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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > active elementの意味・解説 > active elementに関連した英語例文

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active elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2766



例文

The active layer 17 includes an epitaxial semiconductor layer 19 comprising a group III nitride semiconductor containing indium as a group III element.例文帳に追加

活性層17の半導体エピタキシャル層19は、III族構成元素としてインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device capable of protecting a thin film light-emitting element from moisture or the like by simple structure.例文帳に追加

簡単な構造で薄膜発光素子を水分等から保護することのできるアクティブマトリクス型表示装置を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide film 13 containing a nitrogen element is formed on an active area 12 of a silicon substrate 10 in a pretreatment step.例文帳に追加

前処理工程で、シリコン基板10の能動領域12上に窒素成分を含むシリコン酸化膜13が形成される。 - 特許庁

Concave grooves 1b positioned on both sides of the active layer 13 and the ridge structure 1a are formed in the semiconductor laser element 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子1は活性層13及びリッジ構造部1aの両側に位置する凹溝部1bが形成されている。 - 特許庁

例文

Then processing the switching active element protection film by dry etching using patterned etching resist 10 forms a contact part 6.例文帳に追加

その後、パターニングされたエッチングレジスト10を用いてスイッチング能動素子保護膜7をドライエッチングしコンタクト部位6を形成する。 - 特許庁


例文

An element separation insulating film 1 and a P-type active region 2 regulated by the film are formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板10上に素子分離絶縁膜1および、それによって規定されるP型の活性領域2を形成する。 - 特許庁

A group III-V compound semiconductor layer 27 of the laminate region 21 is formed at an active layer of the semiconductor optical element.例文帳に追加

積層領域21のIII−V化合物半導体層27は、当該半導体光素子の活性層のために形成される。 - 特許庁

The first gas and second gas are catalytically decomposed by a heating element 3 composed of a tungsten wire to form active species 11 and 12.例文帳に追加

第1および第2ガスは、タングステン線から成る発熱体3によって接触分解して活性種11,12を生成する。 - 特許庁

To provide a transistor having a stress-producing dielectric element which underlies the entire undersurface of an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の下全面に存在し、応力を発生する誘電体エレメントを有する半導体を作成すること。 - 特許庁

例文

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第1半導体層と、活性層と、第2半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

例文

To achieve low distortion in a plurality of frequency bands without newly using an active element in a multiband amplifier.例文帳に追加

マルチバンド対応増幅器において、新たに能動素子を用いることなく、複数の周波数帯について低歪化を実現する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element composed of a semiconductor layer 2 containing an active layer 1, an AlF3 film 4 is formed on a light outputting surface 3.例文帳に追加

活性層1を含む半導体層2からなる半導体レーザ素子において、光出射面3にAlF_3膜4を形成する。 - 特許庁

Then, conductive patterns such as gate electrodes, etc., are formed on active regions isolated from each other by the trench element isolation regions 6.例文帳に追加

その後、トレンチ素子分離領域6により分離された活性領域にゲート電極などの導電性パターンを形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix type chiral smectic liquid crystal element improved in afterimage, deterioration in alignment with time, burning, etc.例文帳に追加

残像や経時的な配向の劣化、焼き付き等の改善されたアクティブマトリクスタイプのカイラルスメクチック液晶素子を構成する。 - 特許庁

Pixel electrodes 142 are formed to overlap with the active element layer P and supplied with electric potential corresponding to the gradation data D.例文帳に追加

画素電極142は、能動素子層Pに重なるように形成されて階調データDに応じた電位が供給される。 - 特許庁

ANION DEFICIT NON-STOICHIOMETRIC LITHIUM IRON PHOSPHATE FOR ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROCHEMICAL ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

電極活物質であるアニオン不足型非化学量論リン酸鉄リチウム、その製造方法、及びそれを利用した電気化学素子 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 12, the active layer and the p-type semiconductor layer 13 form a semiconductor layer for the protection element.例文帳に追加

n型半導体層12、活性層及びp型半導体層13により保護素子用の半導体層が形成される。 - 特許庁

The counter electrode has a common electrode layer and the liquid crystal layer is arranged between the active element array substrate and the counter substrate.例文帳に追加

対向基板は、共通電極層を有しており、液晶層は能動素子基板と対向基板との間に配置されている。 - 特許庁

A first semiconductor laser element having a first semiconductor laminate including a first active layer is arranged on the first portion.例文帳に追加

