「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

This device comprises a plurality of trenches which are formed in a semiconductor substrate to define active regions, and an element isolation film filled in the trenches.例文帳に追加

この素子は半導体基板に形成されて活性領域を限定する複数個のトレンチと前記トレンチに満たされた素子分離膜とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit layer having an active element formed in a Si substrate and also includes a SiC layer provided in the lower side of the circuit layer.例文帳に追加

Si基板に形成された能動素子からなる回路層と、前記回路層の下側に設けられたSiC層と、を有する半導体装置など。 - 特許庁

The surface light emitting laser element comprises reflection layers 103 and 107, resonator spacer layers 104 and 106, an active layer 105, and a selective oxidation layer 108.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７、共振器スペーサー層１０４，１０６、活性層１０５および選択酸化層１０８を備える。 - 特許庁

Therefore, the diffusion prevention portion 62 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.例文帳に追加

従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁

To provide technology capable of monitoring the center of emission of an active layer in a semiconductor laser element under a state where an electrode is formed.例文帳に追加

電極が形成された状態の半導体レーザ素子について活性層の発光中心をモニタすることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To attain efficient compensation without making the output excessively large the next degree of an active filter(AF), even if a resonance element exists in a system.例文帳に追加

系統に共振要素が存在する場合でも、その次数のアクティブフィルタ（ＡＦ）出力を過大とせず、効率的な補償を可能とする。 - 特許庁

As main active materials, transition metal complex oxide containing lithium element is used at the positive electrode plate 1 and a carbonaceous material is used at the negative electrode 3, respectively.例文帳に追加

正極板１はリチウム元素を含む遷移金属複合酸化物を、負極板３は炭素材料をそれぞれ主活物質に用いる。 - 特許庁

To attain a surface light emitting type semiconductor laser element having a mesa post which prevents an increase in dislocation in an active layer and is excellent in reliability.例文帳に追加

活性層内での転位の増殖を防ぎ、信頼性の優れたメサポストを有する面発光型半導体レーザ素子の実現を目的とする。 - 特許庁

In the first positive electrode active material, the ratio of nickel out of nickel and the first element is 60 mol% or higher and 80 mol% or lower.例文帳に追加

第１の正極活物質において、ニッケルおよび第１の元素におけるニッケルの割合は、６０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下である。 - 特許庁

To provide a sulfonium salt that does not contain a high-toxicity element such as Sb, and has high sensitivity to an active energy ray such as heat, light.例文帳に追加

Ｓｂ等の毒性の高い元素を含まず、かつ熱あるいは光などの活性エネルギー線に対して、高感度なスルホニウム塩を提供する。 - 特許庁

A lower semiconductor device 13 has the semiconductor substrate having the element active area 13a on its top surface, and the substrate is ≤130 μm thick.例文帳に追加

下部半導体装置１３は、素子活性領域１３ａを上面に有する半導体基板を備え、基板は130μｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

To provide a battery element excellent in capacity and cycle characteristics compared to the conventional case using polyquinoxaline as an electrode active material.例文帳に追加

従来のポリキノキサリンを電極活物質として使用する場合に比べて、容量およびサイクル特性のさらに優れた蓄電素子を提供する。 - 特許庁

The electrostatic protection element and a high electron mobility transistor having the conductivity type impurities containing layer as the active layer are provided on the same substrate.例文帳に追加

そして、この静電保護素子と導電型不純物含有層を能動層とする高電子移動度トランジスタとを同一基板上に設ける。 - 特許庁

To provide an active element display device equipped with an electromagnetic wave blocking means capable of blocking an electromagnetic wave influencing a source voltage.例文帳に追加

電源電圧に影響を与える電磁波を遮蔽することができる電磁波遮蔽手段を備えた能動素子表示装置を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 85 is provided during formation of a transistor, which is performed after an element separation trench 2 and an corresponding active region are formed.例文帳に追加

素子分離用トレンチ２と、対応する能動領域とを構成した後に行われるトランジスタの形成中に、ゲート電極８５を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a chip size in which an active element can emit and/or receive light without performing wire connection or silicon penetration.例文帳に追加

ワイヤー接続やシリコン貫通を行うことなく、能動素子の受光及び／又は発光が可能なチップサイズの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To make a semiconductor element include many channels by changing the form of an active region of the semiconductor substrate before forming a gate electrode.例文帳に追加

本発明は、ゲート電極を形成する以前に半導体基板の活性領域の形態を変化させて多数のチャネルを有するようにする。 - 特許庁

In this thin-film transistor, a crystallized silicon film made of a metallic element promoting crystallization of silicon is used for active layers.例文帳に追加

