「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

When the film 24 is formed on the light emitting edge 22 side and successively cooled to a room temperature, a compressive (+) strain is formed in the active layer 16 near the edge 22 and the band gap energy of the active layer 16 near the edge 22 increases and becomes larger than that of the active layer 16 inside the laser element 10.例文帳に追加

出射端面に低線膨張膜２４を成膜し、次いで室温まで放冷すると、出射端面近傍の活性層に圧縮（＋）歪が生じ、出射端面近傍の活性層のバンドギャップ・エネルギーが増大して、レーザ内部の活性層のバンドギャップ・エネルギーより大きくなる。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is provided with an active electrode 5 which consists of a transparent film 1 and an optical transparency conductive layer 2, a counterelectrode 4 which is arranged so as to make a pair with the active electrode 5, and a solid layer 3 which is sandwiched between the active electrode 5 and the counterelectrode 4 and consists of a polymer bipolar membrane.例文帳に追加

光電変換素子は、透明膜１と光透過性導電層２とから成る作用電極５と、作用電極５と対を成すように設けられた対極４と、作用電極５及び対極４間に挟持された高分子複合膜から成る固体層３とを有している。 - 特許庁

A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面ＳにＬＯＣＯＳからなる素子分離層として、活性領域を区画する第１の絶縁分離膜５ａと、この第１の絶縁分離膜５ａよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第１の活性領域６と第２の活性領域７とに分離する第２の絶縁分離膜５ｂを形成する。 - 特許庁

The electrode for electrochemical element includes a collector and an active material layer containing an electrode active material and a binder, wherein the active material layer is formed on at least one surface of the collector and an anti-acid material layer containing an anti-acid material is provided between the collector and the active material layer.例文帳に追加

集電体と、電極活物質及び結着剤を含有する活物質層とを有する電気化学素子用電極であって、前記集電体の少なくとも一方の面に前記活物質層が形成され、かつ前記集電体と前記活物質層との間に制酸材を含有する制酸材層を有することを特徴とする電気化学素子用電極。 - 特許庁

To provide a semiconductor device superior in performance and reliability, wherein a silicon film crystallized by the use of a catalytic element is used as the active region of the semiconductor device, and the catalytic element left in the crystallized element region can be sufficiently reduced.例文帳に追加

触媒元素を用いて結晶化させたケイ素膜を半導体装置の活性領域として利用し、結晶化後の素子領域内の触媒元素を十分に低減でき、高性能で高信頼性の半導体装置を提供する - 特許庁

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed.例文帳に追加

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。 - 特許庁

On the basis of active node information, which is extracted in the Pre-layout simulation of S1, a parasitic element is extracted from the layout pattern data and a net list with parasitic element which contains all the device in the layout pattern data and extracted parasitic element information, is generated (S3).例文帳に追加

Ｓ１のPre-layoutシミュレーション時に抽出されたアクティブノード情報に基づいて、レイアウトパターンデータより寄生素子が抽出され、レイアウトパターンデータのすべてのデバイスと抽出された寄生素子情報を含んだ寄生素子付ネットリストが生成される（Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and a method of forming the element, in which an area for an active region in a semiconductor substrate is easily assured, a resistance of a stored electrode contact is reduced, and a line width of the semiconductor element is also efficiently reduced.例文帳に追加

半導体基板で活性領域の面積の確保が容易であり、格納電極コンタクトの抵抗を減少させることができ、半導体素子の線幅を効果的に減少させることができる半導体素子及びその形成方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with the semiconductor element 10 and through electrodes 12 which pass through the semiconductor element 10 and project to an active face 10A-side where an integrated circuit of the semiconductor element 10 is formed and to a rear face 10B-side.例文帳に追加

半導体素子１０と、この半導体素子１０を貫通し、半導体素子１０の集積回路が形成された能動面１０Ａ側、及びその裏面１０Ｂ側に突出する貫通電極１２と、を備えた半導体装置１である。 - 特許庁

To provide an electrostatic protection element exhibiting excellent electrostatic breakdown voltage in which rising voltage is designed freely while reducing the size, and also to provide a semiconductor device in which the electrostatic protection element and an active element, e.g. an HEMT, are provided on the same substrate.例文帳に追加

