「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, by the electrode active material composed of the precise polymerization polyfluorene, electrochemical element having a high operating voltage, a large capacity, and high energy density, can be obtained.例文帳に追加

そのため、精密重合ポリフルオレンから成る電極活物質により、作動電圧が高く、高容量でエネルギー密度が高い電気化学素子が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of emitting light in a green region of a wavelength longer than 450 nm without degrading crystal quality of an active layer.例文帳に追加

活性層の結晶品質を劣化させることなく、４５０ｎｍよりも長波長の緑色域の発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

At least one of the pixel structures includes a scan line, a data line, an active element, a pixel electrode, a readout line, an EMI shield layer, and a detection device.例文帳に追加

画素構造のうち少なくとも１つは、スキャンラインと、データラインと、能動素子と、画素電極と、読み出しラインと、ＥＭＩ遮蔽層と、検出装置とを有する。 - 特許庁

To provide a driving device for active matrix type light emitting panel, capable of effectively applying a reverse bias voltage to each EL element of a light emitting panel.例文帳に追加

発光パネルの各ＥＬ素子に効果的に逆バイアス電圧を印加させることができるアクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置を提供する。 - 特許庁

The active element of the solid-state laser medium 31 is excited when irradiated with excitation light outputted from the excited light sources 32a and 32b.例文帳に追加

固体レーザ媒質３１は、励起光源３２ａ，３２ｂから出力される励起光が照射されると、それに含まれる活性元素が励起される。 - 特許庁

A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加

半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁

To reduce element resistance in a homo-embedding type optical semiconductor device for creating an active layer and an embedding structure by performing the MOVPE selective growth method for two times.例文帳に追加

2回のMOVPE選択成長法をによって活性層と埋め込み構造を作製するホモ埋め込み型光半導体素子において、素子抵抗の低減を図る。 - 特許庁

An n-type MIS transistor Q_1 or p-type MIS transistor Q_2 is formed on an active region separated by the element separation region 2 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域２で分離された活性領域上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1またはｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an active element and an MIM capacitor and having a structure capable of shortening manufacturing processes, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

能動素子とＭＩＭキャパシタを備え、製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor optical element, first, an alignment mark 50 is formed on a laminate L containing an active layer 44 composed of a semiconductor.例文帳に追加

この半導体光素子の製造方法では、まず、半導体から構成される活性層４４を含む積層体Ｌ上にアライメントマーク５０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of a practical double hetero structure having a sufficiently high photo-electric conversion efficiency by incorporating an iron silicide layer as an active layer.例文帳に追加

鉄シリサイド層を活性層として具え、十分に高い光−電気変換効率を有する実用的なダブルへテロ構造の半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type organic electroluminescent element having a structure whereby a production yield is enhanced and high resolution and high opening rate can be obtained.例文帳に追加

本発明においては生産収率が向上した高解像度／高開口率構造のアクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To stably display over a long period of time by preventing an image persistence and aligned state variation of a liquid crystal in an active matrix chiral smectic liquid crystal element.例文帳に追加

アクティブマトリクスタイプのカイラルスメクチック液晶素子において、液晶の焼き付きや配向状態の変化を防止して長期間安定した表示を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic EL device in which cured adhesives 15b will not be arranged, projecting from active surfaces 21 of element substrates 20.例文帳に追加

硬化した接着剤１５ｂが素子基板２０の能動面２１から突出して配置されることのない、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first light-emitting element 20 has an active layer 23, composed of GaInN mixed crystal on the retaining base substance 11 side of a first substrate 21 composed of GaN.例文帳に追加

第１の発光素子２０は、ＧａＮよりなる第１の基板２１の支持基体１１側にＧａＩｎＮ混晶よりなる活性層２３を有している。 - 特許庁

Consequently, a constant current can be supplied to an EL element and an active matrix type EL display device is obtained which has accurate gradation display and high picture quality.例文帳に追加

これにより、ＥＬ素子に一定の電流を流すことができ、正確な階調表示の高画質なアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置が提供される。 - 特許庁

