphitized coke containing a graphite catalyst element and artificial graphite having 3-dimensional volume.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用負極活物質は黒鉛化触媒元素を含む黒鉛化コークス及び３次元的な体積を有する人造黒鉛を含むものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor which can securely suppress occurrence of a shape defect of an element separation region at the periphery of the end of an active region.例文帳に追加

活性領域の端部周辺における素子分離領域の形状不良の発生を確実に抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the force in the X-axis or Y-axis direction is applied on a control lever 144, the active part 141 is displaced, and the displacement can be detected as the capacitance value change of the capacitative element.例文帳に追加

操作桿１４４にＸ軸またはＹ軸方向の力が作用すると作用部１４１が変位し、容量素子の容量値変化として検出できる。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery surely operating a protection element for the secondary battery by normalizing the deformation amount of an electrode active material and the volume of a space in the battery.例文帳に追加

電極材料活物質の変形量と電池内空間体積と適正にして確実に２次電池用保護素子が動作する非水電解液２次電池を提供する。 - 特許庁

An O2 sensor 20 is provided to an exhaust pipe of an engine and is turned into an active state, when a sensor element 23 having a solid electrolytic layer 21 is heated by a heater 25.例文帳に追加

Ｏ2センサ２０は、エンジンの排気管に設けられ、固体電解質層２１を有してなるセンサ素子２３がヒータ２５により加熱されることで活性状態になるものである。 - 特許庁

With an Si substrate 11 prepared, there are formed an element separating insulating film 12 enclosing an N-type active region, a dummy gate insulating film 15, a first dummy gate electrode 16 and the like.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１を用意し、Ｎ型活性領域を囲む素子分離用絶縁膜１２、ダミーゲート絶縁膜１５、第１ダミーゲート電極１６等を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate having high mechanical strength and low heat shrinkage for application of a display, other active electronic elements and a package of an optical element or the like.例文帳に追加

高い機械的強度および低い熱収縮を有する、ディスプレイ、他の能動的電子素子、および光学素子のパッケージなどの用途のための基板を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix display which is highly reliable, even when a glass substrate is used as an element forming substrate, and which is highly flexible as a whole.例文帳に追加

本発明は、素子形成基板にガラス基板を用いた場合にも信頼背が高く、装置全体として柔軟性の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element capable of preventing separation of a dielectric film, which is formed on the edge face of a mesa structure, in the vicinity of an active layer.例文帳に追加

本発明は、メサ構造の端面に形成した誘電体膜が活性層の近傍で剥がれることを抑制できる光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The heat exchange unit 100 is provided with an indoor air discharge passage 8, an outdoor air supply passage 9, a heat exchange element 12 catalyst, and a first active species generating part.例文帳に追加

熱交換ユニット１００は、室内空気排出路８、室外空気供給路９、熱交換エレメント１２触媒、および第１活性種生成部を備える。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device capable of suppressing variance among pixels by reducing variation of an image signal retained by the capacitance element of a pixel circuit.例文帳に追加

画素回路の容量素子に保持される映像信号の変動を低減して画素間のばらつきを抑制することのできるアクティブマトリックス型表示装置を提供する。 - 特許庁

A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.例文帳に追加

半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁

To provide an optically active compound which has large dielectric anisotropy, a short helical pitch and low viscosity, a liquid crystal composition containing the same and a liquid crystal composition optical liquid crystal optical element.例文帳に追加

誘電率異方性が大きく、ヘリカルピッチ長が短く、低粘度である光学活性化合物、それを含有する液晶組成物および液晶光学素子の提供。 - 特許庁

The alignment of the coupling/fixing device (130) requires no electric power supply to the optical element (140), providing alignment comparable to what is obtainable by active alignment technique.例文帳に追加

結合固定装置(130)のアライメントは、光学素子(140)への電力供給を必要とせず、アクティブアライメント技術によって得られるものに匹敵するアライメントを提供する。 - 特許庁

The active element 8 for sampling, when selected by the scanning wiring 1, operates to sample a vide signal from signal wiring 2 and holds the signal in the holding capacitor 7.例文帳に追加

