「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A nitride light-emitting element comprises: an active layer constituted of a group III nitride semiconductor, a functional layer provided higher than the active layer and including a current constriction or light distribution control function, and an absorption layer provided higher than the functional layer for absorbing light generated in the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物系発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層と、上記活性層よりも上層に設けられ、電流狭窄もしくは光分布制御の機能を有する機能層と、上記機能層よりも上層に設けられ、上記活性層で発生する光を吸収する吸収層と、を備えている。 - 特許庁

The HDP oxide film 108 which is formed on a small area isolating active region 105, the large area active region 106 and the small area crowding active region 107 is polished and eliminated, and an insulating film 108a for isolation whose surface is flattened is formed only in the element isolation trench 104.例文帳に追加

その後、小面積孤立活性領域１０５、大面積活性領域１０６及び小面積密集活性領域１０７上に形成されているＨＤＰ酸化膜１０８を研磨除去して、素子分離溝１０４内のみに表面の平坦化された分離用絶縁膜１０８ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifier element is provided with an optical amplifier wave guiding layer having: a passive core region formed of a semiconductor, active cladding regions positioned on both sides of the passive core region and each made of a semiconductor active layer which has a refractive index lower than that of the passive core region, wherein a light is wave-guided while being amplified in the active wave guiding layer.例文帳に追加

半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.例文帳に追加

この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches.例文帳に追加

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。 - 特許庁

An active layer polysilicon film 2 to form the n-chTFT of a CMOS transistor of a driver circuit, an active layer polysilicon film 3 to form the p-chTFT of the same element, and an active layer polysilicon film 4 to form a pixel and sampling n-chTFT are formed on a transparent substrate 1 which constitutes the display device.例文帳に追加

表示装置を構成する透明基板１上に、ドライバ回路ＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜２、同ｐ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜３、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜４を形成する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

An element separation groove 31 is formed like a step comprised of a first element separation groove 16 and a second element separation groove 17, so as to electrically separate a photo diode arranged on the surface of a silicon substrate from an active area of a MOSFET formed along with the photo diode.例文帳に追加

シリコン基板の表面部に配置するフォトダイオードと、フォトダイオードに付随して形成されるＭＯＳＦＥＴの活性領域とを電気的に分離する素子分離溝３１が第１の素子分離溝１６と第２の素子分離溝１７からなる階段状に形成される。 - 特許庁

This is the positive electrode material for the nonaqueous lithium secondary battery, in which at least an oxide of one kind of element selected from the group V element and the group VI element of the periodic table is contained as an active material in which the oxide, is turned amorphous, as well as doped with lithium.例文帳に追加

活物質として、周期律表第Ｖ族元素および第ＶＩ族元素から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、前記酸化物は、アモルファス化されているとともに、リチウムがドープされていることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極材料。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁

The waveguide optical element includes a waveguide optical element having an n-type semiconductor layer 102, a p-type semiconductor layer 104, an active layer 103 formed therebetween, and an ESD protector 114 electrically connected to the waveguide optical element in parallel.例文帳に追加

本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。 - 特許庁

In the electrooptical apparatus of an active matrix type, when a nonlinear element 5 and a storage capacitance 9 as a pixel switching element are constructed, a data line 2 is also formed simultaneously when a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for capacitance are formed by using nitrogen added tantalum.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、窒素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成する際、データ線２も同時形成する。 - 特許庁

As an optical sensor element structure, one electrode of a sensor element is formed by the same film as a polycrystalline silicon film which becomes an active layer for a switching element constituting a circuit, and a light reception part in which photoelectric conversion is performed is amorphous silicon or polycrystalline silicon film of an intrinsic layer.例文帳に追加

光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。 - 特許庁

The switching converter includes a main switching element Q2 connected with the primary winding 100a of a transformer 100 and controlling application of input voltage, and a switching element Q1 for active clamp which performs switching operation alternately with the main switching element Q2 and clamps the reset voltage of the transformer 100.例文帳に追加

スイッチングコンバータは、トランス１００の一次側巻線１００ａに接続されて入力電圧の印加を制御するメインスイッチング素子Ｑ２と、このメインスイッチング素子Ｑ２と交互に開閉動作してトランス１００のリセット電圧をクランプするアクティブクランプ用スイッチング素子Ｑ１とを備える。 - 特許庁