小型化が可能で、立ち上がり電圧を自由に設計でき、かつ静電耐圧に優れた静電保護素子を提供するとともに、この静電保護素子とＨＥＭＴなどの能動素子とを同一基板上に設けた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with the semiconductor element 10 and through electrodes 12 which pass through the semiconductor element 10 and project to an active face 10A-side where an integrated circuit of the semiconductor element 10 is formed and to a rear face 10B-side.例文帳に追加

半導体素子１０と、この半導体素子１０を貫通し、この半導体素子１０の集積回路が形成された能動面１０Ａ側、及びその裏面１０Ｂ側に突出した貫通電極１２と、を備えた半導体装置１である。 - 特許庁

To prevent the damage of the element-side electrode of an active element under a pixel electrode due to the formation of the pixel electrode in a liquid crystal device having a structure in which the pixel electrode is formed using an aluminum alloy on the element-side electrode.例文帳に追加

アクティブ素子の素子側電極の上にアルミニウム合金によって画素電極を形成する構造の液晶装置に関して、画素電極の形成に起因してその下地層である素子側電極が損傷するのを防止できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: a semiconductor substrate; an element region of a memory cell provided on the semiconductor substrate; and an active region and an element isolation region formed in a line-and-space pattern in the element region of the memory cell.例文帳に追加

本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。 - 特許庁

A laser beam generated at an active layer 104 is incident to the aperture 12 without p-polarization because the end face 104a of the active layer 104 of the optical element is oriented almost at a right angle relative to the opposite direction.例文帳に追加

開口１２は、光学素子の活性層１０４の端面１０４ａが対向する方向に対して略直角の方向を向くので、活性層１０４で生成するレーザ光がｐ偏光をなして入射する。 - 特許庁

The optical semiconductor element B comprises an n-type Zn_1-zMg_zO (barrier layer) 11/Zn_1-xMg_xO (active layer) 15/p-type Zn_1-yMg_yO (barrier layer) 17, and has a structure for emitting light from the active layer 15.例文帳に追加

光半導体素子Ｂは、ｎ型Ｚｎ_１−ｚＭｇ_ｚＯ（バリア層）１１/Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（活性層）１５/ｐ型Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ（バリア層）１７からなり、活性層１５から発光する構造である。 - 特許庁

The distance d_1 between the photonic crystal layer 7 and the active layer 5 is specified to a degree to introduce 3% or more of the light within the element among the light emitted from the active layer 5 into the photonic crystal layer 7.例文帳に追加

活性層５から出た光のうち素子の内部に存在する光の３％以上をフォトニック結晶層７に導入できる程度に、フォトニック結晶層７と活性層５との距離ｄ_1が規定されている。 - 特許庁

A gate electrode 9a of the MISFET (Q1)is formed on a substrate 1 of an active region L whose periphery is regulated by an element isolating trench 2 and stretches from one end to the other end of the active region L intersecting it.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑ_1）のゲート電極９ａは、素子分離溝２によって周囲を規定されたアクティブ領域Ｌの基板１上に形成され、アクティブ領域Ｌを横切ってその一端から他端に延在している。 - 特許庁

Of the light made incident from the side of the element substrate 10, the light toward the active layer of the pixel transistor 30 is interrupted by a light shielding layer 7a, and thus strong light is not made incident on the active layer of the pixel transistor 30.例文帳に追加

素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう光は遮光層７ａで遮られるので、画素トランジスター３０の能動層に強い光が入射することはない。 - 特許庁

The power generation element is formed by laminating, via an electrolyte layer 25, a bipolar electrode 21 having: a positive electrode active material layer 23 formed on one surface of a current collector; and a negative electrode active material layer 24 formed on the other surface thereof.例文帳に追加

発電要素は、集電体の一方の面に正極活物質層２３が形成され、他方の面に負極活物質層２４が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層される。 - 特許庁

The gate electrode 9a of an MISFET (Q_1) is formed on the substrate 1 of an active region L, whose circumference is specified by an element isolation groove 2, and extending from one end to the other across the active region L.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑ_１）のゲート電極９ａは、素子分離溝２によって周囲を規定されたアクティブ領域Ｌの基板１上に形成され、アクティブ領域Ｌを横切ってその一端から他端に延在している。 - 特許庁