第1活性層を含む第1半導体積層体を有する第1の半導体レーザ素子が第1部分上に配置される。 - 特許庁

To provide an electrode active material which can provide an electrochemical element having a high operating voltage, large capacity, and high energy density.例文帳に追加

作動電圧が高く、高容量でエネルギー密度が高い電気化学素子を与えることができる電極活物質を提供する。 - 特許庁

Therefore, the electrochemical element having high capacity and high energy density can be obtained by using this electrode active material.例文帳に追加

そのため、本発明の電極活物質を用いることにより高容量でエネルギー密度が高い電気化学素子が得られる。 - 特許庁

Lets use the array defined above as menu structure assuming that element 'Menu item 1.2' is currently active and try each menu type. 例文帳に追加

先ほど定義した配列のメニュー構造では、'Menu item 1.2' が現在アクティブであるものとし、それぞれのメニュー型を試していきます。 - PEAR

A content of the second constituent element in the anode active material is 9.8% or more and 49% or less by mass.例文帳に追加

負極活物質における第2の構成元素の含有量は9.8質量%以上49質量%以下である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be manufactured by less number of processes regardless of the thickness of an active element mounted on a substrate.例文帳に追加

基板上に搭載した能動素子の厚さに係らず、少ない工程数で製造が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 which has a principal plane 1a and has an active element region 101 where a semiconductor element is formed and a cut region 102 extended around the active element region 101, both of which are defined on the principal plane 1a; and an interlayer insulating film 2 formed on the principal plane 1a.例文帳に追加

半導体装置は、主表面1aを有し、主表面1a上に、半導体素子が形成された能動素子領域101と、能動素子領域101の周りに延在する切断領域102とが規定されたシリコン基板1と、主表面1a上に形成された層間絶縁膜2とを備える。 - 特許庁

An active region 1 for construction of the MIS transistor and an element isolation region 2 surrounding the active region 1 are formed on a surface region of a silicon semiconductor substrate taking crystal plane (100) as a principal surface.例文帳に追加

(100)結晶面を主面とするシリコン半導体基板の表面領域に、MISトランジスタを構成するための活性領域1と、活性領域1を囲む素子分離領域2とが形成されている。 - 特許庁

To suppress influence to an active layer caused by distortion introduced on the occasion of regrowth, in a gallium nitride system semiconductor laser element having a structure in which the active layer is arranged on a refractive index distribution layer.例文帳に追加

屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。 - 特許庁

The active matrix substrate has drain leading-out wiring of an active element and a holding capacity upper electrode connected to each other, and the drain leading-out wiring has two or more paths.例文帳に追加

アクティブ素子のドレイン引出し配線と保持容量上電極とが接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記ドレイン引出し配線は、2以上の経路を有するものであるアクティブマトリクス基板である。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which can keep barrier effect for overflow of electron from an active layer and reduce barrier working on flow-in of hole to the active layer.例文帳に追加

活性層からの電子のオーバーフローに対するバリア効果を維持しつつ、活性層に対する正孔の流入に対するバリアを低減することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The surface of the alumina particle 4 contains Zn element, thus preventing the catalytically active components1 from sintering with each other when the catalytically active components 1 leave the cocatalyst particles 2 and move onto the surface of the alumina particles 4.例文帳に追加

これにより、触媒活性成分1が助触媒成分2から離れてアルミナ粒子4の表面上へ移動して、触媒活性成分1同士がシンタリングすることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element with improved uniformity in intensity distribution of a near-field image so as to uniformly inject current to an active layer and to uniformize emission with respect to the active layer.例文帳に追加

活性層に対して均一に電流が注入されるようにして、活性層からの発光を均一にし、近視野像の強度分布の均一性が向上した半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a sapphire substrate 1 having a c-face as a major surface, a light emitting active layer 6 formed on the sapphire substrate 1, and a reflective layer for reflecting light from the active layer 6.例文帳に追加

半導体発光素子は、c面を主面とするサファイア基板1と、サファイア基板1の上に形成され、発光する活性層6と、活性層6からの光を反射する反射層とを有する。 - 特許庁

An embedded dielectric stressor element has an upper surface extending horizontally at a first depth below the main surface of a part of the active semiconductor region, such as an east edge portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

