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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > active elementの意味・解説 > active elementに関連した英語例文

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active elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2766



例文

To form an element separating region having a uniform height within a wafer surface without decreasing an active region and without generating voids.例文帳に追加

アクティブ領域を減少させず、ボイドを発生させずに、ウェハ面内で均一な高さの素子分離領域を形成する。 - 特許庁

The integrated circuit has a shielding means 6 insulating the active region with respect to an electromagnetic field generated from the inductive element.例文帳に追加

集積回路は誘導素子は発生される電磁界に関して活性領域を絶縁する遮蔽手段(6)を有する。 - 特許庁

A circuit 2 containing an active element 13 and shallow grooves are respectively formed on the top face and side faces of a semiconductor circuit board 1, and signal connection electrodes 3 and ground connection electrodes 4 are formed in the grooves.例文帳に追加

半導体基板の側面に溝を形成し、そこに、コプレーナ線路あるいはスロット線路を形成する。 - 特許庁

The driving voltage of a power line 13 is applied to an organic EL element 12 corresponding to the holding voltage of a holding condenser 16 to control light emission of an organic EL element 12 by active driving.例文帳に追加

保持コンデンサ16の保持電圧に対応して電源線13の駆動電圧を有機EL素子12に印加し、有機EL素子12をアクティブ駆動で発光制御する。 - 特許庁

例文

The secondary defect layers 15 and 15-1 trap a heavy metal being diffused from the element isolation insulating film 14 into the active layer 13, and prevent deterioration in the characteristics of an element.例文帳に追加

この2次欠陥層15、15−1は主に素子分離絶縁膜14から活性層13内に拡散する重金属をトラップし、素子の特性劣化を防止する。 - 特許庁


例文

A closed assembly 20 is provided with a blank closing element 26 and an active closing element 32 at its various side parts; and each of these elements is aligned with the opening 6.例文帳に追加

閉鎖組立体20は、閉鎖組立体の異なる側部においてブランク閉鎖要素26及び能動閉鎖要素32を備え、該要素は各々が開口6と合致する。 - 特許庁

To stably and accurately supply desired current to a light emitting element of each pixel and to suppress the current leak independently of characteristic dispersion of an active element inside the pixel exists.例文帳に追加

画素内部の能動素子の特性ばらつきによらず、安定且つ正確に各画素の発光素子に所望の電流を供給すると共に、電流リークを抑制する。 - 特許庁

To eliminate an adverse effect to the characteristics of a TFT due to a metallic element in the TFT constituted using a silicon film crystallized utilizing the metallic element as an active layer.例文帳に追加

金属元素を利用して結晶化させた珪素膜を活性層として用いたTFTにおいて、金属元素によるTFT特性への悪影響を排除する。 - 特許庁

To control driving of a movable leg and the other joint part by a passive or nonlinear control element in addition to an active control element by operation of a servo control system.例文帳に追加

サーボ制御系の動作による能動的な制御要素に加えて受動的若しくは非線形な制御要素により可動脚やその他の関節部の駆動を制御する。 - 特許庁

例文

To improve the temperature-dependence of the threshold current of a semiconductor laser element having a compressively strained active layer and, in addition, to improve the reliability of the element to high power.例文帳に追加

圧縮歪の活性層を有する半導体レーザ素子において、しきい値電流の温度依存性を改善し、さらに高出力まで高い信頼性を得る。 - 特許庁

例文

When a single unit, an alloy or a compound of a metallic element or a semimetal element to alloy with Li is used as the negative electrode active material, a high effect is obtained.例文帳に追加

負極活物質として、Liと合金を形成可能な金属元素あるいは半金属元素の単体,合金または化合物を用いる場合に高い効果が得られる。 - 特許庁

To extend a lifetime of a light-emitting element and to improve accuracy of display of a low gradation band in a display provided with the light-emitting element driven by an active matrix method.例文帳に追加

アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置において、発光素子の寿命を延ばすとともに、低階調域の表示の精度を向上させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のSiC層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

To form a selective pattern while changing one material into another, an electric circuit is manufactured which includes a capacitor, a coil, a resistance and a desired circuit element such as an active element.例文帳に追加

材料を種々に変更しながら任意のパターンを作るために、コンデンサ、コイル、抵抗、能動素子等所望の回路素子を含んだ電気回路を製造できる。 - 特許庁

The element isolation region 15 further includes a protective insulating film 35 provided between the element isolation insulating film 15 and the active region 10a under the contact plug 34.例文帳に追加

素子分離領域15は、コンタクトプラグ34の下方において、素子分離絶縁膜15と活性領域10aとの間に設けられた保護絶縁膜35を更に有する。 - 特許庁

A first inductance element 80 and a second inductance element 40 which are different in inductance value and applicable frequency are formed on an active surface side of a base substrate 10.例文帳に追加

基体10の能動面側に、相互にインダクタンス値または適用可能周波数の異なる第1インダクタ素子80および第2インダクタ素子40が形成されている。 - 特許庁

This cell array comprises an element isolation film formed on a semiconductor substrate, and a plurality of active regions which are restricted by the element isolation film and formed at constant pitches.例文帳に追加