In this active matrix driving liquid crystal display device, signals are supplied to the pixel electrodes by bringing the active element into on-state two or more times at least during one field that is a one-image display time on the whole screen.例文帳に追加

このアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置において、画面全体の１画像の表示時間である１フィールド中にアクティブ素子を少なくとも２回以上オン状態にして画素電極に信号を供給する。 - 特許庁

To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer.例文帳に追加

ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor module which can suppress the distortion and the deformation of an active layer to be minimum when an active layer-side on the opposite side of the substrate of a semiconductor laser element is fixed to the other substrate by solder.例文帳に追加

半導体レーザ素子の基板と反対側の活性層側を他の基板にハンダで固定した場合に、活性層の歪みや変形を最小限に抑えることのできる光半導体モジュールを得ること。 - 特許庁

An element isolation insulating film 2 partitioning an active area is formed on a semiconductor substrate 1, and a gate electrode 5 is formed on the semiconductor substrate 1 in an active area by means of a gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１には、活性領域を区画する素子分離絶縁膜２が形成されており、活性領域における半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor element array includes a plurality of access transistors having an active region 1 as a pair of source and drain regions and a gate electrode 2 formed on the active region 1 as a word line.例文帳に追加

半導体素子アレイは、一対のソース領域及びドレイン領域となる活性領域１と、活性領域１上に形成され且つワードラインとなるゲート電極２とから構成される複数のアクセストランジスタを有している。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element including at least a pair of electrode and an active layer, the active layer contains a polymer compound represented by general formula (I), and a fullerene compound.例文帳に追加

少なくとも一対の電極と活性層とを含む光電変換素子であって、前記活性層が、下記一般式（Ｉ）で表される高分子化合物と、フラーレン化合物とを含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

To enable to restrain formation of pits in a quantum well active layer of a group III nitride semiconductor light emitting element and improve injection efficiency of electrons and holes in the quantum well active layer.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 117 includes a substrate 100, an active layer 104 formed on the substrate 100, other layers 117a formed on the active layer 104, and an electrode formed on the other layers 117a.例文帳に追加

半導体レーザ素子１１７は、基板１００と、基板１００上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成された他の層１１７ａと、他の層１１７ａ上に形成された電極とを含む。 - 特許庁

The flexible element includes a first flexible substrate 110 made of a flexible substance, an active element 120 which is produced to a predetermined thickness, having flexibility and is mounted on the first flexible substrate 110, and a second flexible substrate 140 which is made of a flexible substance, having flexibility and is vapor deposited on the active element 120.例文帳に追加

柔軟素子は、柔軟な物質から製造され柔軟性を有する第１柔軟基板１１０と、所定の厚さで製造され柔軟性を有し、第１柔軟基板１１０上に取り付けられる能動素子１２０と、柔軟な物質から製造され柔軟性を有し、能動素子１２０上に蒸着される第２柔軟基板１４０とを含む。 - 特許庁

The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明による表示装置は、主面と主面に対向する裏面とを有する基板と、基板の主面上に設けられた配線群およびアクティブ素子と、樹脂材料から形成され、配線群およびアクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation region 12 formed in a semiconductor substrate 10 and an active region 11 surrounded by the element isolation region 12, the fully silicided gate interconnection 19 formed on the element isolation region 12 and on the active region 11, and an insulating side wall 21 which continuously covers the side face of the gate interconnection 19.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された素子分離領域１２及び素子分離領域１２に囲まれた活性領域１１と、素子分離領域１２及び活性領域１１の上に形成され、フルシリサイド化されたゲート配線１９と、ゲート配線１９の側面を連続的に覆う絶縁性のサイドウォール２１とを備えている。 - 特許庁

After an element isolated region 2, a sacrificial oxide film 3 and an oxide-resistance film 4 are formed on a surface of a semiconductor substrate 1, a resist 7 containing an opening is formed in a first element active region.例文帳に追加

