「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The display device includes the active type semipermeable element 200, whose transmittance and reflectivity to light are electrically controlled, and a display panel 300 for forming an image by modulating the light reflected and/or transmitted by the active type semipermeable element 200.例文帳に追加

光に対する透過率及び反射率が電気的に制御される能動型半透過素子２００と、能動型半透過素子２００によって反射及び／または透過された光を変調して画像を形成するディスプレイパネル３００とを含むディスプレイ装置である。 - 特許庁

The semiconductor device packaged to include a semiconductor has a structure in which a mesh-like conductive layer 16m is formed on the semiconductor substrate 10 having an active element formed thereon, and a semiconductor chip 19 having an active element formed thereon is mounted on its upper layer.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子が形成された半導体基板１０上にメッシュ状導電層１６ｍが形成されており、その上層に、能動素子が形成された半導体チップ１９がマウントされた構成とする。 - 特許庁

The TEG pattern includes a plurality of element isolation film patterns 123 with a predetermined space between; an active region pattern 125 formed between these element isolation film patterns 123; and a metal 1 contact pattern 127 formed in the active region pattern 125.例文帳に追加

テグパターンは、所定の間隔を置いて複数で形成される素子分離膜パターン１２３と、該素子分離膜パターン１２３の間に形成されたアクティブ領域パターン１２５と、及びアクティブ領域パターン１２５内に形成されたメタル１コンタクトパターン１２７とを含む。 - 特許庁

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＰＴｒの活性領域１１の側方を囲むトレンチ型素子分離１２と、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタＮＴｒの活性領域２１の側方を囲むトレンチ型素子分離２２との膜質を異なるものとする。 - 特許庁

The surface of an active region L surrounded with an element isolation groove 2 on a substrate is flat and horizontal at the center of the region L, but the shoulder of the active region is a slope that declines downward to the side wall of the element isolation groove 2.例文帳に追加

素子分離溝２に囲まれた活性領域Ｌの基板１の表面は、活性領域Ｌの中央部では平坦な水平面となっているが、活性領域Ｌの肩部では、素子分離溝２の側壁に向かって下降する傾斜面となっている。 - 特許庁

This semiconductor element includes an element separating film which is arranged in a prescribed area of a first-conductivity substrate and limits an active region, a second-conductivity impurity diffusing layer formed on the surface of the active region, and a silicide layer covering the impurity diffusing layer.例文帳に追加

この素子は、第１導電型基板の所定の領域に配置され、活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域の表面に形成された第２導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層を覆うシリサイド層とを含む。 - 特許庁

To provide a method of enhancing dissolving efficiency at the time of putting a negative electrode active material or a negative electrode active material principal composition recovered from a used nickel-hydrogen battery into the molten alloy of a negative electrode active material constituent element and heat-dissolving the same.例文帳に追加

廃ニッケル水素電池から回収された負極活物質或いは負極活物質主体組成物を、負極活物質構成元素の合金溶湯に投入して加熱溶解させる際に溶解効率を高めることができる方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic electroluminescent element that has a low drive voltage, and capable of suppressing a rise in voltage during driving and suppressing a decrease in the endurance of the element caused by active gaseous species, and to provide an organic electroluminescent element.例文帳に追加

駆動電圧が低く、駆動中の電圧の上昇を抑制し、活性ガス種による素子耐久性の低下を抑制することが可能な有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

To provide an electrostatic protection element exhibiting excellent electrostatic breakdown voltage in which rising voltage is designed freely, and also to provide a semiconductor device in which the electrostatic protection element and an active element, e.g. an HEMT, are provided on the same substrate.例文帳に追加

立ち上がり電圧を自由に設計でき、かつ静電耐圧に優れた静電保護素子を提供するとともに、この静電保護素子とＨＥＭＴなどの能動素子とを同一基板上に設けた半導体装置を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, even when the active element and the passive element are mounted inside the board, a connection state of each element can be effectively tested, so that whether or not defects occur in the circuit board can be easily determined.例文帳に追加

本発明によれば、能動素子及び受動素子が基板の内部に実装された場合にも夫々の素子の連結状態を効果的にテストすることができて、回路基板の不良の有無を容易に判別することができる。 - 特許庁

In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.例文帳に追加

素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁

In a package circuit board and a package using the package circuit board, a microelectronic element chip is mounted using a semiconductor substrate instead of a printed circuit board, and an active element or a passive element is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

このパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージは、印刷回路基板に代わって半導体基板を使用して微細電子素子チップを実装し、この半導体基板上には、能動素子又は受動素子が形成されている。 - 特許庁