An enantiomer of an optically active alcohol which is conventionally obtained with an asymmetric catalyst comprising the Lewis acid containing Sc and an optically active bipyridine is synthesized by using the asymmetric catalyst comprising a Lewis acid catalyst containing a copper group element or zinc group element and the optically active bipyridine to high-stereoselectively advance the asymmetric ring-opening reaction of mesoepoxide in an aqueous solution with high yield.例文帳に追加

銅族元素又は亜鉛族元素を含むルイス酸と光学活性なビピリジン化合物とから成る不斉触媒を用いることにより、水溶液中でメソエポキシドの不斉開環反応が高収率かつ高立体選択的に進行し、従来Ｓｃを含むルイス酸と光学活性なビピリジン化合物とから成る不斉触媒を用いた場合に得られていた光学活性アルコールの鏡像異性体を合成できる。 - 特許庁

The composition contains at least 50 percent by weight of water, 1 to 15 percent by weight of soap surface active agents, volatile aromatics, and at least 1 percent by weight of carbon (as element carbon) and may also contain surface active agent foam stabilizers.例文帳に追加

組成物は、少なくとも５０重量％の水、石けん界面活性剤１〜１５重量％、揮発性芳香剤、及び（元素炭素として）少なくとも．１重量％の炭素を含有し、また、界面活性剤泡安定剤も含有しうる。 - 特許庁

A transducer element for ultrasound transmission comprises a first active transducer layer 73 connected to a first transmitter, and a second active transducer layer 77 laminated to the first transducer layer 73 and connected to a second transmitter.例文帳に追加

超音波送信のための変換器素子（６５）は、第１の送信器に接続された第１の活性変換器層（７３）と、第１の変換器層（７３）に積層され且つ第２の送信器に接続された第２の活性変換器層（７７）とを具備する。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) driving circuit of an active matrix organic EL panel in which a mounting area of a driver for the active matrix organic EL panel is reduced and brightness of an organic EL display element is improved and to provide an organic EL display device.例文帳に追加

アクティブマトリックス型有機ＥＬパネルに対するドライバの実装面積を低減でき、有機ＥＬ素子の輝度を向上させるアクティブマトリックス型有機ＥＬパネルの有機ＥＬ駆動回路および有機ＥＬ表示装置を提供することにある。 - 特許庁

In the active matrix liquid crystal display element, a scanning electrode 4 and a signal electrode 5 are disposed in a matrix shape, and a liquid crystal is charged between an active matrix array substrate 26 on which thin film transistors 2 are formed at intersection points and a counter substrate.例文帳に追加

走査電極４と信号電極５とがマトリクス状に配置されその交点に薄膜トランジスタ２が形成されたアクティブマトリクスアレイ基板２６と対向基板との間に液晶が充填されたアクティブマトリクス型液晶表示素子である。 - 特許庁

Thus, the contact plug can be formed without using a diffusion layer contact pattern, and also, since the fringe of the contact plug substantially coincides with a boundary between the element isolation area and the active area, the active area can be reduced.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンを用いることなく、コンタクトプラグを形成できるとともに、コンタクトプラグの周縁が素子分離領域と活性領域の境界と実質的に一致することから、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

A system includes a network interface card (NIC) 102 having an active mode and a sleep mode, and an adjustment element 104 regulating the duty cycle of the NIC, and the NIC is started up when receiving a reception or transmission request of a data, to be brought into an active mode.例文帳に追加

システムは、アクティブ・モードおよびスリープ・モードを有するネットワーク・インターフェース・カード（ＮＩＣ）および、ＮＩＣのデューティ・サイクルを調整する調整要素を有し、ＮＩＣは、データの受信又は送信の要求を受信したときに、起動し、アクティブ・モードに入る。 - 特許庁

A gate electrode 104a is formed on an active region of a semiconductor substrate 101, and a gate interconnect line 104b, consisting of the same material as the gate electrode 104a, is formed on an element isolation insulating film 102 surrounding the active region simultaneously.例文帳に追加

半導体基板１０１の活性領域上にゲート電極１０４ａを形成すると共に、該活性領域を囲む素子分離絶縁膜１０２上に、ゲート電極１０４ａと同一材料からなるゲート配線１０４ｂを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrode for the electrochemical element has steps of: performing warming processing on a collector; and forming on the collector an electrode active material layer comprising an electrode compound constituted by containing an electrode active material, a conductive agent and a binder.例文帳に追加