この薄膜トランジスタは、活性層に珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて作製された結晶性珪素膜を用いている。 - 特許庁

To provide an active matrix type organic electric field light emitting element which has its manufacturing costs and production yield improved by decreasing the number of mask processes.例文帳に追加

マスク工程数を減らして製造費用及び生産収率が向上されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The active matrix substrate is provided with a substrate 1 and a thin film transistor and a capacity element 19 which are formed on the main surface of the substrate 1.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス基板は、基板１と、基板の主面上に設けられた薄膜トランジスタおよび容量素子１９とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride-based semiconductor element which can improve the crystallinity by preventing the segregation of In in an InGaN active layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ活性層中のＩｎの偏析を防止し、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can suppress the flow of adhesive toward a semiconductor element active surface, even when the thickness of the semiconductor element is made thin, and secure sufficient adhesive strength of the semiconductor element to a wiring board, even with a small creep-up amount, a semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の厚みを薄くした場合にも、接着剤が半導体素子能動面のほうに流れ込むことを抑制でき、かつ少ない這い上がり量でも半導体素子の配線基板への密着力を十分確保することができる半導体素子、半導体装置、およびその半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The circuit board according to an embodiment of the present invention includes: an active element that is mounted inside the circuit board and includes at least one connection terminal; a passive element of which one terminal is electrically connected to one of the connection terminals of the active element and the other terminal is electrically connected to a signal pad on a surface of the circuit board; and a test pad that is electrically connected to the one terminal of the passive element.例文帳に追加

本発明の一実施形態による回路基板は、回路基板の内部に実装されて、一つ以上の接続端子を含む能動素子、一端が前記能動素子の接続端子のうち一つと電気的に連結されて、他端が前記回路基板の表面の信号パッドと電気的に連結される受動素子、及び前記受動素子の前記一端と電気的に連結されるテストパッドを含む。 - 特許庁

The positive active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery is manufactured in such a way that the low valence oxide particles of the transition metal element and positive active material particles are dispersed in a solvent to prepare slurry, the solvent is removed from the slurry, and then residual particles are dried to obtain the positive active material particles covered with the low valence oxide particles of the transition metal element.例文帳に追加

前記非水電解質二次電池用の正極活物質は、遷移金属元素の低原子価酸化物粒子と正極活物質粒子とを溶媒中に分散させてなるスラリーから前記溶媒を除去して乾燥することにより、前記正極活物質粒子の表面に前記遷移金属元素の低原子価酸化物粒子を付着させる事により製造される。 - 特許庁

Oxides of a Group III element, a Group XIII element, a lanthanoid element and at least one element selected from the group consisting of Mg, Nb, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, B, Pb and Sn as additive components are added to a denitrification catalyst, which contains V_2O_5 as an active component and at least TiO_2 as a carrier component.例文帳に追加

活性成分としてＶ_２Ｏ_５を含有し、担体成分として少なくともＴｉＯ_２を含有する脱硝触媒に、添加成分として、３族元素、１３族元素、ランタノイド元素およびＭｇ、Ｎｂ、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｎの群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物を含有せしめて成る。 - 特許庁

A semiconductor element formed in the active region 311 included in a first element forming area 31a (stress varying region 101) in a peripheral circuit forming area 31 is not electrically driven but only a semiconductor element in a second element forming area 31b (stress stable region 102) is driven electrically.例文帳に追加

周辺回路形成部３１における第１の素子形成部３１ａ（応力変位領域１０１）に含まれる活性領域３１１に形成された半導体素子に対しては電気的に駆動せず、第２の素子形成部３１ｂ（応力安定領域１０２）の半導体素子に対してのみ電気的に駆動する。 - 特許庁

The switching converter further includes an auxiliary switching element Q3 connected with an auxiliary winding 100b, and a circuit for controlling a drive voltage being applied from the auxiliary winding 100b to the switching element Q1 for active clamp is constituted through the auxiliary switching element Q3.例文帳に追加

スイッチングコンバータには、補助巻線１００ｂに接続された補助スイッチング素子Ｑ３を有し、この補助スイッチング素子Ｑ３を介して補助巻線１００ｂからアクティブクランプ用スイッチング素子Ｑ１に印加される駆動電圧を制御する回路が構成されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 8 composed of GaN containing arsenic is formed on a substrate 7, and a semiconductor element which is an active element such as a field effect transistor and a bipolar transistor, or a passive element such as a capacitor and a resistor is formed on the semiconductor layer 8.例文帳に追加

基板７の上に砒素を含むＧａＮよりなる半導体層８が形成され、この半導体層８の上に電解効果トランジスタやバイポーラトランジスタの能動素子またはコンデンサや抵抗等の受動素子の半導体素子が形成されたものである。 - 特許庁