埋込み誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の東部部分のような、該活性半導体領域の一部の主面より下方の第1の深さで水平方向に延びる上面を有する。 - 特許庁

The lithium-ion secondary battery has a power generating element including at least one unit cell layer in which a positive electrode active material layer, an electrolyte layer, and a negative electrode active material layer are sequentially layered.例文帳に追加

、本発明のリチウムイオン二次電池は、正極活物質層と、電解質層と、負極活物質層と、が順次積層されてなる少なくとも1つの単電池層を含む発電要素を有する。 - 特許庁

A negative active material is manufactured by a manufacturing method by a halogenation process which mixes and treats a material for a negative active material and an inorganic compound containing a halogen element.例文帳に追加

負極活物質について、負極活物質材料とハロゲン元素を含有する無機化合物とを混合して処理するハロゲン化工程を備える製造方法にて製造することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electrochemical element which can improve the reliability of the electrochemical element by using a carbonaceous material which has a large electrostatic capacity as an active material.例文帳に追加

活物質としての炭素質材料の静電容量が大きく、電気化学素子の信頼性が向上するような電気化学素子用電極の製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can suppress reduction in element characteristics caused by an increase in the dislocation of an active region while suppressing cracking in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層にクラックが発生するのを抑制しながら、能動領域の転位の増加に起因する素子特性の低下を抑制することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

Ozone or active oxygen is used for constituting the oxygen element-containing atmosphere, and nitrogen, helium, neon, argon, krypton or xenon is used for constituting the inert element-containing atmosphere.例文帳に追加

なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。 - 特許庁

A power-supply voltage supplied to a circuit constituting an integrated circuit is controlled with a switching element, by using, as the switching element, a transistor having an oxide semiconductor as an active layer.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層として有するトランジスタをスイッチング素子として用い、該スイッチング素子で、集積回路を構成する回路への電源電圧の供給を制御する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide-integrated semiconductor optical element capable of reducing leakage currents from an optically active element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

この発明は、光能動素子のリーク電流を少なく抑えることができる光導波路集積型半導体光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To surely control conduction and non-conduction states of a semiconductor device including a memory cell storing data in a floating body, without provision of an active element serving as a trigger element.例文帳に追加

フローティングボディにデータを記憶するメモリセルを備えた半導体装置において、トリガ素子となる能動素子を設けなくともメモリセルの導通、非導通状態を確実に制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element and a nitride semiconductor light-emitting element that can suppress deterioration in the crystallinity of an active layer and have large current density and high luminous efficiency.例文帳に追加

活性層の結晶性の悪化を抑制することができ、大電流密度で発光効率の高い半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Otherwise the border side of the insulating gate field effect transistor in channel direction among the border sides between the element active region and the channel element isolation region is coated with the gate electrode.例文帳に追加

あるいは、素子活性領域と溝素子分離領域との境界辺のうち絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル方向の境界辺が上記ゲート電極で被覆されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite particles for electrochemical element which is superior in roll formation, and by which the active material layer of an electrochemical element electrode can be manufactured at high formation speed.例文帳に追加

ロール成形性に優れ、電気化学素子電極の活物質層を高い成形速度で製造することが可能な電気化学素子電極用複合粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase the emission intensity of a nitride-based compound semiconductor light-emitting element, provided with an AlGaN protective layer on an InGaN quantum well active layer, and at the same time, to improve the in-plane uniformity of the element.例文帳に追加

InGaN量子井戸活性層上にAlGaN保護層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、発光強度を増加し、面内均一性を向上する。 - 特許庁

Since the current-voltage characteristics vary according to a temperature of the element active layer part, element temperature is detected, by reading a voltage value when a certain fixed current is injected.例文帳に追加

電流−電圧特性は素子活性層部の温度によって変動するため、ある一定電流を注入したときの電圧値を読み取ることによって素子温度を検知する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element capable of ensuring the heat dissipation of a ridge and suppressing compressive strain occurring in an active layer right under the ridge, and a method for manufacturing the laser element.例文帳に追加

リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor element, in which the absorption of visible light of a semiconductor active layer is prevented and a thin film transistor and a light-emitting element are formed easily.例文帳に追加

半導体活性層の可視光の吸収を防止することができるとともに、薄膜トランジスタと発光素子とを容易に形成することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁




  
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