集電体を加温処理する工程、電極活物質、導電剤および結着剤を含んでなる電極組成物からなる電極活物質層を集電体上に形成する工程とを有する電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

To projectively form first and second main electrode regions in even film thickness as additional active layer portions on an active layer body, prevent the problems such as increase of leakage current and parasitic capacitance, and easily perform an element isolation process.例文帳に追加

活性層本体上に均一な膜厚での第１及び第２主電極領域を付加的活性層部分として、突出させて形成するとともに、リーク電流や寄生容量の増加等の問題が防止され、かつ素子分離プロセスを容易に行う。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery is provided with a power generation element in which a negative electrode containing the negative electrode active material to store/release lithium and a positive electrode containing the positive electrode active material are laminated via the separator consisting of the minute porous polyolefinic membrane.例文帳に追加

リチウムを吸蔵・放出する負極活物質を含有する負極と、正極活物質を含有する正極とを、ポリオレフィンの微多孔膜からなるセパレータを介して積層してなる発電要素を備えた非水電解質二次電池である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a recess gate of a semiconductor element, capable of preventing damage of an active region, even if a loss of a field oxide film below a path gate and overlay misalignment occur between the active region and a recess pattern in forming the recess gate.例文帳に追加

リセスゲート形成時にパスゲートの下のフィールド酸化膜の損失及び、活性領域とリセスパターンとのオーバーレイミスアライメントが発生しても、活性領域の損傷を防止できる半導体素子のリセスゲートの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to mix a part of each of film forming particles, an auxiliary film forming source 52 containing the main component element of a current collector and a negative active material film forming source 51 for forming a negative active material thin film are adjacently arranged.例文帳に追加

それぞれからの成膜粒子の一部が相互に混合されるように、集電体の主成分元素を含む補助成膜源５２及び負極活物質薄膜を形成するための負極活物質成膜源５１を隣り合わせて配置する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises a step of forming the thick gate oxide film 216 on a second active region II, in a state in which a field oxide film 210 is separately formed at the edge area of the STI 202 of the second active region II for forming the thick gate oxide film in a LOCOS step.例文帳に追加

厚いゲート酸化膜を形成する第２アクティブ領域IIのSTI２０２エッジ部位にＬＯＣＯＳ工程でフィールド酸化膜２１０を別途形成した状態で、厚いゲート酸化膜２１６を第２アクティブ領域IIに形成する。 - 特許庁

The method for producing an electrode for an electrochemical element comprises a process of sticking the electrode active material sheet with a support together to the collector, and a process of separating the support from the electrode active material sheet with a support which has been stuck together to the collector.例文帳に追加

前記支持体付電極活物質シートを集電体へ貼り合わせる工程、及び、集電体へ貼り合わせた支持体付電極活物質シートから支持体を分離する工程を含む電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes an anode, a cathode, and an organic active layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic active layer contains an ultraviolet ray absorbent and inorganic semiconductor microparticles.例文帳に追加

本発明にかかる有機光電変換素子は、陽極と、陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層中に紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子が含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁

Since a region doped heavily with Zn can be located in the vicinity of the active layer 5, carriers can be confined sufficiently in the active layer 5, resulting in enhancement of the element characteristics.例文帳に追加

これにより、Ｚｎ濃度が高濃度に維持された高濃度領域を活性層５の近傍に位置するように構成することができるので、活性層５に十分にキャリアを閉じ込めることができ、その結果、素子特性を向上させることができる。 - 特許庁

Since the active region 7b of the piezoelectric body layer 3b is set shorter than the active region 7a of the piezoelectric body layer 3a, the amounts of displacement of the outermost layers are different from each other, and the amount of displacement of the whole stacked piezoelectric element E1 can be increased.例文帳に追加

圧電体層３ｂの活性領域７ｂが圧電体層３ａの活性領域７ａよりも短くなっているので、最外層同士で変位量が異なり、積層型圧電素子Ｅ１全体の変位量を高めることができる。 - 特許庁

In the active matrix substrate integrated with the color filter, a first electrode layer ITO1 electrically connected to the driving output terminal (1) of an active element TFT is deposited in the pixel region of a first substrate SUB1, and a color filter layer CF having a hole CFH is formed in the pixel region.例文帳に追加