To obtain an electrophotographic electric charge generating element containing a solid electrolyte layer and having improved image discriminating property and layer adhesiveness by forming an undercoat layer not substantially containing a free active group.例文帳に追加

改善された画像識別性及び層接着性を有する固体電解質層を含んでなる電子写真電荷発生要素の提供。 - 特許庁

The element area isolation insulating wall 124 penetrates the active layer 106 and the embedded insulating layer 104 to a p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４は、活性層１０６の表面から埋め込み絶縁層１０４を貫通してｐ型基層１０２に至っている。 - 特許庁

The negative electrode active material furthermore contains iron as the constituent element and the content of iron may be made 0.1-5.9 mass%.例文帳に追加

また、負極活物質層は、構成元素として更に鉄を含み、鉄の含有量は０．１質量％以上５．９質量％以下であってもよい。 - 特許庁

To provide an active matrix display element having excellent charge retention characteristics with a stable and high speed operation, which is manufactured at a low cost with a simple manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスが簡単で安価に製造でき、安定した高速動作特性が良好な電荷保持特性を備えたアクティブマトリクス表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide an active RFID (Radio Frequency Identification) tag permanently operating by use of faint electromotive force of a thermoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明は、熱電変換素子の微弱な起電力を利用して永続的に動作することのできるアクティブＲＦＩＤタグを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix liquid crystal display element in which the defective dielectric strength of a TFT is solved and defective crosstalk can be reduced.例文帳に追加

ＴＦＴの絶縁耐性不良を解消し、クロストーク不良を低減できるアクティブマトリクス型液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As an element of pressing of a measurement site by a cuff 2 pressing the measurement site, an electro-active polymer 31 expanding and contracting by change in voltage is provided.例文帳に追加

測定部位を圧迫するカフ２が測定部位を圧迫する要素として、電圧変化によって伸縮する電気活性ポリマ３１を有する。 - 特許庁

Further, a heavily doped layer 21 whose thickness is about 60% of the substrate thickness is formed between the element active area 13a and the bottom surface of the substrate.例文帳に追加

また、基板厚みの60％程度の厚みを有する高濃度不純物含有層２１を素子活性領域１３ａと基板底面との間に有する。 - 特許庁

To suppress a leakage current leaked from an accumulated capacity part and to reduce the whole size of a pixel driving switching element in an active matrix liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリックス液晶表示装置において、蓄積容量部からのリーク電流を抑制し、かつ画素駆動用スイッチング素子全体のサイズを小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having improved heat dissipation of an active element including a nitride semiconductor, mounted on a silicon substrate, and having excellent electrical characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上に搭載した窒化物半導体を含む能動素子の放熱性を改善し、電気的特性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes the photoelectric conversion part 13 having an N-type charge storage layer 55 formed on a P-type semiconductor 52, and an active region R1'.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型の半導体５２にＮ型の電荷蓄積層５５が形成された光電変換部１３と、アクティブ領域Ｒ１’とを備える。 - 特許庁

The positive active material coated with carbon for the nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of metal fluoride represented by general formula MF_3 (M shows a metal element).例文帳に追加

炭素でコートされた一般式ＭＦ_３で表されるフッ化金属（Ｍは金属元素を示す）から成る非水電解質二次電池用正極活物質。 - 特許庁

To improve a displacement amount of a part corresponding to an active part of a piezoelectric element and to lower a resistance of a wiring part of an upper electrode at an inkjet head.例文帳に追加

インクジェットヘッドにおいて、圧電素子の能動部に対応する部分の変位量を向上させるとともに上部電極の配線部の抵抗を下げる。 - 特許庁

The signal conductors 16 and 17 of the coplanar line are connected to signal conductors 19 and 20 of a microstrip line by a connecting part 18 away from the active element 11.例文帳に追加

コプレーナ線路の信号導体１６,１７は、能動素子１１から離れた接続部１８でマイクロストリップ線路の信号導体１９,２０に接続する。 - 特許庁

To reduce the difference between an oscillation wavelength and a gain peak wavelength in a DFB laser element where a grating is provided between an active layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。 - 特許庁