In a door sensor 6 installed on a transom of a door opening, an active infrared ray sensor 65 composed of an infrared ray projecting element 62 and an infrared ray receiving element 63 and a remote control signal receiving element 64 are housed inside a casing 61.例文帳に追加

ドア開口の無目に取り付けられるドアセンサ６において、ケーシング６１内部に、赤外線投光素子６２及び赤外線受光素子６３から成るアクティブ型赤外線センサ６５と、リモコン信号受光素子６４とを収容する。 - 特許庁

The target temperature is switched alternately between a low- temperature side target temperature at which the sensor element may be poisoned near the lower limit in an active temperature range of the sensor element and a high-temperature side target temperature at which the sensor element can be restored from poisoning.例文帳に追加

前記目標温度を、センサ素子の活性温度範囲での下限付近でセンサ素子が被毒する可能性がある低温側目標温度と、センサ素子が被毒から回復可能な高温側目標温度とに交互に切換える。 - 特許庁

The antenna module includes: an antenna element (210) having a length shorter than a wavelength of a received signal; and an active impedance matching unit (220) connected to one end of the antenna element (210) for matching impedance of the antenna element (210) to a predetermined load impedance.例文帳に追加

受信信号の波長よりも長さが短いアンテナ素子（２１０）と、アンテナ素子（２１０）の終端に結合されて、アンテナ素子（２１０）のインピーダンスを所定の負荷インピーダンスと整合させるアクティブインピーダンス整合部（２２０）とを備える。 - 特許庁

An AND circuit 7 executes such processing that a picture element under consideration becomes an active picture element at the time of being in a dot picture area and being a low density picture element by signals from the circuit 5 and the circuit 6.例文帳に追加

ＡＮＤ回路７は網点領域検出回路５とハイライト領域検出回路６からの信号により、注目画素が網点画像領域であって低濃度画素である場合にアクティブ画素となるような処理を施す。 - 特許庁

In short, when element temperature feedback control is executed, the element resistance (element temperature) is controlled to a desired active region even if sensor abnormality such as degradation occurs, excessive quantity of heater supply power is required during the sensor abnormality state.例文帳に追加

要するに、素子温フィードバック制御が実行される場合、劣化等のセンサ異常時であっても素子抵抗（素子温）は所望の活性領域に制御され、センサ異常時には過多量のヒータ供給電力が必要となる。 - 特許庁

An element isolation section includes the element isolating film formed on two regions and made of a silicon oxide film formed on a surface of a silicon substrate, and a field channel isolation layer formed between element isolation films, formed on the two regions and made of a reverse conductivity type layer to the conductivity type of an active element.例文帳に追加

素子分離部が、２つの領域に形成され、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜より成る素子分離膜と、２つの領域に形成された素子分離膜間に形成され、前記能動素子の導電型とは逆の導電型層から成るフィールドチャネル分離層よりなる。 - 特許庁

The magnetic memory device includes an active area 11 formed in a first direction; an MTJ element 12, formed on the active area 11 and storing data by a change in the resistance value; and a gate electrode (word line WL) of cell transistors T1 and T2, formed on the active area 11 on both sides of the MTJ element 12 in a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

第１方向に形成されたアクティブエリア１１と、アクティブエリア１１上に形成され、抵抗値の変化によってデータを記憶するＭＴＪ素子１２と、ＭＴＪ素子１２の両側のアクティブエリア１１上に、第１方向と直交する第２方向に形成されたセルトランジスタＴ１，Ｔ２のゲート電極（ワード線ＷＬ）とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface light-emitting laser for immediately radiating heat generated in an active layer outside and stabilizing the operation of an element.例文帳に追加

活性層で発生した熱を直ちに外部に放熱させ、素子の動作を安定化した面発光レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, this circuit is equipped with an active clamp circuit 10 so as to suppress the peak of resonant voltage pulses and also reduce the breakdown voltage of a switching element, etc.例文帳に追加

また、アクティブクランプ回路１０を備えて共振電圧パルスのピーク抑制を図って、スイッチング素子等の耐圧を低減する。 - 特許庁

Incidentally, when w1=10 μm, to 100 μm and a distance between active layers 5 and 12 is set as h1, h1≤w1 and an element width is (w1+2h1) or more.例文帳に追加

なお、Ｗ_1 ＝10μｍ〜100μｍとし、活性層５，12間の距離をｈ_1 としたとき、ｈ_1 ≦Ｗ_1 、かつ、素子幅は(Ｗ_1 +２ｈ_1 )以上とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes on a substrate 10: a buffer layer 11; a lower clad layer 12; an active layer 13; an upper clad layer 14; and a contact layer 15.例文帳に追加