サンプリング用の能動素子８は、走査配線１によって選択されたとき動作し、信号配線２から映像信号をサンプリングして保持容量７に保持する。 - 特許庁

The first active layer 17 for the first semiconductor optical element 11a is provided on the first area 13c and the first clad layer 15 of a main surface 13a.例文帳に追加

第１の半導体光素子１１ａのための第１の活性層１７は、主面１３ａの第１のエリア１３ｃ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。 - 特許庁

Further, a thin film transistor for pixel switching is also fabricated on the element substrate 10, and a fine crystalline silicon film is also used for the active layer of the thin film transistor.例文帳に追加

また、素子基板１０上には画素スイッチング用の薄膜トランジスタも形成されているが、かかる薄膜トランジスタの能動層にも微結晶シリコン膜を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure, a semiconductor device, and a method and apparatus for manufacturing them which can improve the electric characteristic of an active element.例文帳に追加

能動素子の電気的な特性を向上させることが可能な半導体構造物、半導体装置、並びにこれらの製造方法および製造装置を提供すること。 - 特許庁

Meanwhile, wiring 18 provided to a wiring layer M4 as a layer above the wiring layers is provided so as to cover at least part of the upper part of the active region of the antenna protection element 17.例文帳に追加

一方、その上層の配線層Ｍ４に設けられた配線１８は、アンテナ保護素子１７の活性領域上方を少なくとも一部覆うように、設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁

To provide a GaN compound semiconductor light-emitting element which with a good active layer with low-band gap energy, provides stable light- emission with efficiency.例文帳に追加

バンドギャップエネルギの低い良質の活性層を備え、発光効率の高い安定な発光を得ることのできるＧaＮ系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The power storage element 10 includes a pair of metal foils 1a, 1b, a pair of active material layers 1c, 1d, and a roll 1 where a separator 1s is laminated to be wound cylindrically.例文帳に追加

蓄電素子１０は一対の金属箔１ａ・１ｂ、一対の活物質層１ｃ・１ｄ、及びセパレータ１ｓを積層して円筒状に巻いた巻回体１を備える。 - 特許庁

The negative active material layer 12 contains at least one selected from a group comprising an element such as silicon capable of forming an alloy with Li, an alloy, and a compound.例文帳に追加

負極活物質層１２はＬｉと合金を形成可能なケイ素などの単体，合金および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

At this point, a single crystal silicon is epitaxially grown on the active region 5 in which the silicon substrate 1 is exposed, but an amorphous silicon is grown on the element isolating region 2.例文帳に追加

このとき、シリコン基板１が露出しているアクティブ領域５にはエピタキシャルに単結晶シリコンが成長するが、素子分離領域２にはアモルファスシリコンが成長する。 - 特許庁

To provide a resonance tunnel-diode oscillation element capable of improving the injection current density of an active layer, and improving the output power of oscillation.例文帳に追加

活性層の注入電流密度を向上させ発振の出力パワーを向上させることができる共鳴トンネルダイード型の発振素子を提供することである。 - 特許庁

The 3-terminal active element 3 has feedback capacitance between the input terminal 4 and the output terminal 5 and the transmission line 1 and the feedback capacitance form a parallel resonance circuit.例文帳に追加

ここで、３端子能動素子３は、入力端子４と出力端子５間に帰還容量を有し、伝送線路１と帰還容量とは並列共振回路を形成する。 - 特許庁

To prevent a resist pattern from being broken in the case of forming line-state patterns such as active areas separated by wiring between elements, a gate electrode or a trench element.例文帳に追加

素子間配線・ゲート電極もしくはトレンチ素子によって分離された活性領域等のライン状パターンを形成する際に、レジストパターンが崩れてしまうことを防止する。 - 特許庁

To make an active matrix type transflective liquid crystal display element exhibit a light scattering and reflecting function which has large scattering property and anisotropy.例文帳に追加

アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、散乱性が大きく、且つ、異方性を持った光散乱反射機能を発揮することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of raising a temperature characteristic by suppressing electron overflow in a p-type clad layer, and also performing optical confinement to an active layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させると共に、活性層への光閉じ込めが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The stack is coupled with an optical element 2 having a refractive index larger than about 1.5, preferably about 1.8 for light radiated by the active region 12.例文帳に追加