Specifically, when the signal strength is a usual level, the band changeover device 13 activates the active element to select the 1st BPF of which operating frequency is a pass band.例文帳に追加

具体的には、信号強度が通常時のレベルのときは能動素子をオン状態にして使用周波数を通過帯域とする第１ＢＰＦを選定する。 - 特許庁

To provide an organic EL element that is capable of constructing an active-matrix by itself without requiring an expensive TFT substrate and also does not require complex add-on parts.例文帳に追加

高価なＴＦＴ基板を必要とせず、また複雑な外付部品を必要としない自身でアクティブマトリクスを構成可能な有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a small-sized laser module or optical transmitter/receiver at a low cost, which directly detects the temperature of an element active layer part, without using specialized temperature detecting components.例文帳に追加

特定の温度検知部品を使用せずに素子活性層部の温度を直接検知して、小型で低コストなレーザモジュールや光送受信器を提供すること。 - 特許庁

To enhance the reliability of an infrared semiconductor laser element having a clad layer composed of a material containing phosphorus, and an active layer not containing phosphorus but containing arsenic.例文帳に追加

リンを含む材料よりなるクラッド層と、ヒ素を含む一方、リンを含まない活性層とを有する赤外半導体レーザ素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing 1,3-propanediol by hydrogenation of 3-hydroxypropionaldehyde where solubilization of a catalytically active element is suppressed.例文帳に追加

３−ヒドロキシプロピオンアルデヒドの水素化による１，３−プロパンジオールの製造方法において、触媒活性元素の可溶化を抑制した製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises an active layer which includes a well layer not doped with a dopant, and first and second barrier layers.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は活性層を含み、該活性層はドーパントがドーピングされない井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層とを含む。 - 特許庁

In this battery element, quinoxaline or trimer compound of a quinoxaline derivative, which contains less impurities compared to polyquinoxaline, is used as the electrode active material.例文帳に追加

電極活物質としてポリキノキサリンに比べて含有する不純物量の少ないキノキサリンまたはキノキサリン誘導体の三量体化合物を使用する。 - 特許庁

A rare gas is allowed to react with an active halogen element as a rare gas halogen compound, and the rare gas halogen compound is captured by an adsorption material, thus recovering the rare gas.例文帳に追加

希ガスを活性なハロゲン元素と反応させて希ガスハロゲン化合物とし、この希ガスハロゲン化合物を吸着材で捕集し、希ガスを回収する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a silicon substrate having the line-state patterns which become the active areas separated by the wiring between elements, the gate electrode or the trench element.例文帳に追加

半導体装置は、素子間配線・ゲート電極もしくはトレンチ素子によって分離された活性領域となるライン状パターンを有するシリコン基板を含む。 - 特許庁

The control circuit includes a controller 108 which selectively makes the switching element 106 active in order to selectively switch off the first LED 102A.例文帳に追加

制御回路は、第１ＬＥＤ１０２Ａを選択的に消灯させるために、スイッチング素子１０６を選択的にアクティブにさせるコントローラ１０８を含む。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor optical element for effectively suppressing the diffusion of Zn to an active layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

活性層へのＺｎの拡散が効果的に抑制されると共に信頼性が高い半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR WITH SOURCE/DRAIN ELECTRODE IN TWO- LAYERED STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ACTIVE PLANE DISPLAY ELEMENT USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

２層構造のソース／ドレーン電極を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法とこれを用いた能動型平板表示素子及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 has a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, a potential control layer 2, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２と、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁

After a dummy gate electrode is formed on the active element part of a silicon substrate 11, a TEOS film 22 is deposited on the entire surface and then the surface is planarized.例文帳に追加

たとえば、シリコン基板１１の能動素子部上にダミーのゲート電極を形成した後、全面に、ＴＥＯＳ膜２２を堆積し、その表面を平坦化する。 - 特許庁