このセルアレイは半導体基板に形成された素子分離膜と、素子分離膜によって限定されて一定のピッチで形成された複数個の活性領域を有する。 - 特許庁

To provide an optical signal processing circuit which recognizes an optical pulse train for high speed time/wavelength region optical label signal without using an active element (optical gate element).例文帳に追加

高速の時間/波長領域光ラベル信号用光パルス列を、能動素子(光ゲート素子)を用いることなしに認識可能な光信号処理回路を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element whose operating lifetime is improved by reducing an oscillation threshold value in the nitride semiconductor light emitting element having an undoped active layer.例文帳に追加

アンドープの活性層を有する窒化物半導体発光素子において、発振閾値を引き下げ、動作寿命が向上した窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A layer 22b of negative electrode active material contains a single metal element or semimetallic element or its alloy or compound which, together with Li, can form an alloy or compound.例文帳に追加

負極活物質層22bは、Liと合金あるいは化合物を形成可能な金属元素あるいは半金属元素の単体,合金または化合物を含む。 - 特許庁

Also, a first inductance element 85 and a second inductance element 45 which have inductance values or applicable frequencies different from each other are formed on the active surface side of the base 10.例文帳に追加

また基体10の能動面側にも、相互にインダクタンス値または適用可能周波数の異なる第1インダクタ素子85および第2インダクタ素子45が形成されている。 - 特許庁

A first inductance element 80 and a second inductance element 40 which have inductance values or applicable frequencies different from each other are formed on an active surface side of a base 10.例文帳に追加

基体10の能動面側に、相互にインダクタンス値または適用可能周波数のる第1インダクタ素子80および第2インダクタ素子40が形成されている。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element in which crosstalk between adjacent individual electrodes in an active layer, and deformation of an element to the side opposite to a displacement transmitting surface are prevented certainly.例文帳に追加

活性層における隣り合う個別電極間のクロストークや、変位伝達面の反対側への素子変形を確実に防止することができる圧電素子を提供する。 - 特許庁

To provide a display device that can be manufactured at low cost and increase in size is easy, and to provide an active element array substrate, used suitably for the display device, and to provide an amplifying element.例文帳に追加

低コストで製造でき、大型化が容易な表示装置およびそのような表示装置に好適に用いられる能動素子アレイ基板ならびに増幅素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the fuse element formation region is disposed at the active region corner part and then the fuse element can be disposed without forming the fuse in the core circuit formation region.例文帳に追加

活性領域角部にヒューズ素子形成領域を配置することにより、コア回路形成領域にヒューズを形成することなく、ヒューズ素子を配置することが可能となる。 - 特許庁

An element separation region 17 is so formed as to separate an active region of a PMOS transistor formation region Tp from an active region of an NMOS transistor formation region Tn.例文帳に追加

PMOSトランジスタ形成領域Tpの活性領域とNMOSトランジスタ形成領域Tnの活性領域とを区画するように素子分離領域17が形成されている。 - 特許庁

The active species generating part is arranged in at least one side of a supply air flow-directional upstream of the heat exchange element 12 and an exhaust gas flow-directional upstream thereof to generate an active species.例文帳に追加

活性種生成部は、熱交換エレメント12の給気流れ方向上流側および排気流れ方向上流側の少なくとも一方に配置され、活性種を生成する。 - 特許庁

The light emitting element 140 is composed of a first mirror 102, an active layer 103 provided above the mirror 102, and a second mirror 104 provided above the active layer 103.例文帳に追加

発光素子部140は、第1ミラー102と、第1ミラー102の上方に設けられた活性層103と、活性層103の上方に設けられた第2ミラー104とを含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 is provided with an active layer 18, and a grating on the lower side or the upper side of the active layer 18.例文帳に追加

本発明の実施の形態の半導体発光素子10は、活性層18と、該活性層18の下側または上側に回折格子を有する分布帰還型の半導体発光素子である。 - 特許庁

An active material layer containing the active material is preferably formed by attaching Mg_2A or LaA_2 and element A on a surface of a collector by gas deposition method.例文帳に追加

この活物質を含む活物質層は、Mg_2A又はLaA_2及び元素Aを、ガスデポジション法によって集電体の表面に付着させることで形成されていることが好ましい。 - 特許庁

To obtain a polymerizable optically active compound having low viscosity and high spiral induction power, a liquid crystal composition using the optically active compound, a polymeric substance and a liquid crystal element.例文帳に追加

低粘性でらせん誘起力の大きい重合性光学活性化合物、該光学活性化合物を用いた液晶組成物、高分子状物質および液晶素子の提供。 - 特許庁

To solve dispersion of a distribution of colors generated from a nitride semiconductor light-emitting element having a plurality of active layers emitting light rays having wavelengths different from one another by the arrangement of the active layers and the number thereof.例文帳に追加

互いに異なる波長光を放出する複数の活性層を有する窒化物半導体発光素子から発生される色分布のバラツキを活性層の配置と数で解決する。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity other than an active layer in order to cope with a high speed modulation in an embedding hetero type semiconductor light element, in which the active layer is embedded in a semi-insulation semiconductor.例文帳に追加