スタックは、活性領域１２により放射される光について約１．５より大きく好ましくは約１．８より大きい屈折率を有する光学素子２に結合される。 - 特許庁

A negative active material layer 12B contains at least one selected from a group comprising an element such as silicon capable forming an alloy with Li, an alloy, and a compound.例文帳に追加

負極活物質層１２ＢはＬｉと合金を形成可能なケイ素などの単体，合金および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

By constituting a multiple quantum well constituting a laser active layer region of InGaAlAs/InGaAlAs, reliability and a light output level are maintained even when an element is maintained at high temperature.例文帳に追加

レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。 - 特許庁

Each tunnel magnetic resistance element TMR is coupled electrically to one electrode of the electrodes of each access transistor ATR formed in each active layer provided in a substrate of an underlay.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、基板の下地に設けられた活性層に形成されたアクセストランジスタＡＴＲの一方電極と電気的に結合される。 - 特許庁

In a semiconductor laser element, a first conductive type clad layer is formed of AlGaAs, and an active layer is formed of at least either GaAs or AlGaAs.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、第１導電型クラッド層が、ＡｌＧａＡｓから形成され、活性層が、ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓのうちの少なくともいずれかから形成される - 特許庁

The sidewall film 6 has the groove 60 provided on the surface of the active region 2a embedded and is provided astride a border 50 between the groove 60 and the element isolation film 3.例文帳に追加

この側壁膜６は、活性領域２ａの表面に設けられた溝６０を埋め込むとともに、溝６０と素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられる。 - 特許庁

To make uniform the number of grains in the active region of a device by making small the grains in a crystalline semiconductor film obtained by thermal crystallization employing a metallic element.例文帳に追加

金属元素を用いる熱結晶化法によって得られる結晶質半導体膜のグレインを小さくすることで、デバイスの活性領域におけるグレインの数を一様にする。 - 特許庁

To eliminate a bad influence on the characteristics of a semiconductor device in the semiconductor device using a crystallized silicon film utilizing a metal element as an active layer.例文帳に追加

金属元素を用いて結晶化させた珪素膜を活性層として用いた半導体装置において、金属元素による半導体装置の特性への悪影響を排除する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。 - 特許庁

Further, the negative electrode active material contains silicon doped with at least one kind of doping element selected from the group consisting of the elements in group XIII or group XV.例文帳に追加

さらに、負極活物質が、１３族または１５族の元素からなる群から選択される１種または２種以上のドーピング元素がドープされてなるケイ素を含む。 - 特許庁

By this configuration, the change in temperature on the end face of the active layer can be accurately measured, thus predicting deterioration on the end face of the semiconductor laser element.例文帳に追加

こうした構成によれば、活性層端面の温度変化を高精度に測定することができるので、半導体レーザ素子の端面劣化を予知することができる。 - 特許庁

The semiconductor optical element 11 is provided with a first conductive III-V compound semiconductor layer 13, a second conductive III-V compound semiconductor layer 15 and an active region 17.例文帳に追加

半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。 - 特許庁

For example, an active layer 1 as a light-emitting element is made of a structure, where GaAs quantum dots 1a are arranged in a fractal form and is mode into confined structure by an I-type AlGaAs 1b.例文帳に追加

例えば、発光素子の活性層１を、ＧａＡｓ量子ドット１ａをフラクタル状に配置し、これをｉ型ＡｌＧａＡｓ１ｂにより閉じ込めた構造とする。 - 特許庁

To prevent inter-layer short-circuits even when a defective part such as a pinhole is present on a gate insulation film in an active matrix liquid crystal display element provided with a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート絶縁膜にピンホール等の欠陥部があっても、層間ショートが発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a nitride LED (light-emitting diode) superior in emission efficiency by preparing a constitution capable of extracting more light generated in active layer outside element.例文帳に追加

活性層で生じた光をより多く素子外に取り出すことができる構成を付与することによって、発光効率の優れた窒化物ＬＥＤを提供すること。 - 特許庁

To reduce blurring in dynamic image display while suppressing a peak power consumption in a tile type display device adapting an active matrix drive system and using an organic EL element.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式を採用して有機ＥＬ素子を用いるタイル式表示装置において、ピーク消費電力を抑えつつ動画像表示時のボケを低減すること。 - 特許庁