To provide an electrochemical element having high capacity in which the discharge capacity of the electrochemical element is increased by enhancing utilization factor of an active material in the electrochemical element by uniformizing a condition of absorbing and impregnating an electrolyte in a positive electrode material.例文帳に追加

正極材への電解液を吸液含浸する条件を揃えて向上させ、電気化学素子内の活物質の利用率を向上させて電気化学素子の放電性能を向上させた高容量な電気化学素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A method of bonding a transparent optical element (e.g. a lens or an optical concentrator) to a light emitting device comprising an active region includes a step of elevating the temperature of the optical element and the stack and a step of applying pressure to press the optical element and the light emitting device together.例文帳に追加

透明光学素子（例えばレンズまたは光学濃縮器）を発光デバイスに結合させる方法は、光学素子およびスタックの温度を上昇させる工程と、光学素子と発光デバイスとをともに押し付けるために圧力を加える工程とを含む。 - 特許庁

In the case where a granular filter element group of active carbon or the like is arranged in the downstream of the filter, a flow velocity (flow rate) passing through the granular filter element group is also arranged, and adsorption of the granular filter element group is developed uniformly on the cross section of the channel.例文帳に追加

フィルター１のの下流に活性炭等の粒状濾過体群を配位した場合には、粒状濾過体群を通過する流速（流量）も、平均化し、粒状濾過体群の吸着作用が、流路の横断面において均等に発揮される。 - 特許庁

To provide a composition for a polymer-dispersed liquid crystal display element and a polymer-dispersed liquid crystal display element, excellent in low drive voltage characteristics in a low temperature region without using a highly volatile compound, having high voltage retention and which can be driven by an active element.例文帳に追加

揮発性の高い化合物を用いることなく低温域での低駆動電圧特性に優れ、電圧保持率が高くアクティブ素子にて駆動可能な、高分子分散型液晶表示素子用組成物、及び高分子分散型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for an indicating element which is small in a coefficient of linear expansion while satisfying the transparency, solvent resistance, liquid crystal resistance, heat resistance, low retardation value, etc., required as the substrate for the display element and more particularly a plastic substrate for an active matrix indicating element.例文帳に追加

表示素子用基板として要求される、透明性、耐溶剤性、耐液晶性、耐熱性や、リタデーション値が低いこと等を満足しつつ、線膨張係数の小さい表示素子用プラスチック基板、特にアクティブマトリックス表示素子用プラスチック基板を提供する。 - 特許庁

These delays are attained by varying the refractive index or the length of each element and an active or a passive compensation method is used.例文帳に追加

遅延は、屈折率又は各要素の長さを変化させることによって達成することができ、能動的又は受動的な補償手法が用いられる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor laser element that easily reduces absorption of light vertically leaking out of an active layer.例文帳に追加

活性層から垂直方向へしみ出す光の吸収を容易に低減するとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a position intersecting with at least the through hole electrode, a silicide layer 190 in the active element is formed so that the silicide layer is not formed in the dummy portion.例文帳に追加

少なくとも貫通電極と交差する位置においてダミー部にシリサイド層が形成されないように能動素子にシリサイド層１９０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁

To provide a gas sensor element reconciling securement of water resistance with suppression of delay of a sensor active period, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

被水強度の確保と、センサ活性時間の遅延の抑制とを両立させることができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having a small leakage current and good element characteristics even if a non-crystalline semiconductor thin film having large unevenness is used for an active layer.例文帳に追加

凹凸の大きい、非単結晶半導体薄膜を活性層とした場合でも、リーク電流の小さい、良好な素子特性の薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, capable of taking out light from an active layer more efficiently to outside, through a simple and inexpensive manufacturing method.例文帳に追加

活性層からの光をより効率的に外界へ取り出すことができる半導体発光素子を簡便かつ低コストの製造方法で提供する。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a light emission element to the minimum and eliminate the blur of edge generated in a movie display in an active matrix type display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置に関し、光放出素子の劣化を最小限に抑え、且つ、動画表示において生じるエッジぼけの現象を解消すること。 - 特許庁

To provide a high resolution/high opening rate active matrix type organic electroluminescent element in which a production turnover is improved, and its manufacturing process.例文帳に追加

生産収率が向上された高解像度／高開口率構造アクティブマトリックス型有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element includes an output part 30, an active part 40, a phase controlling part 70, a first grating part 50 and a second grating part 60, consecutively in a waveguide 20.例文帳に追加

導波路２０内に、出力部３０、活性部４０、位相制御部７０、第１グレーティング部５０及び第２グレーティング部６０を、順に備えている。 - 特許庁