半導体基板１の表面に素子分離領域２、犠牲酸化膜３及び耐酸化膜４を形成した後、第１の素子活性領域に開口部を備えたレジスト７を形成する。 - 特許庁

The moving member comprises at least one optically active element, which is preferably a lens, and the element generates an image of a gas discharge, which is moved away from an actual position of the discharge.例文帳に追加

この移動部材は、少なくとも１つの光学活性素子、好適にはレンズを具えて、この素子がガス放電の像を生成して、この像は放電の実際の位置から離れた所に移動している。 - 特許庁

A display device is an active matrix form, includes a light emitting element of a current drive type for each pixel arranged in the matrix state, and performs display by controlling a current of this light emitting element by a drive TFT.例文帳に追加

表示装置は、アクティブマトリクス形式であり、マトリクス状に配置された画素毎に電流駆動型の発光素子を備え、この発光素子の電流を駆動ＴＦＴで制御して表示を行う。 - 特許庁

To provide a board structure for testing a connection state of each device and a method for testing thereof, in an embedded circuit board in which an active element and a passive element are mounted inside the board.例文帳に追加

能動素子及び受動素子が基板の内部に実装された埋め込み回路基板において、夫々の素子の連結状態をテストするための基板構造及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

By impregnating an electrolyte 13 into an element 2 in the cooled condition of the element 2, the heat of wetting is cooled as generated at the electrolyte 13 and between the electrolyte 13 and a positive and negative pole active substances.例文帳に追加

素子２を冷却した状態で、素子２に電解液１３を含浸させることにより、電解液１３、および電解液１３と正負極活物質間で発生する湿潤熱が冷却される。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate capable of suitably forming a thick insulating film around an organic semiconductor film of a thin film light-emitting element without injuring the thin film light-emitting element.例文帳に追加

薄膜発光素子を損傷することなく、当該薄膜発光素子の有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を好適に形成することのできるアクティブマトリクス基板を提供することにある。 - 特許庁

To provide an active element in which carriers are improved in mobility and an OFF-state current is reduced, to provide an EL display device equipped with the same, and to provide a liquid crystal display device and an operation element at low cost.例文帳に追加

キャリアの移動度を向上させると共にＯＦＦ時の電流を小さくした能動素子並びにそれを有するＥＬ表示素子、液晶表示素子及び演算素子を低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a switching power unit that can easily optimize timing setting for turning on/off a main switching element and a clamping element, and has an active clamping system capable of easily increasing power supply efficiency.例文帳に追加

主スイッチング素子とクランプ素子のオン・オフのタイミング設定を容易に適正化することができ、電源効率も容易に向上させることが可能なアクティブクランプ方式のスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

A transistor having an oxide semiconductor film used as an active layer is provided for each of memory cells of a memory device as a switching element for holding an electric charge accumulated in the transistor functioning as a memory element.例文帳に追加

記憶素子として機能するトランジスタに蓄積された電荷を保持するためのスイッチング素子として、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタを、記憶装置の各メモリセルに設ける。 - 特許庁

A semiconductor chip 4 is mounted with a passive circuit element and an active element with little calorific value, on the above wiring of wiring of a multilevel wiring board 2 in which wiring 6 is formed in a front surface.例文帳に追加

受動回路素子および発熱量の少ない能動素子が搭載された半導体チップ４を、表面に配線６が形成された多層配線基板２の配線の前記配線上に実装した。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板２上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域１６が形成され、トレンチ素子分離領域１６に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

For a separate type active infrared sensor, a frost detecting element 13 which photodetects reflected light when the light from a light projecting element 12 is reflected by frost F is put in a light projector 1.例文帳に追加

分離タイプの能動型赤外線センサに対し、投光器１に、投光素子１２からの投光が霜Ｆによって反射された際の反射光を受光する霜検知素子１３を収容する。 - 特許庁

For example, a rare gas element in an excitation state being generated by mixing a gas containing fluorine with the rare gas for discharge excitation is allowed to react with the active fluorine element, thus obtaining the rare gas fluorine compound.例文帳に追加

例えば、フッ素含有ガスを希ガスとを混合させ放電励起することによって生成する励起状態の希ガス元素と活性なフッ素元素とを反応させて希ガスフッ素化合物を得る。 - 特許庁