基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびコンタクト層１５を備える。 - 特許庁

Then, the films 12, 13 left by the selective etching are used as the an element separating region, and the films 15, 16 are as the active region.例文帳に追加

そして、選択エッチングで残ったシリコン酸化膜１２，１３を素子分離領域とし、シリコンゲルマニウム膜１５，１６をアクティブ領域とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting element capable of selecting the direction of a piezo-polarization in an active layer in a suitable orientation.例文帳に追加

活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 100, a region of the vicinity of an active layer 5 above a ridge portion Ri acts as an optical waveguide region LP.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００においては、リッジ部Ｒｉの上方の活性層５周辺の領域が光導波領域ＬＰとなる。 - 特許庁

To make free from flicker and long in the life of a liquid crystal in a liquid crystal display device provided with an active matrix type liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティブマトリクス液晶表示素子を備えた液晶表示装置において、フリッカレス化、液晶の長寿命化を実現する。 - 特許庁

Between adjacent transistor active regions 155b, the element isolating layers 157b of bar-type complete trenches, which are made parallel with each other in one direction are interposed.例文帳に追加

隣り合ったトランジスタの活性領域の間に一方向に平行したバー型完全トレンチ素子分離層１５７ｂが介在される。 - 特許庁

After that, the mode is switched to discharging for pre-doping lithium ion into the active material 21, after dedoping of pillar element P from the lithium electrode 10.例文帳に追加

その後、放電モードに切り換えて、リチウム極１０からピラー元素Ｐの脱ドープ後の活物質２１内にリチウムイオンをプレドープする。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit in which an increase in element loss is suppressed while suppressing a surge voltage by an active gate drive technology.例文帳に追加

アクティブゲート駆動技術によるサージ電圧抑制を行いながら、素子損失の増大を抑制するゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide a storage battery element with active materials less liable to partial deterioration resulting from the wrinkling of electrode sheets, and its manufacturing method.例文帳に追加

電極シートのシワ等に起因する活物質の部分劣化が起こりにくい蓄電素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The antireflection film 9 is positioned above the light receiving surface, the element isolation region 2, and the active regions connected to the conductive members.例文帳に追加

反射防止膜９は、受光面と、素子分離領域２と、導電性部材と接続される活性領域との上部に配される。 - 特許庁

To provide an optical module capable of attaining highly accurate mounting in relative positions of a photoelectric element and a substrate, and reduced in thickness at the side of an active layer.例文帳に追加

光電素子と基板との相対位置を精度良く実装でき、かつ活性層側の厚みの小さい光モジュールを提供する。 - 特許庁

Light going toward an active layer of the pixel transistor 30 in light made incident from the element substrate 10 side is shielded by a light shielding layer 7a.例文帳に追加

素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう光は遮光層７ａで遮られる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 includes a first conductivity type clad layer 11, a second conductivity type clad layer 15, and an active layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、第１導電型クラッド層１１と、第２導電型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁

To provide an active matrix capable of effectively reducing energy of static electricity so as to avoid breaking of an electronic element on a substrate.例文帳に追加

基板の電子素子が破損されることを回避するように、静電気のエネルギーを効果的に低減させるアクティブマトリクスを提供する。 - 特許庁

To provide an In-Cell type polarizer, capable of obtaining a liquid crystal element having superior driving performance and display performance in an active driving system.例文帳に追加

アクティブ駆動方式において、駆動性能、表示性能に優れた液晶素子を得ることが可能なIn-Cell型偏光子を提供する。 - 特許庁

To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based semiconductor light emitting element capable of reducing the leakage of electrons, from an active layer to a p-type semiconductor region.例文帳に追加

活性層からのｐ型半導体領域への電子リークを低減可能なIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH RESIN LAYER, DEVELOPING SOLUTION USED IN SAME METHOD AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT FORMED BY SAME METHOD例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び該方法に用いられる現像液並びに該方法で形成される液晶素子 - 特許庁

The second conductive type electrode portion is formed in the element separating area and electrically connected to the semiconductor substrate in the active area.例文帳に追加

第２導電型の電極部は、素子分離領域に形成されていて、アクティブ領域の半導体基板に、電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a new thin film Si solar cell regarding a photovoltaic (PV) apparatus including a silicon (Si) nano-wire as an active PV element.例文帳に追加

能動ＰＶ要素としてシリコン（Ｓｉ）ナノワイヤを含む光起電（ＰＶ）装置に関する新規な薄膜Ｓｉ太陽電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 5 (active layer) is formed by using a semiconductor in a polycrystalline form of ZnO doped with a Group-V element or the like.例文帳に追加

半導体層５（活性層）は、例えばＶ族元素が添加されたＺｎＯの多結晶状態の半導体を用いて形成される。 - 特許庁