第１基板ＳＵＢ１の画素領域に、アクティブ素子ＴＦＴの駆動出力端子（１）に電気的に接続した第１の電極層ＩＴＯ１を設け、画素領域内に開孔部ＣＦＨを有するカラーフィルタ層ＣＦを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the crystallizing process of a semiconductor active layer with effective continuous oscillation laser irradiation is employed to manufacture a minute semiconductor memory element whose active layer surface is flat.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、金属元素を添加して加熱処理を行った後、連続発振レーザ照射を行う半導体活性層の結晶化プロセスを用いて、活性層表面が平坦で、かつ、微細な半導体記憶素子を作製する。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity.例文帳に追加

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。 - 特許庁

This liquid crystal element uses a liquid crystal composition containing 1 to 80 wt.% of an optically active compound represented by optically active 3-(4-phenylbutoxy) 6-(4'-decyl-4-biphenylcarbonyloxy)-1,2,3,4-tetrahydro-2- naphthalenecarboxylate.例文帳に追加

光学活性６−（４’−デシル−４−ビフェニルカルボニルオキシ）−１，２，３，４−テトラヒドロ−２−ナフタレンカルボン酸３−（４−フェニルブトキシ）に代表される光学活性化合物を１〜８０重量％含有する液晶組成物を用いて液晶素子を構成する。 - 特許庁

To compensate degradation etc., in light emission efficiency of an EL (electroluminescence) element by accompanying impression of a reverse bias voltage with a driving-gear for an active driving type light emitting display panel which can impress the reverse bias voltage to the EL element.例文帳に追加

ＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるアクティブ駆動型発光表示パネルの駆動装置において、逆バイアス電圧の印加に伴う前記ＥＬ素子の発光効率の低下等を補償できるようにすること。 - 特許庁

First conductors 106, 107 of a slot line are connected to an input and output terminals 104, 105 of an active element 101, and second conductors 103 of the slot line are connected to a common terminal 102 of the element 101.例文帳に追加

能動素子１０１の入力端子１０４,出力端子１０５にそれぞれスロット線路の第１の導体１０６,１０７を接続し、能動素子１０１の共通端子１０２にそのスロット線路の第２の導体１０３を接続する。 - 特許庁

To form a polysilicon layer of a large crystal particle size in a channel region, related to a thin-film element used as a switching element of an active matrix liquid-crystal display.例文帳に追加

本発明は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイにおけるスイッチング素子として用いられる薄膜素子の製造方法に関し、チャネル領域に結晶粒径の大きなポリシリコン層を形成できる薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active drive type light emitting circuit and display device which can obtain desired luminance irrelevantly to the accumulate charge amount of an organic electroluminescence element at the start of supply of driving current to the organic electroluminescence element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子への駆動電流の供給開始時における有機エレクトロルミネッセンス素子の蓄電電荷量に拘わらず所望の輝度を得ることができるアクティブ駆動方式の発光回路及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing and a structure of semiconductor waveguide element, wherein an optical circuit can be made with high accuracy in the boundary part between a passive waveguide and an active element, and these can be connected very smoothly and continuously.例文帳に追加

パッシブ導波路とアクティブ素子との境界部において光回路を精度良く作製でき、これらを極めて滑らかにかつ連続的に接続できる半導体導波路素子の製造方法及び構造を提供する。 - 特許庁

Thereupon a high active photo-catalyst body is obtained by alternatively laminating a doped layer 1, in which the trivalent element is doped into the titanium oxide, and an undoped layer 2, in which the element is not doped on a substrate 3, by using a spatter method.例文帳に追加

そこで、スパッタ法を用いて基板３上に、酸化チタンに３価の元素をドーピングしたドープ層１と前記元素をドーピングしていない酸化チタンの無ドープ層２とを交互に積層して、高活性な光触媒体とする。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display, a switch element SW1 disposed in a pixel circuit or a sample holding circuit (switch element SW2) set up on an output part of a data line driver 200 are constituted with a CMOS transmission gate.例文帳に追加

アリティブマトリクス型液晶表示装置において、画素回路内に設けられるスイッチ素子ＳＷ１またはデータ線ドライバ２００の出力部に設けられるサンプル・ホールド回路（スイッチ素子ＳＷ２）をＣＭＯＳトランスミッションゲートで構成する。 - 特許庁