活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。 - 特許庁

On the principal plane of a substrate 1, the active region of a pMIS transistor and the active region of an nMIS transistor insulated and separated from each other by an element isolation region 2 are provided.例文帳に追加

基板1の主面には、素子分離領域2によって互いに絶縁分離されたpMISトランジスタの活性領域およびnMISトランジスタの活性領域が設けられている。 - 特許庁

Therefore, since breakdown occurs in an active region, causing an breakdown current to flow through the active region having a large area, current concentration does not occur, and a breakdown resistance of an element is increased.例文帳に追加

従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。 - 特許庁

An anode 10 includes an anode active material layer which includes a plurality of anode active material fibers containing silicon as a constituent element on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極10は、負極集電体101上に、珪素を構成元素として含有する負極活物質繊維を複数含む負極活物質層が設けられたものである。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes an anode, a cathode, and an organic active layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic active layer contains a multi-exciton generator.例文帳に追加

本発明に係る有機光電変換素子は、陽極と陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が多励起子発生剤を含む。 - 特許庁

A magnesium capacitor storage element includes: a positive electrode containing a carbon based material as an active material; a negative electrode containing magnesium and its alloy as an active material; and a solid electrolyte.例文帳に追加

本発明のマグネシウムキャパシタ蓄電素子は、炭素系材料を活物質として含む正極と、マグネシウム及びその合金を活物質として含む負極と、固体電解質とを含む。 - 特許庁

The negative-electrode active material layer 22B contains a plurality of negative-electrode active material particles having silicon, and a metal material having a metal element not being alloyed with an electrode reactant.例文帳に追加

この負極活物質層22Bは、ケイ素を有する複数の負極活物質粒子と、電極反応物質と合金化しない金属元素を有する金属材料とを含んでいる。 - 特許庁

In a semiconductor element in which a nitride semiconductor layer having an active layer is laminated upon a group III nitride substrate, the group III nitride substrate contains aluminum, and the active layer is provided with an aluminum-containing nitride semiconductor.例文帳に追加

III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板とする。 - 特許庁

By manufacturing the negative active material by mixing and treating the material for the negative active material the inorganic compound containing the halogen element, reaction with an electrolyte was able to suppress.例文帳に追加

すなわち、負極活物質材料にハロゲン元素を含有する無機化合物を混合・処理して負極活物質を製造することで、電解液との反応を抑制することができた。 - 特許庁

After a trench type element isolation insulating film 2 enclosing an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a gate electrode 4 are formed on the active region.例文帳に追加

半導体基板1に活性領域を囲むトレンチ型の素子分離絶縁膜2を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜3及びゲート電極4を形成する。 - 特許庁

The DFB laser is a laser element having a diffraction grating where an oscillation wavelength λ_e is set independently of the light gain distribution of an active layer near the active layer in a resonator structure.例文帳に追加

本DFBレーザは、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λ_eを設定した回折格子を共振器構造内の活性層の近傍に備えたレーザ素子である。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 contains a material having silicon as a constituent element as a negative electrode active material capable of storing and releasing lithium ions.例文帳に追加

負極22の負極活物質層22Bは、リチウムイオンを吸蔵および放出することが可能な負極活物質として、ケイ素を構成元素として有する材料を含んでいる。 - 特許庁

Affinity of active ingredient and the carrier is so good that high catalyst performance can be obtained even in case the metal complex or the metal cluster containing a non-platinum system element is used as a catalyst active ingredient.例文帳に追加

活性成分と担体との親和性が良く、非白金系の元素を含んだ金属錯体または金属クラスターを触媒活性成分とした場合でも、高い触媒性能が得られる。 - 特許庁

To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のDBRミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁

The active suspension system 200 for a vehicle is provided with the active suspension element rigidly attached to a frame 214 of the vehicle substantially so that the movement of the armature 210 of the active suspension element 204 is mechanically separated substantially from the movement of the wheel of the vehicle in the side direction.例文帳に追加

車両のための能動サスペンションシステム200は、能動サスペンション要素204のアーマチャー210の運動が前記車両の車輪の側方方向の運動から実質的に機械的に分断されるように、前記車両のフレーム214に実質的に剛性的に取り付けられている、前記能動サスペンション要素を備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (semiconductor light-emitting element) includes: an active layer 14 containing In; a p-type cladding layer 18 formed on the active layer 14; and an undoped AlGaN layer 16 and a p-type AlGaN layer 17 formed between the active layer 14 and the p-type cladding layer 18.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子100(半導体発光素子)は、Inを含む活性層14と、活性層14上に形成されたp型クラッド層18と、活性層14とp型クラッド層18との間にそれぞれ形成された、アンドープAlGaN層16およびp型AlGaN層17とを備えている。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

例文

The irritation-mitigating agent is obtained by using at least one member selected from a compound containing a semimetallic element and a vegetable extract containing a semimetallic element as an active ingredient comprising a semimetallic element-containing component.例文帳に追加

半金属元素含有成分の有効成分として、半金属元素を含む化合物あるいは半金属元素を含む植物抽出物から選ばれる少なくとも1種を用い刺激低減剤を得る。 - 特許庁




  
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